JPH0628014B2 - 参照電圧発生回路 - Google Patents
参照電圧発生回路Info
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- JPH0628014B2 JPH0628014B2 JP60082103A JP8210385A JPH0628014B2 JP H0628014 B2 JPH0628014 B2 JP H0628014B2 JP 60082103 A JP60082103 A JP 60082103A JP 8210385 A JP8210385 A JP 8210385A JP H0628014 B2 JPH0628014 B2 JP H0628014B2
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- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 3
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 7
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- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S323/907—Temperature compensation of semiconductor
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、温度および供給電圧の変動の影響を受けない
参照電圧を発生するため、参照電圧を供給するバンドギ
ャップ回路を有し、なお存在する温度の影響を補償する
ために、この温度の影響を消去する特性を有する電流が
バンドギャップ回路に供給される参照電圧発生回路に関
する。
参照電圧を発生するため、参照電圧を供給するバンドギ
ャップ回路を有し、なお存在する温度の影響を補償する
ために、この温度の影響を消去する特性を有する電流が
バンドギャップ回路に供給される参照電圧発生回路に関
する。
バンドギャップ回路は公知であり、たとえばウー.ティ
ーツエ(U.Tietze)およびツェーハー.シェン
ク(Ch.Schenk)著「半導体回路技術(Hal
bleiter−Schaltungstechni
k)」第5改訂版、シュプリンガ書店(Springe
r−Verlag)ベルリン、ハイデルベルグ、ニュー
ヨーク(Berlin、Heidelberg、New
York、1980年、第387頁以下に記載されて
いる。
ーツエ(U.Tietze)およびツェーハー.シェン
ク(Ch.Schenk)著「半導体回路技術(Hal
bleiter−Schaltungstechni
k)」第5改訂版、シュプリンガ書店(Springe
r−Verlag)ベルリン、ハイデルベルグ、ニュー
ヨーク(Berlin、Heidelberg、New
York、1980年、第387頁以下に記載されて
いる。
上記図書には、このようなバンドギャップ回路により、
そこに使用されている回路部品の温度係数の影響を受け
ない参照電圧を発生し得ること、すなわちこのような回
路は温度の影響を受けない参照電圧を供給し得ることが
記載されている。しかし、この考察は比較的狭い温度範
囲内の第1次温度係数にしかあてはまらない。実際には
温度−電圧曲線は狭い温度範囲内でしか直線的でない。
実際上、このような回路では、たとえば雑誌「アイ.イ
ー.イー.イー.ジャーナル オブ ソリッドステート
サーキッツ(IEEE Journal of So
lid−State Circuits)」,Vol.
SC.15、No.6、1980年12月、第1033
〜1039頁に記載されているように、−55℃ないし
+125℃の温度範囲内では温度−電圧曲線が2次曲線
であるために約1%の温度の影響が生じ得る。
そこに使用されている回路部品の温度係数の影響を受け
ない参照電圧を発生し得ること、すなわちこのような回
路は温度の影響を受けない参照電圧を供給し得ることが
記載されている。しかし、この考察は比較的狭い温度範
囲内の第1次温度係数にしかあてはまらない。実際には
温度−電圧曲線は狭い温度範囲内でしか直線的でない。
実際上、このような回路では、たとえば雑誌「アイ.イ
ー.イー.イー.ジャーナル オブ ソリッドステート
サーキッツ(IEEE Journal of So
lid−State Circuits)」,Vol.
SC.15、No.6、1980年12月、第1033
〜1039頁に記載されているように、−55℃ないし
+125℃の温度範囲内では温度−電圧曲線が2次曲線
であるために約1%の温度の影響が生じ得る。
たとえば高速ディジタル−アナログ変換器またはアナロ
グ−ディジタル変換器のような特定の用途では、高次の
温度係数に起因する前記の温度の影響も問題となり、従
ってバンドギャップ回路により発生される参照電圧は十
分に温度に無関係であるとみなされ得ない。
グ−ディジタル変換器のような特定の用途では、高次の
温度係数に起因する前記の温度の影響も問題となり、従
ってバンドギャップ回路により発生される参照電圧は十
分に温度に無関係であるとみなされ得ない。
高次、特に第2次温度係数に起因する温度の影響を補償
するための対策は既にたとえば米国特許第424912
2号明細書および前記雑誌「アイ.イー.イー.イー.
