JPH05343365A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
- Publication number
- JPH05343365A JPH05343365A JP4149146A JP14914692A JPH05343365A JP H05343365 A JPH05343365 A JP H05343365A JP 4149146 A JP4149146 A JP 4149146A JP 14914692 A JP14914692 A JP 14914692A JP H05343365 A JPH05343365 A JP H05343365A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- gas
- ito
- etched
- plasma
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチング反応を妨げる反応生成物を生成さ
せないプラズマを用いてＩＴＯを高速でエッチングす
る。 【構成】 エッチングガスとして臭化水素を含むガスを
用いることにより、プラズマ中に発生した活性状態の水
素によりＩＴＯを還元し、還元されたＩｎとＳｎを活性
状態の臭素と反応させて臭化物としてガス化させること
により、アルコールやカルボン酸を用いた場合のように
エッチング反応を著しく阻害する反応生成物を生成する
ことなくエッチングし、ＩＴＯを高速でエッチングす
る。
せないプラズマを用いてＩＴＯを高速でエッチングす
る。 【構成】 エッチングガスとして臭化水素を含むガスを
用いることにより、プラズマ中に発生した活性状態の水
素によりＩＴＯを還元し、還元されたＩｎとＳｎを活性
状態の臭素と反応させて臭化物としてガス化させること
により、アルコールやカルボン酸を用いた場合のように
エッチング反応を著しく阻害する反応生成物を生成する
ことなくエッチングし、ＩＴＯを高速でエッチングす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明電極に用いられる
ＩＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）をガスプラズマを用いてエ
ッチングするドライエッチング方法に関するものであ
る。
ＩＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）をガスプラズマを用いてエ
ッチングするドライエッチング方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶ディスプレイは薄型、軽量、
低消費電力のディスプレイとして注目されており、ＩＴ
Ｏはこのような液晶ディスプレイの透明電極として用い
られている。
低消費電力のディスプレイとして注目されており、ＩＴ
Ｏはこのような液晶ディスプレイの透明電極として用い
られている。
【０００３】一般にその形成方法はＩＴＯを成膜し、電
極となる部分をフォトリソグラフィー技術によりレジス
ト膜で被覆した後エッチングすることにより微細加工を
行っている。このエッチング方法としては、例えば特開
昭５２−１１９２４６号公報に開示された方法が知られ
ている。そのエッチング方法は、ＩＴＯをアルコールま
たはカルボン酸ガスプラズマにより選択エッチングして
電極パターンを形成する方法である。この方法において
は、ＩｎとＳｎの酸化物がプラズマにて活性化した水素
により還元され、ＩｎとＳｎがアルキル基ガスと反応
し、ガス化すると考えられる。
極となる部分をフォトリソグラフィー技術によりレジス
ト膜で被覆した後エッチングすることにより微細加工を
行っている。このエッチング方法としては、例えば特開
昭５２−１１９２４６号公報に開示された方法が知られ
ている。そのエッチング方法は、ＩＴＯをアルコールま
たはカルボン酸ガスプラズマにより選択エッチングして
電極パターンを形成する方法である。この方法において
は、ＩｎとＳｎの酸化物がプラズマにて活性化した水素
により還元され、ＩｎとＳｎがアルキル基ガスと反応
し、ガス化すると考えられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような方法ではＩｎやＳｎと反応しなかったアルコール
やカルボン酸が高沸点の有機化合物を生成し、これが反
応の進行を妨げるためエッチング速度が小さいという問
題点を有していた。
ような方法ではＩｎやＳｎと反応しなかったアルコール
やカルボン酸が高沸点の有機化合物を生成し、これが反
応の進行を妨げるためエッチング速度が小さいという問
題点を有していた。
【０００５】本発明は上記従来の問題点に鑑み、エッチ
ング反応を妨げる反応生成物を生成しないプラズマを用
いてＩＴＯを高速でエッチングするドライエッチング方
法を提供することを目的とする。
ング反応を妨げる反応生成物を生成しないプラズマを用
いてＩＴＯを高速でエッチングするドライエッチング方
法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ方法は、エッチングガスとして臭化水素を含むガスを
用いることを特徴とする。
グ方法は、エッチングガスとして臭化水素を含むガスを
用いることを特徴とする。
【０００７】また、場合に応じてエッチングガスとして
臭化水素以外に三塩化ほう素を含むガスを用いる。
臭化水素以外に三塩化ほう素を含むガスを用いる。
【０００８】
【作用】本発明では、臭化水素ガスを用いることによ
り、エッチング反応としては、まずプラズマ中に発生し
た活性状態の水素によりＩＴＯが還元されてＩｎとＳｎ
となり、このＩｎとＳｎが活性状態の臭素と反応し、臭
化物となってガス化し、エッチングが進行する。このと
き、アルコールやカルボン酸のプラズマはエッチング反
