JPH06268506A - External output buffer - Google Patents
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- JPH06268506A JPH06268506A JP5055644A JP5564493A JPH06268506A JP H06268506 A JPH06268506 A JP H06268506A JP 5055644 A JP5055644 A JP 5055644A JP 5564493 A JP5564493 A JP 5564493A JP H06268506 A JPH06268506 A JP H06268506A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低雑音出力モード又は高速出力モードの信号
を選択して回路外部へ出力する低消費電力の外部出力バ
ッファを得る。
【構成】 トランジスタ3,6からなるC-MOS 回路を出
力段に用い、これへの信号送出をトランジスタ1,2,
4,5で制御する。
(57) [Summary] [Objective] To obtain a low power consumption external output buffer that selects a signal in a low noise output mode or a high speed output mode and outputs it to the outside of the circuit. [Structure] A C-MOS circuit consisting of transistors 3 and 6 is used for the output stage, and signals are sent to the transistors 1 and 2.
Control with 4 and 5.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は2値信号を回路外部へ出
力する外部出力バッファに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an external output buffer that outputs a binary signal to the outside of the circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】図4は従来の外部出力バッファを示す回
路図である。図において41は図示しない回路で生成され
た出力対象の2値信号が入力される端子である。端子41
に入力される信号の外部出力の可否を制御するイネーブ
ル信号は端子42に入力される。端子41、42の信号はNAND
ゲート43に入力され、NANDゲート43より出力された信号
は、抵抗45と低雑音出力モード又は高速出力モードの選
択をするスイッチ44の並列回路に入力され、その並列回
路の出力はPチャネルトランジスタ46のゲートへ入力さ
れる。トランジスタ46のドレインは回路の電源電圧VCC
に接続され、トランジスタ46のソースは限流抵抗47を介
して回路の電源電圧VSSに接続されている。このソース
と限流抵抗27との接続点を外部出力端子12としている。2. Description of the Related Art FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional external output buffer. In the figure, reference numeral 41 is a terminal to which a binary signal to be output generated by a circuit (not shown) is input. Terminal 41
The enable signal for controlling whether or not the signal input to the external output is externally input is input to the terminal 42. Signals at terminals 41 and 42 are NAND
The signal input to the gate 43 and output from the NAND gate 43 is input to the parallel circuit of the resistor 45 and the switch 44 for selecting the low noise output mode or the high speed output mode, and the output of the parallel circuit is the P-channel transistor 46. Is input to the gate. The drain of the transistor 46 is the circuit power supply voltage V CC.
The source of the transistor 46 is connected to the power supply voltage V SS of the circuit through the current limiting resistor 47. The connection point between this source and the current limiting resistor 27 is used as the external output terminal 12.
【0003】次に図4の回路図の動作を説明する。端子
42に入力されたイネーブル信号が■0" である場合には
端子41に入力される信号が ■0" 、 ■1" のいずれで
あるかに拘らずNANDゲート43より出力される信号は ■
1" である。従ってトランジスタ46のゲートは ■1"
となるのでトランジスタ46のゲートは ■1" となり、
トランジスタ46はオフとなる。この結果、端子41の信号
は外部出力端子48へ出力されない。Next, the operation of the circuit diagram of FIG. 4 will be described. Terminal
When the enable signal input to 42 is 0 ", the signal output from the NAND gate 43 is 1" regardless of whether the signal input to the terminal 41 is 0 "or 1".
1 ". Therefore, the gate of transistor 46 is 1"
Therefore, the gate of transistor 46 becomes 1 ”,
The transistor 46 is turned off. As a result, the signal at the terminal 41 is not output to the external output terminal 48.
【0004】端子42に入力されるイネーブル信号が
“1”である場合には端子41に入力される信号が ■0"
(又は ■1" ) であるときNANDゲート43の出力は ■
1" (又は ■0" ) となる。従ってトランジスタ46の
ゲートは ■1" (又は ■0" )となるのでトランジス
タ46はオフ (又はオン) となる。この結果外部出力端子
48は端子48に入力された信号とおなじ ■0" (又は ■
1" ) を示すので、端子41に入力された信号 ■0"
(又は ■1" ) は外部出力端子48へ送出されることに
なる。If the enable signal input to the terminal 42 is "1", the signal input to the terminal 41 is "0".
(Or ■ 1 "), the output of NAND gate 43 is
It becomes 1 "(or ■ 0"). Therefore, the gate of the transistor 46 becomes (1) (or (0)) so that the transistor 46 is turned off (or turned on). As a result, the external output terminal
48 is the same as the signal input to terminal 48 ■ 0 "(or ■
1 "), the signal input to the terminal 41 ■ 0"
(Or (1) ") is sent to the external output terminal 48.