ジャーナル オブ ソリッドステート サーキッツ(I
EEE Journal of Solid−Stat
e Circuits)」から知られている。これら
は、バンドギャップ回路の温度特性を補償する温度特性
を有する電流をバンドギャップ回路に供給する回路技術
的対策である。
するための対策は既にたとえば米国特許第424912
2号明細書および前記雑誌「アイ.イー.イー.イー.
ジャーナル オブ ソリッドステート サーキッツ(I
EEE Journal of Solid−Stat
e Circuits)」から知られている。これら
は、バンドギャップ回路の温度特性を補償する温度特性
を有する電流をバンドギャップ回路に供給する回路技術
的対策である。
しかし、このような回路は温度の影響をほとんどまたは
完全になくすことはできず、また、回路への供給電圧の
変動の影響を受けるので、高安定の参照電圧の発生のた
めには供給電圧の変動に対する対策も講じられなければ
ならない。特に温度補償回路が変動する供給電圧を供給
される場合には、参照電圧の安定性に関する必要条件が
まだ十分に満足されていない。供給電圧の変動の影響も
温度の変動の影響も単一の回路で補償するためには、こ
れらの回路が相互に影響するので、非常に精密な補償回
路が必要とされる。
完全になくすことはできず、また、回路への供給電圧の
変動の影響を受けるので、高安定の参照電圧の発生のた
めには供給電圧の変動に対する対策も講じられなければ
ならない。特に温度補償回路が変動する供給電圧を供給
される場合には、参照電圧の安定性に関する必要条件が
まだ十分に満足されていない。供給電圧の変動の影響も
温度の変動の影響も単一の回路で補償するためには、こ
れらの回路が相互に影響するので、非常に精密な補償回
路が必要とされる。
本発明の目的は、供給電圧の変動の補償と広い温度範囲
内での温度の影響の補償との相互影響なしに、これらの
影響を補償し得る基準電圧発生回路を提供することであ
る。
内での温度の影響の補償との相互影響なしに、これらの
影響を補償し得る基準電圧発生回路を提供することであ
る。
この目的は、本発明によれば、特許請求の範囲第1項に
記載の参照電圧発明回路により達成される。
記載の参照電圧発明回路により達成される。
本発明の好ましい実施態様は特許請求の範囲第2項ない
し第11項に示されている。
し第11項に示されている。
以下、図面に示されている実施例により本発明を一層詳
細に説明する。
細に説明する。
第1図によれば、供給電圧の変動の影響のみは受けない
出力電圧Uaを発生するための回路に、変動を伴う供給
電圧Uoが供給される。この供給電圧Uoから、以下に
一層詳細に説明する基準電圧発生回路10により基準電
圧が発生される。この基準電圧発生回路10の後に、エ
ミッタ接地で作動しコレクタ枝路に抵抗R1またはエミ
ッタ枝路に抵抗R2を有する1つのトランジスタT1に
より形成された1つのトランジスタインバータ回路が接
続されている。
出力電圧Uaを発生するための回路に、変動を伴う供給
電圧Uoが供給される。この供給電圧Uoから、以下に
一層詳細に説明する基準電圧発生回路10により基準電
圧が発生される。この基準電圧発生回路10の後に、エ
ミッタ接地で作動しコレクタ枝路に抵抗R1またはエミ
ッタ枝路に抵抗R2を有する1つのトランジスタT1に
より形成された1つのトランジスタインバータ回路が接
続されている。
このインバータ回路は、抵抗R1およびR2の抵抗値が
同一であれば、近似的に1の利得を有する。しかし、そ
の際に抵抗R2を流れるトランジスタT1のベース電流
は考慮に入れられていない。この理由からインバータ回
路の後に、トランジスタT1のベース電流の補償の役割
をする回路が接続されている。この回路は第1図には全
体として電流源11として示されており、この電流源に
より、抵抗R1を流れる電流と抵抗R2を流れる電流と
の間のトランジスタT1のベース電流に起因する差がな
くされる。すなわち、電流源11は抵抗R1を流れる電
流と抵抗R2を流れる電流とを等しくするための電流を
供給する。
同一であれば、近似的に1の利得を有する。しかし、そ
