JPH06283468A - プラズマ発生装置 - Google Patents
プラズマ発生装置Info
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- JPH06283468A JPH06283468A JP5067837A JP6783793A JPH06283468A JP H06283468 A JPH06283468 A JP H06283468A JP 5067837 A JP5067837 A JP 5067837A JP 6783793 A JP6783793 A JP 6783793A JP H06283468 A JPH06283468 A JP H06283468A
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- vacuum chamber
- density
- plasma generator
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、高真空のもとで高密度プラズマを
発生し、均一性が良く、大型化の容易な、加工物への損
傷の少ないプラズマ発生装置を提供する。 【構成】 プラズマ発生する真空室１と、前記真空室１
側壁にほぼ回転対称に設置されたアスペクト比0.5以上
の溝７を備え、プラズマ密度を増加せしめたプラズマ発
生装置である。この溝７部分で高密度のプラズマが発生
する。これは実験的に得られた結果であるが、いわゆる
ホローカソード放電と同様の原理すなわちプラズマの局
所的な閉じ込め作用によるものと考えられる。局所的な
プラズマ密度はこのような作用の無い場合に比べ２倍以
上になる。
発生し、均一性が良く、大型化の容易な、加工物への損
傷の少ないプラズマ発生装置を提供する。 【構成】 プラズマ発生する真空室１と、前記真空室１
側壁にほぼ回転対称に設置されたアスペクト比0.5以上
の溝７を備え、プラズマ密度を増加せしめたプラズマ発
生装置である。この溝７部分で高密度のプラズマが発生
する。これは実験的に得られた結果であるが、いわゆる
ホローカソード放電と同様の原理すなわちプラズマの局
所的な閉じ込め作用によるものと考えられる。局所的な
プラズマ密度はこのような作用の無い場合に比べ２倍以
上になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波放電を用いたプ
ラズマ発生装置に関するものである。
ラズマ発生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波放電を用いたプラズマ発生方法
は、微細加工のためのドライエッチング、薄膜形成のた
めのスパッタリングやプラズマＣＶＤ、イオン注入装置
等さまざまな分野で用いられており、加工寸法の微細化
や膜質の高精度な制御のために、高真空中でのプラズマ
生成が求められている。
は、微細加工のためのドライエッチング、薄膜形成のた
めのスパッタリングやプラズマＣＶＤ、イオン注入装置
等さまざまな分野で用いられており、加工寸法の微細化
や膜質の高精度な制御のために、高真空中でのプラズマ
生成が求められている。
【０００３】以下、プラズマ発生方法の適用例として、
微細加工に適するドライエッチングについて説明する。
現代の高密度半導体集積回路の進歩は産業革命にも比較
される変革をもたらしつつあり、半導体集積回路の高密
度化は、素子寸法の微細化、デバイスの改良、チップサ
イズの大面積化等により実現されてきた。素子寸法の微
細化は光の波長程度にまで進んできており、リソグラフ
ィーにはエキシマレーザーやＸ線の使用が有望である。
微細パターンの実現には、リソグラフィーと並んでドラ
イエッチングが重要な役割を果たしていると言える。
微細加工に適するドライエッチングについて説明する。
現代の高密度半導体集積回路の進歩は産業革命にも比較
される変革をもたらしつつあり、半導体集積回路の高密
度化は、素子寸法の微細化、デバイスの改良、チップサ
イズの大面積化等により実現されてきた。素子寸法の微
細化は光の波長程度にまで進んできており、リソグラフ