【0005】次に低雑音出力モード及び高速出力モード
の説明をする。図5,6は夫々低雑音出力モード,高速
出力モードの立上り波形図であり、横軸は時間(秒)
を、縦軸は外部出力端子48における電圧を示す。スイッ
チ44がオフである場合にはNANDゲート43から出力される
信号 ■0" は信号遅延手段として抵抗45を通りトラン
ジスタ46のゲートに入力されるのでトランジスタ46はオ
ンとなり、従って図5に示すようにゆるやかな立上り波
形を示す。このときNANDゲート43から出力される信号
■0" に重畳される雑音信号は抵抗45及び抵抗47により
分圧されて外部出力端子48へ出力されるので、雑音信号
は低減されることになる。これが低雑音出力モードの動
作である。Next, the low noise output mode and the high speed output mode will be described. Figures 5 and 6 are rising waveform diagrams in low-noise output mode and high-speed output mode, respectively, with the horizontal axis representing time (seconds).
The vertical axis represents the voltage at the external output terminal 48. When the switch 44 is off, the signal {circle over (1)} output from the NAND gate 43 passes through the resistor 45 as a signal delay means and is input to the gate of the transistor 46, so that the transistor 46 is turned on. Therefore, as shown in FIG. The signal output from the NAND gate 43 at this time shows a gentle rising waveform.
(2) The noise signal superimposed on 0 "is divided by the resistors 45 and 47 and output to the external output terminal 48, so that the noise signal is reduced. This is the operation in the low noise output mode.
【0006】一方、スイッチ45がオンである場合にはNA
NDゲート43から出力された信号 ■0" は抵抗45を通ら
ずスイッチ44を通りトランジスタ46のゲートに入力され
るのでトランジスタ46はオンとなり、従って図6に示す
ように急峻な傾斜を有する立上り波形が得られる。On the other hand, when the switch 45 is on, the NA
The signal {circle around (1)} output from the ND gate 43 does not pass through the resistor 45 but passes through the switch 44 and is input to the gate of the transistor 46, so that the transistor 46 is turned on, and thus the rising waveform having a steep slope as shown in FIG. Is obtained.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】従来の外部出力バッフ
ァは、トランジスタ46をオンにした場合には限流抵抗47
に電流が流れ、その結果として限流抵抗47による電力消
費が生ずる、という問題点がある。さらに従来の外部出
力バッファはトランジスタ46が動作することができる電
圧が制限されている。従って液晶表示制御回路、プリン
タ駆動制御回路の如き同一の電源電圧により動作させ得
ない装置を駆動せしめる場合にはそれらの装置と同一の
電源で動作する外部出力バッファを複数用意しておかな
ければならない、という問題点がある。The conventional external output buffer has a current limiting resistor 47 when the transistor 46 is turned on.
There is a problem in that a current flows through the device, resulting in power consumption by the current limiting resistor 47. Furthermore, conventional external output buffers have a limited voltage at which transistor 46 can operate. Therefore, in order to drive a device such as a liquid crystal display control circuit or a printer drive control circuit that cannot be operated by the same power supply voltage, it is necessary to prepare a plurality of external output buffers that operate with the same power supply as those devices. , There is a problem.
【0008】本発明は前記問題点に鑑みなされたもので
あり、出力段にC-MOS 回路を設けることにより限流抵抗
が不要となり、これによる電力消費を削減する外部出力
バッファの提供を目的とする。さらにC-MOS 回路に複数
の電源から所要の電源を選択して与える回路を設けるこ
とによ複数の電源に対応して動作する複数の装置を複数
の電源電圧を用いて駆動せしめることができる外部出力
バッファの提供を目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an external output buffer that reduces power consumption due to the need for a current limiting resistor by providing a C-MOS circuit in the output stage. To do. Furthermore, by providing the C-MOS circuit with a circuit that selects and supplies the required power supply from multiple power supplies, it is possible to drive multiple devices that operate in response to multiple power supplies using multiple power supply voltages. The purpose is to provide an output buffer.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】第1の発明に係る外部出
力バッファは、出力対象の信号を外部へ出力するC-MOS
回路と、前記出力対象の信号の前記C-MOS 回路への送出
の可否を制御するスイッチとを備えている。第2の発明
に係る外部出力バッファは、C-MOS 回路を一導電型のト
ランジスタ及び並列接続され、信号駆動率が相異なる2
個の他導電型のトランジスタから構成している。第3の
発明に係る外部出力バッファは、C-MOS 回路を夫々に並
列に接続され、信号駆動率が相異なる各複数の一導電型
のトランジスタ及び他導電型のトランジスタから構成し
ている。第4の発明では第2、第3発明のC-MOS 回路へ
複数の電源から所要の電源を選択して与えるようになし
てある。An external output buffer according to a first invention is a C-MOS for outputting a signal to be output to the outside.
A circuit and a switch for controlling whether or not to send the signal to be output to the C-MOS circuit. In the external output buffer according to the second aspect of the present invention, a C-MOS circuit is connected in parallel with a transistor of one conductivity type and has different signal drive rates.
It is composed of transistors of other conductivity type. The external output buffer according to the third aspect of the present invention is configured such that C-MOS circuits are connected in parallel, and each of the plurality of one conductivity type transistors and other conductivity type transistors having different signal driving rates. In the fourth invention, a required power source is selected from a plurality of power sources and applied to the C-MOS circuits of the second and third inventions.