の際に抵抗R2を流れるトランジスタT1のベース電流
は考慮に入れられていない。この理由からインバータ回
路の後に、トランジスタT1のベース電流の補償の役割
をする回路が接続されている。この回路は第1図には全
体として電流源11として示されており、この電流源に
より、抵抗R1を流れる電流と抵抗R2を流れる電流と
の間のトランジスタT1のベース電流に起因する差がな
くされる。すなわち、電流源11は抵抗R1を流れる電
流と抵抗R2を流れる電流とを等しくするための電流を
供給する。
トランジスタT1のベース−エミッタ間電圧はなお供給
電圧Uoにより変化するという事実を考慮に入れるた
め、抵抗R1およびR2の抵抗値は、トランジスタイン
バータ回路R1、T1、R2の利得を1に保つような値
に選定されている。このことは、換言すれば、トランジ
スタT1のベース−エミッタ間電圧の変化が利得を1に
保つためのコレクタ抵抗R1およびエミッタ抵抗R2の
抵抗値の選定により補償されることを意味する。その結
果、供給電圧Uoの変動の影響を受けない出力電圧Ua
が得られる。
電圧Uoにより変化するという事実を考慮に入れるた
め、抵抗R1およびR2の抵抗値は、トランジスタイン
バータ回路R1、T1、R2の利得を1に保つような値
に選定されている。このことは、換言すれば、トランジ
スタT1のベース−エミッタ間電圧の変化が利得を1に
保つためのコレクタ抵抗R1およびエミッタ抵抗R2の
抵抗値の選定により補償されることを意味する。その結
果、供給電圧Uoの変動の影響を受けない出力電圧Ua
が得られる。
第2図には第1図による回路の詳細な実施例が示されて
おり、第1図中の要素と同一の要素には同一の参照符号
が付されている。
おり、第1図中の要素と同一の要素には同一の参照符号
が付されている。
インバータ回路R1、T1、R2のトランジスタT1の
ベース電流を補償するための回路は、出力回路を互いに
直列に接続されているトランジスタT3、T2により形
成されており、そのうちトランジスタT3はインバータ
回路R1、T1、R2の出力信号により、またトランジ
スタT2は基準電圧発生回路10の基準電圧により制御
される。基準電圧により制御されるトランジスタT2の
エミッタ枝路には抵抗R3が挿入されている。この回路
はトランジスタT1のベース電流を補償する役割をす
る。なぜならば、このベース電流の影響がトランジスタ
T3の近似的に等大のベース電流により補償されるから
である。基準電圧を発生するための回路10は好ましく
は、1つの電流源から電流を供給されるバンドギャップ
回路である。この電流源は、1つのトランジスタT4と
1つの抵抗R5とダイオードとして接続された1つのト
ランジスタT6と1つのトランジスタT7とから成る1
つの電流ミラーにより形成され得る。その際、この電流
ミラーはインバータ回路R1、T1、R2の出力電圧に
より制御される。この場合、特にトランジスタT4はイ
ンバータ回路の出力信号によって制御される。
ベース電流を補償するための回路は、出力回路を互いに
直列に接続されているトランジスタT3、T2により形
成されており、そのうちトランジスタT3はインバータ
回路R1、T1、R2の出力信号により、またトランジ
スタT2は基準電圧発生回路10の基準電圧により制御
される。基準電圧により制御されるトランジスタT2の
エミッタ枝路には抵抗R3が挿入されている。この回路
はトランジスタT1のベース電流を補償する役割をす
る。なぜならば、このベース電流の影響がトランジスタ
T3の近似的に等大のベース電流により補償されるから
である。基準電圧を発生するための回路10は好ましく
は、1つの電流源から電流を供給されるバンドギャップ
回路である。この電流源は、1つのトランジスタT4と
1つの抵抗R5とダイオードとして接続された1つのト
ランジスタT6と1つのトランジスタT7とから成る1
つの電流ミラーにより形成され得る。その際、この電流
ミラーはインバータ回路R1、T1、R2の出力電圧に
より制御される。この場合、特にトランジスタT4はイ
ンバータ回路の出力信号によって制御される。
