JPH0628309B2 - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPH0628309B2 JPH0628309B2 JP60219220A JP21922085A JPH0628309B2 JP H0628309 B2 JPH0628309 B2 JP H0628309B2 JP 60219220 A JP60219220 A JP 60219220A JP 21922085 A JP21922085 A JP 21922085A JP H0628309 B2 JPH0628309 B2 JP H0628309B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- conversion element
- image sensor
- light
- conversion elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ファクシミリやハンドスキャナー等の入力装
置に用いられる原稿幅と同一寸法を有し、かつ原稿に密
着して読み取ることのできる密着型イメージセンサに関
するものである。
置に用いられる原稿幅と同一寸法を有し、かつ原稿に密
着して読み取ることのできる密着型イメージセンサに関
するものである。
（従来の技術） 従来の密着型イメージセンサは第６図に示すような構成
になっている。同図において、密着型イメージセンサの
副走査方向の断面図で示すように、たとえばコーニング
7059等の平坦な透光性絶縁基板21上に、照明窓22を有す
る遮光層23を形成し、SiO2，Si3N4等の透光性絶縁層24
を、光電変換素子25と遮光層23の間に絶縁性を確保する
ために形成する。光電変換素子25はCdS,CdSeあるいは固
溶体CdS-CdSe等で島状に形成し、CdCl2雰囲気中で活性
化熱処理を行ない、一定単位数ごとにまとめた共通電極
26と各光電変換素子25に対応した個別電極27とからなる
対向電極を形成したのち、各共通電極26内の同一順番目
に対応する各光電変換素子25の個別電極27を、フィルム
リード28をボンディングすることによってマトリクス結
線し、外部への読出し電極数を減少させ、光電変換素子
25上には、薄膜ガラス等の透明保護層29を設けて構成さ
れており、照明窓22から入射する光がローラー30で送ら
れる原稿31で反射し、その反射光32の信号を光電変換素
子25で電気信号に変換し、アトリクス結線した読出し電
極から信号を読み取っていた。
になっている。同図において、密着型イメージセンサの
副走査方向の断面図で示すように、たとえばコーニング
7059等の平坦な透光性絶縁基板21上に、照明窓22を有す
る遮光層23を形成し、SiO2，Si3N4等の透光性絶縁層24
を、光電変換素子25と遮光層23の間に絶縁性を確保する
ために形成する。光電変換素子25はCdS,CdSeあるいは固
溶体CdS-CdSe等で島状に形成し、CdCl2雰囲気中で活性
化熱処理を行ない、一定単位数ごとにまとめた共通電極
26と各光電変換素子25に対応した個別電極27とからなる
対向電極を形成したのち、各共通電極26内の同一順番目
に対応する各光電変換素子25の個別電極27を、フィルム
リード28をボンディングすることによってマトリクス結
線し、外部への読出し電極数を減少させ、光電変換素子
25上には、薄膜ガラス等の透明保護層29を設けて構成さ
れており、照明窓22から入射する光がローラー30で送ら
れる原稿31で反射し、その反射光32の信号を光電変換素
子25で電気信号に変換し、アトリクス結線した読出し電
極から信号を読み取っていた。
（参考文献：特開昭58-40856号公報） （発明が解決しようとする問題点） 上記構成の密着型イメージセンサでは、透光性絶縁基板
上の光電変換素子と原稿との間の透明保護層の膜厚を、
S/Nを上げるために、たとえば８素子/mm，125μｍピッ
チで光電変換素子が並ぶ場合、100μｍ程度としなけれ
はならず、厚くできないため、フィルムリードで結線さ
れる読出し電極や、共通電極等の取出しリード線が、ロ
ーラーで送り込まれる原稿を傷つけたり、接触による断
線が多く信頼性に問題があった。また、これを避けるた
めに、光電変換素子と取出し電極等との距離を広げれ
ば、歩留りが低下したり、配線間の容量の増加を招く等
の欠点があった。
上の光電変換素子と原稿との間の透明保護層の膜厚を、
S/Nを上げるために、たとえば８素子/mm，125μｍピッ
チで光電変換素子が並ぶ場合、100μｍ程度としなけれ
はならず、厚くできないため、フィルムリードで結線さ
れる読出し電極や、共通電極等の取出しリード線が、ロ
ーラーで送り込まれる原稿を傷つけたり、接触による断