応を著しく阻害する反応生成物をつくるが、臭化水素ガ
スではそのような反応生成物ができないのでＩＴＯの高
速エッチングが可能となる。
り、エッチング反応としては、まずプラズマ中に発生し
た活性状態の水素によりＩＴＯが還元されてＩｎとＳｎ
となり、このＩｎとＳｎが活性状態の臭素と反応し、臭
化物となってガス化し、エッチングが進行する。このと
き、アルコールやカルボン酸のプラズマはエッチング反
応を著しく阻害する反応生成物をつくるが、臭化水素ガ
スではそのような反応生成物ができないのでＩＴＯの高
速エッチングが可能となる。
【０００９】また、臭化水素ガスプラズマ中に発生する
活性状態の水素による還元反応が十分でない場合は残さ
が発生することがあるが、三塩化ほう素を添加すること
でより還元性を強くしてエッチングを進行させることが
でき、残さの発生を防ぐことができる。
活性状態の水素による還元反応が十分でない場合は残さ
が発生することがあるが、三塩化ほう素を添加すること
でより還元性を強くしてエッチングを進行させることが
でき、残さの発生を防ぐことができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の第１の実施例のドライエッチ
ング方法について図１〜図４を参照しながら説明する。
ング方法について図１〜図４を参照しながら説明する。
【００１１】図１において、金属製の反応室１中にガス
コントローラ５を通して反応ガスが導入され、排気系２
によって適切な圧力に制御されている。反応室１の上部
にはアノード（陽極）３が設けられ、下部にはカソード
（陰極）４が設けられていて、被エッチング物８はカソ
ード４上に配置される。カソード４にはインピーダンス
整合回路６を介して高周波電源７が接続されており、カ
ソード４とアノード３との間で高周波放電を起こし、プ
ラズマを発生させる。９は被エッチング物８を加工後カ
ソード４上面から突き上げる突き上げ機構である。
コントローラ５を通して反応ガスが導入され、排気系２
によって適切な圧力に制御されている。反応室１の上部
にはアノード（陽極）３が設けられ、下部にはカソード
（陰極）４が設けられていて、被エッチング物８はカソ
ード４上に配置される。カソード４にはインピーダンス
整合回路６を介して高周波電源７が接続されており、カ
ソード４とアノード３との間で高周波放電を起こし、プ
ラズマを発生させる。９は被エッチング物８を加工後カ
ソード４上面から突き上げる突き上げ機構である。
【００１２】このドライエッチング装置において、下地
膜１２上にＩＴＯ膜１１を形成し、その電極形成部上に
レジスト膜１０を形成した被エッチング物８（図２〜図
４参照）をカソード４上に配置し、臭化水素を導入し、
４００Ｗの高周波電力を印加し、プラズマを発生させて
ＩＴＯ膜１１のエッチングを行った。そのエッチング速
度は約５００オングストローム／分であった。
膜１２上にＩＴＯ膜１１を形成し、その電極形成部上に
レジスト膜１０を形成した被エッチング物８（図２〜図
４参照）をカソード４上に配置し、臭化水素を導入し、
４００Ｗの高周波電力を印加し、プラズマを発生させて
ＩＴＯ膜１１のエッチングを行った。そのエッチング速
度は約５００オングストローム／分であった。
【００１３】これに対し、エッチングガスとしてメチル
アルコールを用いた場合、エッチング速度は約２００オ
ングストローム／分であったので、本発明を用いること
で従来の方法に比べエッチング速度は２倍以上に向上し
た。
アルコールを用いた場合、エッチング速度は約２００オ
ングストローム／分であったので、本発明を用いること
で従来の方法に比べエッチング速度は２倍以上に向上し
た。
【００１４】また、この実施例において、ＩＴＯ膜１１
を途中までエッチングした被エッチング物８の形状は図
２に示すようにＩＴＯ膜１１が鋸歯状になるため、オー
バーエッチング無しでは図３に示すようにエッチング残
さが残ることがある。しかし、ＩＴＯ膜１１のエッチン
グ速度が下地膜１２のエッチング速度に比べ充分大きけ
れば、オーバーエッチングすることにより図４に示すよ
うに残さのないエッチング形状を得ることができる。
を途中までエッチングした被エッチング物８の形状は図
２に示すようにＩＴＯ膜１１が鋸歯状になるため、オー
バーエッチング無しでは図３に示すようにエッチング残
さが残ることがある。しかし、ＩＴＯ膜１１のエッチン
グ速度が下地膜１２のエッチング速度に比べ充分大きけ
れば、オーバーエッチングすることにより図４に示すよ
うに残さのないエッチング形状を得ることができる。
【００１５】次に、本発明の第２の実施例について図５
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００１６】第１の実施例と同じ装置に、同様にＩＴＯ
膜１１の上にレジスト膜１０のパターンを施した被エッ
チング物８をカソード４上に配置し、臭化水素と三塩化
ほう素を体積比１対１で導入し、４００Ｗの高周波電力
を印加し、プラズマを発生させてＩＴＯ膜１１のエッチ
ングを行った。このとき、エッチング速度は約３５０オ
ングストローム／分と第１の実施例に比べ小さくなった
が、ＩＴＯ膜１１を途中までエッチングした被エッチン
グ物８の形状は図５に示すようにＩＴＯ膜１１を滑らか
にエッチングすることができた。従って、本実施例では
ＩＴＯ膜１１のエッチング速度と下地膜１２のエッチン
グ速度差が小さくても図４のように残さのないエッチン
グ形状を得ることができる。
膜１１の上にレジスト膜１０のパターンを施した被エッ
チング物８をカソード４上に配置し、臭化水素と三塩化
ほう素を体積比１対１で導入し、４００Ｗの高周波電力
を印加し、プラズマを発生させてＩＴＯ膜１１のエッチ
ングを行った。このとき、エッチング速度は約３５０オ
ングストローム／分と第１の実施例に比べ小さくなった
が、ＩＴＯ膜１１を途中までエッチングした被エッチン