従って、第2図による回路はその出力端、すなわちトラ
ンジスタT4のベースに、なお温度ドリフトを伴う出力
電圧Uaを供給する。
ンジスタT4のベースに、なお温度ドリフトを伴う出力
電圧Uaを供給する。
第2図による回路の種々の負荷を考慮に入れるため、そ
の出力端、すなわちトランジスタT4の後に1つのエミ
ッタホロワT8が接続されており、そのベースはトラン
ジスタT4のベースと接続されている。このエミッタホ
ロワT8は減結合されたインピーダンス変換器として作
動し、これから出力電圧Ua′が取り出され得る。
の出力端、すなわちトランジスタT4の後に1つのエミ
ッタホロワT8が接続されており、そのベースはトラン
ジスタT4のベースと接続されている。このエミッタホ
ロワT8は減結合されたインピーダンス変換器として作
動し、これから出力電圧Ua′が取り出され得る。
供給電圧の変動の影響を受けない出力電圧を発生するた
めの回路の出力電圧Ua′は第3図に示される回路に供
給され、この回路はバンドギャップ回路20になお存在
する場合の影響を補償するための電流Iを供給する。こ
の回路は特にその入力端に、抵抗R10、R20、R3
0により形成された1つの分圧器を含んでいる。しか
し、この分圧器は必ずしも抵抗のみにより形成される必
要はなく、その抵抗の少なくとも1つをダイオードによ
り置換されていてもよい。
めの回路の出力電圧Ua′は第3図に示される回路に供
給され、この回路はバンドギャップ回路20になお存在
する場合の影響を補償するための電流Iを供給する。こ
の回路は特にその入力端に、抵抗R10、R20、R3
0により形成された1つの分圧器を含んでいる。しか
し、この分圧器は必ずしも抵抗のみにより形成される必
要はなく、その抵抗の少なくとも1つをダイオードによ
り置換されていてもよい。
第3図による実施例では、抵抗R20とR30との間の
取り出し点に1つの電流源トランジスタT9が接続さて
おり、これがバンドギャップ回路20にその温度の影響
を補償するための電流を供給する。
取り出し点に1つの電流源トランジスタT9が接続さて
おり、これがバンドギャップ回路20にその温度の影響
を補償するための電流を供給する。
本発明の1つの特別な実施例によれば、分圧器の少なく
とも1部分とこれに対して並列に接続された1つのトラ
ンジスタとにより1つの電圧源が形成されていてよく、
この場合上記のトランジスタは電流源トランジスタT9
と共に1つの電流ミラーを形成する。第3図の実施例で
は電圧源は分圧器の抵抗R20およびR30とこれらの
抵抗に並列に接続されたトランジスタT10のコレクタ
−エミッタ間電流路とにより形成され、このトランジス
タのベースが抵抗R20とR30との間の取り出し点に
接続されている。
とも1部分とこれに対して並列に接続された1つのトラ
ンジスタとにより1つの電圧源が形成されていてよく、
この場合上記のトランジスタは電流源トランジスタT9
と共に1つの電流ミラーを形成する。第3図の実施例で
は電圧源は分圧器の抵抗R20およびR30とこれらの
抵抗に並列に接続されたトランジスタT10のコレクタ
−エミッタ間電流路とにより形成され、このトランジス
タのベースが抵抗R20とR30との間の取り出し点に
接続されている。
いわゆるアーリー効果を補償するため、トランジスタT
9に対して直列に、供給電圧の変動の影響を受けない出
力電圧Ua′により制御されるトランジスタT11が接
続されている。
9に対して直列に、供給電圧の変動の影響を受けない出
力電圧Ua′により制御されるトランジスタT11が接
続されている。
電圧Ua′の温度ドリフトは知られているので、分圧器
内の抵抗R10、R20、R30の抵抗値の選択によ
り、バンドギャップ回路20を流れる電流Iの所望の温
度ドリフトを予め定めることができ、それにより冒頭に
述べたように高次の温度係数に起因するバンドギャップ
回路の温度の影響が補償され得る。従って、参照電圧U
refとして用いられるバンドギャップ回路20の出力
電圧は供給電圧の影響も温度の影響も受けない。
内の抵抗R10、R20、R30の抵抗値の選択によ
り、バンドギャップ回路20を流れる電流Iの所望の温
