JPH06283481A - 酸化スズインジウムの反応性イオンエッチング方法 - Google Patents
酸化スズインジウムの反応性イオンエッチング方法Info
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- JPH06283481A JPH06283481A JP6005825A JP582594A JPH06283481A JP H06283481 A JPH06283481 A JP H06283481A JP 6005825 A JP6005825 A JP 6005825A JP 582594 A JP582594 A JP 582594A JP H06283481 A JPH06283481 A JP H06283481A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 11
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 7
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 19
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
- C04B41/5338—Etching
- C04B41/5346—Dry etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/91—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics involving the removal of part of the materials of the treated articles, e.g. etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
- C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来方法の欠点を有さない、基板上に堆積し
たITO 薄層の新規であり改善されたエッチング方法を提
供する。 【構成】 基板１上に堆積した酸化スズインジウム薄層
３を、解離した臭化水素または、解離した臭化水素と解
離した三塩化ホウ素との混合物を含むプラズマ中で反応
性イオンエッチング処理する。
たITO 薄層の新規であり改善されたエッチング方法を提
供する。 【構成】 基板１上に堆積した酸化スズインジウム薄層
３を、解離した臭化水素または、解離した臭化水素と解
離した三塩化ホウ素との混合物を含むプラズマ中で反応
性イオンエッチング処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化スズインジウム薄
層をエッチングする新規であり改善された方法に関す
る。
層をエッチングする新規であり改善された方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】酸化スズインジウム（In2O3:Sn、以下IT
O と呼ぶ) は、薄層形態で用いる際には、表示装置、特
にオプトエレクトリック装置、例えば液晶表示器、エレ
クトロルミネセンス装置およびイメージセンサ用の透明
電極として用いるのに特に適している。さらに、パター
ン化された薄層ITO で形成された電極は、種々の半導体
装置において用いるのに特に適している。
O と呼ぶ) は、薄層形態で用いる際には、表示装置、特
にオプトエレクトリック装置、例えば液晶表示器、エレ
クトロルミネセンス装置およびイメージセンサ用の透明
電極として用いるのに特に適している。さらに、パター
ン化された薄層ITO で形成された電極は、種々の半導体
装置において用いるのに特に適している。
【０００３】ITO 電極は一般に、ITO の薄層を所望の基
板上に堆積させ、パターン化されたフォトレジスト層を
ITO の薄層上に設け、ITO の薄層をフォトレジスト層の
側面に、ITO 層を、フォトレジスト層および基板より顕
著に速い速度で腐食するエッチング剤を用いてエッチン
グすることにより形成する。
板上に堆積させ、パターン化されたフォトレジスト層を
ITO の薄層上に設け、ITO の薄層をフォトレジスト層の
側面に、ITO 層を、フォトレジスト層および基板より顕
著に速い速度で腐食するエッチング剤を用いてエッチン
グすることにより形成する。
【０００４】過去において、ITO 薄層をHI、HCl 、シュ
ウ酸またはHCl とHNO3との混合物の溶液で湿潤エッチン
グすることはしばしば実施されてきた。しかし、これら
の湿潤エッチング方法は好首尾でないことが明らかにな
った。湿潤エッチングは、等方的に進行する反応により
実施されるため、パターン化したフォトレジスト層のオ
ーバーエッチングがしばしば発生し、このためにITO 薄
層のエッチングパターンは完全には画成されない。
ウ酸またはHCl とHNO3との混合物の溶液で湿潤エッチン
グすることはしばしば実施されてきた。しかし、これら
の湿潤エッチング方法は好首尾でないことが明らかにな
った。湿潤エッチングは、等方的に進行する反応により
実施されるため、パターン化したフォトレジスト層のオ
ーバーエッチングがしばしば発生し、このためにITO 薄
層のエッチングパターンは完全には画成されない。
【０００５】The Japanese Journal of Applied Physic
s Vol. 29, No. 10,1990年10月、第L1932 〜L1935 頁に
は、ITO 薄層を、CH4/H2ガス混合物を用いることにより
プラズマエッチング方法でエッチングすることが教示さ
れている。このようなプラズマでのエッチングにより微
