JPH06273720A - 液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents
液晶表示装置の駆動方法Info
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- JPH06273720A JPH06273720A JP5062290A JP6229093A JPH06273720A JP H06273720 A JPH06273720 A JP H06273720A JP 5062290 A JP5062290 A JP 5062290A JP 6229093 A JP6229093 A JP 6229093A JP H06273720 A JPH06273720 A JP H06273720A
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
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- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
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Abstract
(57)【要約】
【目的】液晶の画素電極におけるフィードスルー電圧を
補正する液晶表示装置の駆動方法を提供する。 【構成】画像信号Ｖｓは対向電極の電位ＣＯＭを中心に
して１フレーム期間はハイ（Ｈ）レベルを維持し次フレ
ーム期間ではロウ（Ｌ）レベルを維持している（図１
（ｃ））。この画像信号ＶｓのＨレベル印加期間におい
て、走査信号線Ｘnに接続されたＴＦＴのゲート電極に
選択信号ＸＧの電圧Ｖｇが供給されて導通状態となり画
素電極電圧Ｖｄは画像信号ＶｓのＨレベルと等レベルに
まで上昇する。この上昇した電位は前段の走査信号線Ｘ
n-1 に供給される変調信号Ｖｘに応答して低下（ΔＶ
１）するが、走査信号線Ｘn-1 ，Ｘn に供給された変調
信号ＶｘがＯＦＦとなるのに応答して順次に電圧ΔＶ
２，ΔＶ３上昇して再び上述のＨレベルに復帰し、その
電位を保持するのでフィードスルー電圧が補正される。
補正する液晶表示装置の駆動方法を提供する。 【構成】画像信号Ｖｓは対向電極の電位ＣＯＭを中心に
して１フレーム期間はハイ（Ｈ）レベルを維持し次フレ
ーム期間ではロウ（Ｌ）レベルを維持している（図１
（ｃ））。この画像信号ＶｓのＨレベル印加期間におい
て、走査信号線Ｘnに接続されたＴＦＴのゲート電極に
選択信号ＸＧの電圧Ｖｇが供給されて導通状態となり画
素電極電圧Ｖｄは画像信号ＶｓのＨレベルと等レベルに
まで上昇する。この上昇した電位は前段の走査信号線Ｘ
n-1 に供給される変調信号Ｖｘに応答して低下（ΔＶ
１）するが、走査信号線Ｘn-1 ，Ｘn に供給された変調
信号ＶｘがＯＦＦとなるのに応答して順次に電圧ΔＶ
２，ΔＶ３上昇して再び上述のＨレベルに復帰し、その
電位を保持するのでフィードスルー電圧が補正される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示パネル駆動用の
半導体集積回路に関し、特に表示素子に薄膜トランジス
タ（以下、ＴＦＴと称す）を用いたアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の駆動方法に関する。
半導体集積回路に関し、特に表示素子に薄膜トランジス
タ（以下、ＴＦＴと称す）を用いたアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示デバイスは他の表示デバイス、
例えばプラズマディスプレイ（ＰＤＰ），エレクトロケ
ミカルディスプレイ（ＥＣＤ）等と比較して１平方セン
チ当り数マイクロボルトという低消費電力のため電池駆
動に適し、さらにその動作電圧が数ボルトのため半導体
回路で駆動できるので表示装置の小型化が可能である等
の優れた特徴をもち、この特徴を生かして半導体集積回
路との組み合せによるフラット画面ディスプレイとして
の応用が展開されている。このディスプレイの当然の方
向として表示サイズの大型化と高精細度化と多色化の技
術が求められてきた。これらを実現するために画面のコ
ントラスト比の改善が図られた装置として個々の画素に
ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス方式の表示駆動装
置がある。
例えばプラズマディスプレイ（ＰＤＰ），エレクトロケ
ミカルディスプレイ（ＥＣＤ）等と比較して１平方セン
チ当り数マイクロボルトという低消費電力のため電池駆
動に適し、さらにその動作電圧が数ボルトのため半導体
回路で駆動できるので表示装置の小型化が可能である等
の優れた特徴をもち、この特徴を生かして半導体集積回
路との組み合せによるフラット画面ディスプレイとして
の応用が展開されている。このディスプレイの当然の方
向として表示サイズの大型化と高精細度化と多色化の技
術が求められてきた。これらを実現するために画面のコ
ントラスト比の改善が図られた装置として個々の画素に
ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス方式の表示駆動装
置がある。
【０００３】従来の液晶表示装置の駆動方法は、例えば
特開平３−３５２１８号公報に記載されている。同公報
記載のこの種の駆動方法によれば、液晶表示では交流駆
動を行なうために印加されるＤＣ電圧は１フィールド毎
に画像信号の極性を反転させる。また、液晶セルでは走
査信号線や画像信号線と画素電極との間に寄生容量が存
在する。
特開平３−３５２１８号公報に記載されている。同公報
記載のこの種の駆動方法によれば、液晶表示では交流駆
動を行なうために印加されるＤＣ電圧は１フィールド毎
に画像信号の極性を反転させる。また、液晶セルでは走
査信号線や画像信号線と画素電極との間に寄生容量が存
在する。
