JPH062695U - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 半導体基板１と、この半導体基板１を覆う絶
縁層２と、この絶縁層２上に形成する金属電極３と、こ
の金属電極３から離間して設ける薄膜層４とを有する。 【効果】 薄膜層によりプローブ針の位置ずれが発生し
たときや、ボンディング時の機械的な圧力を緩和するこ
とが可能で、半導体装置の集積度が向上し、チップサイ
ズを小さくすることが可能で、さらに半導体装置のコス
トダウンを達成することができる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、半導体装置の金属電極周辺の構成に関するもので、金属電極周辺の 半導体素子や導電性配線の破壊を防ぐことが可能な半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

半導体装置の電気的な評価を行う場合、金属電極にプローブ針を接触させて行 うのが一般的である。

【０００３】 このとき、このプローブ針の位置がなんらかの理由によって金属電極からずれ てしまうと、金属電極周辺に設置された半導体素子を破壊してしまう。さらに、 実装工程におけるボンディングの際に金属電極に加わる機械的な圧力で、金属電 極周辺に設置された半導体素子や導電性配線を破壊する。

【０００４】 したがって、従来は金属電極周辺に設置する半導体素子や導電性配線は、金属 電極と充分離間して設置し、金属電極の周辺の半導体素子や導電性配線などを破 壊から保護している。

【０００５】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、金属電極と、この金属電極周辺の半導体素子や導電性配線など の回路類との間にスペースを確保することは、半導体装置を構成する各種素子の 微細化や高集積化に関係なく金属電極の数がチップサイズを決めてしまう要因に なり、チップサイズの増大につながる。このためチップサイズを縮小してコスト ダウンを行うという手段に逆行するので好ましくない。

【０００６】 本考案の目的は、上記課題を解決して、チップサイズを増大させることなく金 属電極周辺の半導体素子や導電性配線を破壊から保護することが可能な半導体装 置を提供するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するために、本考案の半導体装置は、半導体基板と、この半導 体基板上に形成する絶縁層と、この絶縁層上に形成する金属電極と、この金属電 極から離間して設ける薄膜層とを有することを特徴とする。

【０００８】

【作用】

本考案の要点は、金属電極の周囲に薄膜層を設置することによって、プローブ 針の位置がなんらかの理由により金属電極からずれてしまったときや、ボンディ ングの際などに機械的な圧力が加わった場合でも、この金属電極と金属電極周辺 に設置する半導体素子や、導電性配線が変形、もしくは破壊しないように保護す るものである。

【０００９】

【実施例】

以下、本考案による実施例を図面を基に説明する。図１および図２は本考案の 一実施例における半導体装置を示し、図１は平面図で、図２は断面図である。

【００１０】 図１と図２に示すように、プローブ針を接触させたり、ボンディングを行う金 属電極３の周囲を取り囲むように、薄膜層４を設置する。金属電極３は、半導体 基板１の上に形成した絶縁層２上に設ける。

【００１１】 このため、プローブ針の位置が金属電極からずれても、薄膜層４でプローブ針 の位置ずれは止り、この金属電極周辺に設置された半導体素子や、導電性配線な どの破壊を防ぐ。

【００１２】 なお、図２において金属電極３の上部のパシベーション膜を省略したが、金属 配線３の中心部が開口するように、パシベーション膜を形成すれば良い。このパ シベーション膜を設置したとしても、本考案の効果が変わらないのはもちろんで ある。

【００１３】 つぎに本考案の他の実施例を図３と図４とを用いて説明する。図３および図４ は、本考案の他の実施例を示し、図３は平面図で、図４は断面図である。

【００１４】 図３に示すように、金属電極３と接続する導電性配線５の領域を除いて、金属 配線３を囲むような形状に薄膜層４を設ける。

【００１５】 このように金属配線３の周囲の全面に形成するのではなく、一部の領域に薄膜 層４を設けても、第１の実施例と同様に、本考案の目的は達成できる。

【００１６】 さらに、図４に示すように、半導体基板１の表面に酸化膜６を介して絶縁層２ を形成し、薄膜層４の厚さを金属電極３より厚くしても良い。薄膜層４の厚さを 厚くすることで、プローブ針のずれなどをより効果的に阻止できるため、本考案 の保護機能が向上する。

【００１７】 本考案の製造方法は、知られている方法を用いて形成されるが、薄膜層４は内 部回路を構成するトランジスタや抵抗や容量等の各素子を形成する工程と同時に 行っても構わないし、あるいは内部の回路の形成前、あるいは内部の回路の形成 後におこなっても構わない。

【００１８】 金属配線３を半導体チップの外周部に配置したときは、切断するためのスクラ イブライン側には、薄膜層４を形成しなくてもよい。

【００１９】

【考案の効果】

以上実施例に基づいて説明したように、本考案による半導体装置は、半導体装 置のテスティングの際にプローブ針の位置ずれが生じた場合や、ボンディングの 際に生じる機械的な圧力で周囲の半導体素子が圧迫された場合でも、金属電極周 囲に設置された薄膜層により、テスティングの際のプローブ針のずれを停止し、 さらにボンディングの際の機械的な圧力を緩和する。このため、電気的な評価に おける不用意な素子の破壊を防止し、歩留りを向上させるものである。さらにそ のうえ金属電極周辺に充分スペースを確保し内部回路を設置する必要がなくなる ために、半導体装置の集積度が向上し、チップサイズが低減でき、半導体装置の コストダウンにつながり、その効果は非常に大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の実施例における半導体装置を示す平面
図である。

【図２】本考案の実施例における半導体装置を示す断面
図である。

【図３】本考案の実施例における半導体装置を示す平面
図である。

【図４】本考案の実施例における半導体装置を示す断面
図である。

【符号の説明】

１ 半導体基板 ２ 絶縁層 ３ 金属電極 ４ 薄膜層 ５ 導電性配線 ６ 酸化膜

Claims (4)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板と、半導体基板の上に形成す
   る絶縁層と、絶縁層上に形成する金属電極と、金属電極
   から離間して設ける薄膜層とを有することを特徴とする
   半導体装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の薄膜層は、導電膜で構成
   し、導電膜が電気的に絶縁されていることを特徴とする
   半導体装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載の薄膜層は、絶縁膜である
   ことを特徴とする半導体装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載の薄膜層を構成する材料
   は、金属電極を構成する材料より固いことを特徴とする
   半導体装置。