JPH0627642A - フォトマスク及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
フォトマスク及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH0627642A JPH0627642A JP17999192A JP17999192A JPH0627642A JP H0627642 A JPH0627642 A JP H0627642A JP 17999192 A JP17999192 A JP 17999192A JP 17999192 A JP17999192 A JP 17999192A JP H0627642 A JPH0627642 A JP H0627642A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】フォトマスクのペリクル面またはガラス面に付
着した除去困難な異物を前記ペリクルを除去する事なく
容易な方法で前記異物を前記ペリクル面またはガラス面
から除去する事。 【構成】フォトマスク２１のガラス面上とペリクルフレ
ームを介して装着されているペリクル面上にクロムパタ
ーン面に露光波長に対して９０％以上の透過率の薄膜２
３を接着し、前記ガラス面上に除去が困難な異物が付着
した場合、前記薄膜２３を剥す事により前記異物を除去
する。 【効果】異物除去の作業性及び半導体装置製造の量産性
が著しく向上した。
着した除去困難な異物を前記ペリクルを除去する事なく
容易な方法で前記異物を前記ペリクル面またはガラス面
から除去する事。 【構成】フォトマスク２１のガラス面上とペリクルフレ
ームを介して装着されているペリクル面上にクロムパタ
ーン面に露光波長に対して９０％以上の透過率の薄膜２
３を接着し、前記ガラス面上に除去が困難な異物が付着
した場合、前記薄膜２３を剥す事により前記異物を除去
する。 【効果】異物除去の作業性及び半導体装置製造の量産性
が著しく向上した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造のフォ
ト工程に関し、特にフォトマスクに関する。
ト工程に関し、特にフォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体装置製造のフォトエッチン
グ工程の微細加工においては、フォトマスクを用いた縮
小露光装置（以下、ステッパーとする。）により半導体
装置の微細化が飛躍的に向上した。しかしながら、１μ
ｍ前後のプロセスルールを境にフォトマスク上の異物の
ウェハー上のレジストへの転写によるパターン不良が問
題となっている。フォトマスク上の異物は、直接ウェハ
ー上に転写されるため、異物の管理は非常に難しい。
グ工程の微細加工においては、フォトマスクを用いた縮
小露光装置（以下、ステッパーとする。）により半導体
装置の微細化が飛躍的に向上した。しかしながら、１μ
ｍ前後のプロセスルールを境にフォトマスク上の異物の
ウェハー上のレジストへの転写によるパターン不良が問
題となっている。フォトマスク上の異物は、直接ウェハ
ー上に転写されるため、異物の管理は非常に難しい。
【０００３】図３に従来技術のペリクルをフォトマスク
に装着した図を示す。近年、異物の転写を防止するた
め、ニトロセルロースを代表とするペリクル３３をアル
ミ合金を代表とするペリクルフレーム３２に接着固定
し、更に前記ペリクルフレーム３２をフォトマスク３１
のパターン領域を覆うように接着固定する。このことに
より、フォトマスク３１上のパターン面への異物の付着
を防止するとともに前記ペリクル面３３上に異物が付着
しても露光時は、デフォーカスになるため、異物の管理
が比較的容易となった。しかしながら、依然としてペリ
クル面３３上及びフォトマスク３１のパターン面上の異
物の管理は必要不可欠である。
に装着した図を示す。近年、異物の転写を防止するた
め、ニトロセルロースを代表とするペリクル３３をアル
ミ合金を代表とするペリクルフレーム３２に接着固定
し、更に前記ペリクルフレーム３２をフォトマスク３１
のパターン領域を覆うように接着固定する。このことに
より、フォトマスク３１上のパターン面への異物の付着
を防止するとともに前記ペリクル面３３上に異物が付着
しても露光時は、デフォーカスになるため、異物の管理
