JPH06278244A - 積層体 - Google Patents
積層体Info
- Publication number
- JPH06278244A JPH06278244A JP6006788A JP678894A JPH06278244A JP H06278244 A JPH06278244 A JP H06278244A JP 6006788 A JP6006788 A JP 6006788A JP 678894 A JP678894 A JP 678894A JP H06278244 A JPH06278244 A JP H06278244A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent
- thin film
- layer
- refractive index
- film layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 透明基板の少なくとも片面に、窒化物及び
/または炭化物からなる透明薄膜層と実質的に透光性の
金属層とを少なくとも各一層ずつ積層したことを特徴と
する積層体。 【効果】 信頼性の高い透明導電膜または選択光線透
過膜が提供される。
/または炭化物からなる透明薄膜層と実質的に透光性の
金属層とを少なくとも各一層ずつ積層したことを特徴と
する積層体。 【効果】 信頼性の高い透明導電膜または選択光線透
過膜が提供される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子用電極や
電磁波のシールド材などに用いられている透明導電膜、
及び建築物の窓や冷蔵・冷凍ショウケースなどに用いら
れる選択光線透過膜に関するものである。
電磁波のシールド材などに用いられている透明導電膜、
及び建築物の窓や冷蔵・冷凍ショウケースなどに用いら
れる選択光線透過膜に関するものである。
【0002】
【従来の技術】透明導電膜は、その透明性および導電性
を利用して、液晶表示素子用電極、エレクトロルミネッ
センス用電極、エレクトロクロミック用電極、透明発熱
体、電磁波シールド材料などの用途に広く利用されてお
り、近年特に大型化する液晶表示素子用電極、OA機器
から発生すると言われている電磁波のシールド材料とし
て透明が高く表面抵抗の低い透明導電膜が切望されてい
る。
を利用して、液晶表示素子用電極、エレクトロルミネッ
センス用電極、エレクトロクロミック用電極、透明発熱
体、電磁波シールド材料などの用途に広く利用されてお
り、近年特に大型化する液晶表示素子用電極、OA機器
から発生すると言われている電磁波のシールド材料とし
て透明が高く表面抵抗の低い透明導電膜が切望されてい
る。
【0003】一方、選択光線透過膜については、可視光
線領域の光は充分に透過し、赤外線に対しては反射機能
を有しているので透明熱線反射膜として用いられてい
る。従って温室、冷凍冷蔵ショウケース用の断熱窓、建
築物の窓、電車や自動車等の車両の窓等に使用され得
る。特に近年、地球温暖化の一因として炭酸ガス等の放
出が問題化され、ますます省エネルギーの必要性が増し
ている。また建築物および自動車においては、より快適
性等の向上を目指して、窓の占める割合が増加してい
る。特に半年の建築物、電車等において窓の開口部が大
きな割合を占めてきており、室内証明としての太陽光を
利用し、熱エネルギー放散を妨げる透明断熱窓としての
機能は今後その重要性が益々増加する。
線領域の光は充分に透過し、赤外線に対しては反射機能
を有しているので透明熱線反射膜として用いられてい
る。従って温室、冷凍冷蔵ショウケース用の断熱窓、建
築物の窓、電車や自動車等の車両の窓等に使用され得
る。特に近年、地球温暖化の一因として炭酸ガス等の放
出が問題化され、ますます省エネルギーの必要性が増し
ている。また建築物および自動車においては、より快適
性等の向上を目指して、窓の占める割合が増加してい
る。特に半年の建築物、電車等において窓の開口部が大
きな割合を占めてきており、室内証明としての太陽光を
利用し、熱エネルギー放散を妨げる透明断熱窓としての
機能は今後その重要性が益々増加する。
【0004】例えば、北海道等の寒冷地での冬期の暖房
費の節約や、沖縄等の日射量が多い地域での夏期の冷房
費を軽減するために選択光線透過膜としてその重要性は
大きい。この様に、透明導電膜及び選択光線透過膜は、
エレクトロニクス、太陽エネルギー利用の観点から重要
であり、均質で高性能な膜が工業的に大量に供給される
ことが望まれている。透明導電膜として、従来から知ら
れているもので、 金、パラジウム等の金属膜 酸化インジウム、酸化スズ等の化合物半導体 金、銀、パラジウム等の金属薄膜を酸化チタン、酸化
インジウム、酸化ジルコニウム等の高屈折率薄膜で挟み
込んだものが挙げられる。
費の節約や、沖縄等の日射量が多い地域での夏期の冷房
費を軽減するために選択光線透過膜としてその重要性は
大きい。この様に、透明導電膜及び選択光線透過膜は、
エレクトロニクス、太陽エネルギー利用の観点から重要
であり、均質で高性能な膜が工業的に大量に供給される
ことが望まれている。透明導電膜として、従来から知ら
れているもので、 金、パラジウム等の金属膜 酸化インジウム、酸化スズ等の化合物半導体 金、銀、パラジウム等の金属薄膜を酸化チタン、酸化
インジウム、酸化ジルコニウム等の高屈折率薄膜で挟み
込んだものが挙げられる。
【0005】上記は、充分な可視光線透過率と導電性
の性質が優れたものは得られない。上記の化合物半導
体は、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプ
レーティング等の真空中における 膜形成法や、ゾルゲ
ル法による薄膜形成法が挙げられるが、酸化インジウム
等の薄膜で、優れた透明導電膜または選択光線透過膜を
得るために、数千Å程度の膜厚が必要となり、その結
果、膜の製造コストが著しく高くなる。上記の金属薄
膜を高屈折率薄膜で挟んだ積層体の代表的な構成として
は、TiO2 /Ag/TiO2 等のサンドイッチ構造の
積層体が用いられており、金属層として銀薄膜あるいは
銀と金とからなる薄膜を用いたものは、可視光線領域で
の透明性及び赤外線での反射特性が特に優れているこ
と、また導電性においても好ましいものとして使用され
ていた。
の性質が優れたものは得られない。上記の化合物半導
体は、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプ
レーティング等の真空中における 膜形成法や、ゾルゲ
ル法による薄膜形成法が挙げられるが、酸化インジウム
等の薄膜で、優れた透明導電膜または選択光線透過膜を
得るために、数千Å程度の膜厚が必要となり、その結
果、膜の製造コストが著しく高くなる。上記の金属薄
膜を高屈折率薄膜で挟んだ積層体の代表的な構成として
は、TiO2 /Ag/TiO2 等のサンドイッチ構造の
積層体が用いられており、金属層として銀薄膜あるいは
銀と金とからなる薄膜を用いたものは、可視光線領域で
の透明性及び赤外線での反射特性が特に優れているこ
と、また導電性においても好ましいものとして使用され
ていた。
【0006】酸化チタン等の高屈折率薄膜は、スパッタ
リング、イオンプレーティング、真空蒸着、湿式塗工等
の方法によって設けることが出来る。しかしながら、ス
パッタリング、イオンプレーティング等の真空中で積層
体を形成する場合には、放電により活性化した酸化イオ
ン等により銀薄膜が酸化たり、銀のマイグレーションが
起こり、銀薄膜の劣化を生じた。そのため、銀薄膜の酸
化防止として予め他の種類の金属層を設けるか、銀薄膜
上に透明薄膜層を作製する際に、酸素等の酸化性ガスの
他に水素等の還元性ガスを導入して、銀が酸化しないよ
うに積層体を形成している。また、湿式塗工によって積
層体を形成する場合には、加水分解によって透明薄膜層
を形成し、金属薄膜層は、真空蒸着やスパッタリングに
よって形成し、さらに透明薄膜を加水分解によって形成
する際、予め金属薄膜層上に硫化物等を形成して保護し
たり、加水分解時の溶液のpHを所定の範囲に調整し
て、水素イオンや不純物によって銀薄膜層が劣化するの
を防止することが試みられていた。いずれの方法も成膜
時の条件調整が煩雑であったり、得られる膜の特性が変
動しやすく、これらの方法によって作製された積層体
は、熱、光、酸素、水等の環境条件によって性能の劣化
が生じやすい問題があった。
リング、イオンプレーティング、真空蒸着、湿式塗工等
の方法によって設けることが出来る。しかしながら、ス
パッタリング、イオンプレーティング等の真空中で積層
体を形成する場合には、放電により活性化した酸化イオ
ン等により銀薄膜が酸化たり、銀のマイグレーションが
起こり、銀薄膜の劣化を生じた。そのため、銀薄膜の酸
化防止として予め他の種類の金属層を設けるか、銀薄膜
上に透明薄膜層を作製する際に、酸素等の酸化性ガスの
他に水素等の還元性ガスを導入して、銀が酸化しないよ
うに積層体を形成している。また、湿式塗工によって積
層体を形成する場合には、加水分解によって透明薄膜層
を形成し、金属薄膜層は、真空蒸着やスパッタリングに
よって形成し、さらに透明薄膜を加水分解によって形成
する際、予め金属薄膜層上に硫化物等を形成して保護し
たり、加水分解時の溶液のpHを所定の範囲に調整し
て、水素イオンや不純物によって銀薄膜層が劣化するの
を防止することが試みられていた。いずれの方法も成膜
時の条件調整が煩雑であったり、得られる膜の特性が変
動しやすく、これらの方法によって作製された積層体
は、熱、光、酸素、水等の環境条件によって性能の劣化
が生じやすい問題があった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、透明導電膜
又は選択光線透過膜およびその形成方法を改善し、耐久
性に優れた透明導電膜又は選択光線透過膜を提供するこ
とにある。
又は選択光線透過膜およびその形成方法を改善し、耐久
性に優れた透明導電膜又は選択光線透過膜を提供するこ
とにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため、鋭意検討した結果、透明基板の少なく
とも片面に窒化膜および/または炭化膜からなる透明薄
膜層と実質的に透光性の金属層とを少なくとも各一層を
積層したことにより、上記課題を解決することができる
ことを見いだし、本発明を完成した。
を解決するため、鋭意検討した結果、透明基板の少なく
とも片面に窒化膜および/または炭化膜からなる透明薄
膜層と実質的に透光性の金属層とを少なくとも各一層を
積層したことにより、上記課題を解決することができる
ことを見いだし、本発明を完成した。
【0009】すなわち本発明は、透明基板の少なくとも
片面に窒化膜および/または炭化膜からなる透明薄膜層
と実質的に透光性の金属層とを少なくとも各一層を積層
した透明積層体であり、または、透明基板の少なくとも
片面に窒化膜および/または炭化膜からなる透明薄膜層
と実質的に透光性の金属層と少なくとも各一層を積層し
た透明積層体において、前記透明薄膜層が、窒化インジ
ウム、窒化ガリウム、窒化珪素、窒化スズ、窒化硼素、
炭化珪素、アモルファスカーボン、ダイヤモンド状カー
ボンのうち少なくとも1種からなる高屈折率透明薄膜で
ある透明積層体であり、または、前記透明薄膜層が一部
酸化されている高屈折率透明薄膜からなる透明積層体で
あり、または、前記透明薄膜層が一部水素化されている
高屈折率透明薄膜からなる透明積層体であり、または、
前記透明薄膜層が一部水素化されている高屈折率透明薄
膜からなる透明積層体であり、または、前記透明基板の
少なくとも片面に前記透明薄膜層/前記金属層/前記透
明薄膜層の順に積層されている透明積層体であり、また
は、前記透明基板の少なくとも片面に前記透明薄膜層/
前記金属層/前記透明薄膜層/前記金属層/前記透明薄
膜層の順に積層されている透明積層体であり、または、
前記透明基板の少なくとも片面に前記透明薄膜層/前記
金属層/前記透明薄膜層/前記金属層/前記透明薄膜層
/前記金属層/前記透明薄膜層の順に積層されている透
