JPH06281995A - 露出制御装置及びカメラ - Google Patents
露出制御装置及びカメラInfo
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- JPH06281995A JPH06281995A JP6675193A JP6675193A JPH06281995A JP H06281995 A JPH06281995 A JP H06281995A JP 6675193 A JP6675193 A JP 6675193A JP 6675193 A JP6675193 A JP 6675193A JP H06281995 A JPH06281995 A JP H06281995A
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- Japan
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- control device
- exposure control
- sector
- light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 遮光羽根を大型化することなく、しかも高精
度に遮光羽根の位置を検出することができる露出制御装
置を提供する。 【構成】 3枚の遮光羽根(セクタ)11、12、13
の内、セクタ11の一部に、N極とS極とを交互に複数
配列した磁性部11aを磁性メッキ法により形成し、ホ
ール素子14によりセクタ11の移動に伴う磁性部11
aの通過を検知し、セクタ11〜13により形成される
開口量を検出することができるようにしており、開口1
の位置に制限されることなく磁性部を配置でき、またセ
クタ12、13の位置に影響されることなくホール素子
14を配置でき、露出制御装置の小型化を実現すること
ができる。
度に遮光羽根の位置を検出することができる露出制御装
置を提供する。 【構成】 3枚の遮光羽根(セクタ)11、12、13
の内、セクタ11の一部に、N極とS極とを交互に複数
配列した磁性部11aを磁性メッキ法により形成し、ホ
ール素子14によりセクタ11の移動に伴う磁性部11
aの通過を検知し、セクタ11〜13により形成される
開口量を検出することができるようにしており、開口1
の位置に制限されることなく磁性部を配置でき、またセ
クタ12、13の位置に影響されることなくホール素子
14を配置でき、露出制御装置の小型化を実現すること
ができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はカメラやビデオカメラな
どの光学機器における遮光羽根を用いた露出制御装置及
び遮光羽根を用いた露出制御装置を備えたカメラに関す
るものである。
どの光学機器における遮光羽根を用いた露出制御装置及
び遮光羽根を用いた露出制御装置を備えたカメラに関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】カメラの開口を形成する遮光羽根を持つ
シャッタや絞りなどの露出制御装置において、その開口
量を検出しストロボ撮影時の発光タイミングの信号とし
て利用したり、日中光の撮影時における露出制御のシャ
ッタ閉じ命令信号として使用する制御方式は公知であ
る。
シャッタや絞りなどの露出制御装置において、その開口
量を検出しストロボ撮影時の発光タイミングの信号とし
て利用したり、日中光の撮影時における露出制御のシャ
ッタ閉じ命令信号として使用する制御方式は公知であ
る。
【0003】遮光羽根(以下セクタと称す)の開口量を
検出する方式として次のものが提案されている。
検出する方式として次のものが提案されている。
【0004】(1)セクタの一部に複数のスリットを形
成し、そのスリットをフォトセンサで検出することでセ
クタの位置を検出する直接検出方式。
成し、そのスリットをフォトセンサで検出することでセ
クタの位置を検出する直接検出方式。
【0005】(2)セクタを駆動する部材の動きをフォ
トセンサや電気切片等で検出する間接検出方式。
トセンサや電気切片等で検出する間接検出方式。
【0006】である。
【0007】しかしながら上記(1)の直接検出方式で
は次のような欠点がある。
は次のような欠点がある。
【0008】スリットは、常に開口部以外のところを動
作するように設定しなければならないため、セクタが大
型化してしまうので、セクタの動作性能を悪くし、露出
制御装置のコンパクト化を妨げる。
作するように設定しなければならないため、セクタが大
型化してしまうので、セクタの動作性能を悪くし、露出
制御装置のコンパクト化を妨げる。
【0009】図10はスリットを用いた直接検出方式の
露出制御装置を示し、1は開口部、2は不図示の地板に
支軸2aにて回転自在に取り付けられた第1セクタで、
第1セクタ2には開口部1の外側に複数のスリット2b
が設けられている。3は不図示の地板に支軸3bにて回