【0010】[0010]
【作用】第1の発明にあっては、出力対象の信号をC-MO
S 回路を用いて外部へ出力するので出力段の限流抵抗に
よる電力消費を削減することができる。第2、3の発明
にあっては、導通されたトランジスタの信号駆動率に従
って高速出力モード又は低雑音出力モードとなる。第4
の発明にあっては選択した電圧を出力信号を受ける回路
側へ与えることができる。In the first invention, the signal to be output is C-MO.
Since it is output to the outside using the S circuit, the power consumption due to the current limiting resistance in the output stage can be reduced. In the second and third inventions, the high-speed output mode or the low-noise output mode is set according to the signal driving rate of the transistor that is turned on. Fourth
In the invention, the selected voltage can be applied to the circuit side receiving the output signal.
【0011】[0011]
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
いて具体的に説明する。図1は、本発明の外部出力バッ
ファの一実施例を示す回路図である。図において、17は
図示しない回路で生成された出力対象の2値信号を入力
する端子であり、Nチャネルのトランジスタ1,4の各
ソースに接続されている。11,12 は信号■0" 、 ■1"
を各入力する端子であり、Pチャネルのトランジスタ
2,5の各ソースに接続されている。端子18はトランジ
スタ1,2,4及び5の各ゲートに接続され、端子18か
ら入力される前記出力対象となる2値信号の送出の可否
を制御するイネーブル信号により各トランジスタ1,
2,4,5をオン又はオフする。トランジスタ1,2
(又は4,5)の各ドレインは抵抗7、スイッチ9(又
は抵抗8、スイッチ10) の並列回路の一端に接続され、
該並列回路の他端はNチャネルのトランジスタ3(又は
Pチャネルのトランジスタ6)のゲートに接続されてい
る。トランジスタ3,6はC-MOS 回路を構成し、トラン
ジスタ3,6のドレインは共に外部出力端子13に接続さ
れている。トランジスタ3,6の各ソースには電源電圧
VCC,VSSが与えられている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below with reference to the drawings showing the embodiments. FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of an external output buffer of the present invention. In the figure, reference numeral 17 is a terminal for inputting a binary signal to be output generated by a circuit (not shown), which is connected to each source of N-channel transistors 1 and 4. 11,12 are signals ■ 0 ", ■ 1"
Is connected to each source of the P-channel transistors 2 and 5. The terminal 18 is connected to the gates of the transistors 1, 2, 4 and 5, and each transistor 1, 2 is controlled by an enable signal that controls whether or not the binary signal to be output, which is input from the terminal 18, is transmitted.
Turn 2, 4, 5 on or off. Transistors 1 and 2
Each drain of (or 4, 5) is connected to one end of the parallel circuit of resistor 7 and switch 9 (or resistor 8 and switch 10),
The other end of the parallel circuit is connected to the gate of the N-channel transistor 3 (or the P-channel transistor 6). The transistors 3 and 6 form a C-MOS circuit, and the drains of the transistors 3 and 6 are both connected to the external output terminal 13. Power supply voltages V CC and V SS are applied to the sources of the transistors 3 and 6, respectively.
【0012】次に図1に示す回路の動作を説明する。端
子18から入力されるイネーブル信号が ■1" である
場合には、トランジスタ1,4はオンとなり、トランジ
スタ2,5はオフとなる。この状態において端子17の2
値信号が ■0" から ■1"(又は ■1" から ■0" )
に変化するときは、トランジスタ3はオフからオン(又
はオンからオフ)、トランジスタ6はオンからオフ(又
はオフからオン)となる。従って外部出力端子12に出力
される出力対象となる2値信号は ■0" から ■1"
(又は ■1" から ■0" ) への立上り (又は立下り)
波形を示す。この場合、連動操作されるスイッチ9,10
がオンの状態であるときには高速出力モードに相当し、
外部出力端子12から急峻なエッジを有する立上り (又は
立下り) 波形が出力され、スイッチ9,10がオフの状態
であるときには抵抗7(又は8)の存在により低雑音出
力モードに相当し、外部出力端子12から緩やかなエッジ
を有する立上り (又は立下り) 波形が出力される。Next, the operation of the circuit shown in FIG. 1 will be described. When the enable signal input from the terminal 18 is 1 ″, the transistors 1 and 4 are turned on and the transistors 2 and 5 are turned off.
Value signal is from 0 "to 1" (or from 1 "to 0")
When it changes to, the transistor 3 changes from off to on (or on to off), and the transistor 6 changes from on to off (or off to on). Therefore, the binary signal to be output to the external output terminal 12 is from 0 "to 1"
(Or rising (or falling) from 1 "to 0")
The waveform is shown. In this case, the interlocked switches 9 and 10
When is on, it corresponds to the high-speed output mode,
A rising (or falling) waveform having a steep edge is output from the external output terminal 12, and when the switches 9 and 10 are off, the presence of the resistor 7 (or 8) corresponds to the low noise output mode. A rising (or falling) waveform having a gradual edge is output from the output terminal 12.