グ物８の形状は図５に示すようにＩＴＯ膜１１を滑らか
にエッチングすることができた。従って、本実施例では
ＩＴＯ膜１１のエッチング速度と下地膜１２のエッチン
グ速度差が小さくても図４のように残さのないエッチン
グ形状を得ることができる。
【００１７】なお、上記実施例では残さのないエッチン
グを目的としたが、残さを発生させるためのエッチング
や、ＩＴＯ膜１１を鋸歯状に加工するために本発明を用
いてもよい。
グを目的としたが、残さを発生させるためのエッチング
や、ＩＴＯ膜１１を鋸歯状に加工するために本発明を用
いてもよい。
【００１８】又、下地膜１２とのエッチング速度の差を
変化させるため、あるいは形状制御のために、キャリア
ガスとして臭化水素、三塩化ほう素以外のガスを添加し
てもよい。
変化させるため、あるいは形状制御のために、キャリア
ガスとして臭化水素、三塩化ほう素以外のガスを添加し
てもよい。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、以上のようにエッチン
グガスとして臭化水素を含むガスを用いることにより、
エッチング反応を妨げる反応生成物を生成せず、従って
ＩＴＯを高速でエッチングすることができる。
グガスとして臭化水素を含むガスを用いることにより、
エッチング反応を妨げる反応生成物を生成せず、従って
ＩＴＯを高速でエッチングすることができる。
【００２０】更に、三塩化ほう素を添加することで還元
性がより強くなり、残さの発生を防ぐことができる。
性がより強くなり、残さの発生を防ぐことができる。
【図１】本発明の実施例において用いるドライエッチン
グ装置の断面図である。
グ装置の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例においてＩＴＯ膜の途中
までエッチングした時の被エッチング物の断面形状を模
式図である。
までエッチングした時の被エッチング物の断面形状を模
式図である。
【図３】同実施例においてＩＴＯ膜をオーバーエッチン
グ無しでエッチングした時の被エッチング物の断面形状
を模式図である。
グ無しでエッチングした時の被エッチング物の断面形状
を模式図である。
【図４】同実施例においてＩＴＯ膜をオーバーエッチン
グした時の被エッチング物の断面形状を模式図である。
グした時の被エッチング物の断面形状を模式図である。
【図５】本発明の第２の実施例においてＩＴＯ膜の途中
までエッチングした時の被エッチング物の断面形状を模
式図である。
までエッチングした時の被エッチング物の断面形状を模
式図である。
１ 反応室 ５ ガスコントローラ ７ 高周波電源 ８ 被エッチング物
Claims (3)
- 【請求項１】 反応室内にＩＴＯを含む被エッチング物
を配置し、その反応室内にエッチングガスを導入すると
ともに高周波電力を印加することによりプラズマを発生
させ、反応室内の被エッチング物のＩＴＯをエッチング
するドライエッチング方法において、エッチングガスと
して臭化水素を含むガスを用いることを特徴とするドラ
イエッチング方法。 - 【請求項２】 エッチングガスとして臭化水素以外に三
塩化ほう素を含むガスを用いることを特徴とする請求項
１記載のドライエッチング方法。 - 【請求項３】 エッチングガスに含まれる臭化水素と三
塩化ほう素の体積比を略１対１とすることを特徴とする
請求項２記載のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4149146A JPH05343365A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4149146A JPH05343365A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343365A true JPH05343365A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15468782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4149146A Pending JPH05343365A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05343365A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0608931A3 (en) * | 1993-01-25 | 1994-11-23 | Philips Electronics Nv | Reactive ion etching of indium tin oxide. |
| US6528357B2 (en) * | 1998-03-13 | 2003-03-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing array substrate |
-
1992
- 1992-06-09 JP JP4149146A patent/JPH05343365A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0608931A3 (en) * | 1993-01-25 | 1994-11-23 | Philips Electronics Nv | Reactive ion etching of indium tin oxide. |
| US6528357B2 (en) * | 1998-03-13 | 2003-03-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing array substrate |
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