転自在に取り付けられた第2セクタである。4は駆動ピ
ンで、第1セクタ2の長溝2cと第2セクタ3の長溝3
bとに摺動可能に嵌合し、公知の機構により矢印A及び
その逆方向に移動することにより、第1セクタ2と第2
セクタ3を一体となって駆動し、切欠部2dと切欠部3
cとで開口し、あるいは閉鎖するようになっている。5
は不図示の地板に取り付けられたフォトセンサーで、第
1セクタ2のスリット2bを検出し、第1セクタ2の位
置あるいは移動量を検出する。
露出制御装置を示し、1は開口部、2は不図示の地板に
支軸2aにて回転自在に取り付けられた第1セクタで、
第1セクタ2には開口部1の外側に複数のスリット2b
が設けられている。3は不図示の地板に支軸3bにて回
転自在に取り付けられた第2セクタである。4は駆動ピ
ンで、第1セクタ2の長溝2cと第2セクタ3の長溝3
bとに摺動可能に嵌合し、公知の機構により矢印A及び
その逆方向に移動することにより、第1セクタ2と第2
セクタ3を一体となって駆動し、切欠部2dと切欠部3
cとで開口し、あるいは閉鎖するようになっている。5
は不図示の地板に取り付けられたフォトセンサーで、第
1セクタ2のスリット2bを検出し、第1セクタ2の位
置あるいは移動量を検出する。
【0010】前述したように、スリット2bはセクタの
開口形状に影響を与えないように、開口部1よりも外側
を常に動作する位置に設けられているため、第1セクタ
2は大型化してしまっている。よってユニット全体の小
型化を妨げている。
開口形状に影響を与えないように、開口部1よりも外側
を常に動作する位置に設けられているため、第1セクタ
2は大型化してしまっている。よってユニット全体の小
型化を妨げている。
【0011】また、スリット2bのピッチ及び大きさは
製造上あまり小さくすることができないから、セクタの
細かい動きを検出することはできない。
製造上あまり小さくすることができないから、セクタの
細かい動きを検出することはできない。
【0012】また前記(2)の間接検出方式では次のよ
うな欠点がある。
うな欠点がある。
【0013】この方式は、図8において、駆動ピン4も
しくはそれと一体的に動く部材の動きを検出しようとす
るものであるが、一般に駆動ピン4はセクタに比べて動
き量は少ない。そのため細かく動きを検出することは難
かしく、またセクタとの間に嵌合ガタがあるとセクタの
開口量と駆動ピン4の位置との間に誤差が生じてしま
い、セクタの開口量を正確に検出することは難しい。
しくはそれと一体的に動く部材の動きを検出しようとす
るものであるが、一般に駆動ピン4はセクタに比べて動
き量は少ない。そのため細かく動きを検出することは難
かしく、またセクタとの間に嵌合ガタがあるとセクタの
開口量と駆動ピン4の位置との間に誤差が生じてしま
い、セクタの開口量を正確に検出することは難しい。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】セクタの開口量を検出
するための直接検出方式は、間接検出方式に比べて検出
精度が高いものの、遮光部材であるセクタにスリットを
設けるため、スリットの形成位置が開口の外側に設けな
ければならないという制限があり、露出制御装置の大型
化を招き、ひいてはカメラの小型化の妨げにもなる。
するための直接検出方式は、間接検出方式に比べて検出
精度が高いものの、遮光部材であるセクタにスリットを
設けるため、スリットの形成位置が開口の外側に設けな
ければならないという制限があり、露出制御装置の大型
化を招き、ひいてはカメラの小型化の妨げにもなる。
【0015】本発明は、このような従来の問題を解決
し、直接検出方式のメリットを最大限発揮でき、しかも
大型化を招くことのない露出制御装置およびカメラを提
供することを目的とする。
し、直接検出方式のメリットを最大限発揮でき、しかも
大型化を招くことのない露出制御装置およびカメラを提
供することを目的とする。
【0016】
【実施例】図1〜図3は本発明の第1実施例を示す。
【0017】本実施例は、第1セクタ11、第2セクタ
12、第3セクタ13の3枚のセクタにより開口1の開
口量を制御するもので、不図示の地板に夫々の支軸11
b,12b,13bが軸支されることにより、各セクタ
11〜13はこれら支軸11b〜13bを支点として回
転可能となっている。また、第1セクタ11、第2セク
タ12および第3セクタに夫々形成された長溝11c,
12c,13cには図10に示す従来例と同様の駆動ピ
ン4が摺動可能に嵌合し、各駆動ピン4の所定方向への
移動により各セクタ11〜13を回動するようにしてい
る。なお、各駆動ピン4は公知の駆動機構により一体に
駆動される。
12、第3セクタ13の3枚のセクタにより開口1の開
口量を制御するもので、不図示の地板に夫々の支軸11
b,12b,13bが軸支されることにより、各セクタ
11〜13はこれら支軸11b〜13bを支点として回
転可能となっている。また、第1セクタ11、第2セク