が比較的容易となった。しかしながら、依然としてペリ
クル面３３上及びフォトマスク３１のパターン面上の異
物の管理は必要不可欠である。
【０００４】ペリクル面３３上の異物を発見した場合、
一般的に窒素ガス等をペリクル面上の異物に吹きかける
事により除去している。しかしながら、窒素ガスを噴射
するノズルは細いため、作業上のミスからペリクル３３
を破いたりする場合が少なくない。また、ペリクル３３
の強度はさほど高くないので日常の作業中に誤って破損
することもある。この場合、ペリクル３３を取り除いた
後、アセトンやキシレンを代表とする有機溶剤中にペリ
クルフレーム３２とフォトマスク３１を数分間浸した
後、前記ペリクルフレーム３２を前記フォトマスク３１
から分離する。しかしながら、フォトマスク３１とペリ
クルフレーム３２の間には、前記フォトマスク３１と前
記ペリクル３２とを接着固定するための接着剤があり、
分離の際、前記フォトマスク３１に前記接着剤が残って
しまう。前記接着剤の前記フォトマスク３１からの除去
方法として、更にアセトンやキシレンを代表とする有機
溶剤により溶解して除去している。
一般的に窒素ガス等をペリクル面上の異物に吹きかける
事により除去している。しかしながら、窒素ガスを噴射
するノズルは細いため、作業上のミスからペリクル３３
を破いたりする場合が少なくない。また、ペリクル３３
の強度はさほど高くないので日常の作業中に誤って破損
することもある。この場合、ペリクル３３を取り除いた
後、アセトンやキシレンを代表とする有機溶剤中にペリ
クルフレーム３２とフォトマスク３１を数分間浸した
後、前記ペリクルフレーム３２を前記フォトマスク３１
から分離する。しかしながら、フォトマスク３１とペリ
クルフレーム３２の間には、前記フォトマスク３１と前
記ペリクル３２とを接着固定するための接着剤があり、
分離の際、前記フォトマスク３１に前記接着剤が残って
しまう。前記接着剤の前記フォトマスク３１からの除去
方法として、更にアセトンやキシレンを代表とする有機
溶剤により溶解して除去している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術には以下の様な問題点を有する。
術には以下の様な問題点を有する。
【０００６】従来技術ではペリクル面上に異物が付着し
た際、窒素ガス等を噴射し除去していたが前記窒素ガス
を噴射するノズルは細いため、作業上のミスからペリク
ルを破損する可能性があった。その場合、フォトマスク
から前記ペリクルとペリクルフレームを除去し、前記フ
ォトマスクの洗浄を行い、再びペリクルを貼らなければ
ならなかった。また、前記異物が窒素ガスの噴射による
前記方法で除去困難な場合も同様にペリクルを貼り替え
る必要があった。その場合、一定の期間、前記フォトマ
スクは使用できないため量産性に著しい低下があった。
た際、窒素ガス等を噴射し除去していたが前記窒素ガス
を噴射するノズルは細いため、作業上のミスからペリク
ルを破損する可能性があった。その場合、フォトマスク
から前記ペリクルとペリクルフレームを除去し、前記フ
ォトマスクの洗浄を行い、再びペリクルを貼らなければ
ならなかった。また、前記異物が窒素ガスの噴射による
前記方法で除去困難な場合も同様にペリクルを貼り替え
る必要があった。その場合、一定の期間、前記フォトマ
スクは使用できないため量産性に著しい低下があった。
【０００７】そこで本発明は、そのような問題点を解決
するもので、その目的とするところは、フォトマスクの
ペリクル面上またはガラス面上に除去困難な異物が付着
した場合でも前記ペリクルを貼り替える事なく除去でき
るフォトマスクを提供するところにある。
するもので、その目的とするところは、フォトマスクの
ペリクル面上またはガラス面上に除去困難な異物が付着
した場合でも前記ペリクルを貼り替える事なく除去でき
るフォトマスクを提供するところにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】（１）半導体装置製造の
フォト工程で用いられるフォトマスクにおいて、前記フ
ォトマスクの少なくとも一方に金属合金のフレームを用
いて一定距離を介してペリクルを装着している前記フォ
トマスクの前記ペリクル上に露光波長領域の光に対して
透過率が９０％以上の薄膜を装着し、必要に応じて前記
薄膜を剥せることを特徴とする。
