JPH06275771A

JPH06275771A - 半導体装置およびその半導体装置に組み込まれる半導体チップ

Info

Publication number: JPH06275771A
Application number: JP5063735A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Abe; 由之阿部
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-03-23
Filing date: 1993-03-23
Publication date: 1994-09-30

Abstract

(57)【要約】【目的】パッケージの表面にワイヤが透けて見える不
良の防止。【構成】レジンからなるパッケージ１と、このパッケ
ージの内外に亘って延在するリード２と、前記パッケー
ジ内に位置しかつ主面に電極を有する半導体チップ３
と、前記半導体チップ主面上に絶縁テープ７を介して取
り付けられるリード内端部６およびバス・バー・リード
９と、前記電極とバス・バー・リードおよびリード内端
部を電気的に接続するワイヤ１７とを有するリード・オ
ン・チップ構造の半導体装置であって、前記バス・バー
・リード９とリード内端部６との間に電極４を配置し
て、リード内端部６と電極４を接続するワイヤ１７が低
くてもバス・バー・リード９とショートしないようにす
る。これにより、ワイヤ１７のループを低くでき、パッ
ケージ１の表面にワイヤ１７が透けて見えなくなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置、特にＬＯＣ
（lead on chip）と呼称される半導体装置およびこの半
導体装置に組み込まれる半導体チップに関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器は、機能面から高密度実装化
が、実装面から軽量化，小型化，薄型化が要請されてい
る。また、電子部品の製造コストの低減のために、パッ
ケージ形態としては材料が安くかつ生産性が良好な樹脂
封止（レジンパッケージ）型半導体装置が多用されてい
る。レジンパッケージ型半導体装置としては、金属製の
リードフレームを用いるもの、絶縁性フィルムの表面に
リードを形成したＴＣＰ（Tape Carrier Packageng）等
が知られている。

【０００３】リードフレームを用いた半導体装置につい
ては、日立評論社発行「日立評論」1992年第３号、平成
４年３月25日発行、Ｐ75〜Ｐ80に記載されている。この
文献には、より小型・薄型のパッケージとして、ＴＳＯ
Ｐ（Thin Small Outline Package），ＳＳＯＰ（Shrink
Small Outline Package），ＴＱＦＰ（Thin Quad Flat
Package），ＳＴＺＩＰ（Shrink Thin Zigzag Inline
Package)が開示されている。また、ＳＯＰ(Small Outli
ne Package）はパッケージの２辺にアウターリードを配
置し、ＱＦＰ（Thin Quad Flat Package）はパッケージ
の４辺にアウターリードを配置した構造となっている。
そして、ＴＳＯＰ，ＴＱＦＰは、リードのピッチサイズ
が０．５ｍｍと狭くなるとともに、パッケージの本体厚
さが１ｍｍに薄型化されている。

【０００４】また、日経ＢＰ社発行「日経エレクトロニ
クス」1990年３月19日号(495号）、Ｐ119 〜Ｐ136 には
表面実装について記載されている。この文献には、多端
子・狭ピッチＬＳＩのパッケージ形態として、プラスチ
ックやプラスチックＳＯＰ等のプラスチック・フラット
・パッケージ、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）と
してのＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、テープキャ
リアパッケージとしてのトランスファモールドによるモ
ールドＴＡＢ（モールドＴＣＰ）があり、これらＬＳＩ
パッケージにおけるアウターリードの狭ピッチ化は、
０．３ｍｍ〜０．２ｍｍに移行しつつある旨記載されて
いる。

【０００５】一方、工業調査会発行「電子材料」1989年
７月号、同年７月１日発行、Ｐ22〜Ｐ26には、ＴＡＢ技
術の利点と将来展望について記載されている。この文献
には、実装密度、多ピン化の欄において「ワイヤボンデ
ィングにおいてＩＣパッドの大きさは，１００μｍ□く
らいのものが必要とされるのに対し、ＴＡＢでは，バン
プの大きさは５０μｍ□でよい。また，ワイヤボンディ
ングのパッドピッチも，マシンの理由から１２０μｍピ
ッチが今のところ最小であるが，ＴＡＢでは，８０μｍ
のピッチでも可能になりつつあり，５０μｍピッチの登
場も考えられる。」と記載されている。また、この文献
には、ＴＡＢテープとして、デバイスの高速化やノイズ
削減化が図れるグランドテープ、多ピン化に適したエリ
ヤテープが紹介されている。