細なITO パターンが形成するが、上記の方法は、CH4の
若干の重合が発生するという欠点を有する。これによ
り、形成したITO パターンが汚染される。
s Vol. 29, No. 10,1990年10月、第L1932 〜L1935 頁に
は、ITO 薄層を、CH4/H2ガス混合物を用いることにより
プラズマエッチング方法でエッチングすることが教示さ
れている。このようなプラズマでのエッチングにより微
細なITO パターンが形成するが、上記の方法は、CH4の
若干の重合が発生するという欠点を有する。これによ
り、形成したITO パターンが汚染される。
【０００６】Proceedings Electrochemical Society 19
90 90 (16) には、フルオロクロロカーボン(fluorochl
orocarbon)ガス、例えばCF3Cl またはCF2Cl2を用いた反
応性イオンエッチングが記載されている。このような方
法により微細にエッチングされたITO パターンが形成す
る一方、これはまた、フルオロクロロカーボンガスの重
合による汚染の欠点を有する。さらに、これらのガス
は、環境に有害であると考えられている。従って、これ
らの使用は厳しく制限されており、近い将来には完全に
禁止されうる。
90 90 (16) には、フルオロクロロカーボン(fluorochl
orocarbon)ガス、例えばCF3Cl またはCF2Cl2を用いた反
応性イオンエッチングが記載されている。このような方
法により微細にエッチングされたITO パターンが形成す
る一方、これはまた、フルオロクロロカーボンガスの重
合による汚染の欠点を有する。さらに、これらのガス
は、環境に有害であると考えられている。従って、これ
らの使用は厳しく制限されており、近い将来には完全に
禁止されうる。
【０００７】J. Electrochem. Soc., Vol. 136, No.6,
1989年 6月、第1839〜1840頁において、HIガスを用いた
ITO 薄層の反応性イオンエッチング方法が開示されてい
る。このような方法により、微細にエッチングされたIT
O パターンが形成する。しかし、HIガスは不安定であ
り、爆発性H2を形成する傾向があるため、HIガスは用い
るのが危険である。
1989年 6月、第1839〜1840頁において、HIガスを用いた
ITO 薄層の反応性イオンエッチング方法が開示されてい
る。このような方法により、微細にエッチングされたIT
O パターンが形成する。しかし、HIガスは不安定であ
り、爆発性H2を形成する傾向があるため、HIガスは用い
るのが危険である。
【０００８】米国特許第3,979,240 号明細書には、ITO
薄層を、HBr の濃縮溶液でエッチングすることが記載さ
れている。この方法は、他の湿潤エッチング方法と比較
して改善されたITO パターンを示す一方、このエッチン
グはなお等方的に進行し、多くの目的に対して十分には
微細でなく、均一でないパターンを形成する。米国特許
第4,878,993 号明細書には、ITO 薄層を、解離したアル
ゴンから成るプラズマでスパッターエッチングすること
が教示されている。
薄層を、HBr の濃縮溶液でエッチングすることが記載さ
れている。この方法は、他の湿潤エッチング方法と比較
して改善されたITO パターンを示す一方、このエッチン
グはなお等方的に進行し、多くの目的に対して十分には
微細でなく、均一でないパターンを形成する。米国特許
第4,878,993 号明細書には、ITO 薄層を、解離したアル
ゴンから成るプラズマでスパッターエッチングすること
が教示されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の根本的な目的
は、従来方法の上記の欠点を完全にまたはほぼ完全に有
さない、基板上に堆積したITO 薄層の新規であり改善さ
れたエッチング方法を提供することにある。本発明のこ
のおよび他の目的は、以下の記載から明らかである。
は、従来方法の上記の欠点を完全にまたはほぼ完全に有
さない、基板上に堆積したITO 薄層の新規であり改善さ
れたエッチング方法を提供することにある。本発明のこ
のおよび他の目的は、以下の記載から明らかである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の方法において、
ITO 薄層を、解離した臭化水素を含むプラズマを用いて
反応性イオンエッチングすることにより、微細にエッチ
ングされた、高度に均一なパターンが、基板上に堆積し
たITO 薄層において形成する。このようなプラズマは、
解離した三塩化ホウ素を含むのが好ましい。
ITO 薄層を、解離した臭化水素を含むプラズマを用いて
反応性イオンエッチングすることにより、微細にエッチ
ングされた、高度に均一なパターンが、基板上に堆積し
たITO 薄層において形成する。このようなプラズマは、
解離した三塩化ホウ素を含むのが好ましい。
【００１１】本発明の方法は、実質的に石英である場合
がある二酸化ケイ素基板上にITO パターンを設けるのに
特に有用であり、これは、本発明のエッチング方法を用
いる際に、ITO のエッチング速度が二酸化ケイ素より顕
著に速いためである。しかし、本発明の方法を用いるこ
とにより、微細にエッチングされた、高度に均一なパタ
ーンが、例えばケイ素、窒化ケイ素、ホウケイ酸ガラス
および金属、例えばアルミニウム、クロムおよびモリブ
デンを含む他の種々の基板上に堆積したITO 薄層におい
て形成する。
がある二酸化ケイ素基板上にITO パターンを設けるのに
特に有用であり、これは、本発明のエッチング方法を用
いる際に、ITO のエッチング速度が二酸化ケイ素より顕
著に速いためである。しかし、本発明の方法を用いるこ