フォト工程で用いられるフォトマスクにおいて、前記フ
ォトマスクの少なくとも一方に金属合金のフレームを用
いて一定距離を介してペリクルを装着している前記フォ
トマスクの前記ペリクル上に露光波長領域の光に対して
透過率が９０％以上の薄膜を装着し、必要に応じて前記
薄膜を剥せることを特徴とする。
【０００９】（２）縮小露光装置を用いるフォトマスク
において、前記フォトマスクのクロム面側に金属合金の
フレームを用いて一定距離を介してペリクルを装着して
いる前記フォトマスクのガラス面側に露光波長領域の光
に対して透過率が９０％以上の薄膜を装着し、必要に応
じて前記薄膜を剥せることを特徴とする。
において、前記フォトマスクのクロム面側に金属合金の
フレームを用いて一定距離を介してペリクルを装着して
いる前記フォトマスクのガラス面側に露光波長領域の光
に対して透過率が９０％以上の薄膜を装着し、必要に応
じて前記薄膜を剥せることを特徴とする。
【００１０】（３）前記手段（１）記載のフォトマスク
において、ペリクル面上に装着された薄膜に前記薄膜を
剥す際のもちしろを少なくとも１ヶ所設けることを特徴
とする。
において、ペリクル面上に装着された薄膜に前記薄膜を
剥す際のもちしろを少なくとも１ヶ所設けることを特徴
とする。
【００１１】（４）前記手段（２）項記載のフォトマス
クにおいて、ガラス面上に装着された薄膜に前記薄膜を
剥す際のもちしろを少なくとも１ヶ所設けることを特徴
とする。
クにおいて、ガラス面上に装着された薄膜に前記薄膜を
剥す際のもちしろを少なくとも１ヶ所設けることを特徴
とする。
【００１２】（５）半導体装置製造のフォト工程におい
て、前記手段（１）及び（３）記載のフォトマスクを用
いて、前記フォトマスクのペリクル面上に除去困難でか
つ露光時に半導体基板上に転写する異物が存在した場
合、前記ペリクル面上に装着された薄膜を剥すことによ
り前記異物をペリクル面上から除去することにより露光
処理を行なうことを特徴とする。
て、前記手段（１）及び（３）記載のフォトマスクを用
いて、前記フォトマスクのペリクル面上に除去困難でか
つ露光時に半導体基板上に転写する異物が存在した場
合、前記ペリクル面上に装着された薄膜を剥すことによ
り前記異物をペリクル面上から除去することにより露光
処理を行なうことを特徴とする。
【００１３】（６）半導体装置製造のフォト工程におい
て、前記手段（２）及び手段（４）記載のフォトマスク
を用いて、前記フォトマスクのガラス面上に除去困難で
かつ露光時に半導体基板上に転写する異物が存在した場
合、前記ガラス面上に装着された薄膜を剥すことにより
前記異物をガラス面上から除去することにより露光処理
を行なうことを特徴とする。
て、前記手段（２）及び手段（４）記載のフォトマスク
を用いて、前記フォトマスクのガラス面上に除去困難で
かつ露光時に半導体基板上に転写する異物が存在した場
合、前記ガラス面上に装着された薄膜を剥すことにより
前記異物をガラス面上から除去することにより露光処理
を行なうことを特徴とする。
【００１４】
【実施例】図１に本発明の第１の実施例を示す。
【００１５】従来技術同様にフォトマスク１１には、ア
ルミ合金を代表とする金属からなるペリクルフレーム１
２を介してニトロセルロースを代表とする薄膜からなる
ペリクル１３が前記フォトマスク１１のパターン領域を
覆う形で装着されている。前記ペリクル１３全面には前
記ペリクルと同様の素材からなる薄膜１４が前記ペリク
ルフレーム１２の縁にて接着されている。更に前記薄膜
１４を剥す際に必要なもちしろ１５がペリクルフレーム
の側面まで伸びている。前記もちしろ１５によって前記
薄膜１４を剥せる構造となっている。前記薄膜１４と前
記もちしろ１５が本発明の最大の特徴となっている。
ルミ合金を代表とする金属からなるペリクルフレーム１
２を介してニトロセルロースを代表とする薄膜からなる
ペリクル１３が前記フォトマスク１１のパターン領域を
覆う形で装着されている。前記ペリクル１３全面には前
記ペリクルと同様の素材からなる薄膜１４が前記ペリク
ルフレーム１２の縁にて接着されている。更に前記薄膜
１４を剥す際に必要なもちしろ１５がペリクルフレーム
の側面まで伸びている。前記もちしろ１５によって前記
薄膜１４を剥せる構造となっている。前記薄膜１４と前
記もちしろ１５が本発明の最大の特徴となっている。
