JPH05107745A - フオトマスク及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
フオトマスク及び半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05107745A JPH05107745A JP27114891A JP27114891A JPH05107745A JP H05107745 A JPH05107745 A JP H05107745A JP 27114891 A JP27114891 A JP 27114891A JP 27114891 A JP27114891 A JP 27114891A JP H05107745 A JPH05107745 A JP H05107745A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- pellicle
- semiconductor device
- adhesive
- shielding material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ペリクルを装着するフォトマスクにおいて、フ
ォトマスクの遮光材上に付着したペリクルフレームの接
着剤の除去は非常に困難であり、接着剤の除去に時間が
かかる上に、接着剤が残る危険性が高く、その後のフォ
トマスクのスクラブ洗浄において、フォトマスクのパタ
ーン及び洗浄ブラシを汚染するという課題を有してい
た。そこで本発明の目的とするところは、ペリクルの接
着剤の除去が容易に行えるフォトマスクを提供すること
である。 【構成】ペリクルフレーム６とフォトマスクが接触する
部分について、フォトマスクの遮光材２を除去すること
により、ペリクルの接着剤７をガラス基板１の上に付け
る構造にしたフォトマスク。
ォトマスクの遮光材上に付着したペリクルフレームの接
着剤の除去は非常に困難であり、接着剤の除去に時間が
かかる上に、接着剤が残る危険性が高く、その後のフォ
トマスクのスクラブ洗浄において、フォトマスクのパタ
ーン及び洗浄ブラシを汚染するという課題を有してい
た。そこで本発明の目的とするところは、ペリクルの接
着剤の除去が容易に行えるフォトマスクを提供すること
である。 【構成】ペリクルフレーム６とフォトマスクが接触する
部分について、フォトマスクの遮光材２を除去すること
により、ペリクルの接着剤７をガラス基板１の上に付け
る構造にしたフォトマスク。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置等の製造に
用いるフォトマスクの構造、及び半導体装置の製造方法
に関する。
用いるフォトマスクの構造、及び半導体装置の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術のフォトマスクの例を図に従っ
て説明する。
て説明する。
【０００３】図３（ａ）は、従来例のフォトマスクの平
面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＣ−Ｃ部の断
面図である。従来のフォトマスクは、石英などのガラス
基板１にクロムなどの遮光材２をスパッタしたマスクブ
ランクに、必要に応じて遮光材の除去を行いパターン領
域３を形成している。
面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＣ−Ｃ部の断
面図である。従来のフォトマスクは、石英などのガラス
基板１にクロムなどの遮光材２をスパッタしたマスクブ
ランクに、必要に応じて遮光材の除去を行いパターン領
域３を形成している。
【０００４】ここで従来例のフォトマスクにペリクルを
装着した状態を図４に示す。図４（ａ）は、従来例のペ
リクル付きフォトマスクの平面図であり、図４（ｂ）
は、図４（ａ）のＤ−Ｄ部の断面図である。フォトマス
クのパターン領域３にパーティクルが付着すると、その
パーティクルはパターンとともにシリコン等の半導体装
置の基板に転写され、欠陥となり半導体装置の不良につ
ながる。そこで現在は図４（ａ）図４（ｂ）に示すよう
に、厚さ数μｍのペリクル膜５を高さ数ｍｍのペリクル
フレーム６を介してフォトマスクに装着することによ
り、パーティクルが直接フォトマスクのパターン領域に
付着することを防ぐとともに、ペリクル膜上にパーティ
クルが付着してもペリクルフレームの高さ分だけ焦点位
置をずらすことにより、パーティクルがウェハーに結像
する事を防いでいる。
装着した状態を図４に示す。図４（ａ）は、従来例のペ
リクル付きフォトマスクの平面図であり、図４（ｂ）
は、図４（ａ）のＤ−Ｄ部の断面図である。フォトマス
クのパターン領域３にパーティクルが付着すると、その
パーティクルはパターンとともにシリコン等の半導体装
置の基板に転写され、欠陥となり半導体装置の不良につ
ながる。そこで現在は図４（ａ）図４（ｂ）に示すよう
に、厚さ数μｍのペリクル膜５を高さ数ｍｍのペリクル
フレーム６を介してフォトマスクに装着することによ
り、パーティクルが直接フォトマスクのパターン領域に
付着することを防ぐとともに、ペリクル膜上にパーティ
クルが付着してもペリクルフレームの高さ分だけ焦点位
置をずらすことにより、パーティクルがウェハーに結像
する事を防いでいる。
【０００５】ペリクルはパターン領域３を保護する形で
装着されるため、ペリクルフレーム６はパターン領域よ
り外周部の遮光材２の上に接着剤７を用いて固定されて
いる。
装着されるため、ペリクルフレーム６はパターン領域よ
り外周部の遮光材２の上に接着剤７を用いて固定されて
いる。
【０００６】また、従来の半導体装置の製造方法では、
フォト工程において前述の従来技術のフォトマスクを使
用していた。しかしペリクル膜上に除去不可能なパーテ
ィクルが付着した時、またペリクル膜が破損した時に