【0013】端子18のイネーブル信号が ■0" である
場合には、トランジスタ1,4は共にオフとなり、トラ
ンジスタ2,5は共にオンとなるので、トランジスタ
3,6の各ゲートは ■0" 、“1”となり、その結果
トランジスタ3,6は共にオフとなる。従って外部出力
端子12はハイインピーダンス状態を示す。When the enable signal at the terminal 18 is (1) 0 ", the transistors 1 and 4 are both off and the transistors 2 and 5 are both on, so that the gates of the transistors 3 and 6 are (0)", As a result, the transistors 3 and 6 are both turned off. Therefore, the external output terminal 12 shows a high impedance state.
【0014】以上説明したように端子17に入力される出
力対象となる2値信号は、トランジスタ3,6から構成
されるC-MOS 回路により回路外部へ出力されるので限流
抵抗は不要であり、従って限流抵抗による電力消費は生
じない。なお、トランジスタ1,2,4,5に替えてP
チャネルトランジスタ及びNチャネルトランジスタを対
にしたC-MOS トランスミッションゲートを用いてもよ
い。As described above, since the binary signal to be output which is input to the terminal 17 is output to the outside of the circuit by the C-MOS circuit composed of the transistors 3 and 6, the current limiting resistor is not necessary. Therefore, there is no power consumption due to the current limiting resistance. The transistors 1, 2, 4, 5 are replaced by P
A C-MOS transmission gate having a pair of a channel transistor and an N-channel transistor may be used.
【0015】図2は、本発明の外部出力バッファの他の
実施例を示す回路図である。端子114 はNチャネルのト
ランジスタ101,104 及び107 の各ソースに接続され、CM
OSしない回路で生成された出力対象となる2値信号を入
力するものである。端子115はPチャネルのトランジス
タ102 のソースに接続され、信号“0”を該ソースに与
えるものである。端子113 はトランジスタ101,102 の各
ゲートに接続され、出力対象信号の送出の可否を制御す
るイネーブル信号 (“1”で出力可) を前記各ゲートに
与えるものである。FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment of the external output buffer of the present invention. Terminal 114 is connected to each source of N-channel transistors 101, 104 and 107
The binary signal to be output, which is generated by the circuit without the OS, is input. The terminal 115 is connected to the source of the P-channel transistor 102 and supplies the signal "0" to the source. The terminal 113 is connected to the gates of the transistors 101 and 102, and supplies an enable signal (which can be output by "1") for controlling whether or not the output target signal can be transmitted to the gates.
【0016】端子117 はPチャネルのトランジスタ105,
108 の各ソースに接続され、信号“1”を前記各ソース
に与えるものである。端子116(又は118)はトランジスタ
104,105(又は107,108)の各ゲートに接続され、前述した
ところと同様のイネーブル信号を前記各ゲートに与える
ものである。トランジスタ101,102 の各ドレインは共に
抵抗120 、スイッチ121 の並列回路の一端に接続され、
該並列回路の他端はNチャネルのトランジスタ103 のゲ
ートに接続されている。トランジスタ104,105(又は107,
108)の各ドレインは共にPチャネルのトランジスタ106
(又は109)のゲートに接続され、トランジスタ103,106
(又は109)でC-MOS 回路を構成している。トランジスタ1
09 の信号駆動率はトランジスタ106 の信号駆動率より
も低い。Terminal 117 is a P-channel transistor 105,
It is connected to each source of 108 and gives a signal "1" to each source. Terminal 116 (or 118) is a transistor
It is connected to each gate of 104, 105 (or 107, 108) and provides the same enable signal as described above to each gate. The drains of the transistors 101 and 102 are both connected to the resistor 120 and one end of the parallel circuit of the switch 121.
The other end of the parallel circuit is connected to the gate of an N-channel transistor 103. Transistors 104, 105 (or 107,
Each drain of (108) is a P-channel transistor 106.
(Or 109) connected to the gate of transistor 103,106
(Or 109) constitutes a C-MOS circuit. Transistor 1
The signal drive ratio of 09 is lower than that of the transistor 106.
【0017】前記トランジスタ106(又は109)のソースに
電源電圧VSS (又はVSL)が供給されている。Pチャネ
ルのトランジスタ110 及びNチャネルのトランジスタ11
1 の各ソースには電源電圧VCC及びVSHが夫々供給され
ている。端子112 はトランジスタ110,111 の各ゲートに
接続され、この実施例ではスイッチ121 がオン (又はオ
フ) のときにはトランジスタ103 のソースにVCC (又は
VSH) を与えるように制御信号“1” (又は“0”) を
入力するものとする。トランジスタ110,111 のドレイン
は共にトランジスタ103 のソースと他の装置 (図示せ
ず) とに接続され、VCC又はVSHが前記C-MOS 回路及び
他の装置に供給される。トランジスタ103,106 及び109
のドレインは共に外部出力端子122 に接続されている。The power supply voltage V SS (or V SL ) is supplied to the source of the transistor 106 (or 109). P-channel transistor 110 and N-channel transistor 11
The power supply voltages V CC and V SH are supplied to the respective sources of 1. Terminal 112 is connected to the gates of the transistors 110 and 111, the control signal "1" to give a V CC (or V SH) to the source of the transistor 103 when the switch 121 in this embodiment is on (or off) (or " 0 ") should be entered. The drains of the transistors 110 and 111 are both connected to the source of the transistor 103 and another device (not shown), and V CC or V SH is supplied to the C-MOS circuit and other devices. Transistors 103, 106 and 109
The drains of both are connected to the external output terminal 122.