【００１６】この様なフォトマスクの構造により、除去
困難な異物がペリクル１３面上に付着した場合、前記ペ
リクル１３面上に装着されている薄膜１４をもちしろ１
５を用いて剥すことにより前記異物は前記ペリクル１３
面上より除去することができる。そのため、従来のよう
にフォトマスクからペリクルフレームを除去し、再びペ
リクルを貼るといった作業が一切不要となった。そのた
め従来なら異物除去に多大な時間を要していた作業が瞬
時に完了でき、作業性が向上したともに半導体装置製造
の量産性が著しく向上した。
困難な異物がペリクル１３面上に付着した場合、前記ペ
リクル１３面上に装着されている薄膜１４をもちしろ１
５を用いて剥すことにより前記異物は前記ペリクル１３
面上より除去することができる。そのため、従来のよう
にフォトマスクからペリクルフレームを除去し、再びペ
リクルを貼るといった作業が一切不要となった。そのた
め従来なら異物除去に多大な時間を要していた作業が瞬
時に完了でき、作業性が向上したともに半導体装置製造
の量産性が著しく向上した。
【００１７】図２に第２の実施例を示した。
【００１８】最近の微細化と高集積化に伴い、半導体装
置のチップサイズは世代毎に大きくなっている。そのた
め、半導体基盤の大口径化や縮小投影露光装置の露光フ
ィールドの拡大の要求が高まっている。前記縮小投影露
光装置の露光フィールドの拡大に伴い、最近では図２の
ようにフォトマスクのガラス厚を厚くし、フォトマスク
面の歪みの低減を計っている。その場合、ペリクルはク
ロムパターン面のみに装着されている。図２は、そのよ
うなフォトマスクの概略図を示した図である。フォトマ
スク２１のクロムパターン面の方には第１の実施例と同
様なペリクルがペリクルフレーム２２を介して装着され
ている。一方、ガラス面側にはガラス面全面を覆う形で
前記ペリクルと同等の素材からなる薄膜２３が接着され
ている。接着部分は、前記薄膜を剥す労力を考え、ガラ
ス面の縁から２ｍｍの所のみとなっている。また、図２
に示したように前記薄膜２３はガラス面の４隅の少なく
とも１ヶ所、前記薄膜２３を剥すためのもちしろが設け
てある。
置のチップサイズは世代毎に大きくなっている。そのた
め、半導体基盤の大口径化や縮小投影露光装置の露光フ
ィールドの拡大の要求が高まっている。前記縮小投影露
光装置の露光フィールドの拡大に伴い、最近では図２の
ようにフォトマスクのガラス厚を厚くし、フォトマスク
面の歪みの低減を計っている。その場合、ペリクルはク
ロムパターン面のみに装着されている。図２は、そのよ
うなフォトマスクの概略図を示した図である。フォトマ
スク２１のクロムパターン面の方には第１の実施例と同
様なペリクルがペリクルフレーム２２を介して装着され
ている。一方、ガラス面側にはガラス面全面を覆う形で
前記ペリクルと同等の素材からなる薄膜２３が接着され
ている。接着部分は、前記薄膜を剥す労力を考え、ガラ
ス面の縁から２ｍｍの所のみとなっている。また、図２
に示したように前記薄膜２３はガラス面の４隅の少なく
とも１ヶ所、前記薄膜２３を剥すためのもちしろが設け
てある。
【００１９】この様な構造により、従来ならガラス面に
除去困難な異物が存在した場合、異物がないペリクル及
びペリクルフレームを除去し、有機溶剤等で前記除去困
難な異物を溶解して再びペリクルを装着していたが、フ
ォトマスクのガラス面に除去困難な異物があった場合で
もガラス面上に装着された薄膜を剥すという簡単な方法
により前記除去困難な異物を取り去ることができるよう
になった。そのため、異物除去が従来なら多大な時間を
要していたものを瞬時で完了することができるようにな
った。また、ペリクル面上の異物についても第１の実施
例に示したのと同様の方法で異物を除去できる。よっ
て、本発明のフォトマスクを用いることにより、フォト
マスクのガラス面及びペリクル面に付着した異物除去の
作業が著しく向上し、また短時間で前記作業が完了する
ため半導体装置製造の量産性が著しく向上した。
除去困難な異物が存在した場合、異物がないペリクル及
びペリクルフレームを除去し、有機溶剤等で前記除去困
難な異物を溶解して再びペリクルを装着していたが、フ
ォトマスクのガラス面に除去困難な異物があった場合で
もガラス面上に装着された薄膜を剥すという簡単な方法
により前記除去困難な異物を取り去ることができるよう