【０００６】他方、ワイヤボンディングを行うワイヤボ
ンダについては、工業調査会発行「電子材料別冊」1991
年11月22日発行、Ｐ92〜Ｐ97に記載されている。この文
献には、「高速化, 高集積化, 多機能化（多端子化・大
チップ化）にともない，パッケージ構造も多様化してお
り，１６ＭＤＲＡＭにおいてはＬＯＣ（Lead On Chip）
やＣＯＬ（Chip On Lead）を採用するところも増えそう
だ。…」とし、「ワイヤボンダとしては，従来のトレン
ドであるボンディングスピードの高速化やインライン化
と同時に，多様化したパッケージに対応できるループ制
御機能が求められている。」旨記載している。そして、
特殊ループ形状として、ディープアクセスループやＪ形
ループが紹介されている。

【０００７】また、日経ＢＰ社発行「日経マイクロデバ
イス」1988年９月号、同年９月１日発行、P115〜P121に
は、パッケージの厚さが１ｍｍとなるＴＱＦＰについて
記載されている。この文献には、ボンディング・ワイヤ
ーの高さの制御について記載され、ワイヤーの高さ（ル
ープ高さ）のバラつきを±５０μｍ以下とし、「ボンデ
ィングの高さは、２００μｍ以下である。高さの平均を
１５０μｍ程度に設定してボンディングする。」旨記載
されている。

【０００８】リードフレームを用いた半導体装置の構造
の一つとして、半導体チップの上に絶縁テープを介して
リード内端部を取り付けるとともに、これらリード内端
部と半導体チップの上面に設けられたボンディングパッ
ドをワイヤで接続し、かつ半導体チップ，ワイヤ，リー
ド内端部をレジンパッケージで封止してなるＬＯＣ（Le
ad On Chip）構造の半導体装置が開発されている。ＬＯ
Ｃ（リード・オン・チップ）構造については、日経ＢＰ
社発行「日経マイクロデバイス」1991年２月号、同年２
月１日発行、Ｐ89〜Ｐ97に記載されている。ＬＯＣ構造
では、半導体チップの中央に沿って電極パッド（ボンデ
ィングパッド）が配列されるとともに、このボンディン
グパッド列の両側にそれぞれ電源線および接地線として
のバス・バー・リードが絶縁テープを介して配置されて
いる。また、バス・バー・リードの外側の半導体チップ
上に信号線等となるリードの内端部分が並ぶ構造となっ
ている。また、前記ボンディングパッドとバス・バー・
リードやリード内端部が導電性のワイヤで接続されてい
る。前記バス・バー・リードやその他のリード内端部は
絶縁テープを介して半導体チップの上面に接着されてい
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】前記文献にも示すよう
に、ＬＯＣ構造では、半導体チップの中央に沿って電極
（電極パッド）が並び、その外側にバス・バー・リード
が延在し、さらに外側にリード（リード内端部）が並ん
でいる。電極パッドとリード内端部を電気的に接続する
ワイヤは、電源用または接地用のバス・バー・リードを
越えるように交差してループが形成されている。このた
め、前記ワイヤループは、ワイヤが前記バス・バー・リ
ードに接触しないように高く形成する必要がある。一
方、半導体装置の薄型化により、パッケージの厚さも薄
くなっている。パッケージの厚さが１ｍｍとなるＴＱＦ
Ｐにおいては、リード内端の上面からパッケージの表面
に至る厚さ（高さ）は１９５μｍ程度となる。このよう
にパッケージが薄くなると、パッケージの表面にワイヤ
が露出したり、ワイヤが透けて見える不良現象がときと
して発生する。ワイヤボンディングにおけるループ形成
精度を高めても、ワイヤの剛性のバラツキ等によって、
ワイヤループが高くなることは避けられない。また、ワ
イヤが垂れ下がってバス・バー・リードに接触しないよ
うに、特殊なループ形状を形成するワイヤボンディング
装置の導入はボンディングコストの高騰を招く。

【００１０】本発明の目的は、パッケージ表面にワイヤ
が透けて見えたり、露出するおそれのないＬＯＣ構造の
半導体装置を提供することにある。

【００１１】本発明の他の目的は、パッケージ表面にワ
イヤが透けて見えることのないようにワイヤループを低
くできる半導体チップを提供することにある。本発明の
前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書
の記述および添付図面からあきらかになるであろう。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明の半導体チップは
主面中央部分に沿って複数の電極が設けられるチップ・
オン・リード構造の半導体装置に組み込まれる半導体チ
ップであって、前記電極は２列に配列されているととも
に、列間は半導体チップ主面に絶縁体（絶縁テープ）を
介して取り付けられるバス・バー・リードが延在できる
幅を有する空きゾーンとなっている。