【０００４】液晶パネル１画素当りの等価回路を示す図
４を参照すると、アクティブマトリクス型液晶表示装置
における表示パネルは、画像信号線Ｙn-1 ，Ｙn と走査
信号線Ｘn-1 ，Ｘn とがマトリクス平面上に配設され、
この平面上の交差点にはＴＦＴ素子がそれぞれ配置され
て、ＴＦＴのソース（またはドレイン）電極が画像信号
線Ｙn-1 ，Ｙn に接続され、ゲート電極が走査信号線Ｘ
n-1 ，Ｘn に接続され、ソース（またはドレイン）電極
が液晶電極を介して対向電極ＣＯＭに接続され、さらに
ソース（またはドレイン）電極および走査信号線Ｘ
n-1 ，Ｘn 間に蓄積容量Ｃｓが付加されている。これら
の寄生容量は、画素電極間のＣX1，ＣX2，ＣY1，ＣY2お
よびＦＥＴでのゲート・ソース間のオーバラップ容量Ｃ
ｇｓがある。この容量Ｃｇｓのためにゲート電圧がＯＮ
状態からＯＦＦ状態に変化に応答してドレインの電位も
低下する。そために画素電極にかかる電圧も低下する。
４を参照すると、アクティブマトリクス型液晶表示装置
における表示パネルは、画像信号線Ｙn-1 ，Ｙn と走査
信号線Ｘn-1 ，Ｘn とがマトリクス平面上に配設され、
この平面上の交差点にはＴＦＴ素子がそれぞれ配置され
て、ＴＦＴのソース（またはドレイン）電極が画像信号
線Ｙn-1 ，Ｙn に接続され、ゲート電極が走査信号線Ｘ
n-1 ，Ｘn に接続され、ソース（またはドレイン）電極
が液晶電極を介して対向電極ＣＯＭに接続され、さらに
ソース（またはドレイン）電極および走査信号線Ｘ
n-1 ，Ｘn 間に蓄積容量Ｃｓが付加されている。これら
の寄生容量は、画素電極間のＣX1，ＣX2，ＣY1，ＣY2お
よびＦＥＴでのゲート・ソース間のオーバラップ容量Ｃ
ｇｓがある。この容量Ｃｇｓのためにゲート電圧がＯＮ
状態からＯＦＦ状態に変化に応答してドレインの電位も
低下する。そために画素電極にかかる電圧も低下する。
【０００５】すなわち、図５に示す駆動時の各電極の電
位変化の波形図を参照して説明すると、ゲート電圧Ｖｇ
がＨレベルのとき画素電極の画素電位Ｖｄはソース電極
と同電位まで充電される（画素電位ＶｄのＡ点）。次に
ゲート電圧Ｖｇがオフになると画素電位ＶｄはΔＶだけ
直ちに低下する（画素電位ＶｄのＢ点）。この低下した
電圧ΔＶは突き抜け（以下、フィードスルーと称す）電
圧と呼ばれ、走査信号の変化量をΔＶｇとすると次式で
表わされる。
位変化の波形図を参照して説明すると、ゲート電圧Ｖｇ
がＨレベルのとき画素電極の画素電位Ｖｄはソース電極
と同電位まで充電される（画素電位ＶｄのＡ点）。次に
ゲート電圧Ｖｇがオフになると画素電位ＶｄはΔＶだけ
直ちに低下する（画素電位ＶｄのＢ点）。この低下した
電圧ΔＶは突き抜け（以下、フィードスルーと称す）電
圧と呼ばれ、走査信号の変化量をΔＶｇとすると次式で
表わされる。
【０００６】 ΔＶ＝ΔＶｇ・〔（Ｃｇｓ／（ＣLC＋Ｃｇｓ）〕 ここで、ΔＶｇはゲート電圧振幅、Ｃｇｓはゲート・ソ
ース間のオーバラップ量、ＣLCは液晶の容量とする。
ース間のオーバラップ量、ＣLCは液晶の容量とする。
【０００７】上述の従来の技術によると、電荷保持用電
極（以下、蓄積容量と称す）が前段のゲート電極の一部
で形成されるＴＦＴのゲート電極にＴＦＴをオン（Ｏ
Ｎ）させるための走査信号の他に変調信号を供給すると
ともに偶数番目と奇数番目のゲート電極で変調信号の大
きさを変化させ、さらに奇数フィールドおよび偶数フィ
ールドでこの関係を逆転させることにより、フィードス
ルー電圧を補正する方法になっている。
極（以下、蓄積容量と称す）が前段のゲート電極の一部
で形成されるＴＦＴのゲート電極にＴＦＴをオン（Ｏ
Ｎ）させるための走査信号の他に変調信号を供給すると
ともに偶数番目と奇数番目のゲート電極で変調信号の大
きさを変化させ、さらに奇数フィールドおよび偶数フィ
ールドでこの関係を逆転させることにより、フィードス
ルー電圧を補正する方法になっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図６に示した従来技術
の各電極の波形図を参照すると、同図−６１にはｎ−１
番目のゲート電極に供給される信号波形が、同図−６２
にはｎ番目のゲート電極に供給される信号波形が、同図
−６３には対向電極に与えられる一定電圧でその電位は
画像信号電圧の平均値に等しい電圧波形が、同図−６４
には画像信号の電圧変化を表わすソース電極の信号波形
が、同図−６５には画素電極での画素電圧の変化を表わ
す信号波形がそれぞれ示されている。また、ゲート電極
には走査信号電圧Ｖｇの他に変調信号電圧Ｖｇｅが供給
されている。
の各電極の波形図を参照すると、同図−６１にはｎ−１
番目のゲート電極に供給される信号波形が、同図−６２
にはｎ番目のゲート電極に供給される信号波形が、同図
−６３には対向電極に与えられる一定電圧でその電位は
画像信号電圧の平均値に等しい電圧波形が、同図−６４
には画像信号の電圧変化を表わすソース電極の信号波形
が、同図−６５には画素電極での画素電圧の変化を表わ
す信号波形がそれぞれ示されている。また、ゲート電極
には走査信号電圧Ｖｇの他に変調信号電圧Ｖｇｅが供給
されている。
【０００９】上述した図６に示す従来技術によれば、あ
るフィールドにおけるｎ番目の走査信号線に接続された
ＴＦＴの場合、その画素電極での容量結合による電位変
化を０にするには、変調信号Ｖｇｅ＝０に対して正方向
にある電圧をＶｇｅ（＋），負方向にある電圧をＶｇｅ
（−）、ＴＦＴのゲート・ソース間容量をＣｇｓ、蓄積
容量をＣｓ、画素電極での電位変化をΔＶとすると、 ΔＶ＝−ＶｇＣｇｄ／Ｃｔ＋ＶｇｅＣｓ／Ｃｔ ここで、Ｃｔ＝Ｃｓ＋Ｃｔ＋ＣLCとする。
るフィールドにおけるｎ番目の走査信号線に接続された
ＴＦＴの場合、その画素電極での容量結合による電位変
化を０にするには、変調信号Ｖｇｅ＝０に対して正方向
にある電圧をＶｇｅ（＋），負方向にある電圧をＶｇｅ
（−）、ＴＦＴのゲート・ソース間容量をＣｇｓ、蓄積
