JPH0627794B2 - 直流駆動型超伝導量子干渉素子 - Google Patents
直流駆動型超伝導量子干渉素子Info
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- JPH0627794B2 JPH0627794B2 JP61239379A JP23937986A JPH0627794B2 JP H0627794 B2 JPH0627794 B2 JP H0627794B2 JP 61239379 A JP61239379 A JP 61239379A JP 23937986 A JP23937986 A JP 23937986A JP H0627794 B2 JPH0627794 B2 JP H0627794B2
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- Japan
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- input
- coil
- electrode
- squid
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は例えば高感度の磁気センサ、電流計、変位
計、あるいは高周波信号増幅器などに応用する直流駆動
型超伝導量子干渉素子(DC Superconducting Quantum In
terference Device,以下DC SQUIDと略す。）に関するも
のである。
計、あるいは高周波信号増幅器などに応用する直流駆動
型超伝導量子干渉素子(DC Superconducting Quantum In
terference Device,以下DC SQUIDと略す。）に関するも
のである。
第６図は従来のDC SQUIDを示す模式的構造図、第７図，
第８図はそれぞれ第６図中VII−VII線，VIII−VIII線に
沿う断面図であり、アプライド・フイジツクス・レター
ズ第４３巻694(1983)，あるいは第４０巻736(1982)〔Ap
plied Physics Letters，Vol.43,694(1983)，あるいはV
ol.40,736(1982)〕に示されたものと基本的に同等のも
のである。
第８図はそれぞれ第６図中VII−VII線，VIII−VIII線に
沿う断面図であり、アプライド・フイジツクス・レター
ズ第４３巻694(1983)，あるいは第４０巻736(1982)〔Ap
plied Physics Letters，Vol.43,694(1983)，あるいはV
ol.40,736(1982)〕に示されたものと基本的に同等のも
のである。
図において、１は基板、２は主コイル、３は対向電極、
４，５は主コイル２と対向電極３との接続部に各１個ず
つ形成したジヨセフソン素子、６はジヨセフソン素子
４，５の面積を決定するための絶縁層、７，８はジヨセ
フソン素子４，５に対しそれぞれ並列に主コイル２と対
向電極３との間に接続した抵抗体である。そして、主コ
イル２と対向電極３は基板１上で１つの超伝導リングを
構成しており、１〜８がDC SQUID本体の基本的構成要素
である。
４，５は主コイル２と対向電極３との接続部に各１個ず
つ形成したジヨセフソン素子、６はジヨセフソン素子
４，５の面積を決定するための絶縁層、７，８はジヨセ
フソン素子４，５に対しそれぞれ並列に主コイル２と対
向電極３との間に接続した抵抗体である。そして、主コ
イル２と対向電極３は基板１上で１つの超伝導リングを
構成しており、１〜８がDC SQUID本体の基本的構成要素
である。
９は主コイル２を覆う絶縁膜、１０は絶縁膜９上に位置
し、主コイル２と電気的に絶縁され、且つ磁気的に結合
した渦巻状の入力コイルである。なお、入力コイル１０
が形成する渦巻の中心から外周へ向かつて引き出す１本
の線は、さらにもう１層の絶縁膜（図では省略）により
主コイル２や入力コイル１０自身と絶縁されている。
し、主コイル２と電気的に絶縁され、且つ磁気的に結合
した渦巻状の入力コイルである。なお、入力コイル１０
が形成する渦巻の中心から外周へ向かつて引き出す１本
の線は、さらにもう１層の絶縁膜（図では省略）により
主コイル２や入力コイル１０自身と絶縁されている。
１１は入力コイル２と同様に絶縁膜９上に位置する変調
コイルである。また、第６図においては、絶縁層６，絶
縁膜９を省略して図示してある。
コイルである。また、第６図においては、絶縁層６，絶
縁膜９を省略して図示してある。
ここで、主コイル２、対向電極３、入力コイル１０、変