明積層体であり、または、前記金属層が、銀薄膜である
透明積層体であり、または、前記金属層が、銀または銀
を主成分とする薄膜層である透明積層体であり、また
は、前記金属層が、銀薄膜層と銀以外の金属を主成分と
する薄膜層とを積層させたものである透明積層体であ
り、または、前記金属層が、銀を主成分とする薄膜層と
銀以外の金属を主成分とする薄膜層とを積層させたもの
である透明積層体であり、または、前記透明薄膜層の最
外透明薄膜層が外側を低屈折率層その内側を高屈折率層
からなる透明積層体であり、または、前記透明基板の積
層物が積層されていない面に透明基板より高屈折率層次
いで低屈折率層からなる透明薄膜が形成された透明積層
体であり、または、前記透明薄膜層において高屈折率層
と低屈折率層からなる最外透明薄膜層または前記透明基
板の積層物が積層されていない側に積層された高屈折率
層と低屈折率層からなる透明薄膜層において高屈折率層
が窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化珪素、窒化ス
ズ、窒化硼素、炭化珪素、アモルファスカーボン、ダイ
ヤモンド状カーボンのうち少なくとも1種からなる高屈
折率透明薄膜であり、または、前記透明基板より高屈折
率層次いで低屈折率層からなる透明薄膜層において高屈
折率層が屈折率1.6以上の窒化物、炭化物、酸化物、
硫化物のうち少なくとも1種からなる透明積層体であ
り、または、前記透明基板より高屈折率層次いで低屈折
率層からなる透明薄膜層において、屈折率1.6以上の
窒化物、炭化物、酸化物、硫化物のうち少なくとも1種
からなる高屈折率層が屈折率のことなる、少なくとも2
層以上の積層体である透明積層体であり、または、前記
透明基板より高屈折率層次いで低屈折率層からなる透明
薄膜層において、屈折率1.6以上の高屈折率層が窒化
インジウム、窒化ガリウム、窒化珪素、窒化スズ、窒化
硼素、炭化珪素、アモルファスカーボン、ダイヤモンド
状カーボン、酸窒化インジウム、酸窒化ガリウム、酸窒
化珪素、酸窒化スズ、酸窒化硼素、酸窒化炭化珪素、酸
化インジウム、酸化スズ、酸化インジウム・スズ(IT
O)、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウ
ム、酸化トリウム、酸化ランタン、酸化ネオジウム、酸
化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化ビスマスまたは酸
化硫化亜鉛のうち少なくとも1種からなる透明積層体で
あり、または、前記透明薄膜層において高屈折率層と低
屈折率層からなる最外透明薄膜層または前記透明基板の
積層物が積層されていない側に積層された高屈折率層と
低屈折率層からなる透明薄膜層において低屈折率層が屈
折率1.55以下の酸窒化物、フッ化物、酸化物のうち
少なくとも1種からなる低屈折率透明薄膜である透明積
層体であり、または、前記透明薄膜層において高屈折率
層と低屈折率層からなる最外透明薄膜層または前記透明
基板の積層物が積層されていない側に積層された高屈折
率層と低屈折率層からなる透明薄膜層において低屈折率
層が屈折率1.55以下の酸窒化珪素のうち少なくとも
1種からなる低屈折率透明薄膜である透明積層体であ
り、または、前記透明薄膜層において高屈折率層と低屈
折率層からなる最外透明薄膜層または前記透明基板の積
層物が積層されていない側に積層された高屈折率層と低
屈折率層からなる透明薄膜層において低屈折率層が酸化
珪素、フッ化マグネシウム、屈折率1.55以下の酸窒
化珪素のうち少なくとも1種からなる低屈折率透明薄で
膜ある透明積層体である。
片面に窒化膜および/または炭化膜からなる透明薄膜層
と実質的に透光性の金属層とを少なくとも各一層を積層
した透明積層体であり、または、透明基板の少なくとも
片面に窒化膜および/または炭化膜からなる透明薄膜層
と実質的に透光性の金属層と少なくとも各一層を積層し
た透明積層体において、前記透明薄膜層が、窒化インジ
ウム、窒化ガリウム、窒化珪素、窒化スズ、窒化硼素、
炭化珪素、アモルファスカーボン、ダイヤモンド状カー
ボンのうち少なくとも1種からなる高屈折率透明薄膜で
ある透明積層体であり、または、前記透明薄膜層が一部
酸化されている高屈折率透明薄膜からなる透明積層体で
あり、または、前記透明薄膜層が一部水素化されている
高屈折率透明薄膜からなる透明積層体であり、または、
前記透明薄膜層が一部水素化されている高屈折率透明薄
膜からなる透明積層体であり、または、前記透明基板の
少なくとも片面に前記透明薄膜層/前記金属層/前記透
明薄膜層の順に積層されている透明積層体であり、また
は、前記透明基板の少なくとも片面に前記透明薄膜層/
前記金属層/前記透明薄膜層/前記金属層/前記透明薄
膜層の順に積層されている透明積層体であり、または、
前記透明基板の少なくとも片面に前記透明薄膜層/前記
金属層/前記透明薄膜層/前記金属層/前記透明薄膜層
/前記金属層/前記透明薄膜層の順に積層されている透
明積層体であり、または、前記金属層が、銀薄膜である
透明積層体であり、または、前記金属層が、銀または銀
を主成分とする薄膜層である透明積層体であり、また
は、前記金属層が、銀薄膜層と銀以外の金属を主成分と
する薄膜層とを積層させたものである透明積層体であ
り、または、前記金属層が、銀を主成分とする薄膜層と
銀以外の金属を主成分とする薄膜層とを積層させたもの
である透明積層体であり、または、前記透明薄膜層の最
外透明薄膜層が外側を低屈折率層その内側を高屈折率層
からなる透明積層体であり、または、前記透明基板の積
層物が積層されていない面に透明基板より高屈折率層次
いで低屈折率層からなる透明薄膜が形成された透明積層
体であり、または、前記透明薄膜層において高屈折率層
と低屈折率層からなる最外透明薄膜層または前記透明基
板の積層物が積層されていない側に積層された高屈折率
層と低屈折率層からなる透明薄膜層において高屈折率層
が窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化珪素、窒化ス
ズ、窒化硼素、炭化珪素、アモルファスカーボン、ダイ
ヤモンド状カーボンのうち少なくとも1種からなる高屈
折率透明薄膜であり、または、前記透明基板より高屈折
率層次いで低屈折率層からなる透明薄膜層において高屈
折率層が屈折率1.6以上の窒化物、炭化物、酸化物、
硫化物のうち少なくとも1種からなる透明積層体であ
り、または、前記透明基板より高屈折率層次いで低屈折
率層からなる透明薄膜層において、屈折率1.6以上の
窒化物、炭化物、酸化物、硫化物のうち少なくとも1種
からなる高屈折率層が屈折率のことなる、少なくとも2
層以上の積層体である透明積層体であり、または、前記
透明基板より高屈折率層次いで低屈折率層からなる透明
薄膜層において、屈折率1.6以上の高屈折率層が窒化
インジウム、窒化ガリウム、窒化珪素、窒化スズ、窒化
硼素、炭化珪素、アモルファスカーボン、ダイヤモンド
状カーボン、酸窒化インジウム、酸窒化ガリウム、酸窒
化珪素、酸窒化スズ、酸窒化硼素、酸窒化炭化珪素、酸
化インジウム、酸化スズ、酸化インジウム・スズ(IT
O)、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウ
ム、酸化トリウム、酸化ランタン、酸化ネオジウム、酸
化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化ビスマスまたは酸
化硫化亜鉛のうち少なくとも1種からなる透明積層体で
あり、または、前記透明薄膜層において高屈折率層と低
屈折率層からなる最外透明薄膜層または前記透明基板の
積層物が積層されていない側に積層された高屈折率層と
低屈折率層からなる透明薄膜層において低屈折率層が屈
折率1.55以下の酸窒化物、フッ化物、酸化物のうち
少なくとも1種からなる低屈折率透明薄膜である透明積
層体であり、または、前記透明薄膜層において高屈折率
層と低屈折率層からなる最外透明薄膜層または前記透明
基板の積層物が積層されていない側に積層された高屈折
率層と低屈折率層からなる透明薄膜層において低屈折率
層が屈折率1.55以下の酸窒化珪素のうち少なくとも
1種からなる低屈折率透明薄膜である透明積層体であ
り、または、前記透明薄膜層において高屈折率層と低屈
折率層からなる最外透明薄膜層または前記透明基板の積
層物が積層されていない側に積層された高屈折率層と低
屈折率層からなる透明薄膜層において低屈折率層が酸化
珪素、フッ化マグネシウム、屈折率1.55以下の酸窒
化珪素のうち少なくとも1種からなる低屈折率透明薄で
膜ある透明積層体である。
【0010】耐久性、耐薬品性に優れた透明導電膜を形
成するために、本発明で用いられる透明薄膜はpH=5
以下、好ましくはpH=3以下、さらに好ましくはpH
=1以下の酸性溶液に対し、不溶または難溶な耐酸性を
有する透明薄膜を用いるのが望ましい。かくして、耐久
性、耐薬品性に優れた透明薄膜層と金属層とを組合せる
ことにより、耐久性、耐薬品性に優れた透明導電膜また
は選択光線透過膜が提供されるものである。すなわち本
発明の積層体は電磁気シールド用材料や窓用熱線反射膜
に利用する事ができる。電磁波シールド用材料として用
いる場合にはこの積層体に接地用電極を設けたものがよ
り効果的である。
成するために、本発明で用いられる透明薄膜はpH=5
以下、好ましくはpH=3以下、さらに好ましくはpH
=1以下の酸性溶液に対し、不溶または難溶な耐酸性を
有する透明薄膜を用いるのが望ましい。かくして、耐久
性、耐薬品性に優れた透明薄膜層と金属層とを組合せる
ことにより、耐久性、耐薬品性に優れた透明導電膜また
は選択光線透過膜が提供されるものである。すなわち本
発明の積層体は電磁気シールド用材料や窓用熱線反射膜
に利用する事ができる。電磁波シールド用材料として用
いる場合にはこの積層体に接地用電極を設けたものがよ
り効果的である。
【0011】さらに具体的な本発明の態様について、図
1〜6を用いて説明する。これら透明積層体は、いずれ
も、透明基板1上に窒化物及び/または炭化物からなる
透明薄膜層3と、実質的に透光性を有する金属層2とを
少なくとも各1層、積層したものであって、可視光に対
し透明になっている。図1に示したものでは透明基板1
上に金属層2と透明薄膜層3とが各1層ずつこの順で積
層されている。図2に示したものでは透明基板1の上
に、透明薄膜層3/金属層2/透明薄膜層3からなる3
層構成の積層膜が設けられている。図3に示したもので
は透明基板1の上に、透明薄膜層3/金属層2/透明薄
膜層3/金属層2/透明薄膜層3からなる5層構成の積
層膜が設けられている。図4に示したものでは透明基板
1の上に、透明薄膜層3/金属層2/透明薄膜層3/金
属層2/透明薄膜層3/金属層2/透明薄膜層3からな
る7層構成の積層膜が設けられている。図5は積層膜の
最外透明薄膜層が高屈折率層4と低屈折率層5からなる
もので、図6は透明基板の上に高屈折率層4と低屈折率
層5からなる透明薄膜層が設けられているものである。
1〜6を用いて説明する。これら透明積層体は、いずれ
も、透明基板1上に窒化物及び/または炭化物からなる
透明薄膜層3と、実質的に透光性を有する金属層2とを
少なくとも各1層、積層したものであって、可視光に対
し透明になっている。図1に示したものでは透明基板1
上に金属層2と透明薄膜層3とが各1層ずつこの順で積
層されている。図2に示したものでは透明基板1の上
に、透明薄膜層3/金属層2/透明薄膜層3からなる3
層構成の積層膜が設けられている。図3に示したもので
は透明基板1の上に、透明薄膜層3/金属層2/透明薄
膜層3/金属層2/透明薄膜層3からなる5層構成の積
層膜が設けられている。図4に示したものでは透明基板
1の上に、透明薄膜層3/金属層2/透明薄膜層3/金
属層2/透明薄膜層3/金属層2/透明薄膜層3からな
る7層構成の積層膜が設けられている。図5は積層膜の
最外透明薄膜層が高屈折率層4と低屈折率層5からなる
もので、図6は透明基板の上に高屈折率層4と低屈折率
層5からなる透明薄膜層が設けられているものである。
【0012】本発明の透明基板としては、400nm〜
