JPH062783B2 - 新規な共役高分子材料の固相重合による製造方法 - Google Patents

新規な共役高分子材料の固相重合による製造方法

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JPH062783B2
JPH062783B2 JP2320342A JP32034290A JPH062783B2 JP H062783 B2 JPH062783 B2 JP H062783B2 JP 2320342 A JP2320342 A JP 2320342A JP 32034290 A JP32034290 A JP 32034290A JP H062783 B2 JPH062783 B2 JP H062783B2
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polymer material
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修司 岡田
宏雄 松田
篤 正木
八郎 中西
紀久子 平泉
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
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Agency of Industrial Science and Technology
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規な共役高分子材料の製造方法、詳しく
は、テトラアセチレン分子の結晶から二段階の固相重合
によりジ(ポリジアセチレン)類からなる材料を製造す
る方法に関するものである。
〔従来の技術〕
近年、電子材料、光材料、磁性材料等として、無機材料
に比べ、分子修飾の容易さ、材料化法の多様性等の長所
を有する有機材料を用いることが広く検討されている。
特にポリジアセチレン、ポリアセチレン、ポリチエニレ
ン、ポリ(p−フェニレンビニレン)等の共役高分子
は、導電性材料としての応用のみならず、最近では、将
来の光情報処理のための基幹材料として注目される、3
次の非線形光学材料としても期待されている。
共役高分子を製造する方法としては、従来、溶液中での
触媒による付加重合、酸化試薬による縮合重合、電気化
学的に縮合させる電解重合、可溶性前駆体からの脱離に
よる二重結合の生成、固相重合等が用いられてきた。
〔発明が解決しようとする課題点〕
従来用いられている共役高分子の製造方法では次のよう
な種々の課題点があった。
触媒による付加重合、酸化試薬による縮合重合、電気化
学的に縮合させる電解重合、可溶性前駆体からの脱離に
よる二重結合の生成等では、共役高分子の生成あるいは
その前駆体の生成の段階で溶媒を用いている。これらの
製造方法では溶媒中で高分子が生成し、高分子化に伴う
溶解度の減少によって、生成した重合体が凝集して沈澱
するが、このようにして得られた重合体は、その高分子
鎖の配向が無秩序である。種々の機能発現に直接寄与し
ている部分は共役高分子鎖であるため、それらからなる
材料の性能向上という観点からみると、共役高分子の主
鎖は一方向にそろっている方が望ましく、溶媒を用いた
重合は適切ではない。
一方、固相重合では、単量体の結晶構造をそのまま受け
継いで重合が進行するため、共役高分子鎖の配向をそろ
えることが可能である。しかしながら、この方法で得ら
れる共役高分子としては、ポリジアセチレンに限られて
おり、さらなる性能向上を目指した新規な共役高分子化
合物への展開はなされていなかった。
上述のように従来法では種々の課題点があるため、新規
な共役高分子からなり、しかも、共役高分子鎖が一方向
にそろった材料の製造方法の開発は、現在最も要求され
ているところである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者は、高分子鎖の配向が一方向に制御された共役
高分子材料を得ることが可能な固相重合法を用い、しか
も、新規な共役高分子を製造する方法を見い出すべく種
々検討を重ねた結果、本発明に到達したものである。
即ち、本発明は、新規な共役高分子材料の製造方法、詳
しくは、テトラアセチレン分子の結晶から二段階の固相
重合により、従来全く知られていなかった構造の共役高
分子ジ(ポリジアセチレン)類を製造する方法に関する
ものである。
〔作用〕
本発明において最も重要な点は、新規な共役高分子の合
成において固相重合法を用いることにより、材料中の共
役高分子鎖の配向を一方向にそろえることが可能であ
り、しかも、電子材料、光材料、磁性材料等として期待
されるジ(ポリジアセチレン)類を合成できる点であ
る。
次に本発明に係る新規な共役高分子材料の製造方法につ
いて述べる。
常法により合成されるテトラアセチレン化合物の結晶
は、まず、紫外線や可視光等の光線、あるいはX線やγ
線等の放射線の照射するか、その結晶を結晶の融点以下
の温度において加熱することにより第一段階目の重合を
行い、一般式 (式中 R及びR’は または y=0〜19、z=1〜9) で表される、一方にブタジイニレン基を有するポリジア