ィーにはエキシマレーザーやＸ線の使用が有望である。
微細パターンの実現には、リソグラフィーと並んでドラ
イエッチングが重要な役割を果たしていると言える。
【０００４】ドライエッチングとは、プラズマ中に存在
するラジカル、イオン等による気相と固相表面における
化学的叉は物理的反応を利用し、薄膜叉は基板の不要な
部分を除去する加工技術である。ドライエッチング技術
として最も広く用いられている反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）は、適当なガスの高周波放電プラズマ中に試
料を曝すことによりエッチング反応を起こさせ、試料表
面の不要部分を除去するものである。必要な部分つまり
除去しない部分は、通常マスクとして用いたホトレジス
トパターンにより保護されている。
するラジカル、イオン等による気相と固相表面における
化学的叉は物理的反応を利用し、薄膜叉は基板の不要な
部分を除去する加工技術である。ドライエッチング技術
として最も広く用いられている反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）は、適当なガスの高周波放電プラズマ中に試
料を曝すことによりエッチング反応を起こさせ、試料表
面の不要部分を除去するものである。必要な部分つまり
除去しない部分は、通常マスクとして用いたホトレジス
トパターンにより保護されている。
【０００５】微細化のためにはイオンの方向性を揃える
ことが必要であるが、このためにはプラズマ中でのイオ
ンの散乱を減らすことが不可欠である。イオンの方向性
を揃えるためには、プラズマ発生装置の真空度を高めて
イオンの平均自由行程を大きくすることが効果的であ
り、0.25μｍ程度の寸法加工には１Pa程度の高真空が必
要である。一方、プラズマ室の真空度を高めると高周波
放電が生じにくいという問題がある。
ことが必要であるが、このためにはプラズマ中でのイオ
ンの散乱を減らすことが不可欠である。イオンの方向性
を揃えるためには、プラズマ発生装置の真空度を高めて
イオンの平均自由行程を大きくすることが効果的であ
り、0.25μｍ程度の寸法加工には１Pa程度の高真空が必
要である。一方、プラズマ室の真空度を高めると高周波
放電が生じにくいという問題がある。
【０００６】そこでその対策として一般に、プラズマ室
に磁場を印加して放電の発生を容易にする方法、例えば
マグネトロンＲＩＥ或はＥＣＲドライエッチング技術が
開発されてきた。図３は、従来のマグネトロン放電を用
いたイオンエッチング装置を示す模式図である。金属性
のチャンバー８１内にはガスコントローラー８２を介し
て反応性ガスが導入され、チャンバー８１内は排気系８
３によって適切な圧力に制御されている。チャンバー８
１の上部にはアノード８４が設けられ、下部にはカソー
ドとなる試料台８５が設けられている。試料台８５には
インピーダンス整合回路８６を介してＲＦ電源８７が接
続されており、試料台８５とアノード８４との間で高周
波放電を起こすことができる。チャンバー８１の各側部
には、対向する一対の交流電磁石８８が互いに位相が９
０度異なった状態で２組設けられており、該２組の交流
電磁石８８によりチャンバー８１内に回転磁場が印加さ
れ、高真空中での放電を容易にしている。このようにす
ると、電子が回転磁場によりサイクロイド運動をするた
め電子の運動経路が長くなり、イオン化効率が高くなる
というものである。しかしながらこのようにしても高真
空化にともないプラズマが発生しにくくなり、実際には
デバイスへのダメージの生じない数１０ガウスの磁場下
では１Pa程度以上の圧力下でしかプラズマ発生できなか
った。
に磁場を印加して放電の発生を容易にする方法、例えば
マグネトロンＲＩＥ或はＥＣＲドライエッチング技術が
開発されてきた。図３は、従来のマグネトロン放電を用
いたイオンエッチング装置を示す模式図である。金属性
のチャンバー８１内にはガスコントローラー８２を介し
て反応性ガスが導入され、チャンバー８１内は排気系８
３によって適切な圧力に制御されている。チャンバー８
１の上部にはアノード８４が設けられ、下部にはカソー
ドとなる試料台８５が設けられている。試料台８５には