とにより、微細にエッチングされた、高度に均一なパタ
ーンが、例えばケイ素、窒化ケイ素、ホウケイ酸ガラス
および金属、例えばアルミニウム、クロムおよびモリブ
デンを含む他の種々の基板上に堆積したITO 薄層におい
て形成する。
【００１２】HBr プラズマを用いたケイ素基板の反応性
イオンエッチングは、米国特許第5,007,982 号明細書か
ら知られ、HBr およびBCl3を含むプラズマを用いたもの
は米国特許第4,784,720 号明細書から知られる。しか
し、これらの参考はいずれもITO のエッチングを示唆し
ていない。
イオンエッチングは、米国特許第5,007,982 号明細書か
ら知られ、HBr およびBCl3を含むプラズマを用いたもの
は米国特許第4,784,720 号明細書から知られる。しか
し、これらの参考はいずれもITO のエッチングを示唆し
ていない。
【００１３】石英または他の二酸化ケイ素基板上に直接
堆積したITO 薄層のエッチングを、解離したHBr と解離
したBCl3との混合物を含むプラズマまたは解離したBCl3
を含むプラズマを用いる本発明の方法により実施するこ
とができる。
堆積したITO 薄層のエッチングを、解離したHBr と解離
したBCl3との混合物を含むプラズマまたは解離したBCl3
を含むプラズマを用いる本発明の方法により実施するこ
とができる。
【００１４】しかし、基板が石英であり、プラズマが解
離したBCl3を含まない際には，ITOの不所望な残留物が
基板上に残留することが見出された。これらの残留物
は、本発明の反応性イオンエッチング方法を実施する際
に使用する電極対の底電極上の有孔領域の画像に対応す
る。このような有孔領域は、ペデスタルまたはネジ状体
が電極の表面に被着することにより生じる。
離したBCl3を含まない際には，ITOの不所望な残留物が
基板上に残留することが見出された。これらの残留物
は、本発明の反応性イオンエッチング方法を実施する際
に使用する電極対の底電極上の有孔領域の画像に対応す
る。このような有孔領域は、ペデスタルまたはネジ状体
が電極の表面に被着することにより生じる。
【００１５】基板がケイ素である際には、ITO 薄層を基
板上に直接堆積させ、エッチングを、解離したHBr を含
み、解離したBCl3を含むかまたは含まないプラズマを用
いて、不所望なITO 残留物が基板の表面上に残留するこ
となく実施することができる。
板上に直接堆積させ、エッチングを、解離したHBr を含
み、解離したBCl3を含むかまたは含まないプラズマを用
いて、不所望なITO 残留物が基板の表面上に残留するこ
となく実施することができる。
【００１６】しかし、本発明の反応性イオンエッチング
方法を用いるケイ素のエッチング速度は、ITO より２ま
たは３小さい因子のみであり、これにより、ケイ素基板
のエッチングに対してITO 層のエッチングを調節するこ
とが困難となる。
方法を用いるケイ素のエッチング速度は、ITO より２ま
たは３小さい因子のみであり、これにより、ケイ素基板
のエッチングに対してITO 層のエッチングを調節するこ
とが困難となる。
【００１７】一般に、装置の製造にあたり、二酸化ケイ
素の薄層を、ケイ素基板とITO 層との間に設ける。二酸
化ケイ素層を、ケイ素基板の表面を適切に酸化すること
により、または化学蒸着(CVD) により容易に形成するこ
とができる。二酸化ケイ素層の適切な厚さは、200 〜50
0 Åである。ITO の層は一般に、約500 〜5000Åの厚さ
である。ITO 層を堆積させる適切な方法は、スパッタリ
ングによる方法である。
素の薄層を、ケイ素基板とITO 層との間に設ける。二酸
化ケイ素層を、ケイ素基板の表面を適切に酸化すること
により、または化学蒸着(CVD) により容易に形成するこ
とができる。二酸化ケイ素層の適切な厚さは、200 〜50
0 Åである。ITO の層は一般に、約500 〜5000Åの厚さ
である。ITO 層を堆積させる適切な方法は、スパッタリ
ングによる方法である。
【００１８】HBr のみを含むプラズマを用いて、厚さが
約1000〜5000Åである薄い導電性層を、ITO 層を堆積さ
せる前に石英基板上に堆積させた際には、基板上に残留
物は存在しなかった。このような層を、導電性金属、例
えばMo,Al またはAgから形成することができる。
約1000〜5000Åである薄い導電性層を、ITO 層を堆積さ
せる前に石英基板上に堆積させた際には、基板上に残留
物は存在しなかった。このような層を、導電性金属、例
えばMo,Al またはAgから形成することができる。
【００１９】ITO 層に所望のパターンを形成するため
に、エッチングを一般に、適切にパターン化したフォト
レジストにより実施する。適切なフォトレジストの例
は、コダック(Kodak) 820 、コダック809 およびシプリ
ー(Shipley)AZ-1470である。
に、エッチングを一般に、適切にパターン化したフォト
レジストにより実施する。適切なフォトレジストの例
は、コダック(Kodak) 820 、コダック809 およびシプリ
ー(Shipley)AZ-1470である。
【００２０】エッチング剤として解離したHBr のみを含
むプラズマを用いた際には、500 Å／分までのITO のエ
ッチング速度を達成することができる。用いることがで
きるBCl3/HBrの流量の比率は、約1/10〜10/1の範囲内で
あり、1/3 〜3/1 の比率が好ましい。
むプラズマを用いた際には、500 Å／分までのITO のエ
ッチング速度を達成することができる。用いることがで
きるBCl3/HBrの流量の比率は、約1/10〜10/1の範囲内で
あり、1/3 〜3/1 の比率が好ましい。
【００２１】BCl3の存在により、エッチング速度が若干