800nmの可視光線領域において光線透過率が70%
以上、より好ましくは80%以上の基板であって、ガラ
スの他、透明なプラスチックフィルムを用いることが出
来、薄さ、可撓性、耐衝撃性、連続生産性などの面から
プラスチックフィルムが好ましく用いられる。透明基板
を構成するフィルムの素材として好ましいプラスチック
としてはポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリ
エチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポ
リアミド、ポリエーテル、ポリスルフォン、ポリエーテ
ルスルフォン(PES)、ポリカーボネート、ポリアリ
レート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケ
トン(PEEK)、ポリイミド、アラミドなどのホモポ
リマーまたはコポリマーからなるプラスチックフィルム
が例示される。
800nmの可視光線領域において光線透過率が70%
以上、より好ましくは80%以上の基板であって、ガラ
スの他、透明なプラスチックフィルムを用いることが出
来、薄さ、可撓性、耐衝撃性、連続生産性などの面から
プラスチックフィルムが好ましく用いられる。透明基板
を構成するフィルムの素材として好ましいプラスチック
としてはポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリ
エチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポ
リアミド、ポリエーテル、ポリスルフォン、ポリエーテ
ルスルフォン(PES)、ポリカーボネート、ポリアリ
レート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケ
トン(PEEK)、ポリイミド、アラミドなどのホモポ
リマーまたはコポリマーからなるプラスチックフィルム
が例示される。
【0013】本発明に用いられるプラスチックフィルム
の厚みは、通常5〜500μm、好ましくは10〜20
0μmであり、さらに好ましくは50〜150μmであ
る。本発明の透明薄膜層としては400nm〜800n
mの可視光線領域において少なくとも60%以上、好ま
しくは70%以上さらに好ましくは80%以上の光線透
過率を有し、pH=5以下、好ましくはpH=3以下、
さらに好ましくはpH=1以下の酸性溶液に対し、不溶
または難溶な耐酸性を有する窒化物または炭化物であれ
ば如何なるものであってもよい。好ましい窒化物または
炭化物としては窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化珪
素、窒化スズ、窒化硼素、炭化珪素、アモルファスカー
ボン、ダイヤモンド状カーボン等が挙げられる。
の厚みは、通常5〜500μm、好ましくは10〜20
0μmであり、さらに好ましくは50〜150μmであ
る。本発明の透明薄膜層としては400nm〜800n
mの可視光線領域において少なくとも60%以上、好ま
しくは70%以上さらに好ましくは80%以上の光線透
過率を有し、pH=5以下、好ましくはpH=3以下、
さらに好ましくはpH=1以下の酸性溶液に対し、不溶
または難溶な耐酸性を有する窒化物または炭化物であれ
ば如何なるものであってもよい。好ましい窒化物または
炭化物としては窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化珪
素、窒化スズ、窒化硼素、炭化珪素、アモルファスカー
ボン、ダイヤモンド状カーボン等が挙げられる。
【0014】透明積層体の可視光線透過率を向上させる
ために、金属層に接する透明薄膜層としては 屈折率
1.6以上、好ましくは屈折率1.8以上、さらに好ま
しくは屈折率2.0以上の窒化物および/または炭化物
からなる高屈折率透明薄膜が好ましい。こ場合、透明薄
膜層の一部が酸化されていたり、水素化されていてもよ
い。
ために、金属層に接する透明薄膜層としては 屈折率
1.6以上、好ましくは屈折率1.8以上、さらに好ま
しくは屈折率2.0以上の窒化物および/または炭化物
からなる高屈折率透明薄膜が好ましい。こ場合、透明薄
膜層の一部が酸化されていたり、水素化されていてもよ
い。
【0015】一部酸化されたものの透明保護層として
は、例えば、酸窒化インジウム、酸窒化アルミニウム、
酸窒化ガリウム、酸窒化珪素、酸窒化錫、酸窒化硼素、
酸窒化炭化珪素、等が挙げられる。これらの酸窒化物の
金属または/および炭素を除く成分中の窒素分は30原
子%以上が好ましくは、さらに好ましくは50原子%以
上である。
は、例えば、酸窒化インジウム、酸窒化アルミニウム、
酸窒化ガリウム、酸窒化珪素、酸窒化錫、酸窒化硼素、
酸窒化炭化珪素、等が挙げられる。これらの酸窒化物の
金属または/および炭素を除く成分中の窒素分は30原
子%以上が好ましくは、さらに好ましくは50原子%以
上である。
【0016】一部水素化されたものの透明保護層として
は、例えば、水素化窒化インジウム、水素化窒化ガリウ
ム、水素化窒化珪素、水素化窒化錫、水素化窒化硼素、
水素化窒化炭化珪素、等が挙げられる。これら水素化窒
化物の金属または/および炭素を除く成分化中の窒素分
は50原子%以上が好ましく、さらに好ましくは80原
子%以上である。これら透明保護層の厚みは、通常1n
m〜200nm、好ましくは5nm〜50nmであり、
さらに好ましくは10nm〜50nmである。
は、例えば、水素化窒化インジウム、水素化窒化ガリウ
ム、水素化窒化珪素、水素化窒化錫、水素化窒化硼素、
水素化窒化炭化珪素、等が挙げられる。これら水素化窒
化物の金属または/および炭素を除く成分化中の窒素分
は50原子%以上が好ましく、さらに好ましくは80原
子%以上である。これら透明保護層の厚みは、通常1n
m〜200nm、好ましくは5nm〜50nmであり、
さらに好ましくは10nm〜50nmである。
【0017】本発明の透明保護層を透明基板上に形成す
る方法としては、スプレー法、塗布法の他、物理的蒸着
法等の公知の方法が利用できる。ここで、物理的蒸着法
とは、減圧下もしくは真空下で金属等の薄膜を形成する
方法であって、真空蒸着法、スパッタリング法、イオン
プレーティング法、イオンビームアシスト蒸着法、イオ
ンクラスタービーム法等が例示される。
る方法としては、スプレー法、塗布法の他、物理的蒸着
法等の公知の方法が利用できる。ここで、物理的蒸着法
とは、減圧下もしくは真空下で金属等の薄膜を形成する
方法であって、真空蒸着法、スパッタリング法、イオン
プレーティング法、イオンビームアシスト蒸着法、イオ
ンクラスタービーム法等が例示される。
【0018】本発明において、金属層としては可視光線
領域における透明性、赤外線に対する反射特性、導電性
に優れているものなら、如何なるものでも使用できる
が、とくに、銀または銀を主成分とする薄膜が好まし
く、銀を主成分とする薄膜の銀の含有量は望ましくは3
0重量%以上、好ましくは40重量%以上、さらに好ま
しくは50重量%以上、より好ましくは80重量%以上
である。勿論、ここで述べた範囲外であっても、場合に
よっては使用可能である。なお、銀または銀を主成分と
する薄膜層にその他の金属からなる薄膜層を積層して、
ここで使用する金属層としても良い。また、劣化防止の
観点から、導電性、透明性を損なわない範囲で、銀薄膜
中に金、銅、パラジウム、白金,タングステン、ニッケ
ル等の金属を含ませても良い。また、透明薄膜層への金
属層の密着力を向上するために銀以外の金属薄膜を銀ま
たは銀を主成分とする薄膜層に積層してここで使用する
金属層としても良い。また、銀薄膜に金を添加する場
合、銀薄膜に含まれる金量としては、3重量%〜18重
量%程度が好ましい。これらの層の厚みは基本的に1n
m〜100nmで好ましくは5nnm〜50nmであ
り、さらに好ましくは10nm〜30nmである。金属
層の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、イオン蒸着薄膜形成法な
どの方法が挙げられる。
領域における透明性、赤外線に対する反射特性、導電性
に優れているものなら、如何なるものでも使用できる
が、とくに、銀または銀を主成分とする薄膜が好まし
く、銀を主成分とする薄膜の銀の含有量は望ましくは3
0重量%以上、好ましくは40重量%以上、さらに好ま
しくは50重量%以上、より好ましくは80重量%以上
である。勿論、ここで述べた範囲外であっても、場合に
よっては使用可能である。なお、銀または銀を主成分と
する薄膜層にその他の金属からなる薄膜層を積層して、
ここで使用する金属層としても良い。また、劣化防止の
観点から、導電性、透明性を損なわない範囲で、銀薄膜
中に金、銅、パラジウム、白金,タングステン、ニッケ
ル等の金属を含ませても良い。また、透明薄膜層への金
属層の密着力を向上するために銀以外の金属薄膜を銀ま
たは銀を主成分とする薄膜層に積層してここで使用する
金属層としても良い。また、銀薄膜に金を添加する場
合、銀薄膜に含まれる金量としては、3重量%〜18重
量%程度が好ましい。これらの層の厚みは基本的に1n
m〜100nmで好ましくは5nnm〜50nmであ
り、さらに好ましくは10nm〜30nmである。金属
層の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、イオン蒸着薄膜形成法な
どの方法が挙げられる。
【0019】本発明の透明積層体は、選透明基板の片面
に、窒化物及び/または炭化物からなる透明薄膜層と金
属層とを各1層ずつ積層したものに限らない。例えば、
透明基板の上に透明薄膜層/金属層/透明薄膜層の3層
構成の積層膜を堆積させたものや透明薄膜層/金属層/
透明薄膜層/金属層/透明薄膜層の5層構成の積層膜を
堆積させたものや透明薄膜層/金属層/透明薄膜層/金
属層/透明薄膜層/金属層/透明薄膜層の7層構成の積
層膜を堆積させたものも本発明の透明積層体に含まれ
る。
に、窒化物及び/または炭化物からなる透明薄膜層と金
属層とを各1層ずつ積層したものに限らない。例えば、
透明基板の上に透明薄膜層/金属層/透明薄膜層の3層
構成の積層膜を堆積させたものや透明薄膜層/金属層/
透明薄膜層/金属層/透明薄膜層の5層構成の積層膜を
堆積させたものや透明薄膜層/金属層/透明薄膜層/金
属層/透明薄膜層/金属層/透明薄膜層の7層構成の積
層膜を堆積させたものも本発明の透明積層体に含まれ
る。
【0020】また本発明の外側を低屈折率層、その内側
を高屈折率層からなる透明薄膜層を最外透明薄膜層に設
けた透明積層体において、高屈折率層の素材としては屈
折率1.6以上、好ましくは屈折率1.8以上、さらに
好ましくは屈折率2.0以上の窒化物、炭化物、酸窒化
物、酸窒化炭化物なら如何なるものでもよい。好ましい
窒化物、炭化物、酸窒化物、酸窒化炭化物としては、窒
化インジウム、窒化ガリウム、窒化珪素、窒化スズ、窒
化硼素、炭化珪素、窒珪素、アモルファスカーボン、ダ
イヤモンド状カーボン、窒化炭化珪素、酸窒化インジウ
ム、酸窒化ガリウム、酸窒化珪素、酸窒化スズ、酸窒化
硼素、酸窒化炭化珪素等が例示される。
を高屈折率層からなる透明薄膜層を最外透明薄膜層に設
けた透明積層体において、高屈折率層の素材としては屈
折率1.6以上、好ましくは屈折率1.8以上、さらに
好ましくは屈折率2.0以上の窒化物、炭化物、酸窒化
物、酸窒化炭化物なら如何なるものでもよい。好ましい
窒化物、炭化物、酸窒化物、酸窒化炭化物としては、窒
化インジウム、窒化ガリウム、窒化珪素、窒化スズ、窒
化硼素、炭化珪素、窒珪素、アモルファスカーボン、ダ
イヤモンド状カーボン、窒化炭化珪素、酸窒化インジウ
ム、酸窒化ガリウム、酸窒化珪素、酸窒化スズ、酸窒化
硼素、酸窒化炭化珪素等が例示される。
【0021】また本発明の外側を低屈折率層その内側を
高屈折率層からなる透明薄膜層を最外透明薄膜層に設け
た透明積層体において、低屈折率層の素材としては酸化
物、フッ化物、屈折率1.5以下の酸窒化物なら如何な
るものでもよい。好ましい酸化物、フッ化物、屈折率