セチレン誘導体を、濃青色の結晶として得ることができ
る。いずれの条件においても重合は進行するが、この第
一段階目の反応を定量的に進行させるためには、20〜
50Mrad程度のγ線照射が適当である。
次に、得られた重合体を、さらに、紫外線や可視光等の
光線、あるいはX線やγ線等の放射線の照射するか、そ
の結晶を加熱することにより第二段階目の重合を行うこ
とにより、一般式 (式中 R及びR’は または y=0〜19、z=1〜9) で表される、ジ(ポリジアセチレン)誘導体が、暗赤褐
色の結晶として得られる。いずれの条件においても重合
は進行するが、この第二段階目の反応を定量的に進行さ
せるためには、100℃程度で12時間〜2日程度加熱
するか、200〜500Mrad程度のγ線照射が適当
である。
〔実施例〕
次に、実施例により本発明を説明する。
実施例1 15,17,19,21−ヘキサトリアコンタテトライ
ンの結晶を減圧下ガラス管中に封管し、60Coから発
生するγ線を30Mrad照射することにより、濃青色
の第一段階目の重合体が得られる。続いてγ線を300
Mrad照射することにより、暗赤褐色の第二段階目の
重合体が得られる。
元素分析値(C3253として) 計算値(%);C 86.80,H 13.20 実測値(%);C 86.50,H 12.91 実施例2 19,21,23,25−テトラテトラコンタテトライ
ンの結晶を減圧下ガラス管中に封管し、60Coから発
生するγ線を50Mrad照射することにより、濃青色
の第一段階目の重合体が得られる。続いてこのガラス管
を100℃で1日加熱することにより、暗赤褐色の第二
段階目の重合体が得られる。
元素分析値(C4074として) 計算値(%);C 86.56,H 13.44 実測値(%);C 86.27,H 13.16 実施例3 ヘキサデカ−5,7,9,11−テトライン−1,16
−ジオールのビス(N−(ブトキシカルボニルニメチレ
ン)カルバミン酸)エステルの結晶を減圧下ガラス管中
に封管し、60Coから発生するγ線を30Mrad照
射することにより、濃青色の第一段階目の重合体が得ら
れる。続いてこのガラス管を100℃で1日加熱するこ
とにより、暗赤褐色の第二段階目の重合体が得られる。
元素分析値(C3040として) 計算値(%);C 64.73,H 7.24,N 5.03 実測値(%);C 64.70,H 7.22,N 5.32 実施例4 ヘキサドコサー5,7,9,11−テトライン−1−オ
ールの(N−(エトキシカルボニルメチレン)カルバミ
ン酸)エステルの結晶を減圧下ガラス管中に封管し、
60Coから発生するγ線を30Mrad照射すること
により、濃青色の第一段階目の重合体が得られる。続い
てこのガラス管を100℃で12時間加熱することによ
り、暗赤褐色の第二段階目の重合体が得られる。
元素分析値(C3145NOとして) 計算値(%);C 75.11,H 9.15,N 2.83 実測値(%);C 74.82,H 8.89,N 2.85 〔効果〕 本発明に係る新規な共役高分子材料の製造方法は、前出
実施例に示した通り、新規な共役高分子であるジ(ポリ
ジアセチレン)類を固相重合により簡便に製造する方法
として好適である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 R−C≡C−C≡C−C≡C−C≡C−R’ (式中 R及びR’は または y=0〜19、z=1〜9) で表されるテトラアセチレン分子の結晶に、紫外線や可
    視光等の光線、あるいはX線やγ線等の放射線を照射す
    るか、またはその結晶を結晶の融点以下の温度において
    加熱することにより得られる、一般式 (式中 R及びR’は または y=0〜19、z=1〜9) で表される重合体に、さらに紫外線や可視光等の光線、
    あるいはX線やγ線等の放射線を照射するか、または加
    熱することにより得られる、一般式 (式中 R及びR’は または y=0〜19、z=1〜9) で表される重合体(以下ジ(ポリジアセチレン)とい
    う。)からなることを特徴とする共役高分子材料の製造
    方法。
JP2320342A 1990-11-22 1990-11-22 新規な共役高分子材料の固相重合による製造方法 Expired - Lifetime JPH062783B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0894501A (ja) * 1994-09-21 1996-04-12 Shunichi Muto 静電式微物採取装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0894501A (ja) * 1994-09-21 1996-04-12 Shunichi Muto 静電式微物採取装置

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JPH04189805A (ja) 1992-07-08

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