容量をＣｓ、画素電極での電位変化をΔＶとすると、 ΔＶ＝−ＶｇＣｇｄ／Ｃｔ＋ＶｇｅＣｓ／Ｃｔ ここで、Ｃｔ＝Ｃｓ＋Ｃｔ＋ＣLCとする。
【００１０】次のフィールドのｎ番目の画素電極での容
量結合による電位変化は、 ΔＶ＝−ＶｇＣｇｄ／Ｃｔ−ＶｇｅＣｓ／Ｃｔ したがって、奇数および偶数フィールドにおける電位変
化を０にするには上記双方の式が０であればよいから、
Ｖｇｅ（＋）＝−Ｖｇ（Ｃｇｓ／Ｃｓ）、Ｖｇｅ（−）
＝Ｖｇ（Ｃｇｄ／Ｃｓ）をそれぞれ満足するようにＶｇ
ｅ（−）およびＶｇｅ（＋）の電圧を合せることにより
目的を達成する。図６−６５によれば、走査信号電圧Ｖ
ｇおよび変調信号Ｖｇｅの供給時の電圧の遷移時以外で
は画素電極電圧は変化を受けないことを示している（Ａ
点，Ｂ点）。
量結合による電位変化は、 ΔＶ＝−ＶｇＣｇｄ／Ｃｔ−ＶｇｅＣｓ／Ｃｔ したがって、奇数および偶数フィールドにおける電位変
化を０にするには上記双方の式が０であればよいから、
Ｖｇｅ（＋）＝−Ｖｇ（Ｃｇｓ／Ｃｓ）、Ｖｇｅ（−）
＝Ｖｇ（Ｃｇｄ／Ｃｓ）をそれぞれ満足するようにＶｇ
ｅ（−）およびＶｇｅ（＋）の電圧を合せることにより
目的を達成する。図６−６５によれば、走査信号電圧Ｖ
ｇおよび変調信号Ｖｇｅの供給時の電圧の遷移時以外で
は画素電極電圧は変化を受けないことを示している（Ａ
点，Ｂ点）。
【００１１】しかしながら、この従来技術の方法によれ
ば、偶数番目および奇数番目の走査電極においても、ま
た寄数フィールドおよび偶数フィールドにおいてもそれ
ぞれ変調信号Ｖｇｅの大きさを変化させねばならず、駆
動回路の構成が複雑になるという欠点がある。
ば、偶数番目および奇数番目の走査電極においても、ま
た寄数フィールドおよび偶数フィールドにおいてもそれ
ぞれ変調信号Ｖｇｅの大きさを変化させねばならず、駆
動回路の構成が複雑になるという欠点がある。
【００１２】本発明の目的は、上述の欠点に鑑みなされ
たものであり、偶数番目および奇数番目の走査電極、ま
たは寄数フィールドおよび偶数フィールドのいずれの場
合も変調信号の大きさを変化させることなく、フィード
スルー電圧を補正する液晶表示装置の駆動方法を提供す
ることにある。
たものであり、偶数番目および奇数番目の走査電極、ま
たは寄数フィールドおよび偶数フィールドのいずれの場
合も変調信号の大きさを変化させることなく、フィード
スルー電圧を補正する液晶表示装置の駆動方法を提供す
ることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、画像信
号線および走査信号線がマトリクス平面上に配設され、
この平面上の交差点にある前記走査信号線にゲート電極
が接続され画像信号線に一方の電極が接続され他方の電
極に画素電極が接続された薄膜トランジスタ素子と、電
荷保持用容量が前記他方の電極および前段の前記薄膜ト
ランジスタ素子のゲート電極の一部で形成され前記画素
電極および対向電極間に密着配置された液晶とを有する
液晶表示装置を、走査信号に所定の変調信号を重畳させ
た選択信号を用いて前記薄膜トランジスタ素子を導通さ
せ、画像信号を前記電荷保持用容量に保持させて画像表
示させる液晶表示装置の駆動方法において、前記選択信
号は、高電圧の第１の電位と、この第１の電位よりも低
電圧の第２の電位と、この第２の電位よりも低電圧の第
３の電位との３電位状態をとり、所定のフレームで前記
第２の電位から上昇して前記第１の電位を１水平走査期
間保持した後前記第３の電位まで下降し、さらにこの電
位を２水平走査期間保持した後に前記第２の電位に復帰
するとともに次フレームの開始まで前記第２の電位を保
持し、前記画像信号と等電位にある前記画素電極電位が
前記薄膜トランジスタ素子の導通状態から非導通状態へ
の遷移時に前記画像信号電圧が変動したときに、前記第
３の電位保持期間内に前記画素電極電位を前記画像信号
と等しい電位に復帰させることにある。
号線および走査信号線がマトリクス平面上に配設され、
この平面上の交差点にある前記走査信号線にゲート電極
が接続され画像信号線に一方の電極が接続され他方の電
極に画素電極が接続された薄膜トランジスタ素子と、電
荷保持用容量が前記他方の電極および前段の前記薄膜ト
ランジスタ素子のゲート電極の一部で形成され前記画素
電極および対向電極間に密着配置された液晶とを有する
液晶表示装置を、走査信号に所定の変調信号を重畳させ
た選択信号を用いて前記薄膜トランジスタ素子を導通さ
せ、画像信号を前記電荷保持用容量に保持させて画像表
示させる液晶表示装置の駆動方法において、前記選択信
号は、高電圧の第１の電位と、この第１の電位よりも低
電圧の第２の電位と、この第２の電位よりも低電圧の第
３の電位との３電位状態をとり、所定のフレームで前記
第２の電位から上昇して前記第１の電位を１水平走査期
間保持した後前記第３の電位まで下降し、さらにこの電
位を２水平走査期間保持した後に前記第２の電位に復帰
するとともに次フレームの開始まで前記第２の電位を保
持し、前記画像信号と等電位にある前記画素電極電位が
前記薄膜トランジスタ素子の導通状態から非導通状態へ
の遷移時に前記画像信号電圧が変動したときに、前記第
３の電位保持期間内に前記画素電極電位を前記画像信号
と等しい電位に復帰させることにある。
【００１４】また、前記電荷保持用容量が前記薄膜トラ
ンジスタ素子の前記他方の電極および後段の前記薄膜ト
ランジスタ素子のゲート電極の一部で形成された場合、
前記選択信号は、所定のフレームで前記第２の電位から
下降して前記第３の電位を２水平走査期間保持した後に
上昇して前記第１の電位を１水平走査期間保持した後前
記第２の電位まで低下し、この電位を次フレームの開始
まで維持するように設定され、前記画像信号と等電位に
ある前記画素電極電位が前記薄膜トランジスタ素子の導
通状態から非導通状態への遷移時に前記画像信号電圧が
変動したときに、前記後段の選択信号の第１の電位保持
期間内に前記画素電極電位を前記画像信号と等しい電位
に復帰させることもできる。
ンジスタ素子の前記他方の電極および後段の前記薄膜ト