インピーダンス整合回路８６を介してＲＦ電源８７が接
続されており、試料台８５とアノード８４との間で高周
波放電を起こすことができる。チャンバー８１の各側部
には、対向する一対の交流電磁石８８が互いに位相が９
０度異なった状態で２組設けられており、該２組の交流
電磁石８８によりチャンバー８１内に回転磁場が印加さ
れ、高真空中での放電を容易にしている。このようにす
ると、電子が回転磁場によりサイクロイド運動をするた
め電子の運動経路が長くなり、イオン化効率が高くなる
というものである。しかしながらこのようにしても高真
空化にともないプラズマが発生しにくくなり、実際には
デバイスへのダメージの生じない数１０ガウスの磁場下
では１Pa程度以上の圧力下でしかプラズマ発生できなか
った。
【０００７】こうした問題の解決のため、本発明は高真
空の下で高密度で均一性に優れたプラズマ発生を実現
し、微細加工性にすぐれかつデバイスへの損傷の少ない
プラズマ発生装置を提供することを目的とする。
空の下で高密度で均一性に優れたプラズマ発生を実現
し、微細加工性にすぐれかつデバイスへの損傷の少ない
プラズマ発生装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明のプラズマ発生装置では、プラズマ発生す
る真空室と、前記真空室側壁にほぼ回転対称に設置され
たアスペクト比0.5以上の孔または溝を備え、プラズマ
密度を増加せしめている。
めに、本発明のプラズマ発生装置では、プラズマ発生す
る真空室と、前記真空室側壁にほぼ回転対称に設置され
たアスペクト比0.5以上の孔または溝を備え、プラズマ
密度を増加せしめている。
【０００９】また本発明の装置では、真空室周辺部にほ
ぼ軸対称に設置されたＮ個の電極と、およそ等分割され
位相が配置順にそれぞれおよそ３６０／Ｎ°異なる第１
周波数の高周波電力を前記Ｎ個の電極に供給する機構
と、前記Ｎ個の電極により形成される電界により誘起さ
れる電子の運動によりプラズマ密度を増加せしめること
を特徴とするリサジューエレクトロンプラズマ発生装置
に真空室側壁にほぼ回転対称に設置されたアスペクト比
0.5以上の孔または溝を備えている。
ぼ軸対称に設置されたＮ個の電極と、およそ等分割され
位相が配置順にそれぞれおよそ３６０／Ｎ°異なる第１
周波数の高周波電力を前記Ｎ個の電極に供給する機構
と、前記Ｎ個の電極により形成される電界により誘起さ
れる電子の運動によりプラズマ密度を増加せしめること
を特徴とするリサジューエレクトロンプラズマ発生装置
に真空室側壁にほぼ回転対称に設置されたアスペクト比
0.5以上の孔または溝を備えている。
【００１０】また本発明の装置では、真空室側壁にほぼ
回転対称に設置されたアスペクト比0.5以上の孔または
溝を備えるとともに、真空室が高周波的に接地電位され
ている。
回転対称に設置されたアスペクト比0.5以上の孔または
溝を備えるとともに、真空室が高周波的に接地電位され
ている。
【００１１】また本発明の装置では、真空室側壁にほぼ
回転対称に設置されたアスペクト比0.5以上の孔または
溝を備えるとともに、真空室内の電極以外の側壁がおお
むね絶縁材料で覆われている。
回転対称に設置されたアスペクト比0.5以上の孔または
溝を備えるとともに、真空室内の電極以外の側壁がおお
むね絶縁材料で覆われている。
【００１２】また本発明の装置では、真空室側壁にほぼ
回転対称に設置されたアスペクト比0.5以上の孔または
溝を備えるとともに、真空室内の真空度が０．１から１
０Ｐａに制御する機能を有している。
回転対称に設置されたアスペクト比0.5以上の孔または
溝を備えるとともに、真空室内の真空度が０．１から１
０Ｐａに制御する機能を有している。
【００１３】
【作用】本発明の装置では真空室側壁にほぼ回転対称に
アスペクト比0.5以上の孔または溝を備えた構成によっ
て、この孔または溝部分で高密度のプラズマが発生す
る。これは実験的に得られた結果であるが、いわゆるホ
ローカソード放電と同様の原理すなわちプラズマの局所
的な閉じ込め作用によるものと考えられる。局所的なプ
ラズマ密度はこのような作用の無い場合に比べ２倍以上
