JPH0627946Y2 - 縦型薄膜気相成長装置のバレル型サセプタ装着ウエハ加熱部 - Google Patents
縦型薄膜気相成長装置のバレル型サセプタ装着ウエハ加熱部Info
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- JPH0627946Y2 JPH0627946Y2 JP4660288U JP4660288U JPH0627946Y2 JP H0627946 Y2 JPH0627946 Y2 JP H0627946Y2 JP 4660288 U JP4660288 U JP 4660288U JP 4660288 U JP4660288 U JP 4660288U JP H0627946 Y2 JPH0627946 Y2 JP H0627946Y2
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- Japan
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- thin film
- susceptor
- vapor phase
- wafer
- film vapor
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Links
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、縦型薄膜気相成長装置のチャンバー内に配置
されるバレル型サセプタに装着される半導体結晶ウエハ
に対する加熱部に関するものである。
されるバレル型サセプタに装着される半導体結晶ウエハ
に対する加熱部に関するものである。
［従来技術と問題点］ 半導体結晶ウエハに結晶薄膜を気相中で成長させる装置
として縦型の気相成長装置が知られている。
として縦型の気相成長装置が知られている。
第２図は従来の縦型薄膜気相成長装置の一部を示してい
る。図において６は成長室を形成するチャンバーの一部
を示している。回転駆動部７に連結された回転シャフト
１の先端にバレル型のサセプタ５が下側を開放して取り
付けられている。バレル型サセプタ５の横側外周面に半
導体結晶ウエハ４の装着部が形成され、前記下側が開放
したサセプタ５の内側面に近接してヒーター３、例えば
カーボンヒーターが配置される。このヒーター３は図示
していないが、サセプタ５の回転とは関係なく一定位置
に固定される。
る。図において６は成長室を形成するチャンバーの一部
を示している。回転駆動部７に連結された回転シャフト
１の先端にバレル型のサセプタ５が下側を開放して取り
付けられている。バレル型サセプタ５の横側外周面に半
導体結晶ウエハ４の装着部が形成され、前記下側が開放
したサセプタ５の内側面に近接してヒーター３、例えば
カーボンヒーターが配置される。このヒーター３は図示
していないが、サセプタ５の回転とは関係なく一定位置
に固定される。
原料はチャンバー６の上方より下方に流れ、低速で回転
し、ヒーター３よりエピタキシャル成長の適温に維持さ
れた半導体結晶ウエハ４上でエピタキシャル成長が生じ
る。なお回転駆動部７は、チャンバー６の外側にあり、
回転シャフト１はチャンバー壁面でシールを施して貫通
する。
し、ヒーター３よりエピタキシャル成長の適温に維持さ
れた半導体結晶ウエハ４上でエピタキシャル成長が生じ
る。なお回転駆動部７は、チャンバー６の外側にあり、
回転シャフト１はチャンバー壁面でシールを施して貫通
する。
上述の構成によるときは、ヒーター13からの熱エネルギ
ーはあらゆる方向へ拡がり、本来、加熱されるべきウエ
ハ４及びサセプタ５への熱の供給は少なく効率が悪い。
ーはあらゆる方向へ拡がり、本来、加熱されるべきウエ
ハ４及びサセプタ５への熱の供給は少なく効率が悪い。
また、回転シャフト１も加熱され、このシャフト１から
の熱伝導及びヒーター３からの輻射等によって回転駆動
部７のベアリング、ギア等が高温になり故障の原因とな
る。
の熱伝導及びヒーター３からの輻射等によって回転駆動
部７のベアリング、ギア等が高温になり故障の原因とな
る。
さらに、ヒーター３下部からの熱の逃げは大きく、サセ
プタ５上部の温度は高く、下部は低くなり、ウエハ内の
温度均一性にも影響してくる。
プタ５上部の温度は高く、下部は低くなり、ウエハ内の
温度均一性にも影響してくる。
［考案の構成］ 本考案は上記問題を解決する目的でなされたものであっ
て、サセプタの内部よりウエハを加熱する構造を有する
縦型薄膜気相成長装置において、バレル型サセプタを回
転させる回転シャフトとウエハを加熱するヒーターとの
間にリフレクターを設けたことに特徴を有するものであ
る。
て、サセプタの内部よりウエハを加熱する構造を有する
縦型薄膜気相成長装置において、バレル型サセプタを回
転させる回転シャフトとウエハを加熱するヒーターとの
間にリフレクターを設けたことに特徴を有するものであ
る。
以下、第１図に断面で示す実施例により本考案を説明す
る。第２図と同一部分は同一符号で示す。図示のように
バレル型サセプタ５の内周面に近接し、外周面のウエハ
装着部を上下方向の中央部として円筒状のヒーター３を
固定配置し、このヒーター３と中央の回転シャフト１と
の間で前記円筒状ヒーターのヒーター３の内周面に近接
して、円筒状のリフレクター２を固定配置する。サセプ
タの材質は高純度カーボンにPBNあるいはSiCをコーティ
ングしたものである。
る。第２図と同一部分は同一符号で示す。図示のように
バレル型サセプタ５の内周面に近接し、外周面のウエハ
装着部を上下方向の中央部として円筒状のヒーター３を
固定配置し、このヒーター３と中央の回転シャフト１と
の間で前記円筒状ヒーターのヒーター３の内周面に近接
して、円筒状のリフレクター２を固定配置する。サセプ
タの材質は高純度カーボンにPBNあるいはSiCをコーティ
ングしたものである。