1.5以下の酸窒化物としては酸化珪素、フッ化マグネ
ネシウム、屈折率1.55以下の酸窒化珪素等が例示さ
れる。
高屈折率層からなる透明薄膜層を最外透明薄膜層に設け
た透明積層体において、低屈折率層の素材としては酸化
物、フッ化物、屈折率1.5以下の酸窒化物なら如何な
るものでもよい。好ましい酸化物、フッ化物、屈折率
1.5以下の酸窒化物としては酸化珪素、フッ化マグネ
ネシウム、屈折率1.55以下の酸窒化珪素等が例示さ
れる。
【0022】また本発明の透明積層体において、積層物
を有しない透明基板面に透明基板側より高屈折率層次い
で低屈折率層からなる透明薄膜が設けられた積層体にお
いて、高屈折率層の好ましい素材としては屈折率1.6
以上、好ましくは屈折率1.8以上、さらに好ましくは
屈折率2.0以上の窒化物、炭化物、酸窒化物、酸窒化
炭化物、酸化物、硫化物なら如何なるものでもよい。好
ましい窒化物、炭化物、酸窒化物、酸窒化炭化物、酸化
物、硫化物としては窒化インジウム、窒化ガリウム、窒
化珪素、窒化スズ、窒化硼素、炭化珪素、アモルファス
カーボン、ダイヤモンド、ダイヤモンド状カーボン、窒
化炭化珪素、酸窒化インジウム、酸窒化ガリウム、酸窒
化珪素、酸窒化スズ、酸窒化硼素、酸窒化炭化珪素、酸
化インジウム、酸化スズ、酸化インジウム・スズ(IT
O)、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウ
ム、酸化トリウム、酸化ランタン、酸化ネオジウム、酸
化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化ビスマス、硫化亜
鉛等が例示される。
を有しない透明基板面に透明基板側より高屈折率層次い
で低屈折率層からなる透明薄膜が設けられた積層体にお
いて、高屈折率層の好ましい素材としては屈折率1.6
以上、好ましくは屈折率1.8以上、さらに好ましくは
屈折率2.0以上の窒化物、炭化物、酸窒化物、酸窒化
炭化物、酸化物、硫化物なら如何なるものでもよい。好
ましい窒化物、炭化物、酸窒化物、酸窒化炭化物、酸化
物、硫化物としては窒化インジウム、窒化ガリウム、窒
化珪素、窒化スズ、窒化硼素、炭化珪素、アモルファス
カーボン、ダイヤモンド、ダイヤモンド状カーボン、窒
化炭化珪素、酸窒化インジウム、酸窒化ガリウム、酸窒
化珪素、酸窒化スズ、酸窒化硼素、酸窒化炭化珪素、酸
化インジウム、酸化スズ、酸化インジウム・スズ(IT
O)、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウ
ム、酸化トリウム、酸化ランタン、酸化ネオジウム、酸
化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化ビスマス、硫化亜
鉛等が例示される。
【0023】また本発明の透明積層体において、積層物
を有しない透明基板面に透明基板側より高屈折率層次い
で低屈折率層からなる透明薄膜が設けられた積層体にお
いて、低屈折率層の素材としては屈折率1.55以下好
ましくは屈折率1.4以下の酸化物、フッ化物、屈折率
1.5以下の酸窒化物なら如何なるものでもよい。好ま
しい酸化物、フッ化物、屈折率1.5以下の酸窒化物と
しては酸化珪素、フッ化マグネシウム、屈折率1.55
以下の酸窒化珪素等が例示される。
を有しない透明基板面に透明基板側より高屈折率層次い
で低屈折率層からなる透明薄膜が設けられた積層体にお
いて、低屈折率層の素材としては屈折率1.55以下好
ましくは屈折率1.4以下の酸化物、フッ化物、屈折率
1.5以下の酸窒化物なら如何なるものでもよい。好ま
しい酸化物、フッ化物、屈折率1.5以下の酸窒化物と
しては酸化珪素、フッ化マグネシウム、屈折率1.55
以下の酸窒化珪素等が例示される。
【0024】また、一部酸化された窒化物のうち、酸化
窒化珪素は窒素と酸素の成分割合に応じて、屈折率が約
2.2から約1.45まで連続的に変えられるため本発
明の素材として有用である。
窒化珪素は窒素と酸素の成分割合に応じて、屈折率が約
2.2から約1.45まで連続的に変えられるため本発
明の素材として有用である。
【0025】外側を低屈折率層その内側を高屈折率層か
らなる透明薄膜層を積層物の最外透明薄膜層として使用
した本発明の積層体から可視光線透過率がより高い電磁
波シールド材や熱線反射材が製造できる。また同様に外
側を低屈折率層その内側を高屈折率層からなる透明薄膜
を本発明の積層体の積層物を有しない透明基板の面に高
屈折率層が接するように透明薄膜を設けた積層体も同様
に、可視光線透過率の高い電磁波シールド材や熱線反射
材になる。
らなる透明薄膜層を積層物の最外透明薄膜層として使用
した本発明の積層体から可視光線透過率がより高い電磁
波シールド材や熱線反射材が製造できる。また同様に外
側を低屈折率層その内側を高屈折率層からなる透明薄膜
を本発明の積層体の積層物を有しない透明基板の面に高
屈折率層が接するように透明薄膜を設けた積層体も同様
に、可視光線透過率の高い電磁波シールド材や熱線反射
材になる。
【0026】ここで言う低屈折率層と高屈折率層とは相
対的なもので、その間に中屈折率層を設けたり、低屈折
率層、中屈折率層、高屈折率層を各種組み合わせてもよ
い。中屈折率層と高屈折率層は 屈折率1.6以上の高
屈折率透明薄膜素材の中から相対的に低い屈折率のもの
を中屈折率層、高い屈折率のもの高屈折率層とするのが
好ましい。低屈折率層、中屈折率層、高屈折率層を各種
組み合わせると可視光線の反射が低く、その波長依存性
の少ない、高光線透過率の電磁波シールド材や熱線反射
材が製造できる。
対的なもので、その間に中屈折率層を設けたり、低屈折
率層、中屈折率層、高屈折率層を各種組み合わせてもよ
い。中屈折率層と高屈折率層は 屈折率1.6以上の高
屈折率透明薄膜素材の中から相対的に低い屈折率のもの
を中屈折率層、高い屈折率のもの高屈折率層とするのが
好ましい。低屈折率層、中屈折率層、高屈折率層を各種
組み合わせると可視光線の反射が低く、その波長依存性
の少ない、高光線透過率の電磁波シールド材や熱線反射
材が製造できる。
【0027】本発明の積層体を、選択光線透過膜として
用いる場合には、積層体上に機械的、化学的保護の為
に、フィルムまたはハードコート層を設けても良い。以
下、実施例により本発明の実施の態様の一例を説明す
る。
用いる場合には、積層体上に機械的、化学的保護の為
に、フィルムまたはハードコート層を設けても良い。以
下、実施例により本発明の実施の態様の一例を説明す
る。
【0028】
実施例1 可視光線透過率90%、50μm厚みのポリエチレンテ
レフタレート(PET)の片面に3つのカソード(ター
ゲット)を有したフィルム巻き取り式スパッタリング装
置を用いて、DCマグネトロンスパッタリングを用いた
反応性スパッタリングにより第1層として窒素ガス中で
窒化珪素を厚さ20nm形成し、第2層としてArガス
中で銀薄膜を厚さ10nm形成し、更に第3層として窒
素ガス中で窒化珪素を厚さ20nm形成した。得られた
積層体の可視光線透過率86%、表面抵抗は10Ω/
□、赤外線反射率は90%であった。得られた積層体を
pH1.4のスルファミン酸水溶液に2分間浸漬した
後、水洗、乾燥後表面抵抗を測定したころ10Ω/□で
あり、変化は無かった。また変色等の外観変化も無かっ
た。
レフタレート(PET)の片面に3つのカソード(ター
ゲット)を有したフィルム巻き取り式スパッタリング装
置を用いて、DCマグネトロンスパッタリングを用いた
反応性スパッタリングにより第1層として窒素ガス中で
窒化珪素を厚さ20nm形成し、第2層としてArガス
中で銀薄膜を厚さ10nm形成し、更に第3層として窒
素ガス中で窒化珪素を厚さ20nm形成した。得られた
積層体の可視光線透過率86%、表面抵抗は10Ω/
□、赤外線反射率は90%であった。得られた積層体を
pH1.4のスルファミン酸水溶液に2分間浸漬した
後、水洗、乾燥後表面抵抗を測定したころ10Ω/□で
あり、変化は無かった。また変色等の外観変化も無かっ
た。
【0029】実施例2 可視光線透過率90%、50μm厚みのポリエチレンテ
レフタレ−ト(PET)の片面に3つのカソード(ター
ゲット)を有したフィルム巻き取り式スパッタリング装
置を用いて、珪素ターゲットと銀ターゲットを使い、D
Cマグネトロンスパッタリングを行った。珪素ターゲッ
トのスパッタリング時には、窒素:酸素=97:3の混
合ガスを導入し、反応性スパッタリングを行い、第1層
として酸化窒化珪素を厚さ20nm形成し、第2層とし
て銀薄膜を厚さ10nm形成し、更に第3層として酸化
窒化珪素を厚さ20nm形成した。得られた積層体の可
視光線透過率86%、表面抵抗は10Ω/□、赤外線反
射率は90%であった。得られた積層体をpH3の塩酸
水溶液に2分間浸漬した後、水洗、乾燥後、表面を観測
したところ、積層体面に変色は無かった。また表面抵抗
を測定したところ10Ω/□であり、変化は無かった。
レフタレ−ト(PET)の片面に3つのカソード(ター
ゲット)を有したフィルム巻き取り式スパッタリング装
置を用いて、珪素ターゲットと銀ターゲットを使い、D
Cマグネトロンスパッタリングを行った。珪素ターゲッ
トのスパッタリング時には、窒素:酸素=97:3の混
合ガスを導入し、反応性スパッタリングを行い、第1層
として酸化窒化珪素を厚さ20nm形成し、第2層とし
て銀薄膜を厚さ10nm形成し、更に第3層として酸化
窒化珪素を厚さ20nm形成した。得られた積層体の可
視光線透過率86%、表面抵抗は10Ω/□、赤外線反
射率は90%であった。得られた積層体をpH3の塩酸
水溶液に2分間浸漬した後、水洗、乾燥後、表面を観測
したところ、積層体面に変色は無かった。また表面抵抗
を測定したところ10Ω/□であり、変化は無かった。
【0030】実施例3 実施例1と同様のPETの片面に反応性DCマグネトロ
ンスパッタリングにより、第1層として窒化インジウム
を厚さ20nm形成し、第2層として銀薄膜を厚さ12
nm形成し、更に第3層として窒化インジウムを厚さ2
0nm形成した。得られた積層体の可視光線透過率78
%、表面抵抗は 7Ω/□、赤外線反射率は90%であ
った。得られた積層体をpH3の塩酸水溶液に2分間浸
漬した後、水洗、乾燥後表面抵抗を測定したところ7Ω
/□であり、変化は無かった。また積層体面にに変色は
無かった。
ンスパッタリングにより、第1層として窒化インジウム
を厚さ20nm形成し、第2層として銀薄膜を厚さ12
nm形成し、更に第3層として窒化インジウムを厚さ2
0nm形成した。得られた積層体の可視光線透過率78
%、表面抵抗は 7Ω/□、赤外線反射率は90%であ
った。得られた積層体をpH3の塩酸水溶液に2分間浸
漬した後、水洗、乾燥後表面抵抗を測定したところ7Ω
/□であり、変化は無かった。また積層体面にに変色は
無かった。
【0031】実施例4 可視光線透過率89%、100μm厚みのPETの片面
に実施例1と同じ方法で銀薄膜を厚さ10nm形成し、
その上に窒化珪素を厚さ20nm形成した。得られた積
層体の可視光線透過率85%、表面抵抗は10Ω/□、
赤外線反射率は90%であった。得られた積層体をpH
1.4のスルファミン酸水溶液に2分間浸漬した後、水
洗、乾燥後表面抵抗を測定したところ、表面抵抗および
外観の変化は無かった。
に実施例1と同じ方法で銀薄膜を厚さ10nm形成し、
その上に窒化珪素を厚さ20nm形成した。得られた積
層体の可視光線透過率85%、表面抵抗は10Ω/□、
赤外線反射率は90%であった。得られた積層体をpH
1.4のスルファミン酸水溶液に2分間浸漬した後、水
洗、乾燥後表面抵抗を測定したところ、表面抵抗および
外観の変化は無かった。
【0032】実施例5 可視光線透過率89%、100μm厚みのPETの片面
に実施例2と同じ方法で銀薄膜を厚さ10nm形成し、
その上に酸化窒化珪素を厚さ20nm形成した。得られ
た積層体の可視光線透過率85%、表面抵抗は10Ω/
□、赤外線反射率は90%であった。得られた積層体を
pH2.0のスルファミン酸水溶液に2分間浸漬した
後、水洗、乾燥後表面抵抗を測定したところ、表面抵抗
および外観の変化は無かった。
に実施例2と同じ方法で銀薄膜を厚さ10nm形成し、