【0018】次に図2に示す回路の動作の説明をする。
トランジスタ106,109 の信号駆動率は相異なり、トラン
ジスタ106 の方が高いので、その導通による信号出力で
は立上り, 立下りの急峻な高速出力モードの波形とな
る。逆にトランジスタ109 の導通による信号出力は立上
り, 立下りの緩やかな、従って雑音が抑制された低雑音
出力モードの波形となる。従って高速出力モード、低雑
音出力モードの夫々に対応して端子116,118 のイネーブ
ル信号を夫々“1”とする。Next, the operation of the circuit shown in FIG. 2 will be described.
Since the signal driving rates of the transistors 106 and 109 are different and the transistor 106 is higher, the signal output due to the conduction thereof has a waveform in a high-speed output mode in which the rising and falling are steep. On the contrary, the signal output due to the conduction of the transistor 109 has a gradual rise and fall, and thus has a waveform in the low noise output mode in which noise is suppressed. Therefore, the enable signals at the terminals 116 and 118 are set to "1" corresponding to the high speed output mode and the low noise output mode, respectively.
【0019】一方スイッチ121 のオン, オフは夫々高速
出力モード, 低雑音出力モードに相当し、この実施例で
はスイッチ121 のオン/オフと端子112 へ与える信号の
“1”/“0”とが連動する。従って高速出力モードで
は出力信号の“1”/“0”はVCC/VSSとなり、低雑
音出力モードでは出力信号の“1”/“0”はVSH/V
SLとなる。On the other hand, the on / off of the switch 121 corresponds to the high speed output mode and the low noise output mode, respectively. In this embodiment, the on / off of the switch 121 and the "1" / "0" of the signal applied to the terminal 112 are determined. Work together. Therefore, in the high speed output mode, "1" / "0" of the output signal becomes Vcc / Vss , and in the low noise output mode, "1" / "0" of the output signal becomes Vsh / Vs.
Become SL .
【0020】以下より詳細に説明する。スイッチ121 を
オンとし、端子113,116 の各イネーブル信号を“1”と
し、端子118 のイネーブル信号を“0”とした状態の場
合 (高速出力モード) にはトランジスタ101,104 及び10
8 がオンとなり、またトランジスタ102,105 及び107 が
オフとなる。この状態において端子114 の出力対象の2
値信号が“0”から“1” (又は“1”から“0”) に
変化するとき、トランジスタ103 はオフからオン (又は
オンからオフ) 、トランジスタ106 はオンからオフ (又
はオフからオン) となる。トランジスタ109 はオフのま
まである。The details will be described below. When the switch 121 is turned on, the enable signals of the terminals 113 and 116 are set to “1”, and the enable signal of the terminal 118 is set to “0” (high-speed output mode), the transistors 101, 104 and 10 are connected.
8 turns on and transistors 102, 105 and 107 turn off. In this state, the output target of terminal 114 is 2
When the value signal changes from "0" to "1" (or "1" to "0"), the transistor 103 is off to on (or on to off) and the transistor 106 is on to off (or off to on). Becomes Transistor 109 remains off.
【0021】従って外部出力端子122 に出力される2値
信号は“0”から“1” (又は“1”から“0”) の急
峻なエッジを有する立上り (又は立下り) 波形を示す。
この場合端子112 の制御信号が“1”となるのでトラン
ジスタ111 がオン、トランジスタ110 がオフとなり、そ
の結果トランジスタ103 のソースに電源電圧VCCが供給
される。従って外部出力バッファはこれに接続される他
の装置に電源電圧VCCを供給し、さらに外部出力端子12
2 は電圧VCCの信号“1”を示す。“0”はトランジス
タ106 のオンによりVSSである。Therefore, the binary signal output to the external output terminal 122 exhibits a rising (or falling) waveform having a sharp edge of "0" to "1" (or "1" to "0").
In this case, since the control signal at the terminal 112 becomes "1", the transistor 111 is turned on and the transistor 110 is turned off. As a result, the power supply voltage V CC is supplied to the source of the transistor 103. Therefore, the external output buffer supplies the power supply voltage V CC to other devices connected thereto, and further the external output terminal 12
2 indicates the signal "1" of the voltage V CC . "0" is V SS due to the turning on of the transistor 106.
【0022】次にスイッチ112 をオフとし、端子113,11
8 の各イネーブル信号を“1”とし、端子116 のイネー
ブル信号を“0”とした状態の場合 (低雑音出力モー
ド) にはトランジスタ101,105 及び107 がオンとなり、
またトランジスタ102,104 及び108 がオフとなる。この
状態において出力対象の2値信号が“0”から“1”
(又は“1”から“0”) に変化するとき、トランジス
タ103 はオフからオン (又はオンからオフ) 、トランジ
スタ109 はオンからオフ (又はオフからオン) となる。
トランジスタ106 はオフのままである。Next, the switch 112 is turned off and the terminals 113 and 11 are
When each enable signal of 8 is set to “1” and the enable signal of the terminal 116 is set to “0” (low noise output mode), the transistors 101, 105 and 107 are turned on,
Further, the transistors 102, 104 and 108 are turned off. In this state, the binary signal to be output is from "0" to "1"
When it changes (or changes from "1" to "0"), the transistor 103 changes from off to on (or on to off) and the transistor 109 changes from on to off (or off to on).