タ12および第3セクタに夫々形成された長溝11c,
12c,13cには図10に示す従来例と同様の駆動ピ
ン4が摺動可能に嵌合し、各駆動ピン4の所定方向への
移動により各セクタ11〜13を回動するようにしてい
る。なお、各駆動ピン4は公知の駆動機構により一体に
駆動される。
【0018】本実施例において、第1セクタ11は、図
1に示すように、遮光部材から形成されているセクタ本
体の一部分に「N極」と「S極」を交互に複数配列した
磁性部11aを形成している。そして、この磁性部11
aの移動軌跡上に合わせて、磁性部11aのセンサ手段
としてホール素子14を不図示の地板に取付け、第1セ
クタ11の移動に伴う磁性部11aの通過を検出し、第
1〜第3セクタによる開口量を検出できるようになる。
1に示すように、遮光部材から形成されているセクタ本
体の一部分に「N極」と「S極」を交互に複数配列した
磁性部11aを形成している。そして、この磁性部11
aの移動軌跡上に合わせて、磁性部11aのセンサ手段
としてホール素子14を不図示の地板に取付け、第1セ
クタ11の移動に伴う磁性部11aの通過を検出し、第
1〜第3セクタによる開口量を検出できるようになる。
【0019】磁性部11aは、例えば公知の磁性メッキ
法により形成され、このメッキ法は、(株)総合技術セ
ンター発行の「磁性材料の開発と磁粉の高分散化技術」
に詳しく記載されているが、図2により簡単に説明する
と、セクタのベース材Bの両面をNiメッキした後、磁
性メッキであるCo−Pメッキを該Niメッキ層の表面
に施す。なお、必要に応じてCo−Pメッキ層の表面に
艶消の塗装を行うこともできる。
法により形成され、このメッキ法は、(株)総合技術セ
ンター発行の「磁性材料の開発と磁粉の高分散化技術」
に詳しく記載されているが、図2により簡単に説明する
と、セクタのベース材Bの両面をNiメッキした後、磁
性メッキであるCo−Pメッキを該Niメッキ層の表面
に施す。なお、必要に応じてCo−Pメッキ層の表面に
艶消の塗装を行うこともできる。
【0020】すなわち、図8に示す従来例における検出
手段であるフォトセンサー5は少なくともセクタ3の通
過する位置に配置することはできないが、本実施例にお
ける検出手段であるホール素子14は、第2セクタ1
2、第3セクタ13の動作に影響を受けないので、磁性
部11aが通過するところならばどこに配置してもよ
く、レイアウトの自由度が広がる。またホール素子には
磁性部11aとのギャップ変化に対しては鈍感なので、
セクタがバタついても検出精度が悪くならない利点があ
る。
手段であるフォトセンサー5は少なくともセクタ3の通
過する位置に配置することはできないが、本実施例にお
ける検出手段であるホール素子14は、第2セクタ1
2、第3セクタ13の動作に影響を受けないので、磁性
部11aが通過するところならばどこに配置してもよ
く、レイアウトの自由度が広がる。またホール素子には
磁性部11aとのギャップ変化に対しては鈍感なので、
セクタがバタついても検出精度が悪くならない利点があ
る。
【0021】また、図10に示す従来例では検出用のス
リット2bは開口部1よりも外側を常に動作する位置に
設けなければならなかったが、本実施例における磁性部
11aは開口形状に全く影響を与えることがないので、
第1セクタ11のどこに設けてもよいから、従来のよう
にセクタの大型化を招くことがない。
リット2bは開口部1よりも外側を常に動作する位置に
設けなければならなかったが、本実施例における磁性部
11aは開口形状に全く影響を与えることがないので、
第1セクタ11のどこに設けてもよいから、従来のよう
にセクタの大型化を招くことがない。
【0022】したがって、露出制御装置のコンパクト化
を達成でき、カメラの小型化に寄与できる。ここで、磁
性メッキのメッキ条件と特性について以下に述べる。
を達成でき、カメラの小型化に寄与できる。ここで、磁
性メッキのメッキ条件と特性について以下に述べる。
【0023】既に述べたように、セクタのベース材Bに
Niメッキした後にCo−Pメッキを施しているが、N
iメッキ厚とホール素子14の信号出力の関係について
図4に示す。
Niメッキした後にCo−Pメッキを施しているが、N
iメッキ厚とホール素子14の信号出力の関係について
図4に示す。
【0024】図4は、Niのメッキ厚の違いによるギャ
ップと出力関係を示しており、Niメッキ層を厚くすれ
ば出力が大きくなることがわかる。しかしメッキを厚く
するとその分メッキ時間も長くなり、コストや生産性の
面で不具合が生じるし、セクタのイナーシャも増大して
駆動面でも悪い影響を与えるので、片側のNiメッキ厚
を50μm以下の適切な値にすることが良い。
ップと出力関係を示しており、Niメッキ層を厚くすれ
ば出力が大きくなることがわかる。しかしメッキを厚く
するとその分メッキ時間も長くなり、コストや生産性の
面で不具合が生じるし、セクタのイナーシャも増大して
駆動面でも悪い影響を与えるので、片側のNiメッキ厚
を50μm以下の適切な値にすることが良い。