になった。そのため、異物除去が従来なら多大な時間を
要していたものを瞬時で完了することができるようにな
った。また、ペリクル面上の異物についても第１の実施
例に示したのと同様の方法で異物を除去できる。よっ
て、本発明のフォトマスクを用いることにより、フォト
マスクのガラス面及びペリクル面に付着した異物除去の
作業が著しく向上し、また短時間で前記作業が完了する
ため半導体装置製造の量産性が著しく向上した。
【００２０】以上、本発明の一実施例を示したがこの他
にも １）ペリクル面上または、ガラス面上に装着する薄膜を
多層にし、数回剥せる構造にする。
にも １）ペリクル面上または、ガラス面上に装着する薄膜を
多層にし、数回剥せる構造にする。
【００２１】２）位相シフトマスクに本発明を用いる。
【００２２】３）ペリクルを装着していないフォトマス
クのガラス面に本発明を適用する。
クのガラス面に本発明を適用する。
【００２３】などについても本発明の実施例と同様の効
果があることはいうまでもない。
果があることはいうまでもない。
【００２４】
【発明の効果】本発明は、（１）半導体装置製造のフォ
ト工程で用いられるフォトマスクにおいて、前記フォト
マスクの少なくとも一方に金属合金のフレームを用いて
一定距離を介してペリクルを装着している前記フォトマ
スクの前記ペリクル上に露光波長領域の光に対して透過
率が９０％以上の薄膜を装着し、必要に応じて前記薄膜
を剥せること。
ト工程で用いられるフォトマスクにおいて、前記フォト
マスクの少なくとも一方に金属合金のフレームを用いて
一定距離を介してペリクルを装着している前記フォトマ
スクの前記ペリクル上に露光波長領域の光に対して透過
率が９０％以上の薄膜を装着し、必要に応じて前記薄膜
を剥せること。
【００２５】（２）縮小露光装置を用いるフォトマスク
において、前記フォトマスクのクロム面側に金属合金の
フレームを用いて一定距離を介してペリクルを装着して
いる前記フォトマスクのガラス面側に露光波長領域の光
に対して透過率が９０％以上の薄膜を装着し、必要に応
じて前記薄膜を剥せること （３）第１項記載のフォトマスクにおいて、ペリクル面
上あるいはガラス面上に装着された薄膜に前記薄膜を剥
す際のもちしろを少なくとも１ヶ所設けること。 （４）半導体装置製造のフォト工程において、前記フォ
トマスクのペリクル面上あるいはガラス面上に除去困難
でかつ露光時に半導体基板上に転写する異物が存在した
場合、前記ペリクル面上に装着された薄膜を剥すことに
より前記異物をペリクル面上あるいはガラス面上から除
去することにより露光処理を行なうこと。を特徴とし、
従来ならガラス面または、ペリクル面に除去困難な異物
が存在した場合、ペリクル及びペリクルフレームを除去
し、有機溶剤等で前記除去困難な異物を溶解して再びペ
リクルを装着していたが、フォトマスクのガラス面また
は、ペリクル面に除去困難な異物があった場合でもガラ
ス面上または、ペリクル面に装着された薄膜を剥すとい
う簡単な方法により前記除去困難な異物を取り去ること
ができるようになった。そのため、異物除去が従来なら
多大な時間を要していたものを瞬時で完了することがで
きるようになり、フォトマスクのガラス面及びペリクル
面に付着した異物除去の作業が著しく向上し、また短時
間で前記作業が完了するため半導体装置製造の量産性が
著しく向上するという効果をもたらす。
において、前記フォトマスクのクロム面側に金属合金の
フレームを用いて一定距離を介してペリクルを装着して
いる前記フォトマスクのガラス面側に露光波長領域の光
に対して透過率が９０％以上の薄膜を装着し、必要に応
じて前記薄膜を剥せること （３）第１項記載のフォトマスクにおいて、ペリクル面
上あるいはガラス面上に装着された薄膜に前記薄膜を剥
す際のもちしろを少なくとも１ヶ所設けること。 （４）半導体装置製造のフォト工程において、前記フォ
トマスクのペリクル面上あるいはガラス面上に除去困難
でかつ露光時に半導体基板上に転写する異物が存在した
場合、前記ペリクル面上に装着された薄膜を剥すことに
より前記異物をペリクル面上あるいはガラス面上から除
去することにより露光処理を行なうこと。を特徴とし、
従来ならガラス面または、ペリクル面に除去困難な異物
が存在した場合、ペリクル及びペリクルフレームを除去
し、有機溶剤等で前記除去困難な異物を溶解して再びペ
リクルを装着していたが、フォトマスクのガラス面また