Transistor 106 remains off.
【0023】従って外部出力端子122 に出力される2値
信号は“0”から“1” (又は“1”から“0”) の緩
やかなエッジを有する立上り (又は立下り) 波形を示
す。この場合、スイッチ121 がオンの場合には高速出力
モードに相当し、外部出力端子122 から急峻なエッジを
有する立上り波形が出力される。この場合、端子112 の
制御信号が“0”であるのでトランジスタ110 がオン、
トランジスタ111 がオフとなり、トランジスタ103 のソ
ースにはVSHが与えられる。従って他の装置へ供給する
電源電圧又は“1”の電圧はVSHとなる。またトランジ
スタ109 のオンにより“0”の電圧はVSLとなる。Therefore, the binary signal output to the external output terminal 122 exhibits a rising (or falling) waveform having a gradual edge from "0" to "1" (or "1" to "0"). In this case, when the switch 121 is on, this corresponds to the high-speed output mode, and the rising waveform having a steep edge is output from the external output terminal 122. In this case, since the control signal at the terminal 112 is "0", the transistor 110 is turned on,
The transistor 111 is turned off, and V SH is applied to the source of the transistor 103. Therefore, the power supply voltage or the voltage of "1" supplied to other devices becomes V SH . When the transistor 109 is turned on, the voltage "0" becomes V SL .
【0024】出力端子113,116,118 のイネーブル信号が
共に“0”である場合には、トランジスタ101,104,107
は共にオフとなり、トランジスタ102,105,108 は共にオ
ンとなるので、トランジスタ103,106,109 の各ゲートは
各“0”、“1”、“1”となり、その結果トランジス
タ103,106,109 は共にオフとなる。従って、外部出力端
子122 はハイインピーダンス状態を示す。When the enable signals at the output terminals 113, 116 and 118 are all "0", the transistors 101, 104 and 107 are connected.
Are turned off and the transistors 102, 105 and 108 are turned on, so that the gates of the transistors 103, 106 and 109 are "0", "1" and "1", respectively, so that the transistors 103, 106 and 109 are turned off. Therefore, the external output terminal 122 shows a high impedance state.
【0025】以上説明したように本実施例の外部出力バ
ッファは、出力段にC-MOS 回路を設けることにより出力
段の限流抵抗による電力消費を削減することができる。
また上述の実施例のようにトランジスタ110,111 からな
る電源選択回路を設けることにより出力対象の2値信号
を複数種類の異なる電源電圧に対応する2値信号として
回路外部へ出力することができる。なお上述の実施例で
はモード選択用のスイッチ121 のオン, オフに連動して
電源電圧VCC, VSHを選択するように構成したが、モー
ド選択と電圧選択とを独立させることも可能である。As described above, the external output buffer of this embodiment can reduce the power consumption due to the current limiting resistance of the output stage by providing the C-MOS circuit in the output stage.
Further, by providing the power source selection circuit including the transistors 110 and 111 as in the above-described embodiment, the binary signal to be output can be output to the outside of the circuit as a binary signal corresponding to a plurality of different power source voltages. In the above-described embodiment, the power supply voltages V CC and V SH are selected by interlocking with the on / off of the mode selection switch 121, but the mode selection and the voltage selection can be made independent. .
【0026】また前述の実施例では2種類の電源電圧よ
り所要の電源を選択するものとしたが、3 種類以上の電
源電圧より所要の電源を選択するように構成してもよ
い。またC-MOS 回路の並列トランジスタの数は3個以上
であってもよい。更にトランジスタ110,111 など入力側
のトランジスタはC-MOS トランスミッションゲートに代
替可能である。In the above embodiment, the required power source is selected from the two types of power source voltages, but the required power source may be selected from three or more types of power source voltages. The number of parallel transistors in the C-MOS circuit may be three or more. Furthermore, the transistors on the input side such as the transistors 110 and 111 can be replaced with C-MOS transmission gates.
【0027】図3は、本発明の外部出力バッファの更に
他の実施例を示す回路図である。この実施例はC-MOS 回
路のNチャネル側も選択的に導通させる2つのトランジ
スタを並列接続した構成としたものである。出力対象の
2値信号を与える端子218 はNチャネルトランジスタ20
1,204,104,107 のソースに接続されている。トランジス
タ201,204 のドレインはNチャネルトランジスタ203,20
6 のゲートに接続されている。信号駆動率はトランジス
タ203 が高く、トランジスタ206 が低い。信号“0”が
与えられる端子219 はPチャネルトランジスタ202,205
のソースに接続され、これらのトランジスタのドレイン
は夫々トランジスタ203,206 のケーブルに接続されてい
る。FIG. 3 is a circuit diagram showing still another embodiment of the external output buffer of the present invention. In this embodiment, two transistors are selectively connected in parallel so that the N-channel side of the C-MOS circuit is selectively turned on. The terminal 218 that gives a binary signal to be output is an N-channel transistor 20.