【００１３】本発明のＬＯＣ構造の半導体装置は、主面
中央部分にバス・バー・リードを配置できる空きゾーン
を有する前記半導体チップをパッケージ内に有してい
る。前記半導体チップの主面の空きゾーンには絶縁テー
プを介して電源用および接地用のバス・バー・リードが
延在している。半導体チップの主面に設けられる電極は
前記バス・バー・リードの両側（外側）に並んでいる。
電極列のさらに外側の半導体チップ主面上には絶縁テー
プを介してリード（リード内端部）が並んでいる。した
がって、この構造では、前記バス・バー・リードとリー
ド内端部との間に半導体チップの電極が位置する構造と
なる。そして、前記電極とバス・バー・リードおよびリ
ード内端部は導電性の金線からなるワイヤで接続されて
いる。

【００１４】本発明の他の実施例によるＬＯＣ構造の半
導体装置はモールドＴＣＰ構造となっている。レジンか
らなるパッケージの内外に亘って延在するリード（含む
バス・バー・リード）は絶縁テープ上にパターニングさ
れた構造となる。また、前記絶縁テープは半導体チップ
の主面に部分的に重なる。半導体チップは前記空きゾー
ンを有する構造となり、バス・バー・リードは絶縁テー
プを介して半導体チップの空きゾーンに延在する。ま
た、リード内端部は前記バス・バー・リードの両側に位
置する。前記バス・バー・リードおよびリード内端部は
その一部が接合部となり、この接合部は前記絶縁テープ
を部分的に除去した開口部に延在しかつ半導体チップ主
面の電極に接合されている。

【００１５】

【作用】上記した手段によれば、本発明の半導体チップ
においては、主面中央に設けられる電極は２列となると
ともに、列間は空きゾーンとなっている。この半導体チ
ップを組み込んだＬＯＣ構造の半導体装置においては、
バス・バー・リードは前記空きゾーンに配列されてい
る。したがって、電極とリード内端部およびバス・バー
・リードを導電性のワイヤで接続した場合、バス・バー
・リードとリード内端部との間に電極が位置する構造と
なることから、ワイヤはバス・バー・リードやリード内
端部を跨ぐように交差することがなく、ワイヤのループ
高さを低くすることができ、パッケージの表面にワイヤ
が透けて見えるような不良の発生を抑止できる。

【００１６】また、モールドＴＣＰ構造とした本発明の
他の半導体装置にあっては、バス・バー・リードおよび
リード内端部と電極との接続は、両者の重ね合わせによ
って接続されるため、ワイヤ構造に起因する不良発生が
なくなるとともにパッケージの厚さをさらに薄くでき
る。

【００１７】

【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図１は本発明の一実施例による半導体装置
の要部を示す平面図、図２は同じく半導体装置の断面
図、図３は同じく半導体装置の平面図、図４は本発明の
一実施例による半導体チップの要部を示す平面図、図５
は本発明の半導体装置の製造に用いるリードフレームを
示す平面図、図６は同じく半導体装置の製造において半
導体チップにリードフレームを取り付けた状態を示す平
面図、図７は同じく半導体装置における絶縁テープを示
す平面図、図８は同じく半導体装置の製造においてパッ
ケージを形成したリードフレームを示す平面図である。

【００１８】本発明ではＤＲＡＭ（Dynamic Random Acc
ess Memory）が組み込まれた半導体装置について説明す
る。本発明の半導体装置は、図１〜図３に示すように、
レジンからなる矩形体状のパッケージ１の両側から、複
数のリード２をそれぞれ突出させる構造となっている。
また、パッケージ１の内部には矩形体からなる半導体チ
ップ３が封止されている。この半導体チップ３は、図示
はしないがＤＲＡＭが形成されている。また、この半導
体チップ３は、図４に示すように、主面中央に沿って２
列に亘って電極（電極パッド：ボンディングパッド）４
が複数設けられている。この電極列はリード２の長手方
向に沿い、かつ列間に一定の幅ａの空きゾーン５を形成
するように配列されている。