その上に酸化窒化珪素を厚さ20nm形成した。得られ
た積層体の可視光線透過率85%、表面抵抗は10Ω/
□、赤外線反射率は90%であった。得られた積層体を
pH2.0のスルファミン酸水溶液に2分間浸漬した
後、水洗、乾燥後表面抵抗を測定したところ、表面抵抗
および外観の変化は無かった。
【0033】実施例6 可視光線透過率89%、100μm厚みのPETの片面
に実施例2と同様にDCマグネトロンスパッタリングを
用いた反応性スパッタリングパッタにより第1層として
酸化窒化珪素を厚さ20nm形成し、第2層としてアル
ゴンガス中でチ タンを1nm、その上に銀薄膜を10
nm積層した金属層を形成し、更に第3層 として酸化
窒化珪素を厚さ20nm形成した。得られた積層体の可
視光線透過率65%、表面抵抗は10Ω/□、赤外線反
射率は90%であった。得られた積層体をpH1.4の
塩酸水溶液に2分間浸漬した後、水洗、乾燥後、表面抵
抗を測定したところ10Ω/□であり、可視光線透過率
65%であり、表面抵抗、可視光線透過率の変化はなか
った。また、変色等の外観変化も無かった。
に実施例2と同様にDCマグネトロンスパッタリングを
用いた反応性スパッタリングパッタにより第1層として
酸化窒化珪素を厚さ20nm形成し、第2層としてアル
ゴンガス中でチ タンを1nm、その上に銀薄膜を10
nm積層した金属層を形成し、更に第3層 として酸化
窒化珪素を厚さ20nm形成した。得られた積層体の可
視光線透過率65%、表面抵抗は10Ω/□、赤外線反
射率は90%であった。得られた積層体をpH1.4の
塩酸水溶液に2分間浸漬した後、水洗、乾燥後、表面抵
抗を測定したところ10Ω/□であり、可視光線透過率
65%であり、表面抵抗、可視光線透過率の変化はなか
った。また、変色等の外観変化も無かった。
【0034】実施例7 可視光線透過率89%、50μm厚みのポリエーテルス
ルフォン(PES)の片面に高周波イオンプレーティン
グより窒化珪素(厚み30nm)/銀+金3重量%から
なる金属層(厚み10nm)/窒化珪素(厚み30n
m)からなる積層体を形成した。得られた積層体の可視
光線透過率86%、表面抵抗は10Ω/□、赤外線反射
率は90%であった。得られた積層体をpH2の硝酸水
溶液に2分間浸漬した後、水洗、乾燥後表面抵抗を測定
したところ10Ω/□であり、変色も無かった。
ルフォン(PES)の片面に高周波イオンプレーティン
グより窒化珪素(厚み30nm)/銀+金3重量%から
なる金属層(厚み10nm)/窒化珪素(厚み30n
m)からなる積層体を形成した。得られた積層体の可視
光線透過率86%、表面抵抗は10Ω/□、赤外線反射
率は90%であった。得られた積層体をpH2の硝酸水
溶液に2分間浸漬した後、水洗、乾燥後表面抵抗を測定
したところ10Ω/□であり、変色も無かった。
【0035】実施例8 実施例1と同様のPETの片面に反応性DCマグネトロ
ンスパッタリングにより、第1層として窒化インジウム
を厚さ20nm形成し、第2層として銀薄膜を厚さ12
nm形成し、更に第3層として窒化珪素を厚さ40nm
形成した。得られた積層体の可視光線透過率78%、表
面抵抗は 7Ω/□、赤外線反射率は90%であった。
得られた積層体をpH1の硫酸水溶液に1分間浸漬した
後、水洗、乾燥後表面抵抗を測定したところ7Ω/□で
あり、変化は無かった。また積層体面にに変色は無かっ
た。
ンスパッタリングにより、第1層として窒化インジウム
を厚さ20nm形成し、第2層として銀薄膜を厚さ12
nm形成し、更に第3層として窒化珪素を厚さ40nm
形成した。得られた積層体の可視光線透過率78%、表
面抵抗は 7Ω/□、赤外線反射率は90%であった。
得られた積層体をpH1の硫酸水溶液に1分間浸漬した
後、水洗、乾燥後表面抵抗を測定したところ7Ω/□で
あり、変化は無かった。また積層体面にに変色は無かっ
た。
【0036】実施例9 可視光線透過率89%、125μm厚みのPET上に高
周波イオンプレ−ティングにより窒化珪素(厚み30n
m)/銀(厚み12nm)/窒化珪素(厚み70nm)
/銀(厚み10nm)/窒化珪素(厚み30nm)から
なる積層体を形成した。得られた積層体の可視光線透過
率82%、表面抵抗は6Ω/□、赤外線反射率は95%
であった。形成された積層体に接地用電極をつけ、その
電極から接地を行い、電磁波シールド用フィルターとし
て使用したところ、、20dB以上の減衰量があった。
周波イオンプレ−ティングにより窒化珪素(厚み30n
m)/銀(厚み12nm)/窒化珪素(厚み70nm)
/銀(厚み10nm)/窒化珪素(厚み30nm)から
なる積層体を形成した。得られた積層体の可視光線透過
率82%、表面抵抗は6Ω/□、赤外線反射率は95%
であった。形成された積層体に接地用電極をつけ、その
電極から接地を行い、電磁波シールド用フィルターとし
て使用したところ、、20dB以上の減衰量があった。
【0037】実施例10 可視光線透過率88%、50μm厚みのPET上に窒化
珪素(厚み30nm)/銀(厚み10nm)/窒化珪素
(厚み60nm)/銀(厚み10nm)/窒化珪素(厚
み60nm)/銀(厚み10nm)/窒化珪素(厚み3
0nm)からなる積層体をDCマグネトロンスパッタリ
ングにより堆積させ、透明導電フィルムを形成した。得
られた積層体の可視光線透過率70%、表面抵抗は4Ω
/□、赤外線反射率は96%であった。得られた積層体
を、2枚の0.38mm厚みのポリビニルブチラ−ルに
挟み込み、3mm厚み2枚のガラス板に挟み込み、合わ
せガラスを作製した。この合わせガラスを60℃、相対
湿度85%の高温高湿の雰囲気中で500時間処理した
が、スパッタ層の白化等の異常は無かった。
珪素(厚み30nm)/銀(厚み10nm)/窒化珪素
(厚み60nm)/銀(厚み10nm)/窒化珪素(厚
み60nm)/銀(厚み10nm)/窒化珪素(厚み3
0nm)からなる積層体をDCマグネトロンスパッタリ
ングにより堆積させ、透明導電フィルムを形成した。得
られた積層体の可視光線透過率70%、表面抵抗は4Ω
/□、赤外線反射率は96%であった。得られた積層体
を、2枚の0.38mm厚みのポリビニルブチラ−ルに
挟み込み、3mm厚み2枚のガラス板に挟み込み、合わ
せガラスを作製した。この合わせガラスを60℃、相対
湿度85%の高温高湿の雰囲気中で500時間処理した
が、スパッタ層の白化等の異常は無かった。
【0038】実施例11 実施例1と同様のPETの片面に高周波イオンプレ−テ
ィングより第1層として窒化インジウムを厚さ20nm
形成し、第2層として銀薄膜を厚さ12nm形成し、更
に第3層として窒化珪素を厚さ40nm形成した。得ら
れた積層体の可視光線透過率81%、表面抵抗は 7Ω
/□、赤外線反射率は90%であった。同法により該積
層体の積層物が積層されていないPET面上に窒化珪素
を厚さ30nmを形成し、さらにその上に、酸化珪素を
30積層し、積層体を得た。得られた積層体の可視光線
透過率87%、表面抵抗は 7Ω/□、赤外線反射率は
90%であった。得られた積層体に接地用電極をつけ、
その電極から接地を行い、電磁波シールド用フィルター
として使用したところ、、20dB以上の減衰量があっ
た。
ィングより第1層として窒化インジウムを厚さ20nm
形成し、第2層として銀薄膜を厚さ12nm形成し、更
に第3層として窒化珪素を厚さ40nm形成した。得ら
れた積層体の可視光線透過率81%、表面抵抗は 7Ω
/□、赤外線反射率は90%であった。同法により該積
層体の積層物が積層されていないPET面上に窒化珪素
を厚さ30nmを形成し、さらにその上に、酸化珪素を
30積層し、積層体を得た。得られた積層体の可視光線
透過率87%、表面抵抗は 7Ω/□、赤外線反射率は
90%であった。得られた積層体に接地用電極をつけ、
その電極から接地を行い、電磁波シールド用フィルター
として使用したところ、、20dB以上の減衰量があっ
た。
【0039】実施例12 実施例1で形成した積層体の最外層の窒化珪素の上に高
周波マグネトロンスパッタリング法で酸化珪素を厚さ4
0nm形成した。得られた積層体の可視光線透過率90
%、表面抵抗は10Ω/□、赤外線反射率は90%であ
った。
周波マグネトロンスパッタリング法で酸化珪素を厚さ4
0nm形成した。得られた積層体の可視光線透過率90
%、表面抵抗は10Ω/□、赤外線反射率は90%であ
った。
【0040】比較例1 可視光線透過率89%、100μm厚みのPETの片面
に実施例1と同様にいDCマグネトロンスパッタリング
を用いた反応性スパッタリングパッタにより第1層とし
て酸化インジウムを厚さ20nm形成し、第2層として
アルゴンガス中で銀薄膜を厚さ10nm形成し、更に第
3層として酸化インジウムを厚さ20nm形成した。
に実施例1と同様にいDCマグネトロンスパッタリング
を用いた反応性スパッタリングパッタにより第1層とし
て酸化インジウムを厚さ20nm形成し、第2層として
アルゴンガス中で銀薄膜を厚さ10nm形成し、更に第
3層として酸化インジウムを厚さ20nm形成した。
【0041】銀薄膜上に酸化インジウムを形成するとき
は、銀薄膜の酸化防止、マイグレーション防止の為、ア
ルゴン及び酸素ガスの他に窒素ガスおよび水素ガスを導
入して積層体を形成した。得られた積層体の可視光線透
過率87%、表面抵抗は10Ω/□、赤外線反射率は9
0%であった。得られた積層体をpH1.4のスルファ
ミン酸水溶液に2分間浸漬した後、水洗、乾燥後表面抵
抗を測定したところ100Ω/□まで上昇しており、部
分的に白く変色が発生していた。
は、銀薄膜の酸化防止、マイグレーション防止の為、ア
ルゴン及び酸素ガスの他に窒素ガスおよび水素ガスを導
入して積層体を形成した。得られた積層体の可視光線透
過率87%、表面抵抗は10Ω/□、赤外線反射率は9
0%であった。得られた積層体をpH1.4のスルファ
ミン酸水溶液に2分間浸漬した後、水洗、乾燥後表面抵
抗を測定したところ100Ω/□まで上昇しており、部
分的に白く変色が発生していた。
【0042】比較例2 実施例1と同様のPETの片面に実施例1で用いた反応
性スパッタリングを用いて、酸化インジウム(厚み30
nm)/銀薄膜(厚み10nm)/酸化インジウム(厚
み70nm)/銀薄膜(厚み10nm)/酸化インジウ
ム(厚み30nm)からなる積層体を形成した。銀薄膜
上に酸化インジウムを形成するときは、銀薄膜の酸化防
止、マイグレーション防止の為、アルゴン及び酸素ガス
の他に窒素ガスおよび水素ガスを導入して積層体を形成
した。
性スパッタリングを用いて、酸化インジウム(厚み30
nm)/銀薄膜(厚み10nm)/酸化インジウム(厚
み70nm)/銀薄膜(厚み10nm)/酸化インジウ
ム(厚み30nm)からなる積層体を形成した。銀薄膜
上に酸化インジウムを形成するときは、銀薄膜の酸化防
止、マイグレーション防止の為、アルゴン及び酸素ガス
の他に窒素ガスおよび水素ガスを導入して積層体を形成
した。
【0043】得られた積層体の可視光線透過率84%、
表面抵抗は7Ω/□、赤外線反射率は95%であった。
得られた積層体を実施例8と同様にして合わせガラスを
作製し、同様の方法で評価したところ、端面部より白化
が生じ、積層体内部へ白化が進行し、耐久性が悪かっ
た。
表面抵抗は7Ω/□、赤外線反射率は95%であった。
得られた積層体を実施例8と同様にして合わせガラスを
作製し、同様の方法で評価したところ、端面部より白化
が生じ、積層体内部へ白化が進行し、耐久性が悪かっ
た。
【0044】比較例3 可視光線透過率88%、50μm厚みのPETフィルム
上に、酸化インジウム(厚み30nm)/銀薄膜(厚み
10nm)/酸化インジウム(厚み60nm)/銀薄膜
(厚み10nm)/酸化インジウム(厚み60nm)/
銀薄膜(厚み10nm)/酸化インジウム(厚み30n
m)からなる積層体をDCマグネトロンスパッタにより
堆積させ透明導電フィルムを形成した。得られた積層体
の可視光線透過率70%、表面抵抗は4Ω/□、赤外線
反射率は96%であった。得られた積層体を、2枚の
0.38mm厚みのポリビニルブチラ−ルに挟み込み、
3mm厚み2枚のガラス板に挟み込み、合わせガラスを