Connected to 1,204,104,107 sources. The drains of the transistors 201 and 204 are N-channel transistors 203 and 20.
Connected to 6 gates. The signal driving rate is high in the transistor 203 and low in the transistor 206. The terminal 219 to which the signal “0” is given is the P-channel transistor 202, 205.
Of the transistors 203 and 206, and the drains of these transistors are connected to the cables of transistors 203 and 206, respectively.
【0028】各別のイネーブル信号が与えられる端子21
7 及び220 はトランジスタ201,202のゲート及び
トランジスタ204,205 のゲートに夫々接続され
ている。各ソースが夫々電圧VCC, VSHに連なるトラン
ジスタ111,110 のドレインは一括してトランジスタ203,
206 のソースに接続されている。トランジスタ203,206
のドレインはPチャネルトランジスタ106,109 のドレイ
ンと一括されて出力端子122 と接続されている。Terminal 21 to which each separate enable signal is applied
7 and 220 are connected to the gates of the transistors 201 and 202 and the gates of the transistors 204 and 205, respectively. The drains of the transistors 111 and 110 whose sources are connected to the voltages V CC and V SH , respectively, are collectively transistor 203,
Connected to 206 sources. Transistor 203,206
Of the P channel transistors 106 and 109 are connected together to the output terminal 122.
【0029】その他の構成は図2に示す実施例と同様で
あるので同符号を付して説明を省略する。この実施例に
おいては高速出力モードとする場合には信号駆動率が高
いトランジスタ203,106 の組合せを選択すべく端子217,
116 のイネーブル信号を“1”とし、端子220,118 のイ
ネーブル信号を“0”とする。低雑音出力モードとする
場合には逆に信号駆動率が低いトランジスタ206,109 の
組合せを選択すべく端子220,118 のイネーブル信号を
“1”とし、端子217,116 のイネーブル信号を“0”と
する。Pチャネルトランジスタ側の電圧、即ち出力信号
“0”の電圧は高速出力モード時にはVSS、低雑音出力
モード時にはVSLとなる。Since the other structure is similar to that of the embodiment shown in FIG. 2, the same reference numerals are given and the description thereof is omitted. In this embodiment, when the high-speed output mode is selected, the terminal 217,
The enable signal of 116 is set to "1", and the enable signals of the terminals 220 and 118 are set to "0". On the contrary, when the low noise output mode is selected, the enable signals at the terminals 220 and 118 are set to "1" and the enable signals at the terminals 217 and 116 are set to "0" in order to select the combination of the transistors 206 and 109 having a low signal driving rate. The voltage on the P-channel transistor side, that is, the voltage of the output signal "0" is V SS in the high speed output mode and V SL in the low noise output mode.
【0030】一方Nチャネルトランジスタ側の電圧、即
ち出力信号“1”の電圧はトランジスタ203,206 の選
択、つまりモード選択とは独立して端子112 の制御信号
を“1”、“0”にすることでVCC, VSHを随意に選択
できる。なお端子217,220,116,118 のイネーブル信号を
総て“0”とする場合はハイインピーダンス状態が得ら
れることは言うまでもない。なおこの実施例においても
C-MOS 回路のPチャネル側、Nチャネル側のトランジス
タ数を各3個以上としてもよいことは勿論である。ま
た、トランジスタ110,111 など入力側のトランジスタは
C-MOS トランスミッションゲートに代替可能である。On the other hand, the voltage on the N-channel transistor side, that is, the voltage of the output signal "1" is set by setting the control signal at the terminal 112 to "1" or "0" independently of the selection of the transistors 203 and 206, that is, the mode selection. V CC and V SH can be arbitrarily selected. It goes without saying that a high impedance state can be obtained when all the enable signals of the terminals 217, 220, 116 and 118 are "0". In this example also
Of course, the number of transistors on the P-channel side and the number of N-channel sides of the C-MOS circuit may be three or more. Also, the transistors on the input side such as transistors 110 and 111
It can be replaced with a C-MOS transmission gate.
【0031】[0031]
【発明の効果】以上説明したように本発明の外部出力バ
ッファは、出力段にC-MOS 回路を設けることにより限流
抵抗による電力消費を削減することができ、さらに電源
選択回路を設けることによりC-MOS 回路から複数種類の
異なる電源電圧に対応する信号を回路外部へ出力するの
で複数の電源電圧に対応して動作する複数の装置を駆動
せしめることができる。As described above, the external output buffer of the present invention can reduce the power consumption due to the current limiting resistance by providing the C-MOS circuit in the output stage, and further by providing the power supply selecting circuit. Since the C-MOS circuit outputs signals corresponding to a plurality of different power supply voltages to the outside of the circuit, it is possible to drive a plurality of devices that operate corresponding to a plurality of power supply voltages.
【図1】本発明の外部出力バッファを示す回路図であ
る。FIG. 1 is a circuit diagram showing an external output buffer of the present invention.