度ドリフトを予め定めることができ、それにより冒頭に
述べたように高次の温度係数に起因するバンドギャップ
回路の温度の影響が補償され得る。従って、参照電圧U
refとして用いられるバンドギャップ回路20の出力
電圧は供給電圧の影響も温度の影響も受けない。
第4図には本発明による参照電圧発生回路の実際的な実
施例が示されており、第1図ないし第3図中の要素と同
一の要素には同一の参照符号が付されている。説明の繰
り返しを避けるため、第4図中の要素のうち同一の参照
符号を付されている要素については第1図ないし第3図
の説明を参照されたい。第4図による実際的な実施例で
は、第1図および第2図による基準電圧発生回路10が
2つの直列に接続されたバンドギャップ回路10−1お
よび10−2により形成される。しかし、基準電圧発生
回路を実現するために必ずしもバンドギャップ回路を使
用する必要はなく、この基準電圧発生回路内にたとえば
ダイオードが設けられていてもよい。
施例が示されており、第1図ないし第3図中の要素と同
一の要素には同一の参照符号が付されている。説明の繰
り返しを避けるため、第4図中の要素のうち同一の参照
符号を付されている要素については第1図ないし第3図
の説明を参照されたい。第4図による実際的な実施例で
は、第1図および第2図による基準電圧発生回路10が
2つの直列に接続されたバンドギャップ回路10−1お
よび10−2により形成される。しかし、基準電圧発生
回路を実現するために必ずしもバンドギャップ回路を使
用する必要はなく、この基準電圧発生回路内にたとえば
ダイオードが設けられていてもよい。
第4図による参照電圧発生回路においては、さらに、供
給電圧の変動の影響を受けない出力電圧Ua′を発生す
るための2つの部分回路が設けられ、これらの部分回路
は縦続接続され、両部分回路はそれぞれ第2図に示す回
路に相応して形成される。供給電圧の予安定化を行うこ
の第1の回路が第2図による回路に相当することを示す
ため、相当する要素の参照符号はハイフンを付されてい
る。第1の回路内の基準電圧を供給する回路は3つの直
列に接続されたバンドギャップ回路40−1ないし40
−3により形成される。再び言及すれば、ここに必ずし
もバンドギャップ回路を使用する必要はなく、回路10
−1および10−2により形成される基準電圧発生回路
の場合と同様に回路40−1ないし40−3はたとえば
1つのダイオード列によっても形成され得る。
給電圧の変動の影響を受けない出力電圧Ua′を発生す
るための2つの部分回路が設けられ、これらの部分回路
は縦続接続され、両部分回路はそれぞれ第2図に示す回
路に相応して形成される。供給電圧の予安定化を行うこ
の第1の回路が第2図による回路に相当することを示す
ため、相当する要素の参照符号はハイフンを付されてい
る。第1の回路内の基準電圧を供給する回路は3つの直
列に接続されたバンドギャップ回路40−1ないし40
−3により形成される。再び言及すれば、ここに必ずし
もバンドギャップ回路を使用する必要はなく、回路10
−1および10−2により形成される基準電圧発生回路
の場合と同様に回路40−1ないし40−3はたとえば
1つのダイオード列によっても形成され得る。
また、第1の回路内で必ずしもトランジスタT1に相当
するトランジスタT1′のベース電流補償を行う必要は
ない。
するトランジスタT1′のベース電流補償を行う必要は
ない。
温度の影響を補償する電流を発生するもう1つの回路
を、構成要素の値を種々に選択し得るバンドギャップ回
路20に対して追加することにより、温度補償の大きな
バライエティが得られる。このもう1つ回路が第3図に
よる回路に相当することを示すため、同じく相当する参
照符号はハイフンを付されている。第4図から明らかな
ように、温度の影響を補償するための電流を供給する両
回路は並列に接続されている。
を、構成要素の値を種々に選択し得るバンドギャップ回
路20に対して追加することにより、温度補償の大きな
バライエティが得られる。このもう1つ回路が第3図に
よる回路に相当することを示すため、同じく相当する参
照符号はハイフンを付されている。第4図から明らかな