線が多く信頼性に問題があった。また、これを避けるた
めに、光電変換素子と取出し電極等との距離を広げれ
ば、歩留りが低下したり、配線間の容量の増加を招く等
の欠点があった。
本発明の目的は、従来の欠点を解消し、簡単な構造で、
信頼性の高い密着型イメージセンサを提供することであ
る。
信頼性の高い密着型イメージセンサを提供することであ
る。
（問題点を解決するための手段） 本発明の密着型イメージセンサは、副走査方向に半円状
をなす透光性絶縁基板上に、照明窓を有する遮光層と、
透光性絶縁層と、主走査方向に沿った光電変換素子と、
この光電変換を一定単位数ごとにまとめた共通電極と、
前記光電変換素子に対応した個別電極からなる対向電極
とで、共通電極内の同一順番目に対応する光電変換素子
の、前記個別電極をそれぞれ接続した読出し電極と、少
なくとも、前記光電変換素子上を覆う透明保護層とより
なるものである。
をなす透光性絶縁基板上に、照明窓を有する遮光層と、
透光性絶縁層と、主走査方向に沿った光電変換素子と、
この光電変換を一定単位数ごとにまとめた共通電極と、
前記光電変換素子に対応した個別電極からなる対向電極
とで、共通電極内の同一順番目に対応する光電変換素子
の、前記個別電極をそれぞれ接続した読出し電極と、少
なくとも、前記光電変換素子上を覆う透明保護層とより
なるものである。
まいた、光電変換素子が照明窓の両側に形成され、さら
に、光電変換素子が帯状の光電変換膜からなるものであ
る。
に、光電変換素子が帯状の光電変換膜からなるものであ
る。
（作用） 上記構成により、原稿と光電変換素子との距離を100μ
ｍ程度に保つとともに、フィルムリード等の読出し配線
や共通側の取出し配線と原稿との間隔を広げることがで
き、この結果、信頼性を高めることができる。
ｍ程度に保つとともに、フィルムリード等の読出し配線
や共通側の取出し配線と原稿との間隔を広げることがで
き、この結果、信頼性を高めることができる。
（実施例） 本発明の一実施例を第１図ないし第５図に基づいて説明
する。
する。
第１図はは本発明の密着型イメージセンサの副走査方向
の断面図であり、第２図は同平面図である。同図におい
て、コーニング7059等で副走査方向に半円状、あるいは
テーパ状をなす透光性絶縁基板１上に、照明窓２を有す
る遮光層３を、Si，Cr，Ta，W，Ti等で形成し、遮光層
３の上に、SiO2，Si3N4，Ta2O5の透光性絶縁層４をスパ
ッタリング法等で厚さ約5000Åを形成し、光電変換素子
５と遮光層３との絶縁性を保たせる。光電変換素子５は
第２図に示すように、CdS，CdSeあるいは固溶体CdS-CdS
e等で主走査方向に島状に並べて蒸着法により厚さ約400
0Å形成し、CdCl2雰囲気中で活性化熱処理したのち、一
定単位ごとにまとめた共通電極６と各光電変換素子５に
対応した個別電極７からなる対向電極を、NiCr-Au等で
厚さ約1000Å形成したのち、各共通電極６内の同一順番
目に対応した各光電変換素子５の個別電極７を、第６図
の従来例に示したようにフィルムリード８でボンディン
グによりマトリクス結線し、読出し電極とする。さらに
少なくとも光電変換素子５上には、薄膜ガラス等の透明
保護層９を接着等形成して構成している。そして、読取
り原理は、照明窓２から入射する光がローラー10で送ら
れてくる原稿11面で反射し、その反射光12の信号を光電
変換素子５で電気信号に変換し、マトリクス結線した読
出し電極から外部回路へ取り出す構成となっている。
の断面図であり、第２図は同平面図である。同図におい
て、コーニング7059等で副走査方向に半円状、あるいは
テーパ状をなす透光性絶縁基板１上に、照明窓２を有す
る遮光層３を、Si，Cr，Ta，W，Ti等で形成し、遮光層
３の上に、SiO2，Si3N4，Ta2O5の透光性絶縁層４をスパ
ッタリング法等で厚さ約5000Åを形成し、光電変換素子
５と遮光層３との絶縁性を保たせる。光電変換素子５は
第２図に示すように、CdS，CdSeあるいは固溶体CdS-CdS
e等で主走査方向に島状に並べて蒸着法により厚さ約400
0Å形成し、CdCl2雰囲気中で活性化熱処理したのち、一
定単位ごとにまとめた共通電極６と各光電変換素子５に
対応した個別電極７からなる対向電極を、NiCr-Au等で
厚さ約1000Å形成したのち、各共通電極６内の同一順番
目に対応した各光電変換素子５の個別電極７を、第６図
の従来例に示したようにフィルムリード８でボンディン
グによりマトリクス結線し、読出し電極とする。さらに
少なくとも光電変換素子５上には、薄膜ガラス等の透明
保護層９を接着等形成して構成している。そして、読取
り原理は、照明窓２から入射する光がローラー10で送ら
れてくる原稿11面で反射し、その反射光12の信号を光電
変換素子５で電気信号に変換し、マトリクス結線した読