【0025】一方Co−Pメッキ厚と信号出力について
考える。一般的傾向として最大磁束密度(Co−Pメッ
キ表面での磁束密度)はメッキ厚によってあまり変化し
ないので、((株)総合技術センター出版「磁性材料」
より)、上述のNiメッキと同様な理由により、片側の
Co−Pメッキ厚を50μm以下の適切な値にすること
が望ましい。
考える。一般的傾向として最大磁束密度(Co−Pメッ
キ表面での磁束密度)はメッキ厚によってあまり変化し
ないので、((株)総合技術センター出版「磁性材料」
より)、上述のNiメッキと同様な理由により、片側の
Co−Pメッキ厚を50μm以下の適切な値にすること
が望ましい。
【0026】図5は本発明の第2実施例を示している。
【0027】本実施例は、図1に示す第1実施例に比べ
て、第1セクタ11に形成している磁性部11dの「N
極」と「S極」のピッチを、図6に示すように、より細
く形成し、また、センサとしてMR素子21を用いて第
1セクタ11の移動に伴う磁性部11dの通過を検出す
る。図6の(a)は第1実施例における磁性部11aを
示し、図6の(b)は本実施例の磁性部11dを示す。
て、第1セクタ11に形成している磁性部11dの「N
極」と「S極」のピッチを、図6に示すように、より細
く形成し、また、センサとしてMR素子21を用いて第
1セクタ11の移動に伴う磁性部11dの通過を検出す
る。図6の(a)は第1実施例における磁性部11aを
示し、図6の(b)は本実施例の磁性部11dを示す。
【0028】本実施例では上記した第1実施例のホール
素子14を用いた時と同様に、MR素子21は第2セク
タ12、第3セクタ13の動作に影響を受けないので、
磁性部11dが通過するところならばどこに配置しても
よく、レイアウトの自由度が広がる。また磁性部11d
は開口形状に全く影響を与えることがないので、第1セ
クタ11のどこに設けてもよいから、図8の従来例のよ
うにセクタの大型化を招くことがない。
素子14を用いた時と同様に、MR素子21は第2セク
タ12、第3セクタ13の動作に影響を受けないので、
磁性部11dが通過するところならばどこに配置しても
よく、レイアウトの自由度が広がる。また磁性部11d
は開口形状に全く影響を与えることがないので、第1セ
クタ11のどこに設けてもよいから、図8の従来例のよ
うにセクタの大型化を招くことがない。
【0029】さらに第1実施例におけるホール素子14
が検出できる磁性部11aのN極とS極のピッチは1m
m以上なので、細かい制御のいらないカメラに適してい
るが、本実施例で用いているMR素子21が検出できる
磁性部11dのN極とS極のピッチは0.1mm以上な
ので、細かい制御が必要なカメラにも利用することがで
きる。そして、従来ではフォトセンサー信号の入力後あ
る一定秒時経過後に羽根閉じ信号を出すことによって開
口量を制御していたが、MR素子21を用いた検出方式
では、磁性部11dの位置やパターンを適切にすること
でMR信号の入力だけで開口制御できるようになる。
が検出できる磁性部11aのN極とS極のピッチは1m
m以上なので、細かい制御のいらないカメラに適してい
るが、本実施例で用いているMR素子21が検出できる
磁性部11dのN極とS極のピッチは0.1mm以上な
ので、細かい制御が必要なカメラにも利用することがで
きる。そして、従来ではフォトセンサー信号の入力後あ
る一定秒時経過後に羽根閉じ信号を出すことによって開
口量を制御していたが、MR素子21を用いた検出方式
では、磁性部11dの位置やパターンを適切にすること
でMR信号の入力だけで開口制御できるようになる。
【0030】図7にMR信号の入力による開口制御する
ためのブロック図、図8にMR信号と開口波形の図を示
す。
ためのブロック図、図8にMR信号と開口波形の図を示
す。
【0031】図7において、22は磁気検出回路で、M
R素子21に電圧を加えたり、MR素子21の出力電圧
をコンパレータにかけて図8に示すようなパルス状のM
R信号を形成する回路を含んでいる。23は駆動ピン4
の駆動機構を制御する駆動制御回路であり、24は露出
制御装置を制御する制御回路である。
R素子21に電圧を加えたり、MR素子21の出力電圧
をコンパレータにかけて図8に示すようなパルス状のM
R信号を形成する回路を含んでいる。23は駆動ピン4
の駆動機構を制御する駆動制御回路であり、24は露出
制御装置を制御する制御回路である。
【0032】図8は各セクタが全開した時のMR信号と
開口波形であるが、各セクタの開き始めから開き終わり
まで(x−y区間)に磁気検出回路22から数パルスの
MR信号が得られることがわかる。つまり、公知の技術
でこのMR信号のパルス数をカウントし、不図示のカメ
ラの測距手段により得られた絞り値を基に、その絞り値
に対応したカウント数のMR信号が得られたところで、
制御回路24から駆動制御回路23へ閉じ信号を送れ
ば、駆動ピン4が閉じ方向に駆動され、各セクタは閉じ
る。このように、MR信号の入力だけで開口制御が可能