減少する。BCl3/HBr比を1:1 とした結果、エッチング速
度は、純粋なHBr を用いて達成されたものの80％であ
る。しかし、BCl3の存在により、ITO パターンの微細構
造が改善される。
減少する。BCl3/HBr比を1:1 とした結果、エッチング速
度は、純粋なHBr を用いて達成されたものの80％であ
る。しかし、BCl3の存在により、ITO パターンの微細構
造が改善される。
【００２２】一般に、10〜 100SCCM( 標準立方センチメ
ートル毎分) のガス流および50〜200Mtorrのガス圧並び
に100 〜500 ワットの電力を用いる。これらの条件下
で、100 〜500 Å／分のITO のエッチング速度が達成さ
れる。
ートル毎分) のガス流および50〜200Mtorrのガス圧並び
に100 〜500 ワットの電力を用いる。これらの条件下
で、100 〜500 Å／分のITO のエッチング速度が達成さ
れる。
【００２３】
【実施例】以下本発明を図面を参照して説明する。図1A
において、厚さ1000Åの薄い二酸化ケイ素層１を、ケイ
素ウェーハ２の表面上に設けた。この二酸化ケイ素層１
は、ケイ素ウェーハ２の表面上に、熱酸化により形成し
た。厚さ1100ÅのITO 層３を、二酸化ケイ素層１上に、
300 ℃においてスパッター堆積させ、次に300 ℃で30分
間アニールした。
において、厚さ1000Åの薄い二酸化ケイ素層１を、ケイ
素ウェーハ２の表面上に設けた。この二酸化ケイ素層１
は、ケイ素ウェーハ２の表面上に、熱酸化により形成し
た。厚さ1100ÅのITO 層３を、二酸化ケイ素層１上に、
300 ℃においてスパッター堆積させ、次に300 ℃で30分
間アニールした。
【００２４】次に、ポジのフォトレジスト層４、コダッ
ク820 を、ITO の層３上に堆積させた。形成した構造体
を、図1Bに示す。次に、フォトレジスト層４を、ASM ス
テッパーにより、パターン化された写真平版で処理し、
ITO 層３上に、幅が2.0 μである線を約2.0 μの間隔で
有するパターン化したフォトレジスト層７を設けた。こ
の構造体を、図1Cに示す。次に、図1Cに示す構造体を、
以下の方法により、反応性イオンエッチング処理した。
ク820 を、ITO の層３上に堆積させた。形成した構造体
を、図1Bに示す。次に、フォトレジスト層４を、ASM ス
テッパーにより、パターン化された写真平版で処理し、
ITO 層３上に、幅が2.0 μである線を約2.0 μの間隔で
有するパターン化したフォトレジスト層７を設けた。こ
の構造体を、図1Cに示す。次に、図1Cに示す構造体を、
以下の方法により、反応性イオンエッチング処理した。
【００２５】図1Cに示す構造体を、単一ウェーハ反応性
イオンエッチャー、例えばプラズマ─サーム インライ
ンエッチャー(Plasma-Therm in-line-etcher) モデル36
0 の温度調節電極中に配置した。図1Cに示す構造を有す
る電極の温度を25℃に設定した。
イオンエッチャー、例えばプラズマ─サーム インライ
ンエッチャー(Plasma-Therm in-line-etcher) モデル36
0 の温度調節電極中に配置した。図1Cに示す構造を有す
る電極の温度を25℃に設定した。
【００２６】エッチングを、解離したHBr のみを含むプ
ラズマを用いて、200Wの電力、100mtorrの圧力および80
SCCMのガス流において実施した。ITO 層３、パターン化
したフォトレジスト層４および二酸化ケイ素層１のエッ
チング速度を、デクタック(Dektak)またはナノスペック
(Nanospec)により決定した。
ラズマを用いて、200Wの電力、100mtorrの圧力および80
SCCMのガス流において実施した。ITO 層３、パターン化
したフォトレジスト層４および二酸化ケイ素層１のエッ
チング速度を、デクタック(Dektak)またはナノスペック
(Nanospec)により決定した。
【００２７】エッチング速度は、ITO 層３に関して350
Å／分、フォトレジスト層４に関して300 Å／分および
SiO2層１に関して100 Å／分であると見出された。３分
後、ITO 層３のエッチングは、325nm における発光スペ
クトルピークの検出により決定して、完了したことが示
された。
Å／分、フォトレジスト層４に関して300 Å／分および
SiO2層１に関して100 Å／分であると見出された。３分
後、ITO 層３のエッチングは、325nm における発光スペ
クトルピークの検出により決定して、完了したことが示
された。
【００２８】次に、パターン化したフォトレジスト層４
を、酸素プラズマにより除去し、続いてH2SO4 とH2O2と
の混合物で洗浄した。形成した構造体を図1Dに示す。こ
の構造体は、厚さが1100Åであり、幅が1.9 μであるIT
O 電極６から成り、これらの電極間の間隔５が2.1 μで
あった。
を、酸素プラズマにより除去し、続いてH2SO4 とH2O2と
の混合物で洗浄した。形成した構造体を図1Dに示す。こ
の構造体は、厚さが1100Åであり、幅が1.9 μであるIT
O 電極６から成り、これらの電極間の間隔５が2.1 μで
あった。
【００２９】SiO2層のエッチングは、全く発生しなかっ
たことが示された。ITO 層(a) 、本実施例のフォトレジ
スト層(b) および二酸化ケイ素層(c) の150 、175 、20
0 および225Wの電力に対するエッチング速度（Å／分）
を、図２のグラフに示す。ガス流は80SCCMであり、圧力
は100mtorrであった。
たことが示された。ITO 層(a) 、本実施例のフォトレジ
スト層(b) および二酸化ケイ素層(c) の150 、175 、20
0 および225Wの電力に対するエッチング速度（Å／分）