出し電極から外部回路へ取り出す構成となっている。
上記構成によって、ローラーから送り込まれる上記原稿
がフィルムリード結線等と接触することがなくなるため
配線の断線や、原稿の接触による破損がなく、信頼性を
従来に比べて大幅に高めることできる。また副走査方向
の配線を長くする必要もないので生産性は従来と同じで
ある。
がフィルムリード結線等と接触することがなくなるため
配線の断線や、原稿の接触による破損がなく、信頼性を
従来に比べて大幅に高めることできる。また副走査方向
の配線を長くする必要もないので生産性は従来と同じで
ある。
第３図は、本発明の第２の実施例を示しており、第２図
と異なるところは、照明窓２の両側に島状の光電変換素
子５を形成し、光電変換信号を並列に取り出す構成とし
たものである。この場合、原稿11の反射光12の半分を無
駄にしていたものが有効に利用でき、光感度を上げるこ
とができる。
と異なるところは、照明窓２の両側に島状の光電変換素
子５を形成し、光電変換信号を並列に取り出す構成とし
たものである。この場合、原稿11の反射光12の半分を無
駄にしていたものが有効に利用でき、光感度を上げるこ
とができる。
さらに、第４図は、第３の実施例を示しており、第２図
と異なる点は、島状の光電変換素子５を帯状の光電変換
素子13とすることにより、ピッチずれによる位置合わせ
の困難さもなく、電極パターンだけで決められるので、
高解像度化が容易である。
と異なる点は、島状の光電変換素子５を帯状の光電変換
素子13とすることにより、ピッチずれによる位置合わせ
の困難さもなく、電極パターンだけで決められるので、
高解像度化が容易である。
最後に、第５図は、第４の実施例を示すものであり、第
３図と第４図の利点を合わせた構成とすることにより、
高感度でかつ高解像度が容易に得られる。
３図と第４図の利点を合わせた構成とすることにより、
高感度でかつ高解像度が容易に得られる。
ここで、第２ないし第４の実施例において、上記以外の
構成および効果は第１の実施例と同様である。
構成および効果は第１の実施例と同様である。
（発明の効果） 本発明によれば、透光性絶縁基板を半円状あるいはテー
パ状とすることにより、フィルムリード等の読出し電極
との接触による配線の断線や原稿の破損がなくなり、信
頼性を非常に高めることができ、実用上の効果は大であ
る。
パ状とすることにより、フィルムリード等の読出し電極
との接触による配線の断線や原稿の破損がなくなり、信
頼性を非常に高めることができ、実用上の効果は大であ
る。
また光電変換素子の構成を変えることにより、高感度
で、かつ高解像度化が容易にできる効果もある。
で、かつ高解像度化が容易にできる効果もある。
第１図は本発明の第１の実施例における密着型イメージ
センサの要部断面図、第２図は同平面図、第３図は同第
２の実施例の平面図、第４図は同第３の実施例の平面
図、第５図は同第４の実施例の平面図、第６図は従来の
密着型イメージセンサの断面図である。 1,21……透光性絶縁基板、2,22……照明窓、 3,23……遮光層、4,24……透光性絶縁層、 5,13,25……光電変換素子、6,26……共通電極、 7,27……個別電極、8,28……フィルムリード、 9,29……透明保護層、10,30……ローラー、 11,30……原稿、12,32……反射光。
センサの要部断面図、第２図は同平面図、第３図は同第
２の実施例の平面図、第４図は同第３の実施例の平面
図、第５図は同第４の実施例の平面図、第６図は従来の
密着型イメージセンサの断面図である。 1,21……透光性絶縁基板、2,22……照明窓、 3,23……遮光層、4,24……透光性絶縁層、 5,13,25……光電変換素子、6,26……共通電極、 7,27……個別電極、8,28……フィルムリード、 9,29……透明保護層、10,30……ローラー、 11,30……原稿、12,32……反射光。
Claims (3)
- 【請求項１】副走査方向に凸半円状をなす透光性絶縁基
板上に、照明窓を有する遮光層と、透光性絶縁層と、主
走査方向に沿った光電変換素子と、該光電変換素子を一
定単位数ごとにまとめた共通電極と、前記光電変換素子
に対応した個別電極からなる対向電極とで、前記共通電
極内の同一順番目に対応する光電変換素子の、前記個別
電極をそれと接続した読出し電極と、少なくとも、前記
光電変換素子上を覆う透明保護層とよりなることを特徴
とする密着型イメージセンサ。 - 【請求項２】光電変換素子が照明窓の両側に形成された
ことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の密着型
イメージセンサ。 - 【請求項３】光電変換素子が帯状の光電変換膜からなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項または第(2)項