となる。
開口波形であるが、各セクタの開き始めから開き終わり
まで(x−y区間)に磁気検出回路22から数パルスの
MR信号が得られることがわかる。つまり、公知の技術
でこのMR信号のパルス数をカウントし、不図示のカメ
ラの測距手段により得られた絞り値を基に、その絞り値
に対応したカウント数のMR信号が得られたところで、
制御回路24から駆動制御回路23へ閉じ信号を送れ
ば、駆動ピン4が閉じ方向に駆動され、各セクタは閉じ
る。このように、MR信号の入力だけで開口制御が可能
となる。
【0033】なお、MR信号だけでなく、従来公知のよ
うにMR信号の入力から所定秒時経過後に駆動制御回路
23へ閉じ信号を送って開口制御してもよい。
うにMR信号の入力から所定秒時経過後に駆動制御回路
23へ閉じ信号を送って開口制御してもよい。
【0034】さらに、MR素子21の代わりにホール素
子14を用いても、同様にホール信号の入力だけで開口
制御できるのは言うまでもない。
子14を用いても、同様にホール信号の入力だけで開口
制御できるのは言うまでもない。
【0035】以上のように、本実施例では、磁性めっき
とMR素子の組合せにより、コンパクトで細かい制御の
できる露出制御装置を提供することが可能となる。
とMR素子の組合せにより、コンパクトで細かい制御の
できる露出制御装置を提供することが可能となる。
【0036】図9は本発明の第3実施例を示す。
【0037】本実施例は、第1,第2実施例と同様に3
枚のセクタにより開口量を制御しているが、第1セクタ
31自体を永久磁石材料により形成している。具体的に
は、永久磁石材料を圧延して適切な厚みにした後、所定
の形状に打抜き、適当位置に「N極」と「S極」を交互
に一定ピッチで複数着磁処理した着磁部31aを形成さ
れている。そして、この着磁部31aを第2実施例と同
様にMR素子21により検出するようにしている。
枚のセクタにより開口量を制御しているが、第1セクタ
31自体を永久磁石材料により形成している。具体的に
は、永久磁石材料を圧延して適切な厚みにした後、所定
の形状に打抜き、適当位置に「N極」と「S極」を交互
に一定ピッチで複数着磁処理した着磁部31aを形成さ
れている。そして、この着磁部31aを第2実施例と同
様にMR素子21により検出するようにしている。
【0038】本実施例によれば、前述した各実施例と同
様の効果が得られ、カメラの小型化を図ることができ
る。
様の効果が得られ、カメラの小型化を図ることができ
る。
【0039】なお、上記した第1,第2実施例におい
て、第1セクタ11に設けられている磁性部の記録情報
はN極,S極であるが、これに限ることはなく、他の情
報であってもよい。
て、第1セクタ11に設けられている磁性部の記録情報
はN極,S極であるが、これに限ることはなく、他の情
報であってもよい。
【0040】また、遮光部材からなるセクタの枚数は上
記した実施例に限定されるものではなく、2枚又はそれ
以上であってもよい。
記した実施例に限定されるものではなく、2枚又はそれ
以上であってもよい。
【0041】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
開口位置に制限されることなく遮光羽根の位置を検出で
きる手段を遮光羽根に設けることができ、遮光羽根の小
型化とそれによる露出制御装置のコンパクト化が可能と
なった。また、遮光羽根の位置を検出するための検出素
子のレイアウトの自由度が広がり、これによっても露出
制御装置のコンパクト化を実現することができ、結果と
してカメラの小型化を図ることができる。
開口位置に制限されることなく遮光羽根の位置を検出で
きる手段を遮光羽根に設けることができ、遮光羽根の小
型化とそれによる露出制御装置のコンパクト化が可能と
なった。また、遮光羽根の位置を検出するための検出素
子のレイアウトの自由度が広がり、これによっても露出
制御装置のコンパクト化を実現することができ、結果と
してカメラの小型化を図ることができる。
【図1】本発明の第1実施例における第1セクタの平面
図。
図。
【図2】図1の第1セクタに形成された磁性部の断面を
示す図。
示す図。
【図3】第1実施例の露出制御装置の正面図。
【図4】磁性メッキのメッキ条件と出力特性の関係を示
す図。
す図。
【図5】第2実施例の露出制御装置の正面図。
【図6】磁性部のピッチ間隔を示し、(a)は第1実施
例の磁性部、(b)は第2実施例の磁性部を示す。
例の磁性部、(b)は第2実施例の磁性部を示す。
【図7】MR信号の入力により開口制御するためのブロ
ック図。
ック図。
【図8】MR信号と開口波形を示す図。
【図9】第3実施例の露出制御装置の正面図。
【図10】従来の露出制御装置の正面図。
1…開口 4…駆動ピン 11,112,13,31…セクタ 11b,12b,13b,31b…支軸 11c,12c,13c,31c…長溝 11a,11d,31a…磁性部 14…ホール素子 21…MR素子
Claims (9)