ように、温度の影響を補償するための電流を供給する両
回路は並列に接続されている。
本発明により得られる利点は、供給電圧変動の影響を補
償する際に1つの回路ではこの供給電圧変動のみを考慮
に入れればよく、温度特性については考慮する必要がな
いことである。すなわち、供給電圧の変動の概況のみは
実質的に受けない出力電圧を発生するための回路は、こ
の出力電圧が温度の影響を補償するための回路の入力電
圧として用いられるならば、温度の影響を伴っていてよ
い。バンドギャップ回路になお存在する温度の影響を補
償する役割をする電流を供給する回路が同時に、供給電
圧の影響を補償する回路の出力電圧になお存在する温度
の影響の補償をも効果的に保証する。
償する際に1つの回路ではこの供給電圧変動のみを考慮
に入れればよく、温度特性については考慮する必要がな
いことである。すなわち、供給電圧の変動の概況のみは
実質的に受けない出力電圧を発生するための回路は、こ
の出力電圧が温度の影響を補償するための回路の入力電
圧として用いられるならば、温度の影響を伴っていてよ
い。バンドギャップ回路になお存在する温度の影響を補
償する役割をする電流を供給する回路が同時に、供給電
圧の影響を補償する回路の出力電圧になお存在する温度
の影響の補償をも効果的に保証する。
第1図は供給電圧の変動の影響のみは受けない出力電圧
を発生するための回路の接続図、第2図は第1図による
回路の具体的な実施例の接続図、第3図は第1図または
第2図による回路により制御されて、バンドギャップ回
路の温度の影響の補償のためにバンドギャップ回路に供
給すべき電流を発生するための回路の接続図、第4図は
本発明による参照電圧発生回路の実際的な実施例の全体
接続図である。 10、10−1、10−2…基準電圧発生回路、11…
電流源、20、40、40−1〜40−3…バンドギャ
ップ回路、Ua…供給電圧の変動の影響のみは受けない
出力電圧、Ua′…出力電圧、Uo…供給電圧、I、
I′…温度の影響を補償するための電流。
を発生するための回路の接続図、第2図は第1図による
回路の具体的な実施例の接続図、第3図は第1図または
第2図による回路により制御されて、バンドギャップ回
路の温度の影響の補償のためにバンドギャップ回路に供
給すべき電流を発生するための回路の接続図、第4図は
本発明による参照電圧発生回路の実際的な実施例の全体
接続図である。 10、10−1、10−2…基準電圧発生回路、11…
電流源、20、40、40−1〜40−3…バンドギャ
ップ回路、Ua…供給電圧の変動の影響のみは受けない
出力電圧、Ua′…出力電圧、Uo…供給電圧、I、
I′…温度の影響を補償するための電流。
Claims (11)
- 【請求項1】温度および供給電圧の変動の影響を受けな
い参照電圧(Uref)を発生するため、参照電圧(U
ref)を供給するバンドギャップ回路(20)を有
し、存在する温度の影響を補償するために、この温度の
影響を消去する特性を有する電流(I;I′)がバンド
ギャップ回路(20)に供給される参照電圧発生回路に
おいて、供給電圧(Uo)の変動に関連して安定化され
た出力電圧(Ua;Ua′)を発生するための第1の回
路と、この第1の回路の出力電圧(Ua;Ua′)によ
り制御され存在する温度の影響を補償するための電流
(I;I′)を供給する第2の回路とを備え、第1の回
路が、基準電圧を供給する基準電圧回路(10;10−
1、10−2)と、利得が1であり、基準電圧により制
御されるトランジスタインバータ回路(R1、T1、R
2)と、トランジスタインバータ回路(R1、T1、R
2)のベース電流を補償するため該インバータ回路(R
1、T1、R2)の後に接続されている回路(11;T
3、T2、R3)とを有し、第2の回路が、供給電圧
(Uo)の変動を受けない出力電圧(Ua′)を発生す
るための第1の回路の出力端に接続されている1つの分
圧器(R10、R20、R30)と、この分圧器(R1
0、R20、R30)の引き出し点に接続されている電
流源トランジスタ(T9)とを有し、該電流源トランジ
スタ(T9)を介して、温度の影響を補償する電流