記載の密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219220A JPH0628309B2 (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219220A JPH0628309B2 (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6279662A JPS6279662A (ja) | 1987-04-13 |
| JPH0628309B2 true JPH0628309B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=16732082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60219220A Expired - Fee Related JPH0628309B2 (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0628309B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415970A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Canon Kk | Image reading equipment |
-
1985
- 1985-10-03 JP JP60219220A patent/JPH0628309B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6279662A (ja) | 1987-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2584774B2 (ja) | 密着型光電変換装置 | |
| JPH0628309B2 (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JPS628951B2 (ja) | ||
| EP0321224B1 (en) | Image sensor | |
| US4691242A (en) | Contact type image sensor having multiple common electrodes to provide increased pixel density | |
| JPS5840856A (ja) | 光センサアレイ | |
| JPS6184860A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH0747874Y2 (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JPS637473B2 (ja) | ||
| JP3146509B2 (ja) | ２次元密着型イメージセンサ | |
| JPH0441862B2 (ja) | ||
| JPS6236961A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JPS61161757A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JP2974151B2 (ja) | 密着センサ | |
| JP2573342B2 (ja) | 受光素子 | |
| JP2910227B2 (ja) | 密着型イメージセンサの製造方法 | |
| JPS6236962A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JPS61161868A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JP2639663B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| JPH02106970A (ja) | 密着型イメージセンサ | |
| JPS6143066A (ja) | 密着形イメ−ジセンサ | |
| JPH0522517A (ja) | 密着型イメージセンサ | |
| JPS63245956A (ja) | アモルフアスシリコンイメ−ジセンサ | |
| JPH01173752A (ja) | 等倍イメージセンサー | |
| JPH01138751A (ja) | 光センサ−アレイ及び読み取り装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |