JPH0628652A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPH0628652A JPH0628652A JP18425492A JP18425492A JPH0628652A JP H0628652 A JPH0628652 A JP H0628652A JP 18425492 A JP18425492 A JP 18425492A JP 18425492 A JP18425492 A JP 18425492A JP H0628652 A JPH0628652 A JP H0628652A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、記録再生時の感度と分解能の劣化
を招くことなく、バルクハウゼンノイズを抑制すること
ができる垂直磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。 【構成】 本発明の垂直磁気記録媒体は、基板上にバイ
アス磁界付与膜、高透磁率磁性膜、垂直磁化膜を順次形
成して構成される。
を招くことなく、バルクハウゼンノイズを抑制すること
ができる垂直磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。 【構成】 本発明の垂直磁気記録媒体は、基板上にバイ
アス磁界付与膜、高透磁率磁性膜、垂直磁化膜を順次形
成して構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気ディスクやＶＴ
Ｒ等に使用される垂直磁気記録方式の磁気記録媒体に関
するものである。
Ｒ等に使用される垂直磁気記録方式の磁気記録媒体に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】垂直磁気記録方式に使用される垂直磁気
記録媒体としては、基板から離れた側に媒体面垂直方向
を磁化容易軸とする垂直磁化膜を形成し、基板から近い
側に高透磁率磁性膜を形成した２層構造の記録媒体があ
り（特開昭５２ー７８４０３号公報）、この２層構造垂
直磁気記録媒体は、垂直磁化膜が単層の記録媒体よりも
優れた記録再生特性を示すことが知られている。
記録媒体としては、基板から離れた側に媒体面垂直方向
を磁化容易軸とする垂直磁化膜を形成し、基板から近い
側に高透磁率磁性膜を形成した２層構造の記録媒体があ
り（特開昭５２ー７８４０３号公報）、この２層構造垂
直磁気記録媒体は、垂直磁化膜が単層の記録媒体よりも
優れた記録再生特性を示すことが知られている。
【０００３】しかしながら、上記従来の２層構造垂直磁
気記録媒体においては、記録再生時にスパイク状のノイ
ズが観測される。このスパイク状ノイズは、垂直磁化膜
のみからなる単層構造の記録媒体を用いて記録再生実験
を行う際には観測されないことが確認されており、従っ
て、高透磁率磁性膜とその上に積層された垂直磁化膜と
の相互作用により生じるものではなく、高透磁率磁性膜
のみから生じるものである。また、このスパイク状ノイ
ズは、媒体中で一様に発生するものではなく、発生する
領域と発生しない領域があり、スパイク状ノイズが発生
する領域では磁壁が多く発生しており、スパイク状ノイ
ズが発生しない領域では磁壁は発生しない。このスパイ
ク状ノイズは、磁壁が不可逆的な遷移をすることに起因
するもので、一般にバルクハウゼンノイズと呼ばれてい
る。
気記録媒体においては、記録再生時にスパイク状のノイ
ズが観測される。このスパイク状ノイズは、垂直磁化膜
のみからなる単層構造の記録媒体を用いて記録再生実験
を行う際には観測されないことが確認されており、従っ
て、高透磁率磁性膜とその上に積層された垂直磁化膜と
の相互作用により生じるものではなく、高透磁率磁性膜
のみから生じるものである。また、このスパイク状ノイ
ズは、媒体中で一様に発生するものではなく、発生する
領域と発生しない領域があり、スパイク状ノイズが発生
する領域では磁壁が多く発生しており、スパイク状ノイ
ズが発生しない領域では磁壁は発生しない。このスパイ
ク状ノイズは、磁壁が不可逆的な遷移をすることに起因
するもので、一般にバルクハウゼンノイズと呼ばれてい
る。
【０００４】以上のことから、バルクハウゼンノイズの
発生を抑制するためには、高透磁率磁性膜中の磁壁の発
生を抑制すれば良いことがわかる。このバルクハウゼン
ノイズの発生を効果的に抑制するものとして、強磁性体
と反強磁性体の界面に生じる交換結合を利用することに
よって、反強磁性膜が高透磁率磁性膜へのバイアス磁界
を印加し、その結果、高透磁率磁性膜中の磁壁の発生を
抑制するという方法が知られている（特公平３−５３６
８６号公報）。この垂直磁気記録媒体の構造は、基板上
にまず高透磁率磁性膜を形成し、この高透磁率磁性膜の
上に反強磁性膜を形成し、さらにこの反強磁性膜の上に
垂直磁化膜を形成したものである。このように形成され
た垂直磁気記録媒体の記録再生時においては、確かにバ
ルクハウゼンノイズが抑制されることが示されている。
発生を抑制するためには、高透磁率磁性膜中の磁壁の発
生を抑制すれば良いことがわかる。このバルクハウゼン
ノイズの発生を効果的に抑制するものとして、強磁性体
と反強磁性体の界面に生じる交換結合を利用することに
よって、反強磁性膜が高透磁率磁性膜へのバイアス磁界
を印加し、その結果、高透磁率磁性膜中の磁壁の発生を
抑制するという方法が知られている（特公平３−５３６
８６号公報）。この垂直磁気記録媒体の構造は、基板上
にまず高透磁率磁性膜を形成し、この高透磁率磁性膜の
上に反強磁性膜を形成し、さらにこの反強磁性膜の上に
垂直磁化膜を形成したものである。このように形成され
た垂直磁気記録媒体の記録再生時においては、確かにバ
ルクハウゼンノイズが抑制されることが示されている。
【０００５】しかしながら、この上述の構造は、垂直磁
化膜と高透磁率磁性膜との間に反強磁性膜を形成するた
め、反強磁性膜の厚みが記録再生時にスペーシング損失
として働き、その結果、記録再生効率と記録分解能の低
下をもたらし、バルクハウゼンノイズは抑制することが
できるものの、記録再生時における感度及び分解能が十
分でないという問題があった。
化膜と高透磁率磁性膜との間に反強磁性膜を形成するた
め、反強磁性膜の厚みが記録再生時にスペーシング損失
として働き、その結果、記録再生効率と記録分解能の低
下をもたらし、バルクハウゼンノイズは抑制することが
できるものの、記録再生時における感度及び分解能が十
分でないという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、基板上に
高透磁率磁性膜、高透磁率磁性膜、反強磁性膜、反強磁
性膜及び垂直磁化膜を順次形成した垂直磁気記録媒体に
おける記録再生時においては、バルクハウゼンノイズが
抑制される反面、垂直磁化膜と高透磁率磁性膜との間に
反強磁性膜を形成するため、反強磁性膜の厚みが記録再
生時にスペーシング損失として働き、その結果、記録再
生効率と記録分解能の低下をもたらし、バルクハウゼン
ノイズは抑制することができるものの、記録再生時にお
ける感度及び分解能が十分でないという問題があった。
高透磁率磁性膜、高透磁率磁性膜、反強磁性膜、反強磁
性膜及び垂直磁化膜を順次形成した垂直磁気記録媒体に
おける記録再生時においては、バルクハウゼンノイズが
抑制される反面、垂直磁化膜と高透磁率磁性膜との間に
反強磁性膜を形成するため、反強磁性膜の厚みが記録再
生時にスペーシング損失として働き、その結果、記録再
生効率と記録分解能の低下をもたらし、バルクハウゼン
ノイズは抑制することができるものの、記録再生時にお
ける感度及び分解能が十分でないという問題があった。
【０００７】本発明は、バルクハウゼンノイズを抑制す
ることができると共に、しかも高感度で、かつ、高分解
能の記録再生を可能とする垂直磁気記録媒体を提供する
ものである。
ることができると共に、しかも高感度で、かつ、高分解
能の記録再生を可能とする垂直磁気記録媒体を提供する
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の課題
を解決するために、基板と、この基板上に形成されたバ
イアス磁界付与膜と、このバイアス磁界付与膜上に形成
された高透磁率磁性膜と、この高透磁率磁性膜上に形成
された信号磁化を記録する垂直磁化膜とから構成する。
を解決するために、基板と、この基板上に形成されたバ
イアス磁界付与膜と、このバイアス磁界付与膜上に形成
された高透磁率磁性膜と、この高透磁率磁性膜上に形成
された信号磁化を記録する垂直磁化膜とから構成する。
【０００９】
【作用】本発明によれば、基板上にバイアス膜、高透磁
率磁性膜及び垂直磁化膜を順次形成してなるので、バイ
アス膜と高透磁率磁性膜との界面には交換相互作用が働
き、この高透磁率磁性膜にはバイアス磁界が印加され、
その結果、高透磁率磁性膜中の磁壁発生が抑制されてバ
ルクハウゼンノイズを抑制することができる。
率磁性膜及び垂直磁化膜を順次形成してなるので、バイ
アス膜と高透磁率磁性膜との界面には交換相互作用が働
き、この高透磁率磁性膜にはバイアス磁界が印加され、
その結果、高透磁率磁性膜中の磁壁発生が抑制されてバ
ルクハウゼンノイズを抑制することができる。
【００１０】また、基板上に高透磁率磁性膜、垂直磁化
膜を順次形成し、垂直磁化膜のトラック幅方向の両端の
領域を互いに逆方向に垂直磁化することによって、該領
域は高透磁率磁性膜と磁気的に結合され、垂直磁化され
た領域に対応する高透磁率磁性膜中の磁化を磁気ディス
クのトラック幅方向（ディスク半径方向）に固着して動
きにくくすると、垂直磁化膜における垂直磁化領域の間
の記録再生領域４ｃの位置に対応する高透磁率磁性膜中
には、トラック幅方向にバイアス磁界が印加され、高透
磁率磁性膜３内の磁壁の発生を抑制することができ、バ
ルクハウゼンノイズの発生を抑制することができると共
に、垂直磁化膜の記録再生領域の位置に対応する高透磁
率磁性膜の領域におけるトラック長手方向（ディスク円
周方向）の透磁率は、ほとんど低下することがないので
記録再生効率の低下を招くことがない。
膜を順次形成し、垂直磁化膜のトラック幅方向の両端の
領域を互いに逆方向に垂直磁化することによって、該領
域は高透磁率磁性膜と磁気的に結合され、垂直磁化され
た領域に対応する高透磁率磁性膜中の磁化を磁気ディス