- 【請求項1】 複数の遮光羽根を開口に対して移動させ
ることにより露出の制御を行う露出制御装置において、 該複数の遮光羽根の少なくとも一つの遮光羽根には、そ
の一部に位置情報を記録した磁性層が形成され、該位置
情報を検出する位置情報検出手段により遮光羽根の位置
を検出することを特徴とする露出制御装置。 - 【請求項2】 請求項1において、磁性層は、磁性メッ
キ法により形成されていることを特徴とする露出制御装
置。 - 【請求項3】 請求項2において、磁性層は遮光羽根の
基材上に形成したニッケルメッキ層と、該ニッケルメッ
キ層上に形成したコバルトメッキ層から構成されている
ことを特徴とする露出制御装置。 - 【請求項4】 請求項3において、ニッケルメッキ層は
片側50μm以下、コバルトメッキ層は片側50μm以
下であることを特徴とする露出制御装置。 - 【請求項5】 複数の遮光羽根を開口に対して移動させ
ることにより露出の制御を行う露出制御装置において、 該複数の遮光羽根の少なくとも一つの遮光羽根は、磁性
材料から構成し、その一部に位置情報を記録した情報記
録部が形成され、該位置情報を検出する位置情報検出手
段により遮光羽根の位置を検出することを特徴とする露
出制御装置。 - 【請求項6】 請求項1又は5において、位置情報検出
手段はMR素子であることを特徴とする露出制御装置。 - 【請求項7】 請求項1又は5において、位置情報検出
手段はホール素子であることを特徴とする露出制御装
置。 - 【請求項8】 請求項6又は7において、MR素子又は
ホール素子からの入力信号のパルス数をカウントして開
口制御することを特徴とする露出制御装置。 - 【請求項9】 請求項1ないし8のいずれかに記載の露
出制御装置を有することを特徴とするカメラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6675193A JPH06281995A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 露出制御装置及びカメラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6675193A JPH06281995A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 露出制御装置及びカメラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06281995A true JPH06281995A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13324905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6675193A Pending JPH06281995A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 露出制御装置及びカメラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06281995A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6853810B1 (en) | 2002-07-10 | 2005-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Quantity-of-light adjusting device |
| JP2010128358A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Nidec Copal Corp | カメラ用絞り装置 |
-
1993
- 1993-03-25 JP JP6675193A patent/JPH06281995A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6853810B1 (en) | 2002-07-10 | 2005-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Quantity-of-light adjusting device |
| US6904235B2 (en) | 2002-07-10 | 2005-06-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Quantity-of-light adjusting device |
| JP2010128358A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Nidec Copal Corp | カメラ用絞り装置 |
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