【図2】本発明の外部出力バッファの他の実施例を示す
回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment of the external output buffer of the present invention.
【図3】本発明の外部出力バッファの更に他の実施例を
示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing still another embodiment of the external output buffer of the present invention.
【図4】従来の外部出力バッファを示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional external output buffer.
【図5】低雑音出力モードの立上り波形図である。FIG. 5 is a rising waveform diagram of a low noise output mode.
【図6】高速出力モードの立上り波形図である。FIG. 6 is a rising waveform diagram of a high speed output mode.
1〜6 トランジスタ 101 〜111 トランジスタ 201 〜206 トランジスタ 1-6 Transistors 101-111 Transistors 201-206 Transistors
Claims (4)
信号のレベルを低減して回路外部へ出力する低雑音出力
モードと、該低雑音出力モードによる信号よりも急峻な
エッジを有する信号を回路外部へ出力する高速出力モー
ドとを有する外部出力バッファにおいて、 前記出力対象の信号を外部へ出力するC-MOS 回路と、 前記出力対象の信号の前記C-MOS 回路への送出の可否を
制御するスイッチとを備えていることを特徴とする外部
出力バッファ。1. A low noise output mode in which a level of a noise signal superimposed on the signal to be output is reduced and output to the outside of the circuit, and a signal having a steeper edge than the signal in the low noise output mode. In an external output buffer having a high-speed output mode that outputs to the outside of the circuit, a C-MOS circuit that outputs the signal to be output to the outside, and whether or not to send the signal to be output to the C-MOS circuit are controlled. An external output buffer, comprising:
信号のレベルを低減して回路外部へ出力する低雑音出力
モードと、該低雑音出力モードによる信号よりも急峻な
エッジを有する信号を回路外部へ出力する高速出力モー
ドとを有する外部出力バッファにおいて、 一導電型のトランジスタ及び並列接続され、信号駆動率
が相異なる複数の他導電型のトランジスタから構成さ
れ、一のトランジスタの選択的導通により前記出力対象
の信号を外部へ出力するC-MOS 回路と、 前記出力対象の信号の前記C-MOS 回路への送出の可否を
制御するスイッチとを備えていることを特徴とする外部
出力バッファ。2. A low noise output mode in which the level of a noise signal superimposed on the signal to be output is reduced and output to the outside of the circuit, and a signal having a steeper edge than the signal in the low noise output mode. In an external output buffer having a high-speed output mode for outputting to the outside of the circuit, it is composed of one conductivity type transistor and a plurality of other conductivity type transistors which are connected in parallel and have different signal drive rates. An external output buffer comprising: a C-MOS circuit for outputting the signal to be output to the outside by means of a switch; and a switch for controlling whether or not to send the signal to be output to the C-MOS circuit. .
信号のレベルを低減して回路外部へ出力する低雑音出力
モードと、該低雑音出力モードによる信号よりも急峻な
エッジを有する信号を回路外部へ出力する高速出力モー
ドとを有する外部出力バッファにおいて、 夫々に並列に接続され、信号駆動率が相異なる各複数の
一導電型のトランジスタ及び他導電型のトランジスタか
ら構成され、一のトランジスタの選択的導通により前記
出力対象の信号を外部へ出力するC-MOS 回路を備えてい
ることを特徴とする外部出力バッファ。3. A low noise output mode in which the level of a noise signal superimposed on the signal to be output is reduced and output to the outside of the circuit, and a signal having a steeper edge than the signal in the low noise output mode is provided. In an external output buffer having a high-speed output mode for outputting to the outside of the circuit, each of which is connected in parallel and is composed of a plurality of transistors of one conductivity type and transistors of another conductivity type having different signal drive rates. An external output buffer comprising a C-MOS circuit that outputs the signal to be output to the outside by selective conduction of the signal.
記C-MOS 回路へ与える電源選択回路を備える請求項2記
載の外部出力バッファ。4. The external output buffer according to claim 2, further comprising a power supply selection circuit that selects a required power supply from a plurality of power supplies and supplies the selected power supply to the C-MOS circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5055644A JPH06268506A (en) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | External output buffer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5055644A JPH06268506A (en) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | External output buffer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268506A true JPH06268506A (en) | 1994-09-22 |
Family
ID=13004533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5055644A Pending JPH06268506A (en) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | External output buffer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06268506A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004114523A1 (en) * | 2003-06-23 | 2004-12-29 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
| JP2019110382A (en) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Driving circuit |
| CN113647022A (en) * | 2019-03-29 | 2021-11-12 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | Bidirectional voltage level converter |
-
1993
- 1993-03-16 JP JP5055644A patent/JPH06268506A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004114523A1 (en) * | 2003-06-23 | 2004-12-29 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
| US7514963B2 (en) | 2003-06-23 | 2009-04-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
| JP2019110382A (en) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Driving circuit |
| CN113647022A (en) * | 2019-03-29 | 2021-11-12 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | Bidirectional voltage level converter |
| CN113647022B (en) * | 2019-03-29 | 2026-03-17 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | Bidirectional voltage level converter |
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