リフレクターの材質は高純度モリブデン板を用いるのが
好適であり、リフレクターは層状をなし、その表面には
鏡面仕上げが施される。
好適であり、リフレクターは層状をなし、その表面には
鏡面仕上げが施される。
リフレクターの材質に高純度モリブデンを用いることに
より、薄膜気相成長法で主に用いられるＨ２等の還元雰
囲気又は高温下での変形等に耐えるものとなる。図にお
いて、リフレクター２の上部、下部は断面コ状に外方に
変形されており、サセプタ５の内周面に対し、ヒーター
３の上部、下部、中央部を包囲するように構成されてい
る。
より、薄膜気相成長法で主に用いられるＨ２等の還元雰
囲気又は高温下での変形等に耐えるものとなる。図にお
いて、リフレクター２の上部、下部は断面コ状に外方に
変形されており、サセプタ５の内周面に対し、ヒーター
３の上部、下部、中央部を包囲するように構成されてい
る。
［考案の作用及び効果］ 上記のようにリフレクターを設けることにより、サセプ
タのウエハ装着部以外の方向への熱エネルギーの逃げを
減らし、熱エネルギーを有効に利用することによって、
消費電力を少なくすることができる。
タのウエハ装着部以外の方向への熱エネルギーの逃げを
減らし、熱エネルギーを有効に利用することによって、
消費電力を少なくすることができる。
特にヒーター下部端面にリフレクターを設けることによ
り、ヒーター下部への熱放散を減じ、サセプタ縦方向の
温度分布もより均一となる。
り、ヒーター下部への熱放散を減じ、サセプタ縦方向の
温度分布もより均一となる。
また、リフレクターの形状を曲面にする等工夫すること
によってウエハ内の温度均一性を向上させることが可能
である。
によってウエハ内の温度均一性を向上させることが可能
である。
また、層状のリフレクターの枚数を調節することによ
り、また部分的に枚数を変更することにより、上記の効
果を最適にすることがてきる。
り、また部分的に枚数を変更することにより、上記の効
果を最適にすることがてきる。
さらに、回転シャフト及び回転駆動部の過昇温を防ぎ、
軸受等の寿命を長くすることができる。
軸受等の寿命を長くすることができる。
実際にヒーター温度を約900℃にしたときリフレクター
を使用しないと回転シャフトの温度は約700℃、リフレ
クターを設ければ約450℃程度に下がることが確認でき
た。
を使用しないと回転シャフトの温度は約700℃、リフレ
クターを設ければ約450℃程度に下がることが確認でき
た。
第１図は本考案の実施例を断面図で示す。 第２図は従来の縦型薄膜気相成長装置のバレル型サセプ
タ装着ウエハの加熱部を示す。 １…回転シャフト、２…リフレクター、３…ヒーター、
４…ウエハ、５…サセプタ、６…チャンバー、７…回転
駆動部。
タ装着ウエハの加熱部を示す。 １…回転シャフト、２…リフレクター、３…ヒーター、
４…ウエハ、５…サセプタ、６…チャンバー、７…回転
駆動部。
Claims (2)
- 【請求項１】バレル型サセプタの内部よりウエハを加熱
する構造を有する縦型薄膜気相成長装置において、前記
サセプタを回転させる回転シャフトとウエハを加熱する
ヒーターとの間にリフレクターを設けたことを特徴とす
る縦型薄膜気相成長装置のバレル型サセプタ装着ウエハ
加熱部。 - 【請求項２】リフレクターが層状の高純度モリブデン板
からなる請求項(1)の縦型薄膜気相成長装置のバレル型
サセプタ装着ウエハ加熱部。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4660288U JPH0627946Y2 (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 縦型薄膜気相成長装置のバレル型サセプタ装着ウエハ加熱部 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4660288U JPH0627946Y2 (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 縦型薄膜気相成長装置のバレル型サセプタ装着ウエハ加熱部 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01153634U JPH01153634U (ja) | 1989-10-23 |
| JPH0627946Y2 true JPH0627946Y2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=31272869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4660288U Expired - Lifetime JPH0627946Y2 (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 縦型薄膜気相成長装置のバレル型サセプタ装着ウエハ加熱部 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627946Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2617064B2 (ja) * | 1992-07-28 | 1997-06-04 | 日本碍子株式会社 | 半導体ウェハー加熱装置およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-04-05 JP JP4660288U patent/JPH0627946Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01153634U (ja) | 1989-10-23 |
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