は、ペリクルを新品に装着し直さなければならなかっ
た。そしてその再装着には２４時間以上の時間と工数を
要し、長時間の溶剤中への浸積と、酸洗浄とスクラブ洗
浄を数回繰り返していた。
フォト工程において前述の従来技術のフォトマスクを使
用していた。しかしペリクル膜上に除去不可能なパーテ
ィクルが付着した時、またペリクル膜が破損した時に
は、ペリクルを新品に装着し直さなければならなかっ
た。そしてその再装着には２４時間以上の時間と工数を
要し、長時間の溶剤中への浸積と、酸洗浄とスクラブ洗
浄を数回繰り返していた。
【０００７】
（１） 前述の従来技術のフォトマスクは、ペリクルフ
レームを除去した後のフォトマスクの遮光材上に付着し
た接着剤の除去が非常に困難であり、接着剤の除去に時
間がかかる上に、接着剤が残る危険性が高く、その後の
フォトマスクのスクラブ洗浄において、フォトマスクの
パターン及び洗浄ブラシを汚染するという課題を有して
いた。
レームを除去した後のフォトマスクの遮光材上に付着し
た接着剤の除去が非常に困難であり、接着剤の除去に時
間がかかる上に、接着剤が残る危険性が高く、その後の
フォトマスクのスクラブ洗浄において、フォトマスクの
パターン及び洗浄ブラシを汚染するという課題を有して
いた。
【０００８】そこで本発明はこのような課題を解決する
もので、その目的とするところは、ペリクルの接着剤の
除去が容易に行えるフォトマスクを提供することであ
る。
もので、その目的とするところは、ペリクルの接着剤の
除去が容易に行えるフォトマスクを提供することであ
る。
【０００９】（２） また、従来の半導体装置は、前述
の従来のフォトマスクを使用して製造していたため、ペ
リクルの再装着に時間がかかり、半導体装置の納期を遅
らせるという課題を有していた。
の従来のフォトマスクを使用して製造していたため、ペ
リクルの再装着に時間がかかり、半導体装置の納期を遅
らせるという課題を有していた。
【００１０】そこで本発明はこのような課題を解決する
もので、その目的とするところは、常に安定した納期と
品質で製造できる半導体装置の製造方法を提供すること
である。
もので、その目的とするところは、常に安定した納期と
品質で製造できる半導体装置の製造方法を提供すること
である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに、 （１） 本発明のフォトマスクは、ペリクルを装着する
フォトマスクにおいて、少なくとも前記ペリクルのフレ
ーム部と前記フォトマスクが接触する部分について、前
記フォトマスクの遮光材を除去することを特徴とする。
めに、 （１） 本発明のフォトマスクは、ペリクルを装着する
フォトマスクにおいて、少なくとも前記ペリクルのフレ
ーム部と前記フォトマスクが接触する部分について、前
記フォトマスクの遮光材を除去することを特徴とする。
【００１２】（２） また、本発明の半導体装置の製造
方法は、半導体装置の製造において、フォト工程に請求
項１記載のフォトマスクを用いることを特徴とする。
方法は、半導体装置の製造において、フォト工程に請求
項１記載のフォトマスクを用いることを特徴とする。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例のフォトマスクを図に従って
説明する。
説明する。
【００１４】図１（ａ）は、本発明の実施例のフォトマ
スクの平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−
Ａ部の断面図である。本発明のフォトマスクは、従来技
術のフォトマスクと同様に石英などのガラス基板１にク
ロムなどの遮光材２をスパッタしたマスクブランクを使
用している。
スクの平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−
Ａ部の断面図である。本発明のフォトマスクは、従来技
術のフォトマスクと同様に石英などのガラス基板１にク
ロムなどの遮光材２をスパッタしたマスクブランクを使
用している。
【００１５】マスクブランクの遮光材への必要とするパ
ターンの形成は以下のプロセスにより行う。まず最初に
マスクブランクの遮光材上にポジレジストを塗布し、ベ
ーキングを行う。続いてＥＢやレーザー光などを用いて
必要とするパターンを描画しレジストを感光させ、現像
工程において感光した部分のレジストを除去する。さら
にエッチング工程において残ったレジストをマスクとし
て遮光材のエッチングを行い、残ったレジストを除去す
ることによりパターンの形成が終了する。
ターンの形成は以下のプロセスにより行う。まず最初に
マスクブランクの遮光材上にポジレジストを塗布し、ベ
ーキングを行う。続いてＥＢやレーザー光などを用いて
必要とするパターンを描画しレジストを感光させ、現像
工程において感光した部分のレジストを除去する。さら
にエッチング工程において残ったレジストをマスクとし
て遮光材のエッチングを行い、残ったレジストを除去す
ることによりパターンの形成が終了する。
【００１６】ここでパターン領域３のレジストにパター
ンの描画を行う時に、同時にペリクルフレーム装着領域
４のレジストも描画し感光させることにより、以下前述
のプロセスに従って加工すると、図１（ａ）図１（ｂ）
に示すように、ペリクルフレーム装着領域４の遮光材を
除去することができる。
ンの描画を行う時に、同時にペリクルフレーム装着領域
４のレジストも描画し感光させることにより、以下前述
のプロセスに従って加工すると、図１（ａ）図１（ｂ）
に示すように、ペリクルフレーム装着領域４の遮光材を
除去することができる。
【００１７】ここで本発明の実施例のフォトマスクにペ
リクルを装着した状態を図２に示す。図２（ａ）は、本
発明の実施例のペリクル付きフォトマスクの平面図であ
り、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ部の断面図であ
る。ペリクルフレーム６はガラス基板１に接着剤７を用
いて固定されている。クロムなどの遮光材上よりも石英
などのガラス基板上の方が、接着剤の除去がはるかに容
易であるため、実施例のようにガラス基板上にあるペリ
クルの接着剤は溶剤中に浸積させて置くだけで、短時間
に接着剤を除去できる。
リクルを装着した状態を図２に示す。図２（ａ）は、本
発明の実施例のペリクル付きフォトマスクの平面図であ
り、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ部の断面図であ
る。ペリクルフレーム６はガラス基板１に接着剤７を用
いて固定されている。クロムなどの遮光材上よりも石英
などのガラス基板上の方が、接着剤の除去がはるかに容
易であるため、実施例のようにガラス基板上にあるペリ
クルの接着剤は溶剤中に浸積させて置くだけで、短時間
に接着剤を除去できる。
【００１８】また、本実施例では、ペリクルフレーム装
着領域４の幅をペリクルフレーム６の幅より少し広く設
定しているだけであるが、パターン領域３の外周部に設
定される数ｍｍのパターン禁止領域より外周部は、すべ
てペリクルフレーム装着領域として遮光材を除去して
も、同様な効果を得ることができる。
着領域４の幅をペリクルフレーム６の幅より少し広く設
定しているだけであるが、パターン領域３の外周部に設
定される数ｍｍのパターン禁止領域より外周部は、すべ
てペリクルフレーム装着領域として遮光材を除去して
も、同様な効果を得ることができる。
【００１９】また、本発明の半導体装置の製造方法で
は、フォト工程において前述の本発明のフォトマスクを
使用するため、ペリクル膜が汚染または破損した時の再
装着には３から４時間を要するのみとなり、このペリク
ル付きフォトマスクを使用して製造される半導体装置の
待機時間が大幅に短縮される。
は、フォト工程において前述の本発明のフォトマスクを
使用するため、ペリクル膜が汚染または破損した時の再
装着には３から４時間を要するのみとなり、このペリク
ル付きフォトマスクを使用して製造される半導体装置の
待機時間が大幅に短縮される。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明のフォトマス
クは、ペリクルフレーム部とフォトマスクが接触する部
分の遮光材を除去するという簡単な構造により、ペリク
ル膜上に除去不可能なパーティクルが付着した時、また
ペリクル膜が破損した時の、ペリクルの再装着に要する
時間を大幅に短縮し、それにかかる工数を削減できると
いう効果がある。
クは、ペリクルフレーム部とフォトマスクが接触する部
分の遮光材を除去するという簡単な構造により、ペリク
ル膜上に除去不可能なパーティクルが付着した時、また
ペリクル膜が破損した時の、ペリクルの再装着に要する
時間を大幅に短縮し、それにかかる工数を削減できると
いう効果がある。
【００２１】また、本発明のフォトマスクを半導体装置
製造のフォト工程に用いることにより、ペリクルの再装
着による半導体装置の納期遅れを防ぐことができるとい
う効果がある。
製造のフォト工程に用いることにより、ペリクルの再装
着による半導体装置の納期遅れを防ぐことができるとい
う効果がある。
【図１】（ａ）は本発明のフォトマスクの平面図、
（ｂ）は本発明のフォトマスクの断面図。
（ｂ）は本発明のフォトマスクの断面図。
【図２】（ａ）は本発明のフォトマスクにペリクルを装
着した状態の平面図、（ｂ）は本発明のフォトマスクに
ペリクルを装着した状態の断面図。
着した状態の平面図、（ｂ）は本発明のフォトマスクに
ペリクルを装着した状態の断面図。
【図３】（ａ）は従来技術のフォトマスクの平面図と断
面図、（ｂ）は従来技術のフォトマスクの平面図と断面
図。
面図、（ｂ）は従来技術のフォトマスクの平面図と断面
図。
【図４】（ａ）は従来技術のフォトマスクにペリクルを
装着した状態の平面図、（ｂ）は従来技術のフォトマス
クにペリクルを装着した状態の断面図。
装着した状態の平面図、（ｂ）は従来技術のフォトマス
クにペリクルを装着した状態の断面図。
１ ガラス基板 ２ 遮光材 ３ パターン領域 ４ ペリクルフレーム装着領域 ５ ペリクル膜 ６ ペリクルフレーム ７ 接着剤
Claims (2)
- 【請求項１】ペリクルを装着するフォトマスクにおい
て、少なくとも前記ペリクルのフレーム部と前記フォト
マスクが接触する部分について、前記フォトマスクの遮
光材を除去することを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】半導体装置の製造において、フォト工程に
請求項１記載のフォトマスクを用いることを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27114891A JPH05107745A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | フオトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27114891A JPH05107745A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | フオトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05107745A true JPH05107745A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17495999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27114891A Pending JPH05107745A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | フオトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05107745A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003007352A1 (en) * | 2001-07-11 | 2003-01-23 | Sang-Duck Kim | Apparatus for pellicle remove |