は、ペリクル面に除去困難な異物があった場合でもガラ
ス面上または、ペリクル面に装着された薄膜を剥すとい
う簡単な方法により前記除去困難な異物を取り去ること
ができるようになった。そのため、異物除去が従来なら
多大な時間を要していたものを瞬時で完了することがで
きるようになり、フォトマスクのガラス面及びペリクル
面に付着した異物除去の作業が著しく向上し、また短時
間で前記作業が完了するため半導体装置製造の量産性が
著しく向上するという効果をもたらす。
【図１】 本発明の第１の実施例のフォトマスクの概略
図。
図。
【図２】 本発明の第２の実施例のフォトマスクの概略
図。
図。
【図３】 従来技術のフォトマスクの概略図。
１１・・・フォトマスク １２・・・ペリクルフレーム １３・・・ペリクル １４・・・薄膜 １５・・・もちしろ ２１・・・フォトマスク ２２・・・ペリクルフレーム ２３・・・薄膜 ３１・・・フォトマスク ３２・・・ペリクルフレーム ３３・・・ペリクル
Claims (6)
- 【請求項１】半導体装置製造のフォト工程で用いられる
フォトマスクにおいて、前記フォトマスクの少なくとも
一方に金属合金のフレームを用いて一定距離を介してペ
リクルを装着している前記フォトマスクの前記ペリクル
上に露光波長領域の光に対して透過率が９０％以上の薄
膜を装着し、必要に応じて前記薄膜を剥せることを特徴
とするフォトマスク。 - 【請求項２】縮小露光装置を用いるフォトマスクにおい
て、前記フォトマスクのクロム面側に金属合金のフレー
ムを用いて一定距離を介してペリクルを装着している前
記フォトマスクのガラス面側に露光波長領域の光に対し
て透過率が９０％以上の薄膜を装着し、必要に応じて前
記薄膜を剥せることを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項３】請求項１記載のフォトマスクにおいて、ペ
リクル面上に装着された薄膜に前記薄膜を剥す際のもち
しろを少なくとも１ヶ所設けることを特徴とするフォト
マスク。 - 【請求項４】請求項２記載のフォトマスクにおいて、ガ
ラス面上に装着された薄膜に前記薄膜を剥す際のもちし
ろ少なくとも１ヶ所を設けることを特徴とするフォトマ
スク。 - 【請求項５】半導体装置製造のフォト工程において、請
求項１記載及び請求項３記載のフォトマスクを用いて、
前記フォトマスクのペリクル面上に除去困難でかつ露光
時に半導体基板上に転写する異物が存在した場合、前記
ペリクル面上に装着された薄膜を剥すことにより前記異
物をペリクル面上から除去することにより露光処理を行
なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】半導体装置製造のフォト工程において、請
求項２記載及び請求項４記載のフォトマスクを用いて、
前記フォトマスクのガラス面上に除去困難でかつ露光時
に半導体基板上に転写する異物が存在した場合、前記ガ
ラス面上に装着された薄膜を剥すことにより前記異物を
ガラス面上から除去することにより露光処理を行なうこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17999192A JPH0627642A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17999192A JPH0627642A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0627642A true JPH0627642A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16075555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17999192A Pending JPH0627642A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627642A (ja) |
-
1992
- 1992-07-07 JP JP17999192A patent/JPH0627642A/ja active Pending
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