(I)が参照電圧(Uref)を供給するバンドギャッ
プ回路(20)に供給されていることを特徴とする参照
電圧発生回路。 - 【請求項2】トランジスタインバータ回路(R1、T
1、R2)が、各1つのコレクタ抵抗(R1)およびエ
ミッタ抵抗(R2)を有しエミッタ回路で作動する1つ
のトランジスタ(T1)を有しており、トランジスタイ
ンバータ回路の利得を1に保つためにベース、エミッタ
間電圧の電流依存性の変化を補償し得るようにコレクタ
抵抗およびエミッタ抵抗が選定されていることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の参照電圧発生回路。 - 【請求項3】トランジスタインバータ回路(R1、T
1、R2)のベース電流を補償するための回路がその出
力回路と直列に接続された2つのトランジスタ(T3、
T2)を有し、その一方のトランジスタ(T3)は該イ
ンバータ回路(R1、T1、R2)の出力信号により、
また他方のトランジスタ(T2)は基準電圧により制御
されており、また基準電圧により制御されるトランジス
タ(T2)のエミッタ枝路に1つの抵抗(R3)が挿入
されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項また
は第2項記載の参照電圧発生回路。 - 【請求項4】基準電圧を発生するための回路(10)
が、1つの電流源(T4、R5、T6、T7)から電流
を供給される少なくとも1つのバンドギャップ回路(1
0−1)を含んでいることを特徴とする特許請求の範囲
第1項ないし第3項のいずれか1項に記載の参照電圧発
生回路。 - 【請求項5】電流源(T4、R5、T6、T7)が電流
ミラーとして構成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第1項ないし第4項のいずれか1項に記載の参照
電圧発生回路。 - 【請求項6】電流ミラー(T4、R5、T6、T7)が
インバータ回路(R1、T1、R2)の出力電圧により
制御されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
ないし第5項のいずれか1項に記載の参照電圧発生回
路。 - 【請求項7】出力電圧(Ua)を発生するための第1の
回路の出力側に1つのエミッタホロワ(T8)が接続さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし
第6項のいずれか1項に記載の参照電圧発生回路。 - 【請求項8】供給電圧(Uo)の変動の影響を受けない
出力電圧(Ua′)を発生するための少なくとも2つの
回路が縦続接続して用いられていることを特徴とする特
許請求の範囲第1項ないし第7項のいずれか1項に記載
の参照電圧発生回路。 - 【請求項9】分圧器(R10、R20、R30)の少な
くとも1つの部分(R20、R30)とそれに対して並
列に接続されているトランジスタ(T10)とにより1
つの電圧源が形成されており、また電圧源(R20、R
30、T10)のトランジスタ(T10)が電流源トラ
ンジスタ(T9)と共に1つの電流ミラーを形成してい
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の参照電
圧発生回路。 - 【請求項10】電流源トランジスタ(T9)に対して直
列に、供給電圧の変動の影響を受けない出力電圧(U
a′)により制御される1つのトランジスタ(T11)
が接続されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
項または第9項記載の参照電圧発生回路。 - 【請求項11】温度の影響を補償するための電流(I、
I′)を供給する少なくとも2つの回路が並列接続して
用いられていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
ないし第10項のいずれか1項に記載の参照電圧発生回
路。
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