作製した。この合わせガラスを60℃、相対湿度85%
の高温高湿の雰囲気中で500時間処理した。端面部よ
り白化が生じ、積層体内部へ白化が進行し、耐久性が悪
かった。
上に、酸化インジウム(厚み30nm)/銀薄膜(厚み
10nm)/酸化インジウム(厚み60nm)/銀薄膜
(厚み10nm)/酸化インジウム(厚み60nm)/
銀薄膜(厚み10nm)/酸化インジウム(厚み30n
m)からなる積層体をDCマグネトロンスパッタにより
堆積させ透明導電フィルムを形成した。得られた積層体
の可視光線透過率70%、表面抵抗は4Ω/□、赤外線
反射率は96%であった。得られた積層体を、2枚の
0.38mm厚みのポリビニルブチラ−ルに挟み込み、
3mm厚み2枚のガラス板に挟み込み、合わせガラスを
作製した。この合わせガラスを60℃、相対湿度85%
の高温高湿の雰囲気中で500時間処理した。端面部よ
り白化が生じ、積層体内部へ白化が進行し、耐久性が悪
かった。
【0045】比較例4 実施例1と同様のPETの片面に第1層として、酸化チ
タンをイソプロピルアルコ−ルで希釈したテトラブチル
チタネ−トを塗布し、100℃で5分間加熱することに
より設けた。この上に第2層としてDCマグネトロンス
パッタリングにより銀薄膜層(厚み10nm)を設け、
更に第3層として第1層と同様に酸化チタン(厚み30
nm)からなる積層体を形成した。得られた積層体の可
視光線透過率80%、表面抵抗は15Ω/□、赤外線反
射率は90%であった。得られた積層体を実施例8と同
様の方法で評価したところ、端面部より白化が生じ、耐
久性が悪かった。
タンをイソプロピルアルコ−ルで希釈したテトラブチル
チタネ−トを塗布し、100℃で5分間加熱することに
より設けた。この上に第2層としてDCマグネトロンス
パッタリングにより銀薄膜層(厚み10nm)を設け、
更に第3層として第1層と同様に酸化チタン(厚み30
nm)からなる積層体を形成した。得られた積層体の可
視光線透過率80%、表面抵抗は15Ω/□、赤外線反
射率は90%であった。得られた積層体を実施例8と同
様の方法で評価したところ、端面部より白化が生じ、耐
久性が悪かった。
【0046】
【発明の効果】以上の実施例ならびに比較例から明らか
なように、本発明によって、製造工程が改善され、かつ
信頼性の高い透明導電膜または選択光線透過膜の製造が
可能となった。
なように、本発明によって、製造工程が改善され、かつ
信頼性の高い透明導電膜または選択光線透過膜の製造が
可能となった。
【図1】本発明の好ましい構成を示す断面図
【図2】本発明の好ましい構成を示す断面図
【図3】本発明の好ましい構成を示す断面図
【図4】本発明の好ましい構成を示す断面図
【図5】本発明の好ましい構成を示す断面図
【図6】本発明の好ましい構成を示す断面図
1 透明基板 2 金属薄膜層 3 透明薄膜層 4 高屈折率透明薄膜層 5 低屈折率透明薄膜層
Claims (24)
- 【請求項1】 透明基板の少なくとも片面に、窒化物及
び/または炭化物からなる透明薄膜層と実質的に透光性
の金属層とを少なくとも各一層ずつ積層したことを特徴
とする積層体。 - 【請求項2】 前記透明薄膜層が、窒化インジウム、窒
化ガリウム、窒化珪素、窒化スズ、窒化硼素、炭化珪
素、アモルファスカーボン、ダイヤモンド状カーボンの
うち少なくとも1種からなる高屈折率透明薄膜である、
請求項1記載の透明積層体。 - 【請求項3】 前記透明薄膜層が、一部酸化されている
高屈折率透明薄膜からなる請求項1記載の透明積層体。 - 【請求項4】 前記透明薄膜層が、一部水素化されてい
る高屈折率透明薄膜からなる請求高1記載の透明積層
体。 - 【請求項5】 前記透明基板の少なくとも片面に前記透
明薄膜層/前記金属層/前記透明薄膜層の順に積層され
ている、請求項1記載の透明積層体。 - 【請求項6】 前記透明基板の少なくとも片面に前記透
明薄膜層/前記金属層/前記透明薄膜層/前記金属層/
前記透明薄膜層の順に積層されている、請求項1記載の
透明積層体。 - 【請求項7】 前記透明基板の少なくとも片面に前記透
明薄膜層/前記金属層/前記透明薄膜層/前記金属層/
前記透明薄膜層/前記金属層/前記透明薄膜層の順に積
層されている、請求項1記載の透明積層体。 - 【請求項8】 前記金属層が、銀または銀を主成分とす
る薄膜層である、請求項1、5、6または7のいずれか
1項に記載の透明積層体。 - 【請求項9】 前記金属層が、銀薄膜層と銀以外の金属
を主成分とする薄膜層とを積層させたものである、請求
項1、5、6または7のいずれか1項に記載の透明積層
体。 - 【請求項10】 前記金属層が、銀を主成分とする薄膜
層と銀以外の金属を主成分とする薄膜層とを積層させた
ものである、請求項1、5、6または7のいずれか1項
に記載の透明積層体。 - 【請求項11】 前記透明薄膜層の最外透明薄膜層が外
側を低屈折率層その内側を高屈折率層からなる請求項
1、5、6または7のいずれか1項に記載の透明積層
体。 - 【請求項12】 前記透明薄膜層において最外の透明薄
膜層が高屈折率層と低屈折率層からなり、該低屈折率層
が最外に設けられた透明積層体において、該高屈折率層
が高屈折率1.6以上の窒化物、炭化物、酸窒化物また
は酸窒化炭化物からなる、請求項11項に記載の透明積
層体。 - 【請求項13】 前記透明薄膜層において最外の透明薄
膜層が高屈折率層と低屈折率層からなり、該低屈折率層
が最外に設けられた透明積層体において、高屈折率層が
窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化珪素、窒化スズ、
窒化硼素、炭化珪素、アモルファスカーボンまたはダイ
ヤモンド状カーボンのうち少なくとも1種からなる、請
求項13項に記載の透明積層体。 - 【請求項14】 前記透明薄膜層において最外の透明薄
膜層が高屈折率層と低屈折率層からなり、該低屈折率層
が最外に設けられた透明積層体において、低屈折率層が
屈折率1.55以下の酸窒化物、フッ化物、酸化物のう
ち少なくとも1種からなる、請求項11項に記載の透明
積層体。 - 【請求項15】 前記透明薄膜層において最外の透明薄
膜層が高屈折率層と低屈折率層からなり、該低屈折率層
が最外に設けられた透明積層体において、低屈折率層が
酸化珪素、フッ化マグネシウム、屈折率1.55以下の
酸窒化珪素のうち少なくとも1種からなる、請求項14
項に記載の透明積層体。 - 【請求項16】 透明基板の片面に、窒化物及び/また
は炭化物からなる透明薄膜層と実質的に透光性の金属層
とを少なくとも各一層ずつ積層した積層体または、透明
基板の少なくとも片面に透明薄膜層/金属層/透明薄膜
層の順に積層した積層体または、透明基板の片面に透明
薄膜層/金属層/透明薄膜層/金属層/透明薄膜層の順
に積層した透明積層体または、透明基板の片面に透明薄
膜層/金属層/透明薄膜層/金属層/透明薄膜層/金属
層/透明薄膜層の順に積層した透明積層体のいずれかの
透明積層体において積層物が積層されていない透明基板
面に透明基板より高屈折率層次いで低屈折率層からなる
透明薄膜層が形成されたことを特徴とする透明積層体。 - 【請求項17】 前記積層体の高屈折率層次いで低屈折
率層からなる透明薄膜層において高屈折率層が屈折率
1.6以上の窒化物、炭化物、酸化物または硫化物のう
ち少なくとも1種からなる、請求項16に記載の透明積
層体。 - 【請求項18】 前記積層体の高屈折率層次いで低屈折
率層からなる透明薄膜層において高屈折率層が屈折率
1.6以上の窒化物、炭化物、酸化物または硫化物のう
ち少なくとも1種から選ばれた屈折率の異なる透明薄膜
層を少なくとも2層以上含むことからなる、請求項1
6、17のいずれ1項に記載の透明積層体。 - 【請求項19】 前記積層体の高屈折率層次いで低屈折
率層からなる透明薄膜層において、高屈折率層が窒化イ
ンジウム、窒化ガリウム、窒化珪素、窒化スズ、窒化硼
素、炭化珪素、アモルファスカーボン、ダイヤモンド状
カーボン、酸窒化インジウム、酸窒化ガリウム、酸窒化
珪素、酸窒化スズ、酸窒化硼素、酸窒化炭化珪素、酸化
インジウム、酸化スズ、酸化インジウム・スズ(IT
O)、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウ
ム、酸化トリウム、酸化ランタン、酸化ネオジウム、酸
化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化ビスマスまたは酸
化硫化亜鉛のうち少なくとも1種からなる、請求項17
または18のいずれか1項に記載の透明積層体。 - 【請求項20】 前記積層体の高屈折率層次いで低屈折
率層からなる透明薄層において低屈折率層が酸化物、フ
ッ化物または屈折率1.55以下の酸窒化物のうち少な
くとも1種からなる、請求項16項に記載の透明積層
体。 - 【請求項21】 前記積層体の高屈折率層次いで低屈折
率層からなる透明薄層において低屈折率層が酸化珪素、
珪素、フッ化マグネシウムまたは屈折率1.55以下の
酸窒化珪素のうち少なくとも1種からなる、請求項20
項に記載の透明積層体。 - 【請求項22】 前記金属層が、銀または銀を主成分と
する薄膜層とである請求項16項に記載の透明積層体。 - 【請求項23】 前記金属層が、銀薄膜層と銀以外の金
属を主成分とする薄膜層とを積層させたものである、請
求項16項に記載の透明積層体。 - 【請求項24】 前記金属層が、銀を主成分とする薄膜
層と銀以外の金属を主成分とする薄膜層とを積層させた
ものである、請求項16項に記載の透明積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6006788A JPH06278244A (ja) | 1993-01-29 | 1994-01-26 | 積層体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-13262 | 1993-01-29 | ||
| JP1326293 | 1993-01-29 | ||
| JP6006788A JPH06278244A (ja) | 1993-01-29 | 1994-01-26 | 積層体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06278244A true JPH06278244A (ja) | 1994-10-04 |
Family
ID=26340993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6006788A Pending JPH06278244A (ja) | 1993-01-29 | 1994-01-26 | 積層体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06278244A (ja) |
Cited By (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08238710A (ja) * | 1994-12-23 | 1996-09-17 | Saint Gobain Vitrage | 透明基材及びその製造方法 |
| JP2000098131A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-07 | Nitto Denko Corp | プラズマディスプレイパネル用フィルター |
| JP2000158578A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-13 | Mitsui Chemicals Inc | 透明積層体及びそれを用いたディスプレイ用フィルター |
| JP2001164382A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-19 | Osaka Prefecture | 導電性光選択透過シート |