【００１９】パッケージ１の内外に亘って延在するリー
ド２において、前記パッケージ１の外におけるリード部
分（アウターリード）は成形され、図２に示すようにＪ
−リード構造となっている。また、パッケージ１内にお
けるリード部分（インナーリード）は、そのリード内端
部６を半導体チップ３の主面上に絶縁テープ７（図１で
は外形のみ表示）を介して延在させている。また、パッ
ケージ１の両側に突出するそれぞれのリード列におい
て、リード列の両側のリードはパッケージ１内で連な
り、バス・バー・リード９となる。バス・バー・リード
９は、一方が電源用リード１０となり、他方は接地用リ
ード１１となる。これら２本のバス・バー・リード９
は、前記半導体チップ３の主面中央の空きゾーン５上に
絶縁テープ７を介して貼り付けられている。

【００２０】絶縁テープ７は、８０μｍ程度の厚さとな
るポリイミド樹脂系の両面接着テープとなっていて、半
導体チップ３よりも小さな矩形状となっている。絶縁テ
ープ７は、半導体チップ３の主面に貼り付けた際、半導
体チップ３の電極４を塞ぐことのないように、図７に示
すようにスリッド状の開口部１２が平行に２つ設けられ
ている。２本のバス・バー・リード９は前記開口部１２
のバス・バー・リード接着部１５に接着され、リード内
端部６は開口部１２の外側のリード接着部１６に接着さ
れる。

【００２１】半導体チップ３の電極４とリード内端部６
およびバス・バー・リード９は、金線からなるワイヤ１
７によって電気的に接続されている。。このような構造
の半導体装置２０の各部の寸法は、一例を挙げると、半
導体チップ３の厚さは２８０μｍ、絶縁テープ７の厚さ
は８０μｍ、リード２の厚さは１２５μｍ、半導体チッ
プ３の下方のレジンの厚さは３２０μｍ、リード２の上
方のレジンの厚さは１９５μｍとなり、パッケージ１の
厚さは１ｍｍとなる。また、ワイヤ１７のループ高さ
は、低ループワイヤボンディングが可能となり、空きゾ
ーン５の表面にワイヤ１７が透けて見えるような不良は
発生しなくなる。

【００２２】つぎに、このような半導体装置２０の製造
について説明する。最初に図５に示されるようなリード
フレーム２１が用意される。このリードフレーム２１
は、０．１２５ｍｍの厚さのＦｅ−Ｎｉ系合金あるいは
Ｃｕ合金等からなる金属板をエッチングまたは精密プレ
スによってパターニングすることによって形成される。
リードフレーム２１は複数の単位リードパターンを一方
向に直列に並べた形状となっている。単位リードパター
ンは、一対の平行に延在する外枠２２と、この一対の外
枠２２を連結しかつ外枠２２に直交する方向に延在する
一対の内枠２３とによって形成される枠２４内に形成さ
れている。

【００２３】一方、前記枠２４の内枠２３の内側から複
数のリード２が枠２４の中央に向かって延在している。
これらリード２は、途中まで相互に平行となって延在し
てアウターリードを形成するが、途中から枠２４の中心
方向にそれぞれ屈曲して片持梁構造のインナーリードを
形成している。また、リード列の両側のリードは枠２４
の中央に沿って延在して相互に連なってバス・バー・リ
ード９を形成している。このバス・バー・リード９は、
両方の内枠２３から延在するリード２によって形成さ
れ、一方が電源用リード１０となり、他方が接地用リー
ド１１と２本となる。このバス・バー・リード９は、枠
２４の中央を内枠２３に平行に延在し、前記半導体チッ
プ３の空きゾーン５に重なるように設計されている。ま
た、前記アウターリード部分のリード２は、前記内枠２
３に平行に延在するダム２５によって連結されている。
前記ダム２５は後述するレジンモールド時、溶けたレジ
ンの流出を阻止するダムとして、また強度部材として作
用する。なお、前記外枠２２には、図示しないガイド孔
が設けられている。このガイド孔は、リードフレーム２
１の移送や位置決め等のガイドとして利用される。

【００２４】前記リードフレーム２１において、各内枠
２３から延在するリード２の先端部（リード内端部６）
は、それぞれのバス・バー・リード９に対面するととも
に、バス・バー・リード９との間に一定の間隔を有して
いる。そして、この間隔（空間）部分には、半導体チッ
プ３の電極４が位置するようになっている。