になる。真空室側壁にほぼ回転対称に設置することによ
り、均一な分布も得られる。
アスペクト比0.5以上の孔または溝を備えた構成によっ
て、この孔または溝部分で高密度のプラズマが発生す
る。これは実験的に得られた結果であるが、いわゆるホ
ローカソード放電と同様の原理すなわちプラズマの局所
的な閉じ込め作用によるものと考えられる。局所的なプ
ラズマ密度はこのような作用の無い場合に比べ２倍以上
になる。真空室側壁にほぼ回転対称に設置することによ
り、均一な分布も得られる。
【００１４】さらに真空室周辺部にほぼ軸対称に設置さ
れた円弧状のＮ個の電極と、およそ等分割され位相が配
置順にそれぞれおおよそ３６０／Ｎ°異なる第１周波数
の高周波電力を前記Ｎ個の電極に供給する機構と、前記
Ｎ個の電極により形成される電界により誘起される電子
の運動によりプラズマ密度を増加せしめることを特徴と
するリサジューエレクトロンプラズマ発生装置に、上記
の現象を組み合わせることにより均一かつ高密度のプラ
ズマが得られている。
れた円弧状のＮ個の電極と、およそ等分割され位相が配
置順にそれぞれおおよそ３６０／Ｎ°異なる第１周波数
の高周波電力を前記Ｎ個の電極に供給する機構と、前記
Ｎ個の電極により形成される電界により誘起される電子
の運動によりプラズマ密度を増加せしめることを特徴と
するリサジューエレクトロンプラズマ発生装置に、上記
の現象を組み合わせることにより均一かつ高密度のプラ
ズマが得られている。
【００１５】この場合、真空室側壁が高周波的に接地電
位にされることによりプラズマ密度が高められ、真空室
内の電極以外の側壁をおおむね絶縁材料で覆うことによ
り、側壁をプラズマ電位よりも負に帯電させ、プラズマ
の損失を極力少なくし、高真空下で効率の良いプラズマ
発生を実現している。
位にされることによりプラズマ密度が高められ、真空室
内の電極以外の側壁をおおむね絶縁材料で覆うことによ
り、側壁をプラズマ電位よりも負に帯電させ、プラズマ
の損失を極力少なくし、高真空下で効率の良いプラズマ
発生を実現している。
【００１６】また実験の結果、真空室内の真空度が１０
Ｐａ以下である場合に高均一プラズマ状態が実現できる
ことがわかった。
Ｐａ以下である場合に高均一プラズマ状態が実現できる
ことがわかった。
【００１７】
【実施例】以下本発明の一実施例であるドライエッチン
グ装置について、図面を参照しながら説明する。
グ装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１８】図１(a)はＮ＝３の場合の本発明のプラズ
マ発生装置の一実施例であるリサジューエレクトロンプ
ラズマを用いたドライエッチング装置の構造を示す模式
図である。図１(a) において、１は接地され内壁がセラ
ミック、テフロンまたは石英等の絶縁物で覆われたチャ
ンバー、２、３、４は高周波電力が印加される側方電極
である。側方電極２、３、４は円周上に均等間隔に設置
されており、それぞれの電極に印加される放電電力は同
一であるが、電力の位相はおよそ１２０゜ずつ異ならせ
ている。すなわち電極２に対して電極３は位相が１２０
゜進んでおり電極４は１２０゜遅れるように構成してい
る。電極５は高周波電力が印加される試料台であり第４
番目の電極であり、６は電極５に対する接地電極で電極
５を取り囲んでいる。溝７は図１(b)に示すように幅１
０ｍｍでアスペクト比１であり、プラズマの高密度化に
役だっている。この場合の溝は、直角の側壁と平坦な底
からなっているが、メンテナンスを容易にするため側壁
をテーパにしたり底を半円筒状にしても良い。チャンバ
ー１にはエッチングガスがマスフローコントローラ（図
示せず）を介して導入口（図示せず）から導かれ、チャ
ンバー内圧力はターボポンプ（図示せず）により０．１
Ｐａから１０Ｐａ程度に制御されている。電極２、３、
４には高周波アンプ１０、１１、１２及び整合回路１
３、１４、１５を介して５０ＭＨｚの高周波電力が供給
され、フェーズシフタ９により１２０゜の位相差が実現
されている。電極５には高周波アンプ１７及び整合回路
１６を介して１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給さ