を、図２のグラフに示す。ガス流は80SCCMであり、圧力
は100mtorrであった。
【図１】(A) は、本発明の方法の第１段階における構造
体の断面図であり、(B) は、本発明の方法の第２段階に
おける構造体の断面図であり、(C) は、本発明の方法の
第３段階における構造体の断面図であり、(D) は、本発
明の方法の第４段階における構造体の断面図である。
体の断面図であり、(B) は、本発明の方法の第２段階に
おける構造体の断面図であり、(C) は、本発明の方法の
第３段階における構造体の断面図であり、(D) は、本発
明の方法の第４段階における構造体の断面図である。
【図２】本発明の方法によりエッチングした際の、ITO
、二酸化ケイ素およびフォトレジストのエッチング速
度を比較したグラフである。
、二酸化ケイ素およびフォトレジストのエッチング速
度を比較したグラフである。
１ 二酸化ケイ素層 ２ ケイ素ウェーハ ３ ITO 層 ４ フォトレジスト層 ５ ITO 電極間の間隔 ６ ITO 電極 ７ パターン化したフォトレジスト層
Claims (5)
- 【請求項１】 酸化スズインジウムの層をプラズマ中で
反応性イオンエッチング処理することを含む、基板上に
堆積した酸化スズインジウムの薄層をエッチングする方
法において、 プラズマが解離した臭化水素を含むことを特徴とする酸
化スズインジウム（ＩＴＯ）の反応性イオンエッチング
方法。 - 【請求項２】 プラズマがさらに解離した三塩化ホウ素
を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 プラズマがさらに、Ar、HeおよびN2から
成る群から選ばれた非反応性ガスを含むことを特徴とす
る請求項１または２記載の方法。 - 【請求項４】 エッチングを、50〜200mTorrの圧力、10
0 〜500Wの電力および10〜100SCCM のガス流量で実施す
ることを特徴とする請求項１、２または３記載の方法。 - 【請求項５】 基板が、ケイ素または石英上に設けられ
た二酸化ケイ素の薄層であることを特徴とする請求項１
〜４のいずれか１つの項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/008,116 US5286337A (en) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | Reactive ion etching or indium tin oxide |
| US08/008116 | 1993-01-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283481A true JPH06283481A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=21729864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6005825A Pending JPH06283481A (ja) | 1993-01-25 | 1994-01-24 | 酸化スズインジウムの反応性イオンエッチング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5286337A (ja) |
| EP (1) | EP0608931B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06283481A (ja) |
| DE (1) | DE69401518T2 (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH687987A5 (de) * | 1993-05-03 | 1997-04-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur Erhoehung der Beschichtungsrate in einem Plasmaentladungsraum und Plasmakammer. |
| US5607602A (en) | 1995-06-07 | 1997-03-04 | Applied Komatsu Technology, Inc. | High-rate dry-etch of indium and tin oxides by hydrogen and halogen radicals such as derived from HCl gas |
| US5843277A (en) * | 1995-12-22 | 1998-12-01 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Dry-etch of indium and tin oxides with C2H5I gas |
| US5667631A (en) * | 1996-06-28 | 1997-09-16 | Lam Research Corporation | Dry etching of transparent electrodes in a low pressure plasma reactor |
| JP3704883B2 (ja) * | 1997-05-01 | 2005-10-12 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| JP2002506572A (ja) * | 1997-06-25 | 2002-02-26 | アプライド コマツ テクノロジー インコーポレイテッド | 酸化インジウム及び酸化スズのドライエッチング |