| US6350397B1 (en) | 1999-03-10 | 2002-02-26 | Aspen Research Corporation | Optical member with layer having a coating geometry and composition that enhance cleaning properties |
| JP2003057567A (ja) * | 2001-08-16 | 2003-02-26 | Sony Corp | 光学多層構造体、光スイッチング素子およびその製造方法、並びに画像表示装置 |
| JP2006184849A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-07-13 | Toppan Printing Co Ltd | 反射防止積層体、光学機能性フィルタ、光学表示装置および光学物品 |
| JP2008077102A (ja) * | 2007-11-02 | 2008-04-03 | Asahi Glass Co Ltd | 表示装置用反射防止機能付フィルターの製造方法 |
| WO2008078422A1 (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-03 | Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd. | 透明導電膜形成用組成物、透明導電膜及びディスプレイ |
| JP2009045752A (ja) * | 2007-08-14 | 2009-03-05 | Innovation & Infinity Global Corp | 透過可能な表面導電層を有する低抵抗光減衰反射防止塗布層構造及びその作製方法 |
| JP2009045751A (ja) * | 2007-08-14 | 2009-03-05 | Innovation & Infinity Global Corp | 透過可能な表面導電層を有する低抵抗光減衰反射防止塗布層構造及びその作製方法 |
| WO2009069695A1 (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Kaneka Corporation | 透明導電膜およびその製造方法 |
| JP2009135003A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Kaneka Corp | 透明導電膜とその製造方法 |
| JP2009282255A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Innovation & Infinity Global Corp | 青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止コーティング層構造及びその作製方法 |
| JP2012042726A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Nippon Shinku Kogaku Kk | テラヘルツ帯光学素子 |
| JP2012044231A (ja) * | 2011-11-30 | 2012-03-01 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JP2012138230A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Dowa Holdings Co Ltd | 透明導電薄膜 |
| JP2012138228A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Dowa Holdings Co Ltd | 透明導電薄膜およびその製造方法 |
| JP2013509602A (ja) * | 2009-10-28 | 2013-03-14 | ショット アクチエンゲゼルシャフト | 特に表示装置のための装置 |
| WO2013157515A1 (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-24 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電性フィルムの製造方法、透明導電性フィルム、及び、電子デバイス |
| WO2013172225A1 (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-21 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極の製造方法 |
| JP2013244672A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Toray Advanced Film Co Ltd | 赤外線反射積層体及びその製造方法 |
| WO2014010433A1 (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-16 | コニカミノルタ株式会社 | タッチパネル用透明電極、タッチパネル、および表示装置 |
| WO2014103573A1 (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-03 | コニカミノルタ株式会社 | タッチパネル用透明電極、タッチパネル、表示装置、およびタッチパネル用透明電極の製造方法 |
| WO2015025525A1 (ja) * | 2013-08-23 | 2015-02-26 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電体 |
| WO2015037182A1 (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-19 | ロック技研工業株式会社 | 透明導電性基材及び透明導電性基材の製造方法 |
| WO2015053371A1 (ja) * | 2013-10-09 | 2015-04-16 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電体 |
| WO2015194320A1 (ja) * | 2014-06-17 | 2015-12-23 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電体及びタッチパネル |
| JP2017526972A (ja) * | 2014-08-27 | 2017-09-14 | コーニング精密素材株式会社Corning Precision Materials Co., Ltd. | ディスプレイ装置用基板 |
| JP2018161771A (ja) * | 2017-03-24 | 2018-10-18 | 住友理工株式会社 | 光学積層体 |
| WO2018191817A1 (en) | 2017-04-17 | 2018-10-25 | The Governing Council Of The University Of Toronto | Energy control coatings, structures, devices, and methods of fabrication thereof |
| KR20180132302A (ko) * | 2017-06-02 | 2018-12-12 | 코오롱글로벌 주식회사 | 적외선 반사 다층막을 구비한 기재, 및 적외선 반사 다층막을 구비한 기재의 제조방법 |
| CN111712003A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-09-25 | 佛山(华南)新材料研究院 | 一种低压红外电热膜及其制备方法 |
| JP2020532451A (ja) * | 2017-09-27 | 2020-11-12 | エルジー・ケム・リミテッド | ウィンドウフィルム |
| JPWO2021157373A1 (ja) * | 2020-02-04 | 2021-08-12 |
-
1994
- 1994-01-26 JP JP6006788A patent/JPH06278244A/ja active Pending
Cited By (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08238710A (ja) * | 1994-12-23 | 1996-09-17 | Saint Gobain Vitrage | 透明基材及びその製造方法 |
| JP2000098131A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-07 | Nitto Denko Corp | プラズマディスプレイパネル用フィルター |
| JP2000158578A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-13 | Mitsui Chemicals Inc | 透明積層体及びそれを用いたディスプレイ用フィルター |
| US6350397B1 (en) | 1999-03-10 | 2002-02-26 | Aspen Research Corporation | Optical member with layer having a coating geometry and composition that enhance cleaning properties |
| JP2001164382A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-19 | Osaka Prefecture | 導電性光選択透過シート |
| JP2003057567A (ja) * | 2001-08-16 | 2003-02-26 | Sony Corp | 光学多層構造体、光スイッチング素子およびその製造方法、並びに画像表示装置 |
| JP2006184849A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-07-13 | Toppan Printing Co Ltd | 反射防止積層体、光学機能性フィルタ、光学表示装置および光学物品 |
| WO2008078422A1 (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-03 | Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd. | 透明導電膜形成用組成物、透明導電膜及びディスプレイ |
| JP2008165984A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-17 | Jiemuko:Kk | 透明導電膜形成用組成物、透明導電膜及びディスプレイ |
| JP2009045752A (ja) * | 2007-08-14 | 2009-03-05 | Innovation & Infinity Global Corp | 透過可能な表面導電層を有する低抵抗光減衰反射防止塗布層構造及びその作製方法 |
| JP2009045751A (ja) * | 2007-08-14 | 2009-03-05 | Innovation & Infinity Global Corp | 透過可能な表面導電層を有する低抵抗光減衰反射防止塗布層構造及びその作製方法 |
| JP2008077102A (ja) * | 2007-11-02 | 2008-04-03 | Asahi Glass Co Ltd | 表示装置用反射防止機能付フィルターの製造方法 |
| WO2009069695A1 (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Kaneka Corporation | 透明導電膜およびその製造方法 |