ランジスタ素子のゲート電極の一部で形成された場合、
前記選択信号は、所定のフレームで前記第２の電位から
下降して前記第３の電位を２水平走査期間保持した後に
上昇して前記第１の電位を１水平走査期間保持した後前
記第２の電位まで低下し、この電位を次フレームの開始
まで維持するように設定され、前記画像信号と等電位に
ある前記画素電極電位が前記薄膜トランジスタ素子の導
通状態から非導通状態への遷移時に前記画像信号電圧が
変動したときに、前記後段の選択信号の第１の電位保持
期間内に前記画素電極電位を前記画像信号と等しい電位
に復帰させることもできる。
【００１５】
【実施例】本発明の第１の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１６】図１に第１の実施例説明用の波形図を示
し、図４に１画素当りでの液晶セルの等価回路を示し、
図２（ａ）に蓄積容量の一方の電極を前段のゲート電極
の一部で形成した場合の等価回路を示す。
し、図４に１画素当りでの液晶セルの等価回路を示し、
図２（ａ）に蓄積容量の一方の電極を前段のゲート電極
の一部で形成した場合の等価回路を示す。
【００１７】前述した走査信号線Ｘn-1 ，Ｘn におい
て、前段の走査信号線Ｘn-1 およびＴＦＴのソース（ド
レイン）間に蓄積容量Ｃｓをもつ場合について説明す
る。
て、前段の走査信号線Ｘn-1 およびＴＦＴのソース（ド
レイン）間に蓄積容量Ｃｓをもつ場合について説明す
る。
【００１８】ＴＦＴには走査信号線Ｘn-1 から電圧Ｖｇ
で信号幅１水平走査期間を有する走査信号およびこの信
号に続いて、電圧Ｖｘで信号幅２水平走査期間の変調信
号が重畳された選択信号ＸＧが供給される。１画素当り
の液晶パネルにおける総容量Ｃを含む図３の等価回路に
おいて、 Ｃ＝ＣLC＋Ｃｇｓ＋ＣX1＋ＣX2＋ＣY1＋ＣY2 Ｃn ＝Ｃｇｓ＋Ｃｘ１ Ｃn-1 ＝Ｃｘ２ とする。ゲート電極が走査信号線Ｘn に接続されたｎ番
目のＴＦＴのゲートに供給される信号ＸＧがＨレベルか
らＬレベルに変化する時刻（図１−Ａ点）の画素電極Ｃ
LCの電圧変化ΔＶ１は ΔＶ１＝−（Ｖｇ＋Ｖｘ）Ｃn ／Ｃ となる。また、信号ＸＧがＬレベルの時刻（図１−Ｂ
点）およびＬレベルからＨレベルに変化する時刻（図１
−Ｃ点）の画素電極ＣLCの電圧変化をそれぞれΔＶ２，
ΔＶ３とすると、 ΔＶ２＝Ｖｘ・Ｃn-1 ／Ｃ ΔＶ３＝Ｖｘ・Ｃn ／Ｃ で表される。したがって、フィードスルー電圧ΔＶ１，
ΔＶ２およびΔＶ３を補正するには、ΔＶ１＋ΔＶ２＋
ΔＶ３＝０とすればよいからそれぞれの値を代入する
と、 ΔＶ１＋ΔＶ２＋ΔＶ３＝−Ｃn （ＶＧ＋Ｖｘ）／Ｃ＋Ｖｘ・Ｃn-1 ／Ｃ ＋Ｖｘ・Ｃn ／Ｃ＝０ −Ｖｇ・Ｃn ／Ｃ＋Ｃn-1 ・Ｖｘ＝０ Ｖｘ＝Ｖｇ・Ｃn ／Ｃn-1 となり、この式を満足するようにＶｘを設定する。上述
のフィードスルー電圧の補正を前提として本実施例を説
明する。
で信号幅１水平走査期間を有する走査信号およびこの信
号に続いて、電圧Ｖｘで信号幅２水平走査期間の変調信
号が重畳された選択信号ＸＧが供給される。１画素当り
の液晶パネルにおける総容量Ｃを含む図３の等価回路に
おいて、 Ｃ＝ＣLC＋Ｃｇｓ＋ＣX1＋ＣX2＋ＣY1＋ＣY2 Ｃn ＝Ｃｇｓ＋Ｃｘ１ Ｃn-1 ＝Ｃｘ２ とする。ゲート電極が走査信号線Ｘn に接続されたｎ番
目のＴＦＴのゲートに供給される信号ＸＧがＨレベルか
らＬレベルに変化する時刻（図１−Ａ点）の画素電極Ｃ
LCの電圧変化ΔＶ１は ΔＶ１＝−（Ｖｇ＋Ｖｘ）Ｃn ／Ｃ となる。また、信号ＸＧがＬレベルの時刻（図１−Ｂ
点）およびＬレベルからＨレベルに変化する時刻（図１
−Ｃ点）の画素電極ＣLCの電圧変化をそれぞれΔＶ２，
ΔＶ３とすると、 ΔＶ２＝Ｖｘ・Ｃn-1 ／Ｃ ΔＶ３＝Ｖｘ・Ｃn ／Ｃ で表される。したがって、フィードスルー電圧ΔＶ１，
ΔＶ２およびΔＶ３を補正するには、ΔＶ１＋ΔＶ２＋
ΔＶ３＝０とすればよいからそれぞれの値を代入する
と、 ΔＶ１＋ΔＶ２＋ΔＶ３＝−Ｃn （ＶＧ＋Ｖｘ）／Ｃ＋Ｖｘ・Ｃn-1 ／Ｃ ＋Ｖｘ・Ｃn ／Ｃ＝０ −Ｖｇ・Ｃn ／Ｃ＋Ｃn-1 ・Ｖｘ＝０ Ｖｘ＝Ｖｇ・Ｃn ／Ｃn-1 となり、この式を満足するようにＶｘを設定する。上述
のフィードスルー電圧の補正を前提として本実施例を説
明する。
【００１９】本実施例は、図４に示した液晶パネル１画
素当りでの等価回路において蓄積容量Ｃｓが前段のゲー
ト電極の一部で形成されている場合である。図１−１１
はＸn-1 番目の走査信号線に供給される選択信号波形、
図１−１２はＸn 番目の走査信号線に供給される選択信
号波形、図１−１３は画像信号線Ｙn に供給される信号
波形、図１−１４は画素電極Ｖｓ，Ｖｄの電圧変化波形
をそれぞれ示す。
素当りでの等価回路において蓄積容量Ｃｓが前段のゲー
ト電極の一部で形成されている場合である。図１−１１
はＸn-1 番目の走査信号線に供給される選択信号波形、
図１−１２はＸn 番目の走査信号線に供給される選択信
号波形、図１−１３は画像信号線Ｙn に供給される信号
波形、図１−１４は画素電極Ｖｓ，Ｖｄの電圧変化波形
をそれぞれ示す。
【００２０】図１−１１および図１−１２参照すると、
本実施における選択信号ＸＧとしては、高電圧の第１の
電位ＶＤＤと、この第１の電位よりも低電圧で基準電位
となる第２の電位ＶＥＥ１と、この第２の電位よりも低
電圧にある第３の電位ＶＥＥ２との３状態の電位が与え
られる。この選択信号波形は第２の電位ＶＥＥ１から上
昇して第１の電位ＶＤＤレベル（走査信号電圧Ｖｇ）を
１水平走査期間保持した後第３の電位ＶＥＥ２レベル
（変調信号電圧Ｖｘ）まで低下し、さらにこの第３の電
位を２水平走査期間保持した後に第２の電位に復帰する
とともに次フレームまでそのレベルを維持する。また各
走査信号線にはこの信号波形と同じ信号波形が印加され
るが、その位相はそれぞれ前段の選択信号波形に対して
１水平走査期間分遅延した関係にある。
本実施における選択信号ＸＧとしては、高電圧の第１の
電位ＶＤＤと、この第１の電位よりも低電圧で基準電位
となる第２の電位ＶＥＥ１と、この第２の電位よりも低
電圧にある第３の電位ＶＥＥ２との３状態の電位が与え
られる。この選択信号波形は第２の電位ＶＥＥ１から上
昇して第１の電位ＶＤＤレベル（走査信号電圧Ｖｇ）を
１水平走査期間保持した後第３の電位ＶＥＥ２レベル
（変調信号電圧Ｖｘ）まで低下し、さらにこの第３の電
位を２水平走査期間保持した後に第２の電位に復帰する
とともに次フレームまでそのレベルを維持する。また各
走査信号線にはこの信号波形と同じ信号波形が印加され
るが、その位相はそれぞれ前段の選択信号波形に対して
１水平走査期間分遅延した関係にある。
【００２１】したがって、ある１つの走査信号線に接続
されたＴＦＴのゲート電極に電圧ＶＥＥ１を基準にして
電圧ＶＤＤレベルを１水平走査期間供給してそのＴＦＴ
をＯＮ状態にした後にその電位を電位ＶＥＥ２まで低下
させてＴＦＴをＯＦＦにする。このＯＦＦになる信号の
後縁のタイミングに応答して後段の選択信号ＸＧの電位
を電圧ＶＥＥ１レベルから電圧ＶＤＤレベルに上昇さ
せ、前段同様に１水平走査期間その電位ＶＤＤレベルを
保持した後電位ＶＥＥ２に下降させる。このＶＥＥ２レ
ベルの保持期間中に前段の選択信号ＸＧレベルは電位Ｖ
ＥＥ２レベルから電位ＶＥＥ１レベルに復帰させ、しか
る後に後段の走査信号線上の選択信号ＸＧも電位ＶＥＥ
２レベルから電位ＶＥＥ１レベルに復帰させる。
されたＴＦＴのゲート電極に電圧ＶＥＥ１を基準にして
電圧ＶＤＤレベルを１水平走査期間供給してそのＴＦＴ
をＯＮ状態にした後にその電位を電位ＶＥＥ２まで低下
させてＴＦＴをＯＦＦにする。このＯＦＦになる信号の
後縁のタイミングに応答して後段の選択信号ＸＧの電位
を電圧ＶＥＥ１レベルから電圧ＶＤＤレベルに上昇さ
せ、前段同様に１水平走査期間その電位ＶＤＤレベルを
保持した後電位ＶＥＥ２に下降させる。このＶＥＥ２レ
ベルの保持期間中に前段の選択信号ＸＧレベルは電位Ｖ
ＥＥ２レベルから電位ＶＥＥ１レベルに復帰させ、しか
る後に後段の走査信号線上の選択信号ＸＧも電位ＶＥＥ
２レベルから電位ＶＥＥ１レベルに復帰させる。
【００２２】図１−１３および図１−１４を参照する
と、画像信号Ｖｓは対向電極ＣＯＭの電位を中心にして
１フレーム期間（奇数フィールド）はＨレベルを維持し
次フレーム期間（偶数フィールド）ではＬレベルを維持
している（図１−１３）。この画像信号ＶｓのＨレベル
供給期間において、走査信号線Ｘn に接続されたＴＦＴ
のゲート電極には上述の選択信号ＸＧの電圧Ｖｇが供給
さて導通状態となり、ドレイン電極、すなわち画素電極
電圧Ｖｄの電圧は画像信号ＶｓのＨレベルと等レベルに
まで上昇する（Ａ点→Ｂ点）。この上昇した電位は前段
の選択信号ＸＧの電圧Ｖｇが電位ＶＥＥ２レベルへの下
降に応答して低下（Ｂ点；前述のΔＶ１＝−（Ｖｇ＋Ｖ
ｘ）Ｃn ／Ｃ）する。
と、画像信号Ｖｓは対向電極ＣＯＭの電位を中心にして
１フレーム期間（奇数フィールド）はＨレベルを維持し
次フレーム期間（偶数フィールド）ではＬレベルを維持
している（図１−１３）。この画像信号ＶｓのＨレベル
供給期間において、走査信号線Ｘn に接続されたＴＦＴ
のゲート電極には上述の選択信号ＸＧの電圧Ｖｇが供給
さて導通状態となり、ドレイン電極、すなわち画素電極
電圧Ｖｄの電圧は画像信号ＶｓのＨレベルと等レベルに
まで上昇する（Ａ点→Ｂ点）。この上昇した電位は前段
の選択信号ＸＧの電圧Ｖｇが電位ＶＥＥ２レベルへの下
降に応答して低下（Ｂ点；前述のΔＶ１＝−（Ｖｇ＋Ｖ
ｘ）Ｃn ／Ｃ）する。
【００２３】次に前段の走査信号Ｙn-1 が２水平走査期
間を経過後、電圧ＶＥＥ１レベルに復帰するのに応答し
て画素電極電圧ＶｄはΔＶ２だけ上昇する（Ｃ点；前述
のΔＶ２＝Ｖｘ・Ｃn-1 ／Ｃ）。さらに走査信号Ｙn の
選択信号ＸＧの電圧Ｖｘが２水平走査期間を経過後、Ｖ
ＥＥ１レベルに順次復帰するのに応答して画素電極電圧
ＶｄはΔＶ２だけ上昇し（Ｄ点；前述のΔＶ３＝Ｖｘ・
Ｃn ／Ｃ）、再び上述の画像信号電圧Ｖｓと等レベルの
Ｈレベルに復帰する。
間を経過後、電圧ＶＥＥ１レベルに復帰するのに応答し
て画素電極電圧ＶｄはΔＶ２だけ上昇する（Ｃ点；前述
のΔＶ２＝Ｖｘ・Ｃn-1 ／Ｃ）。さらに走査信号Ｙn の
選択信号ＸＧの電圧Ｖｘが２水平走査期間を経過後、Ｖ
ＥＥ１レベルに順次復帰するのに応答して画素電極電圧
ＶｄはΔＶ２だけ上昇し（Ｄ点；前述のΔＶ３＝Ｖｘ・
Ｃn ／Ｃ）、再び上述の画像信号電圧Ｖｓと等レベルの
Ｈレベルに復帰する。
【００２４】一方、画像信号ＶｓのＬレベル供給期間
（偶数フィールド）においては、走査信号線Ｙn に接続
されたＴＦＴのゲート電極には上述同様に選択信号ＸＧ
の電圧Ｖｇが供給されて導通状態となりドレイン電極、
すなわち画素電極電圧Ｖｄの電圧は画像信号ＶｓのＬレ
ベルと等レベルにまで下降する（Ｅ点→Ｆ点））。この
下降した電位は前段の走査信号線Ｙn-1 上の選択信号Ｘ
Ｇの電圧Ｖｇが電位ＶＥＥ２レベルへの下降に応答して
更に電圧ΔＶ１低下（Ｆ点）するが、走査信号線Ｙn-1
およびＹn の選択信号ＸＧの電圧Ｖｘがそれぞれ２水平
走査期間を経過後順次に電位ＶＥＥ１レベルに復帰する
のに応答して電圧Δ２およびΔ３を経て再び上述の画像
信号ＶｓのＬレベルと等レベルにまで復帰する（Ｈ
点）。したがって、本実施例の駆動方法では奇数フィー
ルドおよび偶数フィールドのいずれにおいてもＴＦＴを
ＯＮするための選択信号ＸＧの電圧Ｖｘｇ（走査信号Ｖ
ｇおよび変調信号電圧Ｖｘ）のそれぞれは同様な３状態
の電圧値を有し、画素電極電圧Ｖｄの変化は上述のＨレ
ベルの場合のＡ点〜Ｄ点、およびＬレベルの場合のＥ点
〜Ｈ点までの各遷移期間は電圧ΔＶ１（＝ΔＶ２＋ΔＶ
３）のレベル変動があるもののその後はΔＶ１＋ΔＶ２
＋ΔＶ３＝０となりフィードスルー電圧が補正される。
（偶数フィールド）においては、走査信号線Ｙn に接続
されたＴＦＴのゲート電極には上述同様に選択信号ＸＧ
の電圧Ｖｇが供給されて導通状態となりドレイン電極、
すなわち画素電極電圧Ｖｄの電圧は画像信号ＶｓのＬレ
ベルと等レベルにまで下降する（Ｅ点→Ｆ点））。この
下降した電位は前段の走査信号線Ｙn-1 上の選択信号Ｘ
Ｇの電圧Ｖｇが電位ＶＥＥ２レベルへの下降に応答して
更に電圧ΔＶ１低下（Ｆ点）するが、走査信号線Ｙn-1
およびＹn の選択信号ＸＧの電圧Ｖｘがそれぞれ２水平
走査期間を経過後順次に電位ＶＥＥ１レベルに復帰する
のに応答して電圧Δ２およびΔ３を経て再び上述の画像
信号ＶｓのＬレベルと等レベルにまで復帰する（Ｈ
点）。したがって、本実施例の駆動方法では奇数フィー
ルドおよび偶数フィールドのいずれにおいてもＴＦＴを
ＯＮするための選択信号ＸＧの電圧Ｖｘｇ（走査信号Ｖ
ｇおよび変調信号電圧Ｖｘ）のそれぞれは同様な３状態
の電圧値を有し、画素電極電圧Ｖｄの変化は上述のＨレ
ベルの場合のＡ点〜Ｄ点、およびＬレベルの場合のＥ点
〜Ｈ点までの各遷移期間は電圧ΔＶ１（＝ΔＶ２＋ΔＶ
３）のレベル変動があるもののその後はΔＶ１＋ΔＶ２
＋ΔＶ３＝０となりフィードスルー電圧が補正される。
【００２５】次に、本発明の第２の実施例を説明する。
図２（ｂ）および図３を参照すると、これらの図に動作
説明用波形図と等価回路を示したこの実施例は、図２
（ｂ）の液晶パネル２画素当りでの等価回路において、
蓄積容量Ｃｓが後段のゲート電極の一部で形成されてい
る場合に、選択信号ＸＧは走査信号Ｖｇの後に変調信号
Ｖｘが重畳されて供給されることが第１の実施例とは異
なる。
図２（ｂ）および図３を参照すると、これらの図に動作
説明用波形図と等価回路を示したこの実施例は、図２
（ｂ）の液晶パネル２画素当りでの等価回路において、
蓄積容量Ｃｓが後段のゲート電極の一部で形成されてい
る場合に、選択信号ＸＧは走査信号Ｖｇの後に変調信号
Ｖｘが重畳されて供給されることが第１の実施例とは異
なる。
【００２６】再び図４を参照すると、この図に示す１画
素当りの液晶パネルにおける総容量Ｃを含む等価回路に
おいて、 Ｃ＝ＣLC＋Ｃｇｓ＋Ｃｘ１＋Ｃｘ２＋Ｃｙ１＋Ｃｙ２ Ｃn ＝Ｃｇｓ＋Ｃｘ１ Ｃn+1 ＝Ｃｘ２ とする。ゲート電極が走査信号線Ｘn に正続されたｎ番
目のＴＦＴのゲートに供給される信号ＸＧが電圧Ｖｘか
ら電圧Ｖｇに変化した後Ｌレベルになる時刻（図２−Ａ
点→Ｂ点）の画素電極容量ＣLCの電圧変化ΔＶ１は ΔＶ１＝−ＶｇＣn ／Ｃ となる。また、走査信号線Ｘn+1 上の選択信号ＸＧが電
圧Ｖｘから電圧Ｖｇに変化する時刻（図２−Ｂ点）およ
び電圧ＶｇがＬレベルに変化する時刻（図２−Ｃ点）の
画素電極容量ＣLCの電圧変化をそれぞれΔＶ２，ΔＶ３
とすると、 ΔＶ２＝（Ｖｇ＋Ｖｘ）Ｃn+1 ／Ｃ ΔＶ３＝−Ｖｇ・Ｃn+1 ／Ｃ で表される。したがって、フィードスルー電圧ΔＶ１，
ΔＶ２およびΔＶ３を補正するには、ΔＶ１＋ΔＶ２＋
ΔＶ３＝０とすればよいからそれぞれの値を代入する
と、 ΔＶ１＋ΔＶ２＋ΔＶ３＝−ＶｇＣn ／Ｃ＋（Ｖｇ＋Ｖｘ）Ｃn+1 ／Ｃ −Ｖｇ・Ｃn+1 ／Ｃ＝０ −Ｖｇ・Ｃn ／Ｃ＋Ｖｘ・Ｃn+1 ／Ｃ＝０ Ｖｘ＝Ｖｇ・Ｃn ／Ｃn+1 となり、この式を満足するようにＶｘを設定する。
素当りの液晶パネルにおける総容量Ｃを含む等価回路に
おいて、 Ｃ＝ＣLC＋Ｃｇｓ＋Ｃｘ１＋Ｃｘ２＋Ｃｙ１＋Ｃｙ２ Ｃn ＝Ｃｇｓ＋Ｃｘ１ Ｃn+1 ＝Ｃｘ２ とする。ゲート電極が走査信号線Ｘn に正続されたｎ番
目のＴＦＴのゲートに供給される信号ＸＧが電圧Ｖｘか
ら電圧Ｖｇに変化した後Ｌレベルになる時刻（図２−Ａ
点→Ｂ点）の画素電極容量ＣLCの電圧変化ΔＶ１は ΔＶ１＝−ＶｇＣn ／Ｃ となる。また、走査信号線Ｘn+1 上の選択信号ＸＧが電
圧Ｖｘから電圧Ｖｇに変化する時刻（図２−Ｂ点）およ
び電圧ＶｇがＬレベルに変化する時刻（図２−Ｃ点）の
画素電極容量ＣLCの電圧変化をそれぞれΔＶ２，ΔＶ３
とすると、 ΔＶ２＝（Ｖｇ＋Ｖｘ）Ｃn+1 ／Ｃ ΔＶ３＝−Ｖｇ・Ｃn+1 ／Ｃ で表される。したがって、フィードスルー電圧ΔＶ１，
ΔＶ２およびΔＶ３を補正するには、ΔＶ１＋ΔＶ２＋
ΔＶ３＝０とすればよいからそれぞれの値を代入する
と、 ΔＶ１＋ΔＶ２＋ΔＶ３＝−ＶｇＣn ／Ｃ＋（Ｖｇ＋Ｖｘ）Ｃn+1 ／Ｃ −Ｖｇ・Ｃn+1 ／Ｃ＝０ −Ｖｇ・Ｃn ／Ｃ＋Ｖｘ・Ｃn+1 ／Ｃ＝０ Ｖｘ＝Ｖｇ・Ｃn ／Ｃn+1 となり、この式を満足するようにＶｘを設定する。
【００２７】上述のフィードスルー電圧の補正を前提と
して本発明の第２の実施例を説明する。第１の電位ＶＤ
Ｄ，第２の電位ＶＥＥ１，および第３の電位ＶＥＥ２は
実施例１と同様である。図３−２１はｎ番目の走査信号
線に供給される選択信号波形、図３−２２はｎ＋１番目
の走査信号線に供給される選択信号波形、図３−２３は
画像信号線に供給される画像信号波形、図３−２４は画
素電極Ｖｄの電圧変化波形をそれぞれ示す。
して本発明の第２の実施例を説明する。第１の電位ＶＤ
Ｄ，第２の電位ＶＥＥ１，および第３の電位ＶＥＥ２は
実施例１と同様である。図３−２１はｎ番目の走査信号
線に供給される選択信号波形、図３−２２はｎ＋１番目
の走査信号線に供給される選択信号波形、図３−２３は
画像信号線に供給される画像信号波形、図３−２４は画
素電極Ｖｄの電圧変化波形をそれぞれ示す。
【００２８】図３−２１および図３−２２を参照する
と、走査信号線Ｘn に供給される選択信号は、第１フレ
ームの開始タイミングに応答して変調信号Ｖｘが重畳さ
れ第３の電位ＶＥＥ２レベルで２水平走査期間保持され
た後、第２の電位ＶＥＥ１まで復帰すると同時に走査信
号Ｖｇが供給される。選択信号ＸＧの電圧Ｖｇは第２の
電位ＶＥＥ１から上昇して第１の電位ＶＤＤレベル（電
圧Ｖｇ）を１水平走査期間保持した後第２の電位ＶＥＥ
１レベルまで下降し、この第２の電位を次フレームの開
始タイミングまで維持する。また各走査線にはこの信号
が同様に３状態の電圧値が供給されるが、その位相はそ
れぞれ前段の選択信号ＸＧに対して１水平走査期間分遅
延された関係にある。すなわち走査信号線Ｘn に供給さ