| WO1998059380A1 (en) * | 1997-06-25 | 1998-12-30 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Dry-etching of thin film layers |
| US6036876A (en) * | 1997-06-25 | 2000-03-14 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Dry-etching of indium and tin oxides |
| US5984997A (en) * | 1997-08-29 | 1999-11-16 | Nanomaterials Research Corporation | Combustion of emulsions: A method and process for producing fine powders |
| US6368978B1 (en) | 1999-03-04 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Hydrogen-free method of plasma etching indium tin oxide |
| KR100603844B1 (ko) * | 1999-08-26 | 2006-07-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 화소전극의 제조방법. |
| US6623653B2 (en) | 2001-06-12 | 2003-09-23 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | System and method for etching adjoining layers of silicon and indium tin oxide |
| US20040053506A1 (en) * | 2002-07-19 | 2004-03-18 | Yao-Sheng Lee | High temperature anisotropic etching of multi-layer structures |
| KR101016284B1 (ko) * | 2004-04-28 | 2011-02-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | Ｃｏｇ 방식 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| US20080061030A1 (en) * | 2006-09-13 | 2008-03-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Methods for patterning indium tin oxide films |
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| US9824893B1 (en) | 2016-06-28 | 2017-11-21 | Lam Research Corporation | Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing |
| US12051589B2 (en) | 2016-06-28 | 2024-07-30 | Lam Research Corporation | Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing |
| KR102722138B1 (ko) | 2017-02-13 | 2024-10-24 | 램 리써치 코포레이션 | 에어 갭들을 생성하는 방법 |
| US10546748B2 (en) | 2017-02-17 | 2020-01-28 | Lam Research Corporation | Tin oxide films in semiconductor device manufacturing |
| US11355353B2 (en) | 2018-01-30 | 2022-06-07 | Lam Research Corporation | Tin oxide mandrels in patterning |
| KR102841279B1 (ko) | 2018-03-19 | 2025-07-31 | 램 리써치 코포레이션 | 챔퍼리스 (chamferless) 비아 통합 스킴 (scheme) |
| US11217700B2 (en) | 2018-12-07 | 2022-01-04 | Cornell University | Micron scale tin oxide-based semiconductor devices |
| KR102643106B1 (ko) | 2019-06-27 | 2024-02-29 | 램 리써치 코포레이션 | 교번하는 에칭 및 패시베이션 프로세스 |
| CN110998848A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-04-10 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种光阻剥离液的隔离结构、tft阵列及其制备方法 |
| WO2022020507A1 (en) | 2020-07-23 | 2022-01-27 | Lam Research Corporation | Advanced self aligned multiple patterning using tin oxide |