クのトラック幅方向（ディスク半径方向）に固着して動
きにくくすると、垂直磁化膜における垂直磁化領域の間
の記録再生領域４ｃの位置に対応する高透磁率磁性膜中
には、トラック幅方向にバイアス磁界が印加され、高透
磁率磁性膜３内の磁壁の発生を抑制することができ、バ
ルクハウゼンノイズの発生を抑制することができると共
に、垂直磁化膜の記録再生領域の位置に対応する高透磁
率磁性膜の領域におけるトラック長手方向（ディスク円
周方向）の透磁率は、ほとんど低下することがないので
記録再生効率の低下を招くことがない。
【００１１】さらに、垂直磁化膜と高透磁率磁性膜との
間にスペーシング層が存在しないので、記録再生時のス
ペーシング損失がなく、高記録再生効率で、かつ、高分
解能を得ることができる。
間にスペーシング層が存在しないので、記録再生時のス
ペーシング損失がなく、高記録再生効率で、かつ、高分
解能を得ることができる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の一実施例
について説明する。
について説明する。
【００１３】図１は、本発明の第１実施例に係る垂直磁
気記録媒体の構成を示す縦断面図である。この垂直磁気
記録媒体は、アルミ、ガラス等の円環板状のディスクか
らなる基板１上にＦｅＭｎ、ＮｉＯ等の反強磁性膜から
なるバイアス磁界付与膜２が形成され、このバイアス磁
界付与膜２上にパーマロイ、Ｆｅ基軟磁性膜、或いはＺ
ｒ系のアモルファス軟磁性膜等からなる高透磁率磁性膜
３が形成されている。さらに、高透磁率磁性膜３上に
は、信号磁化が記録されるＣｏＣｒ、ＣｏＰｔ等からな
る垂直磁化膜４が形成されてなっている。
気記録媒体の構成を示す縦断面図である。この垂直磁気
記録媒体は、アルミ、ガラス等の円環板状のディスクか
らなる基板１上にＦｅＭｎ、ＮｉＯ等の反強磁性膜から
なるバイアス磁界付与膜２が形成され、このバイアス磁
界付与膜２上にパーマロイ、Ｆｅ基軟磁性膜、或いはＺ
ｒ系のアモルファス軟磁性膜等からなる高透磁率磁性膜
３が形成されている。さらに、高透磁率磁性膜３上に
は、信号磁化が記録されるＣｏＣｒ、ＣｏＰｔ等からな
る垂直磁化膜４が形成されてなっている。
【００１４】バイアス磁界付与膜２は、反強磁性膜の代
わりにＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ等の高抗磁力
磁性膜であっても構わない。また、バイアス磁界付与膜
２は、図２に示すように、磁性膜２１と非磁性膜２２と
が交互に積層され、非磁性膜２２を介して積層された相
対向する磁性膜２１，２１が反強磁性的に結合した人工
格子膜であっても構わない。この人工格子膜は、例え
ば、ｎ層からなる（ＣｏＦｅ／Ｃｕ）n 、（Ｃｏ／Ｃ
ｕ）n 、（Ｆｅ／Ｃｒ）n 等が挙げられる。
わりにＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ等の高抗磁力
磁性膜であっても構わない。また、バイアス磁界付与膜
２は、図２に示すように、磁性膜２１と非磁性膜２２と
が交互に積層され、非磁性膜２２を介して積層された相
対向する磁性膜２１，２１が反強磁性的に結合した人工
格子膜であっても構わない。この人工格子膜は、例え
ば、ｎ層からなる（ＣｏＦｅ／Ｃｕ）n 、（Ｃｏ／Ｃ
ｕ）n 、（Ｆｅ／Ｃｒ）n 等が挙げられる。
【００１５】以上のような構成にすることにより、バイ
アス磁界付与膜２と高透磁率磁性膜３とは、その界面に
おいて交換結合し、高透磁率磁性膜３にバイアス磁界が
印加されるため、高透磁率磁性膜３内での磁壁の発生が
抑制され、スパイク上のバルクハウゼンノイズの発生を
抑制することができる。また、垂直磁化膜４は、高透磁
率磁性膜３上に直接形成されるため、記録再生時におけ
るスペーシング損失がなく、高分解能で、かつ、高い記
録再生効率を得ることが可能となる。
アス磁界付与膜２と高透磁率磁性膜３とは、その界面に
おいて交換結合し、高透磁率磁性膜３にバイアス磁界が
印加されるため、高透磁率磁性膜３内での磁壁の発生が
抑制され、スパイク上のバルクハウゼンノイズの発生を
抑制することができる。また、垂直磁化膜４は、高透磁
率磁性膜３上に直接形成されるため、記録再生時におけ
るスペーシング損失がなく、高分解能で、かつ、高い記
録再生効率を得ることが可能となる。
【００１６】なお、本実施例におけるバイアス磁界付与
膜２及び高透磁率磁性膜３をスパッタ法等によって成膜
する際には、磁気記録媒体の記録トラック幅方向に磁界
を加えながら誘導磁気異方性を付与すれば、高透磁率磁
性膜３に対して効果的にバイアス磁界を印加することが
できるようになる。
膜２及び高透磁率磁性膜３をスパッタ法等によって成膜
する際には、磁気記録媒体の記録トラック幅方向に磁界
を加えながら誘導磁気異方性を付与すれば、高透磁率磁
性膜３に対して効果的にバイアス磁界を印加することが
できるようになる。
【００１７】図３は、本発明の第２実施例に係る垂直磁
気記録媒体の構成を示す縦断面図である。図３におい
て、基板１上に形成されたバイアス磁界付与膜２と高透
磁率磁性膜３との間には、非磁性膜５が設けられてい
る。バイアス磁界付与膜２の種類によって、高透磁率磁