れ、試料台に印加するＲＦバイアスとしている。
マ発生装置の一実施例であるリサジューエレクトロンプ
ラズマを用いたドライエッチング装置の構造を示す模式
図である。図１(a) において、１は接地され内壁がセラ
ミック、テフロンまたは石英等の絶縁物で覆われたチャ
ンバー、２、３、４は高周波電力が印加される側方電極
である。側方電極２、３、４は円周上に均等間隔に設置
されており、それぞれの電極に印加される放電電力は同
一であるが、電力の位相はおよそ１２０゜ずつ異ならせ
ている。すなわち電極２に対して電極３は位相が１２０
゜進んでおり電極４は１２０゜遅れるように構成してい
る。電極５は高周波電力が印加される試料台であり第４
番目の電極であり、６は電極５に対する接地電極で電極
５を取り囲んでいる。溝７は図１(b)に示すように幅１
０ｍｍでアスペクト比１であり、プラズマの高密度化に
役だっている。この場合の溝は、直角の側壁と平坦な底
からなっているが、メンテナンスを容易にするため側壁
をテーパにしたり底を半円筒状にしても良い。チャンバ
ー１にはエッチングガスがマスフローコントローラ（図
示せず）を介して導入口（図示せず）から導かれ、チャ
ンバー内圧力はターボポンプ（図示せず）により０．１
Ｐａから１０Ｐａ程度に制御されている。電極２、３、
４には高周波アンプ１０、１１、１２及び整合回路１
３、１４、１５を介して５０ＭＨｚの高周波電力が供給
され、フェーズシフタ９により１２０゜の位相差が実現
されている。電極５には高周波アンプ１７及び整合回路
１６を介して１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給さ
れ、試料台に印加するＲＦバイアスとしている。
【００１９】本装置の電極２、３、４に各５０Ｗを供給
し、Ａｒガス圧力１Ｐａの場合、プラズマ密度は５x１
０10／cm3であった。溝７が無い場合は３x１０10／cm3
であり溝７により約２倍の高密度になっていることがわ
かる。この理由は、いわゆるホローカソード放電と同様
の原理すなわちプラズマの局所的な閉じ込め作用による
ものと考えれる。溝７によるプラズマ密度の増加は実験
の結果、０．１から１０Ｐａ程度の真空度では効果があ
るが、その範囲外では効果は小さかった。また実施例で
は溝の場合を示したが図１(c)のような孔を数個から十
個程度側壁に軸対称に設けても同様の効果が得られる。
溝または孔のアスペクト比は実験からおよそ０．５以上
あればプラズマの高密度化に効果があった。
し、Ａｒガス圧力１Ｐａの場合、プラズマ密度は５x１
０10／cm3であった。溝７が無い場合は３x１０10／cm3
であり溝７により約２倍の高密度になっていることがわ
かる。この理由は、いわゆるホローカソード放電と同様
の原理すなわちプラズマの局所的な閉じ込め作用による
ものと考えれる。溝７によるプラズマ密度の増加は実験
の結果、０．１から１０Ｐａ程度の真空度では効果があ
るが、その範囲外では効果は小さかった。また実施例で
は溝の場合を示したが図１(c)のような孔を数個から十
個程度側壁に軸対称に設けても同様の効果が得られる。
溝または孔のアスペクト比は実験からおよそ０．５以上
あればプラズマの高密度化に効果があった。
【００２０】本実施例の場合、チャンバー内壁はセラミ
ック、テフロンまたは石英等の絶縁物で覆われていると
したが、金属表面の場合も検討した。金属表面の場合は
放電が安定せず、またプラズマ密度も絶縁物で覆われた
場合の半分以下であった。金属表面の場合、プラズマの
チャンバー側壁への拡散による損失が大きいことによる
ものと考えられる。
ック、テフロンまたは石英等の絶縁物で覆われていると
したが、金属表面の場合も検討した。金属表面の場合は
放電が安定せず、またプラズマ密度も絶縁物で覆われた
場合の半分以下であった。金属表面の場合、プラズマの
チャンバー側壁への拡散による損失が大きいことによる
ものと考えられる。
【００２１】本実施例の場合、側方電極２、３、４の表
面はアルミナ被覆している。これはそれらが金属電極の
場合に比べて１０から３０％プラズマ密度を高くできる