れる変調信号ＶｘのＶＥＥ１レベルが１水平走査期間経
過した時点で走査信号線Ｘn+1 には変調信号電圧Ｖｘの
ＶＥＥ１レベルが重畳され、その信号が１水平走査期間
を経過した時点で走査信号線Ｘn に走査信号電圧Ｖｇが
重畳される。
と、走査信号線Ｘn に供給される選択信号は、第１フレ
ームの開始タイミングに応答して変調信号Ｖｘが重畳さ
れ第３の電位ＶＥＥ２レベルで２水平走査期間保持され
た後、第２の電位ＶＥＥ１まで復帰すると同時に走査信
号Ｖｇが供給される。選択信号ＸＧの電圧Ｖｇは第２の
電位ＶＥＥ１から上昇して第１の電位ＶＤＤレベル（電
圧Ｖｇ）を１水平走査期間保持した後第２の電位ＶＥＥ
１レベルまで下降し、この第２の電位を次フレームの開
始タイミングまで維持する。また各走査線にはこの信号
が同様に３状態の電圧値が供給されるが、その位相はそ
れぞれ前段の選択信号ＸＧに対して１水平走査期間分遅
延された関係にある。すなわち走査信号線Ｘn に供給さ
れる変調信号ＶｘのＶＥＥ１レベルが１水平走査期間経
過した時点で走査信号線Ｘn+1 には変調信号電圧Ｖｘの
ＶＥＥ１レベルが重畳され、その信号が１水平走査期間
を経過した時点で走査信号線Ｘn に走査信号電圧Ｖｇが
重畳される。
【００２９】したがって、走査信号線Ｘn に接続された
ＴＦＴのゲート電極に電圧ＶＥＥ１を基準にして電圧Ｖ
ＤＤレベルを１水平走査期間供給してそのＴＦＴをＯＮ
状態にした後、その電位を電位ＶＥＥ１まで下降させて
ＴＦＴをＯＦＦにする。このＯＦＦになる信号の後縁の
タイミングに応答して後段の走査信号線Ｘn+1 に接続さ
れたＴＦＴのゲート電極に選択信号ＸＧの電圧ＶＤＤを
供給してそのＴＦＴをＯＮにし、１水平走査期間その電
位ＶＤＤレベルを保持した後電位ＶＥＥ１に下降させて
ＴＦＴをＯＦＦにする。
ＴＦＴのゲート電極に電圧ＶＥＥ１を基準にして電圧Ｖ
ＤＤレベルを１水平走査期間供給してそのＴＦＴをＯＮ
状態にした後、その電位を電位ＶＥＥ１まで下降させて
ＴＦＴをＯＦＦにする。このＯＦＦになる信号の後縁の
タイミングに応答して後段の走査信号線Ｘn+1 に接続さ
れたＴＦＴのゲート電極に選択信号ＸＧの電圧ＶＤＤを
供給してそのＴＦＴをＯＮにし、１水平走査期間その電
位ＶＤＤレベルを保持した後電位ＶＥＥ１に下降させて
ＴＦＴをＯＦＦにする。
【００３０】図３−２３および図３−２４を参照する
と、画像信号Ｖｓは対向電極ＣＯＭの電位を中心にして
１フレーム期間はＨレベルを維持し次フレーム期間では
Ｌレベルを維持している（図３−２３）。この画像信号
ＶｓのＨレベル供給期間において、走査信号線Ｘn に接
続されたＴＦＴはゲート電極に上述の選択信号ＸＧの電
圧Ｖｇが供給さて導通状態となりドレイン電極、すなわ
ち画素電極電圧Ｖｄの電圧は画像信号ＶｓのＨレベルと
等レベルにまで上昇する（図３−Ａ点→Ｂ点）。
と、画像信号Ｖｓは対向電極ＣＯＭの電位を中心にして
１フレーム期間はＨレベルを維持し次フレーム期間では
Ｌレベルを維持している（図３−２３）。この画像信号
ＶｓのＨレベル供給期間において、走査信号線Ｘn に接
続されたＴＦＴはゲート電極に上述の選択信号ＸＧの電
圧Ｖｇが供給さて導通状態となりドレイン電極、すなわ
ち画素電極電圧Ｖｄの電圧は画像信号ＶｓのＨレベルと
等レベルにまで上昇する（図３−Ａ点→Ｂ点）。
【００３１】この上昇した電位は前段の走査信号ｎの選
択信号ＸＧの電圧Ｖｇが電位ＶＥＥ１レベルへの復帰に
応答してＴＦＴはＯＦＦとなり、画素電極Ｖｄの電位は
電圧ΔＶ１（ΔＶ１＝−ＶｇＣn ／Ｃ）だけ低下（Ｂ
点）する。次に後段の選択信号ＸＧの電圧ＶｇがＶＤＤ
レベルに上昇するのに応答して電圧ΔＶ２（ΔＶ２＝
（Ｖｇ＋Ｖｘ）Ｃn ／Ｃ）だけ上昇する。さらに、後段
の選択信号ＸＧの電圧ＶｇがＶＤＤレベルを１水平走査
期間の間保持した後ＶＥＥ１レベルに復帰すると画素電
極Ｖｄの電位は電圧ΔＶ３（ΔＶ３＝−ＶｇＣn+1 ／
Ｃ）だけ低下して（Ｃ点）再び画像信号ＶｓのＨレベル
と等レベルに復帰し、そのレベルを次フレームの選択信
号ＸＧの供給タイミングまで維持する。したがって、Ａ
点〜Ｃ点までの遷移期間は電圧ΔＶ２（＝ΔＶ１＋ΔＶ
３）のレベル変動があるもののその後はΔＶ１＋ΔＶ２
＋ΔＶ３＝０となりフィードスルー電圧が補正される。
択信号ＸＧの電圧Ｖｇが電位ＶＥＥ１レベルへの復帰に
応答してＴＦＴはＯＦＦとなり、画素電極Ｖｄの電位は
電圧ΔＶ１（ΔＶ１＝−ＶｇＣn ／Ｃ）だけ低下（Ｂ
点）する。次に後段の選択信号ＸＧの電圧ＶｇがＶＤＤ
レベルに上昇するのに応答して電圧ΔＶ２（ΔＶ２＝
（Ｖｇ＋Ｖｘ）Ｃn ／Ｃ）だけ上昇する。さらに、後段
の選択信号ＸＧの電圧ＶｇがＶＤＤレベルを１水平走査
期間の間保持した後ＶＥＥ１レベルに復帰すると画素電
極Ｖｄの電位は電圧ΔＶ３（ΔＶ３＝−ＶｇＣn+1 ／
Ｃ）だけ低下して（Ｃ点）再び画像信号ＶｓのＨレベル
と等レベルに復帰し、そのレベルを次フレームの選択信
号ＸＧの供給タイミングまで維持する。したがって、Ａ
点〜Ｃ点までの遷移期間は電圧ΔＶ２（＝ΔＶ１＋ΔＶ
３）のレベル変動があるもののその後はΔＶ１＋ΔＶ２
＋ΔＶ３＝０となりフィードスルー電圧が補正される。
【００３２】一方、画像信号ＶｓのＬレベル供給期間
（偶数フィールド）においては、後段の走査信号線Ｘ
n+1 に接続されたＴＦＴはゲート電極に対して上述同様
に次フレームの選択信号ＸＧの電圧Ｖｇが供給されて導
通状態となり、画素電極電圧Ｖｄは画像信号ＶｓのＬレ
ベルと等レベルにまで下降する（Ｄ点→Ｅ点）。この下
降した電位は後段の選択信号ＸＧの電圧Ｖｇに電圧Ｖｘ
が重畳されているため、その電位ＶＥＥ２レベルに対応
して更に電圧ΔＶ１だけ低下（Ｅ点）するが、その直後
に後段の走査信号線Ｘn-1 上に供給される選択信号ＸＧ
の電圧Ｖｇに応答して電圧ΔＶ２だけ上昇する（Ｆ
点）。
（偶数フィールド）においては、後段の走査信号線Ｘ
n+1 に接続されたＴＦＴはゲート電極に対して上述同様
に次フレームの選択信号ＸＧの電圧Ｖｇが供給されて導