【００２５】つぎに、このようなリードフレーム２１
は、図６に示すように、半導体チップ３の主面に重ねら
れる。半導体チップ３の主面には、図７に示されるよう
な形状の両面接着テープからなる８０μｍ厚さの絶縁テ
ープ７が貼り付けられるとともに、この絶縁テープ７に
はリードフレーム２１のインナーリード部分が貼り付け
られる。図７に示すように、２本のバス・バー・リード
９は、絶縁テープ７の開口部１２間のバス・バー・リー
ド接着部１５に接着され、リード内端部６は一部しか示
さないが、開口部１２の外側のリード接着部１６に接着
される。また、半導体チップ３の２列に並ぶ電極４は、
絶縁テープ７の開口部１２に位置し、電気的に独立状態
を維持する。これによって、リード２は半導体チップ３
の主面に絶縁的に取り付けられてＬＯＣ構造が形成され
る。また、これが本発明の特徴の一つであるが、バス・
バー・リード９とリード内端部６との間に電極４が位置
する構造となる。

【００２６】つぎに、電極４とリード内端部６および電
極４とバス・バー・リード９とは、金線からなるワイヤ
１７で電気的に接続される。このワイヤボンディングに
おいては、ワイヤ１７のループを低くしても、ワイヤ１
７が張られる領域にはバス・バー・リード９等の導体が
存在しないため、ワイヤ１７を低く張ることができる。

【００２７】つぎに、このリードフレーム２１は、常用
のモールド（トランスファモールド）技術によって、所
定部分にパッケージ１が形成される。パッケージ１は、
図８に示されるように、半導体チップ３，リード内端部
６，バス・バー・リード９の内端部分およびワイヤ１７
を被う。パッケージ１はその厚さが１ｍｍとなる。つぎ
に、不要となるリードフレーム部分は切断除去される。
さらに、パッケージ１から突出するリード２は成形され
て、図２に示されるようなガルウイング型の半導体装置
２０が製造される。

【００２８】

【発明の効果】（１）本発明のＬＯＣ構造の半導体装置
においては、組み込まれる半導体チップは、その主面中
央にバス・バー・リードを延在させることができる空き
ゾーンが設けられるとともに、この空きゾーンの両側に
電極を位置させるようになり、バス・バー・リードとリ
ード内端部との間に半導体チップの電極が位置する構造
となっている。したがって、ワイヤボンディングによっ
て電極とリード内端部、電極とバス・バー・リードを電
気的に接続する際、ワイヤが低くなって垂れ下がっても
ショート不良は発生しないため、ワイヤをできるだけ低
く張ることができるという効果が得られる。

【００２９】（２）上記（１）により、本発明の半導体
装置は、その製造時、ワイヤループを低くすることがで
きるため、パッケージの表面にワイヤが露出したり、あ
るいはワイヤが透けて見えるような不良が発生しないと
いう効果が得られる。したがって、ワイヤを通して半導
体チップに水分が浸入する度合いも少なくなり、半導体
装置の耐湿性の向上が図れる。

【００３０】（３）上記（２）により、本発明の半導体
装置は、その製造時、ワイヤループを低くすることがで
きることから、パッケージの厚さをより薄くできるとい
う効果が得られる。

【００３１】（４）本発明のＬＯＣ構造の半導体装置に
組み込まれる半導体チップは、半導体チップの主面中央
に沿ってバス・バー・リードを延在させることができる
構造となっているとともに、このバス・バー・リードの
両側に電極を位置させることができるから、電極とリー
ド内端部との間にバス・バー・リードを配しない構造と
なり、半導体装置に組み込まれて行われるワイヤボンデ
ィング、すなわち、リード内端部と電極とをワイヤで接
続するワイヤボンディングにおいて、ワイヤを低く形成
できるという効果が得られる。

【００３２】（５）上記（１）〜（４）により、本発明
によれば、パッケージの表面にワイヤが透けて見えるよ
うな不良の発生を防止できることから、半導体装置の製
造歩留りの向上が図れるとともに、パッケージの薄型化
も達成できるという相乗効果が得られる。

【００３３】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
前記実施例では半導体チップ３の電極４は、パッケージ
１の長手方向に沿って配列したが、半導体チップ３の幅
員方向に沿って配列させてもよい。