ことが実験的に得られている。また、電極のスパッタに
よるチャンバー内の金属汚染を防止するのにも役だって
いる。
面はアルミナ被覆している。これはそれらが金属電極の
場合に比べて１０から３０％プラズマ密度を高くできる
ことが実験的に得られている。また、電極のスパッタに
よるチャンバー内の金属汚染を防止するのにも役だって
いる。
【００２２】この装置を用いて、図２（ａ）の膜構成で
Ｐｏｌｙ−Ｓｉエッチングを行った。図２（ａ）におい
て、３１はレジスト、３２はｎ+Ｐｏｌｙ−Ｓｉ、３３
は熱ＳｉＯ２、３４はＳｉ基板である。エッチング条件
は、Ｃｌ２流量１００ｓｃｃｍ、真空度１Ｐａ、第４番
目の電極５には周波数１３．５６ＭＨｚで電力３０Ｗを
印加し、３個の側方電極２、３、４に周波数５０ＭＨｚ
を印加しその電力を変化させてドライエッチングを行な
った。エッチング形状を図２（ｂ）に示す。全ての条件
下でこのような良好な垂直形状が得られた。エッチング
レートはパワーの増加に比例して増大し、エッチングレ
ートが４００ｎｍ／ｍｉｎの条件下で選択比（対熱酸化
膜）７０が得られた。なおエッチングレートの均一性
は、ほぼ３％程度であった。またエッチング時のゲート
酸化膜（６ｎｍ）の損傷は殆どなく、リサジューエレク
トロンプラズマプロセスの低ダメージ特性を引き継いで
いることがわかった。従来のドライエッチングの方式に
比べて低パワーでデポジション性のガス（例えばＨＢ
ｒ）を用いずに、しかも磁場印加なしに良好なｎ+Ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉのエッチング特性が得られることがわかっ
た。
Ｐｏｌｙ−Ｓｉエッチングを行った。図２（ａ）におい
て、３１はレジスト、３２はｎ+Ｐｏｌｙ−Ｓｉ、３３
は熱ＳｉＯ２、３４はＳｉ基板である。エッチング条件
は、Ｃｌ２流量１００ｓｃｃｍ、真空度１Ｐａ、第４番
目の電極５には周波数１３．５６ＭＨｚで電力３０Ｗを
印加し、３個の側方電極２、３、４に周波数５０ＭＨｚ
を印加しその電力を変化させてドライエッチングを行な
った。エッチング形状を図２（ｂ）に示す。全ての条件
下でこのような良好な垂直形状が得られた。エッチング
レートはパワーの増加に比例して増大し、エッチングレ
ートが４００ｎｍ／ｍｉｎの条件下で選択比（対熱酸化
膜）７０が得られた。なおエッチングレートの均一性
は、ほぼ３％程度であった。またエッチング時のゲート
酸化膜（６ｎｍ）の損傷は殆どなく、リサジューエレク
トロンプラズマプロセスの低ダメージ特性を引き継いで
いることがわかった。従来のドライエッチングの方式に
比べて低パワーでデポジション性のガス（例えばＨＢ
ｒ）を用いずに、しかも磁場印加なしに良好なｎ+Ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉのエッチング特性が得られることがわかっ
た。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明の装置では、高密度
のプラズマが発生する。これは、いわゆるホローカソー
ド放電と同様の原理すなわちプラズマの局所的な閉じ込
め作用によるものと考えれる。本発明は１Ｐａ程度の高
真空プロセスを必要とする高精度プラズマエッチングや
ＣＶＤに適用できる。本発明の装置により、微細加工性
に優れかつ量産性が高く、均一性の良い、ゲート酸化膜
破壊等のデバイスへの損傷も極めて少ないエッチングや
膜堆積が実現できる。
のプラズマが発生する。これは、いわゆるホローカソー
ド放電と同様の原理すなわちプラズマの局所的な閉じ込
め作用によるものと考えれる。本発明は１Ｐａ程度の高
真空プロセスを必要とする高精度プラズマエッチングや
ＣＶＤに適用できる。本発明の装置により、微細加工性
に優れかつ量産性が高く、均一性の良い、ゲート酸化膜
破壊等のデバイスへの損傷も極めて少ないエッチングや
膜堆積が実現できる。
【図１】本発明のプラズマ発生装置を適用した一実施例
におけるドライエッチング装置の構造を示す模式図
におけるドライエッチング装置の構造を示す模式図
【図２】同実施例のドライエッチング装置におけるｎ+
Ｐｏｌｙ−Ｓｉのエッチングを説明するための断面図