調コイル１１には例えばNbやPb等の超伝導金属が、絶縁
層６，絶縁膜９には例えばSiO,SiO2やNb2O5 等の誘電体
が、抵抗体７，８には例えばMo,Au等の常伝導金属が、
基板１には例えばSi,SiO2やサフアイヤ等の材料がそれ
ぞれ用いられる。
調コイル１１には例えばNbやPb等の超伝導金属が、絶縁
層６，絶縁膜９には例えばSiO,SiO2やNb2O5 等の誘電体
が、抵抗体７，８には例えばMo,Au等の常伝導金属が、
基板１には例えばSi,SiO2やサフアイヤ等の材料がそれ
ぞれ用いられる。
なお、図中、入力コイルの巻数は３ターンに省略して示
したが、実際には５０ターン程度となり、その線幅は５
μｍ程度である。また、主コイル２や入力コイル１０に
用いる超伝導金属薄膜の膜厚は使用する材料の磁界侵入
長の数倍必要であり、例えばNbを用いた場合には3000Å
程度とする。
したが、実際には５０ターン程度となり、その線幅は５
μｍ程度である。また、主コイル２や入力コイル１０に
用いる超伝導金属薄膜の膜厚は使用する材料の磁界侵入
長の数倍必要であり、例えばNbを用いた場合には3000Å
程度とする。
１２は主コイル２に接続された出力端子、１６は対向電
極３に接続された出力端子、１３，１７は変調コイル１
１の入力端子、１４は入力コイル10の一方の入力端子、
１５は入力コイル１０の他方の入力端子である。
極３に接続された出力端子、１３，１７は変調コイル１
１の入力端子、１４は入力コイル10の一方の入力端子、
１５は入力コイル１０の他方の入力端子である。
次に動作について説明する。まず、出力端子１２，１６
間に直流バイアス電流Ibを流しておき、ジヨセフソン素
子４，５の臨界電流値をそれぞれIoとすると、Ibの大き
さはIb２Io付近に設定される。この時、入力端子１
４，１５あるいは入力端子１３，１７から入力コイル１
０や変調コイル１１に信号電流が流れると、主コイル２
及び対向電極３から構成される超伝導リングに信号が磁
束として伝達される。入力コイル１０や変調コイル１１
から伝達される信号磁束の和をφEX、出力端子１２，１
６間に生じる出力電圧をVoutとすると、φEXに対するV
outの変化（φ−Ｖ特性）は第９図実線のようになり、V
outは磁束量子φo（＝2.07×10-15wb）の周期で変動す
る。すなわち、DC SQUIDは入力コイル１０や変調コイル
１１内の信号電流を出力電圧に変換する役割を果たすこ
とにある。
間に直流バイアス電流Ibを流しておき、ジヨセフソン素
子４，５の臨界電流値をそれぞれIoとすると、Ibの大き
さはIb２Io付近に設定される。この時、入力端子１
４，１５あるいは入力端子１３，１７から入力コイル１
０や変調コイル１１に信号電流が流れると、主コイル２
及び対向電極３から構成される超伝導リングに信号が磁
束として伝達される。入力コイル１０や変調コイル１１
から伝達される信号磁束の和をφEX、出力端子１２，１
６間に生じる出力電圧をVoutとすると、φEXに対するV
outの変化（φ−Ｖ特性）は第９図実線のようになり、V
outは磁束量子φo（＝2.07×10-15wb）の周期で変動す
る。すなわち、DC SQUIDは入力コイル１０や変調コイル
１１内の信号電流を出力電圧に変換する役割を果たすこ
とにある。
ここで、出力端子１２，１６間に電圧が生じる状態で
は、ジヨセフソン素子４，５は周波数J ＝Vout／φo で発振する交流電流源として動作し、この高周波電流が
超伝導リング内を流れる。一例としてVout＝４０μＶと
すると、高周波電流の周波数は約１９GHzとなる。
は、ジヨセフソン素子４，５は周波数J ＝Vout／φo で発振する交流電流源として動作し、この高周波電流が
超伝導リング内を流れる。一例としてVout＝４０μＶと
すると、高周波電流の周波数は約１９GHzとなる。
本来、DC SQUIDのφ−Ｖ特性において、Voutの極大と極
小は1/2φoごとに現われ、第９図点線のようになるはず
である。ところが、上記のように、入力コイル１０を、
主コイル２及び対向電極３で構成される超伝導リング上
に積層したDC SQUIDでは、超伝導リング内を流れる高周
波電流が、超伝導リングと入力コイル１０との間で共振
を起こすため、φ−Ｖ特性は第９図実線のように歪み、
極大，極小が周期φoの間に２回現われることになる。
そこで、DC SQUIDの入出力関係はこのように非線形であ
るが、入出力間の線形性を広い入力磁束信号範囲に渡つ
て維持するために、第１０図のような駆動回路が用いら
れている。
小は1/2φoごとに現われ、第９図点線のようになるはず
である。ところが、上記のように、入力コイル１０を、
主コイル２及び対向電極３で構成される超伝導リング上
に積層したDC SQUIDでは、超伝導リング内を流れる高周
波電流が、超伝導リングと入力コイル１０との間で共振
を起こすため、φ−Ｖ特性は第９図実線のように歪み、
極大，極小が周期φoの間に２回現われることになる。
そこで、DC SQUIDの入出力関係はこのように非線形であ
るが、入出力間の線形性を広い入力磁束信号範囲に渡つ
て維持するために、第１０図のような駆動回路が用いら
れている。
第１０図は最も広く用いられているDC SQUID駆動回路の
一例であり、低温物理ジヤーナル（Journal of Low Tem
perature Physics),Vol,25,99(1976)に示されたものと
基本的に同じである。図中、２０はＬＣ共振回路のコイ
ル、２１はＬＣ共振回路の容量、２２は前置増幅器、２
３は位相検波器（ロツクインアンプ）、２４は帰還抵
抗、２５は発振器、２６はピツクアツプコイルである。
なお、点線内は、第６図に相当する部分である。
一例であり、低温物理ジヤーナル（Journal of Low Tem
perature Physics),Vol,25,99(1976)に示されたものと
基本的に同じである。図中、２０はＬＣ共振回路のコイ
ル、２１はＬＣ共振回路の容量、２２は前置増幅器、２
３は位相検波器（ロツクインアンプ）、２４は帰還抵
抗、２５は発振器、２６はピツクアツプコイルである。
なお、点線内は、第６図に相当する部分である。
この駆動回路では、発振器２５から例えばφm＝1/2φ
o(-p)にに相当する変調磁束を加え、DC SQUIDの出力電
圧を位相検波し、位相検波器２３の出力を帰還抵抗２４
を通して再びDC SQUIDにしている。すなわち、DC SQUID
の動作点を第９図に示したφ−Ｖ特性の極大又は極小の
位置に固定し、入力コイル１０に流れる信号電流に比例
した出力電圧を位相検波器２３の出力電圧として得る。
ここで、入力端子１４，１５にピツクアツプコイル２６
を接続すれば磁束計として動作し、信号電流源を接続す
れば電流計として動作する。この駆動回路はDC SQUIDの
動作点をある磁束の位置に固定して動作させるので、フ
ラツクス・ロツク・ループ(Flux Locked Loop)回路と呼
ばれている。
o(-p)にに相当する変調磁束を加え、DC SQUIDの出力電
圧を位相検波し、位相検波器２３の出力を帰還抵抗２４
を通して再びDC SQUIDにしている。すなわち、DC SQUID
の動作点を第９図に示したφ−Ｖ特性の極大又は極小の
位置に固定し、入力コイル１０に流れる信号電流に比例
した出力電圧を位相検波器２３の出力電圧として得る。
ここで、入力端子１４，１５にピツクアツプコイル２６
を接続すれば磁束計として動作し、信号電流源を接続す
れば電流計として動作する。この駆動回路はDC SQUIDの
動作点をある磁束の位置に固定して動作させるので、フ
ラツクス・ロツク・ループ(Flux Locked Loop)回路と呼
ばれている。
従来のDC SQUIDは以上のように構成されているので、例
えば第９図の実線中１８や１９に示す位置に動作点を固
定した場合には、第１０図に示した駆動回路のループゲ
インが動作点１８，１９の右側において左側よりも低く
なり、大信号入力時に動作点が右側にはずれてしまうこ
とになる。すなわち、信号に対する追従速度（slew rat
e）が本来のφ−Ｖ特性を有するDC SQUIDに比べて低く
なるという問題点があつた。また、変調磁束φmを1/2φ
o(p-p)より小さくしても、第９図中に点線で示すφ−Ｖ
特性を有するDC SQUIDに比べて動作点が移動しやすく、
追従速度が低くなるという問題点もあつた。
えば第９図の実線中１８や１９に示す位置に動作点を固
定した場合には、第１０図に示した駆動回路のループゲ
インが動作点１８，１９の右側において左側よりも低く
なり、大信号入力時に動作点が右側にはずれてしまうこ
とになる。すなわち、信号に対する追従速度（slew rat
e）が本来のφ−Ｖ特性を有するDC SQUIDに比べて低く
なるという問題点があつた。また、変調磁束φmを1/2φ
o(p-p)より小さくしても、第９図中に点線で示すφ−Ｖ
特性を有するDC SQUIDに比べて動作点が移動しやすく、
追従速度が低くなるという問題点もあつた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、第９図中に点線で示したようなφoを周期と
する歪みの少ないφ−Ｖ特性を有し、前記したフラツク
ス・ロツク・ループ回路による駆動の際に高い追従速度
を有するDC SQUIDを得ることを目的とする。
たもので、第９図中に点線で示したようなφoを周期と
する歪みの少ないφ−Ｖ特性を有し、前記したフラツク
ス・ロツク・ループ回路による駆動の際に高い追従速度
を有するDC SQUIDを得ることを目的とする。
この発明に係るDC SQUIDは、ジヨセフソン素子の発振周
波数に対して充分小さな容量リアクタンスの入力容量
を、入力コイルの２つの入力端子間に接続したものであ
る。
波数に対して充分小さな容量リアクタンスの入力容量
を、入力コイルの２つの入力端子間に接続したものであ
る。
この発明における入力容量は、入力コイルのインダクタ
ンスに対して並列に接続されたことになり、超伝導リン
グ内を流れる高周波電流によつて超伝導リングと入力コ
イルとの間で起こる共振を減衰させる。
ンスに対して並列に接続されたことになり、超伝導リン
グ内を流れる高周波電流によつて超伝導リングと入力コ
イルとの間で起こる共振を減衰させる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、１〜１７は従来装置と全く同一のものであ
る。２８は入力コイル１０の一方の端子１４に接続する
第１の電極、２９は第１の電極２８上に形成した誘電
体、３０は入力コイル１０の他方の端子１５に接続し、
誘電体２９上に重ねた第２の電極である（第２図参
照）。ここで、第１の電極２８は例えばNb等超伝導材料
で形成されており、その一部を陽極酸化しNb2O5 とする
ことにより誘電体２９が形成されている。同様に、第２
の電極３０もNb,Pb 等の超伝導材料で形成されている。
図において、１〜１７は従来装置と全く同一のものであ
る。２８は入力コイル１０の一方の端子１４に接続する
第１の電極、２９は第１の電極２８上に形成した誘電
体、３０は入力コイル１０の他方の端子１５に接続し、
誘電体２９上に重ねた第２の電極である（第２図参
照）。ここで、第１の電極２８は例えばNb等超伝導材料
で形成されており、その一部を陽極酸化しNb2O5 とする
ことにより誘電体２９が形成されている。同様に、第２
の電極３０もNb,Pb 等の超伝導材料で形成されている。
そして、入力容量は第１の電極２８と第２の電極３０と
の間に形成されているので、端子１４，端子１５から見
ると、入力コイル１０のインダクタンスに対し並列に接
続されていることになる。一例として、誘電体２９とし
てNb2O5(比誘電率εr＝２９)を用い、膜厚を２００Å、
面積を0.5mm×0.5mm＝2.5×10-7m2とした場合、入力容
量の大きさＣｉは約3.2μＦとなる。この入力容量Ci
は、ジヨセフソン素子の発振周波数Jに対して、充分
小さな容量リアクタンスとなるように、すなわち、 を満足するように設定されている。
の間に形成されているので、端子１４，端子１５から見
ると、入力コイル１０のインダクタンスに対し並列に接
続されていることになる。一例として、誘電体２９とし
てNb2O5(比誘電率εr＝２９)を用い、膜厚を２００Å、
面積を0.5mm×0.5mm＝2.5×10-7m2とした場合、入力容
量の大きさＣｉは約3.2μＦとなる。この入力容量Ci
は、ジヨセフソン素子の発振周波数Jに対して、充分
小さな容量リアクタンスとなるように、すなわち、 を満足するように設定されている。
次に動作について説明する。上記のように構成されたDC
SQUIDにおいて、出力端子１２，１６の間に直流バイア
ス電流Ib（2Io）を流す。この時、入力コイル１０や
変調コイル１１に信号電流が流れると、主コイル２及び
対向電極３により構成される超伝導リングに信号が磁束
として伝達され、信号磁束の大きさに従つて出力端子１
２，１６間に出力電圧Voutが現われる。
SQUIDにおいて、出力端子１２，１６の間に直流バイア
ス電流Ib（2Io）を流す。この時、入力コイル１０や
変調コイル１１に信号電流が流れると、主コイル２及び
対向電極３により構成される超伝導リングに信号が磁束
として伝達され、信号磁束の大きさに従つて出力端子１
２，１６間に出力電圧Voutが現われる。
このようにDC SQUIDの出力電圧１２，１６間に電圧が生
じている状態では、従来装置と同様にジヨセフソン素子
４，５は高周波の電流源として動作するため、高周波電
流が主コイル２及び対向電極３で構成される超伝導リン
グ内を流れるが、入力コイル１０の一方の端子１４，他
方の端子１５が第１の電極２８，誘電体２９，第２の電
極３０で構成される入力容量で短絡されているため、超
伝導リングと入力コイル１０との間の共振が減衰する。
じている状態では、従来装置と同様にジヨセフソン素子
４，５は高周波の電流源として動作するため、高周波電
流が主コイル２及び対向電極３で構成される超伝導リン
グ内を流れるが、入力コイル１０の一方の端子１４，他
方の端子１５が第１の電極２８，誘電体２９，第２の電
極３０で構成される入力容量で短絡されているため、超
伝導リングと入力コイル１０との間の共振が減衰する。
このため、φ−Ｖ特性中の歪みが消え、φ−Ｖ特性がDC
SQUID本来の理想的な正弦波状のものに近づき、第３図
のようになる。このため、このDC SQUIDを第１０図に示
すフラツクス・ロツク・ループ回路で駆動する際に、従
来より大きな追従速度が得られ、大きな入力に対しても
動作点を固定したまま追従することが出来る。
SQUID本来の理想的な正弦波状のものに近づき、第３図
のようになる。このため、このDC SQUIDを第１０図に示
すフラツクス・ロツク・ループ回路で駆動する際に、従
来より大きな追従速度が得られ、大きな入力に対しても
動作点を固定したまま追従することが出来る。
なお、上記実施例では、第１の電極２８と第２の電極３
０を新たに設け、入力コイル１０の一方の端子１４，他
方の端子１５に接続したものを示したが、第４図及び第
５図に示すように、一方の端子１４上に誘電体３１を形
成し、この誘電体31上に他方の端子１５を重ねて形成す
ることとしてもよい。
０を新たに設け、入力コイル１０の一方の端子１４，他
方の端子１５に接続したものを示したが、第４図及び第
５図に示すように、一方の端子１４上に誘電体３１を形
成し、この誘電体31上に他方の端子１５を重ねて形成す
ることとしてもよい。
また、上記実施例ではDC SQUIDをフラツクス・ロツク・
ループ回路で駆動する場合について説明したが、高周波
増幅器として使用する際には、変調コイル１１を用いて
動作点を第３図中φEX＝(2n+1)/4（ｎ：整数）の位置に
固定し、高周波信号電流を入力コイル１０に流し、出力
端子１２，１６間の出力電圧を検出することもできる。
この場合にはφ−Ｖ特性の歪みが少なくなり、入出力間
の線形性が維持される範囲が広くなるため、ダイナミツ
クレンジが広くなる効果がある。
ループ回路で駆動する場合について説明したが、高周波
増幅器として使用する際には、変調コイル１１を用いて
動作点を第３図中φEX＝(2n+1)/4（ｎ：整数）の位置に
固定し、高周波信号電流を入力コイル１０に流し、出力
端子１２，１６間の出力電圧を検出することもできる。
この場合にはφ−Ｖ特性の歪みが少なくなり、入出力間
の線形性が維持される範囲が広くなるため、ダイナミツ
クレンジが広くなる効果がある。
以上のように、この発明によれば、入力コイルに対して
並列に入力容量を接続する構成としたので、入出力特性
（φ−Ｖ特性）の歪みが改善され、DC SQUID本来の理想
的な正弦波に近い特性が得られ、フラツクス・ロツク・
ループ回路で駆動する際の系全体の信号追従速度が増大
する効果がある。
並列に入力容量を接続する構成としたので、入出力特性
（φ−Ｖ特性）の歪みが改善され、DC SQUID本来の理想
的な正弦波に近い特性が得られ、フラツクス・ロツク・
ループ回路で駆動する際の系全体の信号追従速度が増大
する効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による直流駆動型超伝導量
子干渉素子（DC SQUID）を示す模式的構造図、第２図は
第１図のII−II線に沿う断面図、第３図は第１図のDC S
QUIDの磁気応答特性（φ−Ｖ特性）を示す特性図、第４
図はこの発明の他の実施例によるDC SQUIDを示す模式的
構造図、第５図は第４図のＶ−Ｖ線に沿う断面図、第６
図は従来のDC SQUIDを示す模式的構造図、第７図及び第
８図はそれぞれ第６図のVII−VII線，VIII−VIII線に沿
う断面図、第９図は第６図のDC SQUIDの磁気応答特性
（φ−Ｖ特性）を示す特性図、第10図はDC SQUID駆動回
路（フラツクス・ロツク・ループ回路）のブロック図で
ある。 ２は主コイル、３は対向電極、４，５はジヨセフソン素
子、１０は入力コイル、１４は一方の入力端子、１５は
他方の入力端子、１２，１６は出力端子、２８は第１の
電極、２９は誘電体、３０は第２の電極である。なお、
図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
子干渉素子（DC SQUID）を示す模式的構造図、第２図は
第１図のII−II線に沿う断面図、第３図は第１図のDC S
QUIDの磁気応答特性（φ−Ｖ特性）を示す特性図、第４
図はこの発明の他の実施例によるDC SQUIDを示す模式的
構造図、第５図は第４図のＶ−Ｖ線に沿う断面図、第６
図は従来のDC SQUIDを示す模式的構造図、第７図及び第
８図はそれぞれ第６図のVII−VII線，VIII−VIII線に沿
う断面図、第９図は第６図のDC SQUIDの磁気応答特性
（φ−Ｖ特性）を示す特性図、第10図はDC SQUID駆動回
路（フラツクス・ロツク・ループ回路）のブロック図で
ある。 ２は主コイル、３は対向電極、４，５はジヨセフソン素
子、１０は入力コイル、１４は一方の入力端子、１５は
他方の入力端子、１２，１６は出力端子、２８は第１の
電極、２９は誘電体、３０は第２の電極である。なお、
図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】信号電流検出用の２つの入力端子を有する
入力コイルと、上記入力コイルと磁気的に結合された超
伝導リングを構成する主コイル及び対向電極と、上記主
コイル及び対向電極間に接続部に設けられ、上記信号電
流を電圧出力に変換するジヨセフソン素子とを備えた直
流駆動型超伝導量子干渉素子において、上記２つの入力
端子間に、上記ジヨセフソン素子の発振周波数に対して
充分小さな容量リアクタンスを有する入力容量を接続し
たことを特徴とする直流駆動型超伝導量子干渉素子。 - 【請求項２】上記入力容量の接続は、上記２つの入力端
子のうちの一方の端子に第１の電極を接続すると共に、
該第一の電極上に誘電体を形成し、該誘電体上に、上記
２つの入力端子のうちの他方の端子に接続された第２の
電極を重ねることにより行なうことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の直流駆動型超伝導量子干渉素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61239379A JPH0627794B2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 直流駆動型超伝導量子干渉素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61239379A JPH0627794B2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 直流駆動型超伝導量子干渉素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6395367A JPS6395367A (ja) | 1988-04-26 |
| JPH0627794B2 true JPH0627794B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=17043903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61239379A Expired - Lifetime JPH0627794B2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 直流駆動型超伝導量子干渉素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627794B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5218297A (en) * | 1988-02-05 | 1993-06-08 | Hitachi, Ltd. | Superconductive quantum interference device in high temperature environments having reduced inductance and improved thermal noise response |
-
1986
- 1986-10-09 JP JP61239379A patent/JPH0627794B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6395367A (ja) | 1988-04-26 |
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