| KR100833029B1 (ko) * | 2000-07-07 | 2008-05-27 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크 |
| EP2246738A1 (en) | 2009-04-30 | 2010-11-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask and photomask/pellicle assembly |
| US10983430B2 (en) * | 2018-02-22 | 2021-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mask assembly and haze acceleration method |
| KR20210153109A (ko) * | 2019-04-16 | 2021-12-16 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 펠리클, 펠리클 부착 노광 원판, 반도체 장치의 제조 방법, 액정 표시판의 제조 방법, 노광 원판의 재생 방법 및 박리 잔사 저감 방법 |
-
1991
- 1991-10-18 JP JP27114891A patent/JPH05107745A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100833029B1 (ko) * | 2000-07-07 | 2008-05-27 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크 |
| WO2003007352A1 (en) * | 2001-07-11 | 2003-01-23 | Sang-Duck Kim | Apparatus for pellicle remove |
| EP2246738A1 (en) | 2009-04-30 | 2010-11-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask and photomask/pellicle assembly |
| US10983430B2 (en) * | 2018-02-22 | 2021-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mask assembly and haze acceleration method |
| US11703752B2 (en) | 2018-02-22 | 2023-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of accelerated hazing of mask assembly |
| KR20210153109A (ko) * | 2019-04-16 | 2021-12-16 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 펠리클, 펠리클 부착 노광 원판, 반도체 장치의 제조 방법, 액정 표시판의 제조 방법, 노광 원판의 재생 방법 및 박리 잔사 저감 방법 |
| CN113924526A (zh) * | 2019-04-16 | 2022-01-11 | 信越化学工业株式会社 | 防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、半导体装置的制造方法、液晶显示板的制造方法、曝光原版的再生方法及剥离残渣减少方法 |
| US20220214611A1 (en) * | 2019-04-16 | 2022-07-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle, Exposure Original Plate with Pellicle, Method for Producing Semiconductor Device, Method for Producing Liquid Crystal Display Board, Method for Regenerating Exposure Original Plate, and Peeling Residue Reduction Method |
| US20220214612A1 (en) * | 2019-04-16 | 2022-07-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Agglutinant for Pellicle, Pellicle, Exposure Original Plate with Pellicle, Method for Producing Semiconductor Device, Method for Producing Liquid Crystal Display Board, Method for Regenerating Exposure Original Plate, and Peeling Residue Reduction Method |
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