性膜３との界面における交換結合の強度が異なるため、
高透磁率磁性膜３に加わるバイアス磁界の強度も異なる
ことになる。従って、交換結合が強すぎると高透磁率磁
性膜３に対して必要以上のバイアス磁界が加わるため、
高透磁率磁性膜３の透磁率μが減少して記録再生効率の
劣化を招いてしまう。そこで、非磁性膜５をバイアス磁
界付与膜２と高透磁率磁性膜３との間に設けることによ
って、交換結合の強度を調節することができ、最適な記
録再生感度を維持しながらバルクハウゼンノイズを抑制
することが可能となる。この非磁性膜５は、バイアス磁
界付与膜２及び高透磁率磁性膜３の磁気特性や膜厚等の
諸条件に応じてその種類や膜厚を選択すれば良い。
気記録媒体の構成を示す縦断面図である。図３におい
て、基板１上に形成されたバイアス磁界付与膜２と高透
磁率磁性膜３との間には、非磁性膜５が設けられてい
る。バイアス磁界付与膜２の種類によって、高透磁率磁
性膜３との界面における交換結合の強度が異なるため、
高透磁率磁性膜３に加わるバイアス磁界の強度も異なる
ことになる。従って、交換結合が強すぎると高透磁率磁
性膜３に対して必要以上のバイアス磁界が加わるため、
高透磁率磁性膜３の透磁率μが減少して記録再生効率の
劣化を招いてしまう。そこで、非磁性膜５をバイアス磁
界付与膜２と高透磁率磁性膜３との間に設けることによ
って、交換結合の強度を調節することができ、最適な記
録再生感度を維持しながらバルクハウゼンノイズを抑制
することが可能となる。この非磁性膜５は、バイアス磁
界付与膜２及び高透磁率磁性膜３の磁気特性や膜厚等の
諸条件に応じてその種類や膜厚を選択すれば良い。
【００１８】図４は、本発明の第３実施例に係る垂直磁
気記録媒体の構成を示す縦断面図である。図４において
は、円環板状の磁気ディスクにおける最内周トラック４
１と最外周トラック４１’との間の記録再生領域の外側
の対応する所定位置に環状にバイアス磁界付与膜２が形
成されている。この垂直磁気記録媒体は、以下に示す方
法により製造される。すなわち、まず、図５（ａ）に示
すように、基板１上にバイアス磁界付与膜を蒸着、スパ
ッタ法等により成膜する。次に、図５（ｂ）に示すよう
に、バイアス磁界付与膜２上にレジスト５１を塗布し、
磁気記録媒体の記録再生領域となるべき領域（例えば、
磁気ディスクの最内周トラックから最外周トラックを含
む領域）をマスク５２によってマスクした後、感光させ
る。次に図５（ｃ）に示すように、マスク５２によって
感光しなかった領域をエッチング等により取り除き、図
５（ｄ）に示すように、レジスト５１を取り除いた後
で、高透磁率磁性膜３及び垂直磁化膜４を蒸着、スパッ
タ法等により成膜する。
気記録媒体の構成を示す縦断面図である。図４において
は、円環板状の磁気ディスクにおける最内周トラック４
１と最外周トラック４１’との間の記録再生領域の外側
の対応する所定位置に環状にバイアス磁界付与膜２が形
成されている。この垂直磁気記録媒体は、以下に示す方
法により製造される。すなわち、まず、図５（ａ）に示
すように、基板１上にバイアス磁界付与膜を蒸着、スパ
ッタ法等により成膜する。次に、図５（ｂ）に示すよう
に、バイアス磁界付与膜２上にレジスト５１を塗布し、
磁気記録媒体の記録再生領域となるべき領域（例えば、
磁気ディスクの最内周トラックから最外周トラックを含
む領域）をマスク５２によってマスクした後、感光させ
る。次に図５（ｃ）に示すように、マスク５２によって
感光しなかった領域をエッチング等により取り除き、図
５（ｄ）に示すように、レジスト５１を取り除いた後
で、高透磁率磁性膜３及び垂直磁化膜４を蒸着、スパッ
タ法等により成膜する。
【００１９】従って、以上のような構成にすると、バイ
アス磁界付与膜２に相対向する高透磁率磁性膜３の部分
にのみバイアス磁界が加わるため、この部分の磁壁の発
生は抑制される。そして、この部分の磁壁発生の抑制
は、結果として、バイアス磁界が形成されていない領域
まで効果的に磁壁の発生を抑制する。そのため、磁壁発
生によるバルクハウゼンノイズを抑制することができ
る。
アス磁界付与膜２に相対向する高透磁率磁性膜３の部分
にのみバイアス磁界が加わるため、この部分の磁壁の発
生は抑制される。そして、この部分の磁壁発生の抑制
は、結果として、バイアス磁界が形成されていない領域
まで効果的に磁壁の発生を抑制する。そのため、磁壁発
生によるバルクハウゼンノイズを抑制することができ
る。
【００２０】なお、バイアス磁界付与膜２上における高
透磁率磁性膜３の領域は、その領域に対応する垂直磁化
膜４において信号磁化の記録再生が行われず、透磁率μ
を考慮する必要がないので、バイアス磁界付与膜２と高
透磁率磁性膜３との交換結合強度を強くしても良い。ま
た、本実施例においては、記録再生領域における透磁率
μの低下がないので、磁気ヘッドとの磁気的相互作用を
強くすることができ、さらに高感度、かつ、高分解能の
記録再生を実現することが可能となる。
透磁率磁性膜３の領域は、その領域に対応する垂直磁化
膜４において信号磁化の記録再生が行われず、透磁率μ
を考慮する必要がないので、バイアス磁界付与膜２と高
透磁率磁性膜３との交換結合強度を強くしても良い。ま
た、本実施例においては、記録再生領域における透磁率
μの低下がないので、磁気ヘッドとの磁気的相互作用を
強くすることができ、さらに高感度、かつ、高分解能の
記録再生を実現することが可能となる。
【００２１】さらに、本発明に係る垂直磁気記録媒体
は、図６に示すように、高透磁率磁性膜３と垂直磁化膜
４との間にも、反強磁性膜２’を設けるようにしても良
い。この場合には、反強磁性膜２’は、スペーシング損
失を作用させない程度に、薄く形成するようにする。
は、図６に示すように、高透磁率磁性膜３と垂直磁化膜
４との間にも、反強磁性膜２’を設けるようにしても良
い。この場合には、反強磁性膜２’は、スペーシング損
失を作用させない程度に、薄く形成するようにする。
【００２２】図７は、本発明の第４実施例に係る垂直磁
気記録媒体の構成を示す縦断面図である。本実施例に係
る垂直磁気記録媒体は、基板１上に高透磁率磁性膜２、
垂直磁化膜３が順に形成されている。また、円環板状の
磁気ディスクにおける垂直磁化膜４の内周側及び外周側
には、所定幅の垂直磁化領域４ａ，４ｂが形成されてい
る。この垂直磁化領域４ａ，４ｂは互いに逆方向に、例
えば、内周側の垂直磁化領域４ａは基板からヘッドに対
向する面方向に、外周側の垂直磁化領域４ｂはヘッドに
対向する面から基板方向に、垂直磁化されている。
気記録媒体の構成を示す縦断面図である。本実施例に係
る垂直磁気記録媒体は、基板１上に高透磁率磁性膜２、
垂直磁化膜３が順に形成されている。また、円環板状の
磁気ディスクにおける垂直磁化膜４の内周側及び外周側
には、所定幅の垂直磁化領域４ａ，４ｂが形成されてい
る。この垂直磁化領域４ａ，４ｂは互いに逆方向に、例
えば、内周側の垂直磁化領域４ａは基板からヘッドに対
向する面方向に、外周側の垂直磁化領域４ｂはヘッドに
対向する面から基板方向に、垂直磁化されている。
【００２３】従って、この垂直磁化領域４ａ，４ｂと高
透磁率磁性膜３とを磁気的に結合（交換相互作用による
交換結合又は静磁結合のいずれでも良い）させることに
よって、垂直磁化領域４ａ，４ｂに対応する高透磁率磁
性膜３中の磁化を磁気ディスクのトラック幅方向（ディ
スク半径方向）に固着して動きにくくすると、垂直磁化
膜４における垂直磁化領域４ａ，４ｂの間の記録再生領
域４ｃの位置に対応する高透磁率磁性膜３中には、破線
７１で示すバイアス磁界が印加され、高透磁率磁性膜３
内の磁壁の発生を抑制することができるので、バルクハ
ウゼンノイズの発生を抑制することができる。また、垂
直磁化膜４の記録再生領域４ｃの位置に対応する高透磁
率磁性膜３の領域におけるトラック長手方向（ディスク
円周方向）の透磁率は、ほとんど低下することがないの
で記録再生効率の低下を招くことがない。さらに、高透
磁率磁性膜３と垂直磁化膜４との間に反強磁性膜等のス
ペーシング層を形成しないため、高い記録再生効率で、
かつ、高分解能の垂直磁気記録媒体を実現することがで
きる。
透磁率磁性膜３とを磁気的に結合（交換相互作用による
交換結合又は静磁結合のいずれでも良い）させることに
よって、垂直磁化領域４ａ，４ｂに対応する高透磁率磁
性膜３中の磁化を磁気ディスクのトラック幅方向（ディ
スク半径方向）に固着して動きにくくすると、垂直磁化
膜４における垂直磁化領域４ａ，４ｂの間の記録再生領
域４ｃの位置に対応する高透磁率磁性膜３中には、破線
７１で示すバイアス磁界が印加され、高透磁率磁性膜３
内の磁壁の発生を抑制することができるので、バルクハ
ウゼンノイズの発生を抑制することができる。また、垂
直磁化膜４の記録再生領域４ｃの位置に対応する高透磁
率磁性膜３の領域におけるトラック長手方向（ディスク
円周方向）の透磁率は、ほとんど低下することがないの
で記録再生効率の低下を招くことがない。さらに、高透
磁率磁性膜３と垂直磁化膜４との間に反強磁性膜等のス
ペーシング層を形成しないため、高い記録再生効率で、
かつ、高分解能の垂直磁気記録媒体を実現することがで
きる。
【００２４】図８乃至図１３に、本発明に係る垂直磁気
記録媒体のその他の変形例を示す。図８における垂直磁
気記録媒体は、高透磁率磁性膜３と垂直磁化膜４との間
に非磁性膜５を形成したものである。すなわち、高透磁
率磁性膜３と垂直磁化膜４との界面において、垂直磁化
膜４の記録再生領域４ｃに対応する位置にその界面にお
ける交換結合を断ち切ることができる程度の非磁性膜５
が形成されている。
記録媒体のその他の変形例を示す。図８における垂直磁
気記録媒体は、高透磁率磁性膜３と垂直磁化膜４との間
に非磁性膜５を形成したものである。すなわち、高透磁
率磁性膜３と垂直磁化膜４との界面において、垂直磁化
膜４の記録再生領域４ｃに対応する位置にその界面にお
ける交換結合を断ち切ることができる程度の非磁性膜５
が形成されている。
【００２５】従って、高透磁率磁性膜３と垂直磁化膜４
との記録再生領域４ｃに対応する界面においては静磁的
に結合できるので、高透磁率磁性膜３を必要に応じて薄
くした場合にも、高透磁率磁性膜３は信号磁化によって
低下することなく良好な記録再生を実現することができ
る。
との記録再生領域４ｃに対応する界面においては静磁的
に結合できるので、高透磁率磁性膜３を必要に応じて薄
くした場合にも、高透磁率磁性膜３は信号磁化によって
低下することなく良好な記録再生を実現することができ
る。
【００２６】図９における垂直磁気記録媒体は、基板１
上に高透磁率磁性膜３、垂直磁化膜４が形成されてい
る。そして、円環板状の磁気ディスクにおける垂直磁化
膜４の内周側及び外周側には、トラック幅方向に磁化さ
れた長手方向に配向性を有する高抗磁力磁性膜６ａ，６
ｂが所定幅で形成されているので、高透磁率磁性膜３と
高抗磁力磁性膜６ａ，６ｂとを磁気的に結合することが
でき、同様の効果が得ることができる。
上に高透磁率磁性膜３、垂直磁化膜４が形成されてい
る。そして、円環板状の磁気ディスクにおける垂直磁化
膜４の内周側及び外周側には、トラック幅方向に磁化さ
れた長手方向に配向性を有する高抗磁力磁性膜６ａ，６
ｂが所定幅で形成されているので、高透磁率磁性膜３と
高抗磁力磁性膜６ａ，６ｂとを磁気的に結合することが
でき、同様の効果が得ることができる。
【００２７】図１０における垂直磁気記録媒体は、基板
１上の内周側及び外周側には、トラック幅方向に磁化さ
れた長手方向に配向性を有する高抗磁力磁性膜６ａ，６
ｂが形成され、この高抗磁力磁性膜６ａ，６ｂの間の記
録再生領域に対応する位置に高透磁率磁性膜３が形成さ
れている。さらに、この高透磁率３及び高抗磁力磁性膜
６ａ，６ｂ上には信号磁化が記録再生される垂直磁化膜
４が形成されている。この場合においても、高抗磁力磁
性膜６ａ，６ｂの同一方向の磁化によって高透磁率磁性
膜３に破線１０１の方向にバイアス磁界を印加すること
ができ、同様の効果を得ることができる。
１上の内周側及び外周側には、トラック幅方向に磁化さ
れた長手方向に配向性を有する高抗磁力磁性膜６ａ，６
ｂが形成され、この高抗磁力磁性膜６ａ，６ｂの間の記
録再生領域に対応する位置に高透磁率磁性膜３が形成さ
れている。さらに、この高透磁率３及び高抗磁力磁性膜
６ａ，６ｂ上には信号磁化が記録再生される垂直磁化膜
４が形成されている。この場合においても、高抗磁力磁
性膜６ａ，６ｂの同一方向の磁化によって高透磁率磁性
膜３に破線１０１の方向にバイアス磁界を印加すること
ができ、同様の効果を得ることができる。
【００２８】図１１における垂直磁気記録媒体は、基板
１上に第２の高透磁率磁性膜３’、非磁性膜５、この非
磁性膜５上に高抗磁力磁性膜６ａ，６ｂ及び第１の高透
磁率磁性膜３が順次形成され、さらにこれら高抗磁力磁
性膜６ａ，６ｂ及び第１の高透磁率磁性膜３上に垂直磁
化膜４が形成されてなっている。従って、高抗磁力磁性
膜６ａ，６ｂと高透磁率磁性膜３’とを静磁結合させた
場合には、高抗磁力磁性膜６ａ→高透磁率磁性膜３→高
抗磁力磁性膜６ｂ→高透磁率磁性膜３’（或いはその
逆）の経路を有する磁気回路抵抗の小さな閉磁路（破線
１１１）が構成され、図９に示す垂直磁気記録媒体より
も強くて有効なバイアス磁界を印加することができるよ
うになる。
１上に第２の高透磁率磁性膜３’、非磁性膜５、この非
磁性膜５上に高抗磁力磁性膜６ａ，６ｂ及び第１の高透
磁率磁性膜３が順次形成され、さらにこれら高抗磁力磁
性膜６ａ，６ｂ及び第１の高透磁率磁性膜３上に垂直磁
化膜４が形成されてなっている。従って、高抗磁力磁性
膜６ａ，６ｂと高透磁率磁性膜３’とを静磁結合させた
場合には、高抗磁力磁性膜６ａ→高透磁率磁性膜３→高
抗磁力磁性膜６ｂ→高透磁率磁性膜３’（或いはその
逆）の経路を有する磁気回路抵抗の小さな閉磁路（破線
１１１）が構成され、図９に示す垂直磁気記録媒体より
も強くて有効なバイアス磁界を印加することができるよ
うになる。
【００２９】図１２における垂直磁気記録媒体は、基板
１上に高抗磁力磁性膜６、非磁性膜５、高透磁力磁性膜
３、垂直磁化膜４が順次形成されてなっている。そし
て、高抗磁力磁性膜６と高透磁率磁性膜３とは静磁的に
結合されているので、高透磁率磁性膜３にはトラック幅
方向にバイアス磁界が印加されることになる。
１上に高抗磁力磁性膜６、非磁性膜５、高透磁力磁性膜
３、垂直磁化膜４が順次形成されてなっている。そし
て、高抗磁力磁性膜６と高透磁率磁性膜３とは静磁的に
結合されているので、高透磁率磁性膜３にはトラック幅
方向にバイアス磁界が印加されることになる。
【００３０】図１３における垂直磁気記録媒体は、基板
１上に高透磁率磁性膜３、垂直磁化膜４が順次形成さ
れ、記録再生領域の両端の位置に互いに反対方向の媒体
面垂直方向に磁化された永久磁石７ａ，７ｂが設けられ
ている。従って、上述の例と同様に高透磁率磁性膜３内
にトラック幅方向のバイアス磁界を印加することができ
る。なお、永久磁石７ａ，７ｂの代わりに高抗磁力磁性
膜６ａ，６ｂを用いても良い。
１上に高透磁率磁性膜３、垂直磁化膜４が順次形成さ
れ、記録再生領域の両端の位置に互いに反対方向の媒体
面垂直方向に磁化された永久磁石７ａ，７ｂが設けられ
ている。従って、上述の例と同様に高透磁率磁性膜３内
にトラック幅方向のバイアス磁界を印加することができ
る。なお、永久磁石７ａ，７ｂの代わりに高抗磁力磁性
膜６ａ，６ｂを用いても良い。
【００３１】なお、本発明においては、いずれも磁気デ
ィスク等の円板状の一方の面にのみ信号磁化が記録させ
るべき垂直磁化膜を形成したが、これにこだわることは
なく、他方の面にも形成しても構わない。また、いずれ
も磁気ディスク等の円板状の垂直磁気記録媒体の例を示
したが、磁気テープ等のテープ状の垂直磁気記録媒体に
適用することもできる。
ィスク等の円板状の一方の面にのみ信号磁化が記録させ
るべき垂直磁化膜を形成したが、これにこだわることは
なく、他方の面にも形成しても構わない。また、いずれ
も磁気ディスク等の円板状の垂直磁気記録媒体の例を示
したが、磁気テープ等のテープ状の垂直磁気記録媒体に
適用することもできる。
【００３２】
【発明の効果】以上の通り本発明によれば、高透磁率磁
性膜中の磁壁の発生を抑制することができ、高透磁率磁
性膜と垂直磁化膜との界面に生じるバルクハウゼンノイ
ズを効果的に抑制することができる。また、垂直磁化膜
と高透磁率磁性膜との間には、反強磁性膜等のスペーシ
ング層を形成しないため、反強磁性膜の厚みが記録再生
時にスペーシング損失として働くことがなく、その結果
として、高い記録再生効率で、かつ、高分解能の垂直磁
気記録媒体を実現することができる。
性膜中の磁壁の発生を抑制することができ、高透磁率磁
性膜と垂直磁化膜との界面に生じるバルクハウゼンノイ
ズを効果的に抑制することができる。また、垂直磁化膜
と高透磁率磁性膜との間には、反強磁性膜等のスペーシ
ング層を形成しないため、反強磁性膜の厚みが記録再生
時にスペーシング損失として働くことがなく、その結果
として、高い記録再生効率で、かつ、高分解能の垂直磁
気記録媒体を実現することができる。
【図１】 本発明の第１実施例に係る垂直磁気記録媒体
の構成を示す図。
の構成を示す図。
【図２】 図１におけるバイアス磁界付与膜の一例を示
す図。
す図。
【図３】 本発明の第２実施例に係る垂直磁気記録媒体
の構成を示す図。
の構成を示す図。
【図４】 本発明の第３実施例に係る垂直磁気記録媒体
の構成を示す図。
の構成を示す図。
【図５】 図４における垂直磁気記録媒体の製造工程を
示す図。
示す図。
【図６】 本発明に係る垂直磁気記録媒体の構成の変形
例を示す図。
例を示す図。
【図７】 本発明の第４実施例に係る垂直磁気記録媒体
の構成を示す図。
の構成を示す図。
【図８】 本発明に係る垂直磁気記録媒体の構成の変形
例を示す図。
例を示す図。
【図９】 本発明に係る垂直磁気記録媒体の構成の変形
例を示す図。
例を示す図。
【図１０】 本発明に係る垂直磁気記録媒体の構成の変
形例を示す図。
形例を示す図。
【図１１】 本発明に係る垂直磁気記録媒体の構成の変
形例を示す図。
形例を示す図。
【図１２】 本発明に係る垂直磁気記録媒体の構成の変
形例を示す図。
形例を示す図。
【図１３】 本発明に係る垂直磁気記録媒体の構成の変
形例を示す図。
形例を示す図。
１ 基板 ２ バイアス磁界付与膜 ３ 高透磁率磁性膜 ４ 垂直磁化膜 ５ 非磁性膜 ６ａ，６ｂ 高抗磁力磁性膜 ７ａ，７ｂ 永久磁石 ２１ 磁性膜 ２２ 非磁性膜 ４１ 最内周トラック ４１’ 最外周トラック ５１ レジスト ５２ マスク
Claims (6)
- 【請求項１】 基板と、この基板上に形成された高透磁
率磁性膜と、この高透磁率磁性膜上に形成された信号磁
化を記録する垂直磁化膜とからなる垂直磁気記録媒体に
おいて、少なくとも前記高透磁率磁性膜の基板側の面に
バイアス磁界付与膜を形成したことを特徴とする垂直磁
気記録媒体。 - 【請求項２】 前記バイアス磁界付与膜と前記高透磁率
磁性膜との間に非磁性膜を形成してなることを特徴とす
る請求項１記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記バイアス磁界付与膜は、反強磁性膜
であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の垂
直磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記バイアス磁界付与膜は、面内配向性
を有する高抗磁力磁性膜であることを特徴とする請求項
１又は請求項２記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記バイアス磁界付与膜は、磁性膜と非
磁性膜とが交互に積層された少なくとも２つの前記磁性
膜からなる積層膜であって、前記非磁性膜を介して積層
された相対向する前記磁性膜が反強磁性的に結合してな
ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の垂直磁
気記録媒体。 - 【請求項６】 基板と、この基板上に形成された高透磁
率磁性膜と、この高透磁率磁性膜上に形成された信号磁
化を記録する垂直磁化膜からなる垂直磁気記録媒体であ
って、前記垂直磁化膜における記録再生領域の両端の所
定領域を相対する方向に垂直磁化することを特徴とする
垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18425492A JPH0628652A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 垂直磁気記録媒体 |
| US08/558,971 US5815342A (en) | 1992-07-13 | 1995-11-13 | Perpendicular magnetic recording/reproducing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18425492A JPH0628652A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0628652A true JPH0628652A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16150097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18425492A Pending JPH0628652A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0628652A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003036531A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Fuji Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| WO2003017258A1 (en) * | 2001-08-17 | 2003-02-27 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, its manufacturing method, and magnetic recording/reproducing apparatus |
| US6723458B2 (en) | 2001-08-17 | 2004-04-20 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method of manufacture therefor, and magnetic read/write apparatus |
| US6846581B2 (en) | 2001-03-22 | 2005-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording-reproducing apparatus using the same |
| US7105239B2 (en) | 2001-11-27 | 2006-09-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing apparatus using the same |
| KR20160089336A (ko) | 2014-12-15 | 2016-07-27 | 후지 이카 산쿄 가부시키가이샤 | 스포츠 사이언스용 인공 환경 제어실 |
-
1992
- 1992-07-13 JP JP18425492A patent/JPH0628652A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6846581B2 (en) | 2001-03-22 | 2005-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording-reproducing apparatus using the same |
| JP2003036531A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Fuji Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| WO2003017258A1 (en) * | 2001-08-17 | 2003-02-27 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, its manufacturing method, and magnetic recording/reproducing apparatus |
| US6723458B2 (en) | 2001-08-17 | 2004-04-20 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method of manufacture therefor, and magnetic read/write apparatus |
| US7105239B2 (en) | 2001-11-27 | 2006-09-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing apparatus using the same |
| KR20160089336A (ko) | 2014-12-15 | 2016-07-27 | 후지 이카 산쿄 가부시키가이샤 | 스포츠 사이언스용 인공 환경 제어실 |
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