| WO2022226074A1 (en) | 2021-04-21 | 2022-10-27 | Lam Research Corporation | Minimizing tin oxide chamber clean time |
| CN115632096B (zh) * | 2022-10-28 | 2026-03-24 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 发光器件的制造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3979240A (en) * | 1975-05-02 | 1976-09-07 | General Electric Company | Method of etching indium tin oxide |
| US4256534A (en) * | 1978-07-31 | 1981-03-17 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Device fabrication by plasma etching |
| US4544444A (en) * | 1984-08-15 | 1985-10-01 | General Motors Corporation | Reactive ion etching of tin oxide films using silicon tetrachloride reactant gas |
| US4784720A (en) * | 1985-05-03 | 1988-11-15 | Texas Instruments Incorporated | Trench etch process for a single-wafer RIE dry etch reactor |
| US4708766A (en) * | 1986-11-07 | 1987-11-24 | Texas Instruments Incorporated | Hydrogen iodide etch of tin oxide |
| US4750980A (en) * | 1986-11-07 | 1988-06-14 | Texas Instruments Incorporated | Process for etching tin oxide |
| US4793894A (en) * | 1987-03-10 | 1988-12-27 | North American Philips Corporation | Process for crystal growth from solution |
| US5007982A (en) * | 1988-07-11 | 1991-04-16 | North American Philips Corporation | Reactive ion etching of silicon with hydrogen bromide |
| US4878993A (en) * | 1988-12-22 | 1989-11-07 | North American Philips Corporation | Method of etching thin indium tin oxide films |
| JPH0362968A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5032221A (en) * | 1990-05-07 | 1991-07-16 | Eastman Kodak Company | Etching indium tin oxide |
| US5171401A (en) * | 1990-06-04 | 1992-12-15 | Eastman Kodak Company | Plasma etching indium tin oxide |
| JPH05343365A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法 |
| JPH06151375A (ja) * | 1992-11-13 | 1994-05-31 | Hitachi Ltd | Ｉｔｏのエッチング方法 |
-
1993
- 1993-01-25 US US08/008,116 patent/US5286337A/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-01-18 DE DE69401518T patent/DE69401518T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-01-18 EP EP94200108A patent/EP0608931B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-01-24 JP JP6005825A patent/JPH06283481A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0608931B1 (en) | 1997-01-22 |
| US5286337A (en) | 1994-02-15 |
| DE69401518T2 (de) | 1997-07-17 |
| EP0608931A3 (en) | 1994-11-23 |
| DE69401518D1 (de) | 1997-03-06 |
| EP0608931A2 (en) | 1994-08-03 |
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