【００３４】図９〜図１０は本発明の他の実施例による
半導体装置を示す図であり、図９は半導体装置の要部を
示す平面図、図１０はリード内端部と電極との接続状態
を示す断面図、図１１は電極とバス・バー・リードとの
接続状態を示す断面図である。この実施例の半導体装置
２０はモールドＴＣＰ構造となっている。すなわち、図
１０および図１１に示すように、パッケージ１の内外に
亘って延在するリード２は、ポリイミド樹脂系からなる
厚さ３５μｍの絶縁テープ３０に支持されている。ま
た、この絶縁テープ３０には、前記絶縁テープ７の開口
部１２と同様に、絶縁テープ３０を部分的に除去して開
口部３１が設けられている。そして、図９に示すよう
に、前記開口部３１内には、リード内端部６が延在して
いる。リード内端部６の下面、すなわち、半導体チップ
３の電極４に対面する面には接合部３２が設けられてい
る。また、バス・バー・リード９からも接合リード部３
３が突出し、前記開口部３１内に延在している。この接
合リード部３３の下面、すなわち、半導体チップ３の電
極４に対面する面には接合部３４が設けられている。前
記リード２は、ＴＡＢ技術によって形成される。すなわ
ち、絶縁テープを用意した後、パンチングによって所望
の打ち抜きを行う。その後、絶縁テープの一面に銅箔を
貼り付け、かつこの銅箔をエッチングして所望のリード
パターンを形成する。前記リード内端部６および接合リ
ード部３３の接合部３２，３４は、たとえば、金バンプ
からなり、直接半導体チップ３の電極４に熱圧着等によ
って接続されている。この構造では、ワイヤボンディン
グを行わないことから、パッケージ１の表面にワイヤが
透けて見える不良が発生しないとともに、パッケージ１
の一層の薄型化が可能となり、たとえば、パッケージ１
を０．５ｍｍ以下にすることも可能となる。

【００３５】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＤＲＡ
Ｍに適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、たとえば、他のＩＣの製造技術等に適
用できる。本発明は少なくともワイヤボンディングを行
う半導体装置の製造には適用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による半導体装置の要部を示
す平面図である。

【図２】本発明の一実施例による半導体装置の断面図で
ある。

【図３】本発明の一実施例による半導体装置の平面図で
ある。

【図４】本発明の一実施例による半導体チップの要部を
示す平面図である。

【図５】本発明の一実施例による半導体装置の製造に用
いるリードフレームを示す平面図である。

【図６】本発明の一実施例による半導体装置の製造にお
いて半導体チップにリードフレームを取り付けた状態を
示す平面図である。

【図７】本発明の一実施例による半導体装置における絶
縁テープを示す平面図である。

【図８】本発明の一実施例による半導体装置の製造にお
いてパッケージを形成したリードフレームを示す平面図
である。

【図９】本発明の他の実施例による半導体装置の要部を
示す平面図である。

【図１０】本発明の他の実施例による半導体装置の要部
を示す断面図である。

【図１１】本発明の他の実施例による半導体装置の要部
を示す断面図である。

【符号の説明】

１…パッケージ、２…リード、３…半導体チップ、４…
電極、５…空きゾーン、６…リード内端部、７…絶縁テ
ープ、９…バス・バー・リード、１０…電源用リード、
１１…接地用リード、１２…開口部、１５…バス・バー
・リード接着部、１６…リード接着部、１７…ワイヤ、
２０…半導体装置、２１…リードフレーム、２２…外
枠、２３…内枠、２４…枠、２５…ダム、３０…絶縁テ
ープ、３１…開口部、３２…接合部、３３…接合リード
部、３４…接合部。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レジンからなるパッケージと、このパッ
ケージの内外に亘って延在するリードと、前記パッケー
ジ内に位置しかつ主面に電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップ主面上に絶縁体を介して取り付けられ
かつ延在するバス・バー・リードおよびリード内端部
と、前記電極とバス・バー・リードおよびリード内端部
を電気的に接続する接続手段とを有するリード・オン・
チップ構造の半導体装置であって、前記バス・バー・リ
ードは半導体チップの主面の中央に沿って延在するとと
もに、このバス・バー・リードの両側に沿って前記電極
が並びかつ電極列の外側にリード内端部が並ぶことを特
徴とする半導体装置。
【請求項２】前記バス・バー・リードおよびリード内
端部と電極は導電性のワイヤで電気的に接続されている
とともに、前記ワイヤはバス・バー・リードと交差しな
いことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】前記リード内端部およびバス・バー・リ
ードは絶縁テープ上に形成されているとともに、前記リ
ード内端部およびバス・バー・リードは接合部を有し、
この接合部は前記絶縁テープを部分的に除去した開口部
に延在して前記半導体チップの電極に接続されているこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】主面中央部分に沿って複数の電極が設け
られるチップ・オン・リード構造の半導体装置に組み込
まれる半導体チップであって、前記電極は２列に配列さ
れているとともに、列間は半導体チップ主面に絶縁体を
介して取り付けられるバス・バー・リードが延在できる
幅を有する空きゾーンとなっていることを特徴とする半
導体チップ。