Ｐｏｌｙ−Ｓｉのエッチングを説明するための断面図
【図３】従来のマグネトロンＲＩＥ装置の説明図
１ チャンバー ２、３、４ 側方電極 ５ 試料台 ６ アース電極 ７ 溝 ８ 信号源 ９ フェーズシフタ １０、１１、１２、１７ 高周波アンプ １３、１４、１５、１６ 整合回路 ２０ 孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 登 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 江利口 浩二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中山 一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】プラズマ発生する真空室と、前記真空室側
壁にほぼ回転対称に設置されたアスペクト比0.5以上の
孔または溝を備えたことを特徴とするプラズマ発生装
置。 - 【請求項２】請求項１記載において、更に真空室周辺部
にほぼ軸対称に設置されたＮ個の電極と、およそ等分割
され位相が配置順にそれぞれおよそ（３６０／Ｎ）°異
なる周波数の高周波電力を前記Ｎ個の電極に供給する機
構を有し、前記Ｎ個の電極により形成される電界により
誘起される電子の運動によりプラズマ密度を増加せしめ
ることを特徴とするプラズマ発生装置。 - 【請求項３】請求項１記載の真空室が高周波的に接地電
位であることを特徴とするプラズマ発生装置。 - 【請求項４】請求項１記載の真空室内の電極以外の側壁
がおおむね絶縁材料で覆われているを特徴とするプラズ
マ発生装置。 - 【請求項５】請求項１記載の真空室内の真空度を０．１
から１０Ｐａに制御できる機能を有することを特徴とす
るプラズマ発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5067837A JPH06283468A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | プラズマ発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5067837A JPH06283468A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | プラズマ発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283468A true JPH06283468A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13356466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5067837A Pending JPH06283468A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | プラズマ発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283468A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010109157A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Shibaura Mechatronics Corp | 半導体製造装置 |
-
1993
- 1993-03-26 JP JP5067837A patent/JPH06283468A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010109157A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Shibaura Mechatronics Corp | 半導体製造装置 |
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