| JP2009135003A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Kaneka Corp | 透明導電膜とその製造方法 |
| JP2009282255A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Innovation & Infinity Global Corp | 青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止コーティング層構造及びその作製方法 |
| JP2013509602A (ja) * | 2009-10-28 | 2013-03-14 | ショット アクチエンゲゼルシャフト | 特に表示装置のための装置 |
| JP2012042726A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Nippon Shinku Kogaku Kk | テラヘルツ帯光学素子 |
| JP2012138230A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Dowa Holdings Co Ltd | 透明導電薄膜 |
| JP2012138228A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Dowa Holdings Co Ltd | 透明導電薄膜およびその製造方法 |
| JP2012044231A (ja) * | 2011-11-30 | 2012-03-01 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| WO2013157515A1 (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-24 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電性フィルムの製造方法、透明導電性フィルム、及び、電子デバイス |
| CN104246918A (zh) * | 2012-04-19 | 2014-12-24 | 柯尼卡美能达株式会社 | 透明导电性膜的制造方法、透明导电性膜及电子器件 |
| WO2013172225A1 (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-21 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極の製造方法 |
| JP2013244672A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Toray Advanced Film Co Ltd | 赤外線反射積層体及びその製造方法 |
| WO2014010433A1 (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-16 | コニカミノルタ株式会社 | タッチパネル用透明電極、タッチパネル、および表示装置 |
| JPWO2014010433A1 (ja) * | 2012-07-11 | 2016-06-23 | コニカミノルタ株式会社 | タッチパネル用透明電極、タッチパネル、および表示装置 |
| WO2014103573A1 (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-03 | コニカミノルタ株式会社 | タッチパネル用透明電極、タッチパネル、表示装置、およびタッチパネル用透明電極の製造方法 |
| JPWO2014103573A1 (ja) * | 2012-12-26 | 2017-01-12 | コニカミノルタ株式会社 | タッチパネル用透明電極、タッチパネル、表示装置、およびタッチパネル用透明電極の製造方法 |
| WO2015025525A1 (ja) * | 2013-08-23 | 2015-02-26 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電体 |
| JPWO2015025525A1 (ja) * | 2013-08-23 | 2017-03-02 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電体 |
| WO2015037182A1 (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-19 | ロック技研工業株式会社 | 透明導電性基材及び透明導電性基材の製造方法 |
| JPWO2015037182A1 (ja) * | 2013-09-10 | 2017-03-02 | ロック技研工業株式会社 | 透明導電性基材及び透明導電性基材の製造方法 |
| WO2015053371A1 (ja) * | 2013-10-09 | 2015-04-16 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電体 |
| WO2015194320A1 (ja) * | 2014-06-17 | 2015-12-23 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電体及びタッチパネル |
| JPWO2015194320A1 (ja) * | 2014-06-17 | 2017-04-20 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電体及びタッチパネル |
| JP2017526972A (ja) * | 2014-08-27 | 2017-09-14 | コーニング精密素材株式会社Corning Precision Materials Co., Ltd. | ディスプレイ装置用基板 |
| JP2018161771A (ja) * | 2017-03-24 | 2018-10-18 | 住友理工株式会社 | 光学積層体 |
| WO2018191817A1 (en) | 2017-04-17 | 2018-10-25 | The Governing Council Of The University Of Toronto | Energy control coatings, structures, devices, and methods of fabrication thereof |
| KR20200008558A (ko) * | 2017-04-17 | 2020-01-28 | 3이 나노 인크. | 에너지 컨트롤 코팅, 구조체, 장치 및 그의 제조 방법 |
| CN111051929A (zh) * | 2017-04-17 | 2020-04-21 | 3E纳诺公司 | 能量控制涂层、结构、装置及其制造方法 |
| JP2020518033A (ja) * | 2017-04-17 | 2020-06-18 | スリーイー ナノ インコーポレーテッド | エネルギー制御コーティング構造、装置、及びそれらの製造方法 |
| US11472373B2 (en) | 2017-04-17 | 2022-10-18 | 3E Nano Inc. | Energy control coatings, structures, devices, and methods of fabrication thereof |
| JP2023126975A (ja) * | 2017-04-17 | 2023-09-12 | スリーイー ナノ インコーポレーテッド | エネルギー制御コーティング構造、装置、及びそれらの製造方法 |
| EP3612867B1 (en) * | 2017-04-17 | 2025-02-26 | 3e Nano Inc. | Energy control coatings, structures, devices, and methods of fabrication thereof |
| KR20180132302A (ko) * | 2017-06-02 | 2018-12-12 | 코오롱글로벌 주식회사 | 적외선 반사 다층막을 구비한 기재, 및 적외선 반사 다층막을 구비한 기재의 제조방법 |
| JP2020532451A (ja) * | 2017-09-27 | 2020-11-12 | エルジー・ケム・リミテッド | ウィンドウフィルム |
| JPWO2021157373A1 (ja) * | 2020-02-04 | 2021-08-12 | ||
| WO2021157373A1 (ja) * | 2020-02-04 | 2021-08-12 | 三井金属鉱業株式会社 | キャリア付金属箔 |
| US12247280B2 (en) | 2020-02-04 | 2025-03-11 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Metal foil with carrier |
| CN111712003A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-09-25 | 佛山(华南)新材料研究院 | 一种低压红外电热膜及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4786783A (en) | Electrically heatable laminated window | |
| JP7682371B2 (ja) | 膜付きガラスおよび合わせガラス | |
| US4782216A (en) | Electrically heatable laminated window | |
| CN103966560B (zh) | 红外线反射薄膜的制造方法 | |
| US11885174B2 (en) | Solar control coatings with quadruple metallic layers | |
| US8658289B2 (en) | Electromagnetic radiation shielding device | |
| US4450201A (en) | Multiple-layer heat barrier | |
| KR960000031B1 (ko) | 비정질 산화물 필름 및 표면상에 그러한 필름을 갖는 제품 | |
| EP0332717B1 (en) | Transparent laminated product | |
| JP4949609B2 (ja) | 日射コントロール被覆 | |
| JPH0370202B2 (ja) | ||
| KR20050084671A (ko) | 적외선 반사층 구조 | |
| KR20170036775A (ko) | 적외선 반사 기판 | |
| JP2016524585A (ja) | 低放射率および抗日射グレイジング | |
| BR112019012722A2 (pt) | revestimento de baixa emissividade para um substrato de vidro | |
| CN117105538B (zh) | 镀膜玻璃及其制备方法、夹层玻璃 | |
| JPS63206333A (ja) | 単板熱線反射ガラス | |
| CN103966559A (zh) | 红外线反射薄膜的制造方法 | |
| JP3392000B2 (ja) | 断熱ガラス | |
| JPH02111644A (ja) | 車輛用合せガラス | |
| JPH07325313A (ja) | 導電性積層体 | |
| CN115140949A (zh) | 一种低反射率低透过率low-e镀膜玻璃及制作方法 | |
| JPH06316443A (ja) | 紫外線吸収断熱ガラス | |
| JP2016533311A (ja) | 低放射率および抗日射グレイジング | |
| JPS63239043A (ja) | 赤外反射物品 |