通状態となり、画素電極電圧Ｖｄは画像信号ＶｓのＬレ
ベルと等レベルにまで下降する（Ｄ点→Ｅ点）。この下
降した電位は後段の選択信号ＸＧの電圧Ｖｇに電圧Ｖｘ
が重畳されているため、その電位ＶＥＥ２レベルに対応
して更に電圧ΔＶ１だけ低下（Ｅ点）するが、その直後
に後段の走査信号線Ｘn-1 上に供給される選択信号ＸＧ
の電圧Ｖｇに応答して電圧ΔＶ２だけ上昇する（Ｆ
点）。
【００３３】選択信号ＸＧの電圧Ｖｇの供給終了と同時
に電圧ΔＶ３だけ降下して再び上述の画像信号ＶｓのＬ
レベルと等レベルににまで復帰し（Ｆ点）、次フレーム
の選択信号ＸＧが供給されるまでその電位を維持する。
この画素電極電圧Ｖｄの変化は、上述のＨレベルの場合
のＡ点〜Ｃ点、およびＬレベルの場合のＤ点〜Ｆ点まで
の各遷移期間は電圧ΔＶ２（＝ΔＶ１＋ΔＶ３）のレベ
ル変動があるものの、その後はΔＶ１＋ΔＶ２＋ΔＶ３
＝０となりフィードスルー電圧が補正される。
に電圧ΔＶ３だけ降下して再び上述の画像信号ＶｓのＬ
レベルと等レベルににまで復帰し（Ｆ点）、次フレーム
の選択信号ＸＧが供給されるまでその電位を維持する。
この画素電極電圧Ｖｄの変化は、上述のＨレベルの場合
のＡ点〜Ｃ点、およびＬレベルの場合のＤ点〜Ｆ点まで
の各遷移期間は電圧ΔＶ２（＝ΔＶ１＋ΔＶ３）のレベ
ル変動があるものの、その後はΔＶ１＋ΔＶ２＋ΔＶ３
＝０となりフィードスルー電圧が補正される。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置の駆動方法は、奇数フィールドおよび偶数フィール
ドのいずれにおいてもＴＦＴに供給される走査信号電圧
および変調信号電圧のそれぞれは、同様な３状態の電圧
値を用いてフィードスルー電圧を補正することができる
ので、４状態の電圧値を用いた従来技術における駆動方
法よりも駆動回路の構成が容易となり、素子数もはるか
に少ないので消費電流も少ない。
装置の駆動方法は、奇数フィールドおよび偶数フィール
ドのいずれにおいてもＴＦＴに供給される走査信号電圧
および変調信号電圧のそれぞれは、同様な３状態の電圧
値を用いてフィードスルー電圧を補正することができる
ので、４状態の電圧値を用いた従来技術における駆動方
法よりも駆動回路の構成が容易となり、素子数もはるか
に少ないので消費電流も少ない。
【図１】本発明の第１の実施例の説明用波形図である。
【図２】（ａ）蓄積容量の一方の電極を前段のゲート電
極の一部で形成した場合の等価回路を示す図である。 （ｂ）蓄積容量の一方の電極を後段のゲート電極の一部
で形成した場合の等価回路を示す図である。
極の一部で形成した場合の等価回路を示す図である。 （ｂ）蓄積容量の一方の電極を後段のゲート電極の一部
で形成した場合の等価回路を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施例の説明用波形図である。
【図４】１画素当りでの液晶セルの等価回路を示す図で
ある。
ある。
【図５】従来例の説明用波形図である。
【図６】従来技術の各電極の波形図である。
ＣGS ゲート・ソース間のオーバラップ容量 ＣLC 液晶容量 ＣX1 ソース・ドレイン間の寄生容量 ＣX2 画像信号線・ドレイン間の寄生容量 ＣY1 走査信号線・ドレイン間の寄生容量 ＣX2 蓄積容量 Ｖｇ 選択信号ＸＧ電圧 ΔＶｇ 選択信号ＸＧ電圧の変化量 Ｖｄ 画素電圧 Ｖｓ ＴＦＴのソース電圧 ΔＶ フィードスルー電圧 Ｖ１，ΔＶ２，ΔＶ３ 液晶容量両端の電圧変化
Claims (2)
- 【請求項１】 画像信号線および走査信号線がマトリク
ス平面上に配設され、この平面上の交差点にある前記走
査信号線にゲート電極が接続され画像信号線に一方の電
極が接続され他方の電極に画素電極が接続された薄膜ト
ランジスタ素子と、電荷保持用容量が前記他方の電極お
よび前段の前記薄膜トランジスタ素子のゲート電極の一
部で形成され前記画素電極および対向電極間に密着配置
された液晶とを有する液晶表示装置を、走査信号に所定
の変調信号を重畳させた選択信号を用いて前記薄膜トラ
ンジスタ素子を導通させ、画像信号を前記電荷保持用容
量に保持させて画像表示させる液晶表示装置の駆動方法
において、前記選択信号は、高電圧の第１の電位と、こ
の第１の電位よりも低電圧の第２の電位と、この第２の
電位よりも低電圧の第３の電位との３電位状態をとり、
所定のフレームで前記第２の電位から上昇して前記第１
の電位を１水平走査期間保持した後前記第３の電位まで
下降し、さらにこの電位を２水平走査期間保持した後に
前記第２の電位に復帰するとともに次フレームの開始ま
で前記第２の電位を保持し、前記画像信号と等電位にあ
る前記画素電極電位が前記薄膜トランジスタ素子の導通
状態から非導通状態への遷移時に前記画像信号電圧が変
動したときに、前記第３の電位保持期間内に前記画素電
極電位を前記画像信号と等しい電位に復帰させることを
特徴とする液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項２】 前記電荷保持用容量が前記薄膜トランジ
スタ素子の前記他方の電極および後段の前記薄膜トラン
ジスタ素子のゲート電極の一部で形成された場合、前記
選択信号は、所定のフレームで前記第２の電位から下降
して前記第３の電位を２水平走査期間保持した後に上昇
して前記第１の電位を１水平走査期間保持した後前記第
２の電位まで低下し、この電位を次フレームの開始まで
維持するように設定され、前記画像信号と等電位にある
前記画素電極電位が前記薄膜トランジスタ素子の導通状
態から非導通状態への遷移時に前記画像信号電圧が変動
したときに、前記後段の選択信号の第１の電位保持期間
内に前記画素電極電位を前記画像信号と等しい電位に復
帰させることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置
の駆動方法。
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