JPH06289217A - カラー固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】スルホニルアジド基を有する色素を含有するフ
ィルタ母材組成物を用いてカラーフィルタを形成するこ
とで、カラーフィルタ形成プロセスの裕度を増しかつプ
ロセスを合理化したカラー固体撮像素子、及びそのよう
なカラー固体撮像素子形成するに改良された製造方法
を、それぞれ提供する。 【構成】素子表面保護層を設け、前記素子表面保護層上
に前記素子受光部に対応した位置に有機膜で保護された
カラーフィルタパターンを配してなるカラー固体撮像素
子において、スルホニルアジド基を有する色素を含有す
るフィルタ母材組成物からカラーフィルタが形成されて
いるカラー固体撮像素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、カラー固体撮像素子及
びその製造方法に係り、特にスルホニルアジド基を有す
る色素を含有するフィルタ母材組成物を用いてカラーフ
ィルタを形成することにより、カラーフィルタ形成プロ
セスの裕度を増しかつプロセスを合理化するに好適なカ
ラー固体撮像素子及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体基板上に、パッシベーション膜で
覆われた光電変換を行なう受光部、及びこの受光部で発
生した電気信号を取り出す走査部が形成されているＣＣ
Ｄ形やＭＯＳ形等の固体撮像素子において、前記撮像素
子の受光部にカラーフィルタを一体的に形成するカラー
固体撮像素子が形成されている。

【０００３】従来のカラー固体撮像素子は、例えばＭＯ
Ｓ形カラー固体撮像素子についてはテレビジョン学会誌
（第３７巻、第７号、第５５３〜５５８頁、１９８３
年）に、ＣＣＤ形カラー固体撮像素子については東芝レ
ビュー（第４３巻、第７号、第５４８〜５５２頁、１９
８８年）に記載されている。前者においては、固体撮像
素子表面の保護及び凹凸の低減のために下地膜としてＰ
ＧＭＡ（ポリグリシジルメタクリレート）膜を形成し、
この膜を介して、固体撮像素子基板上にシアンのカラー
フィルタを形成し、次いでＰＧＭＡ膜をフィルタ層間の
保護膜として用いてイエロのカラーフィルタを積層形成
して、シアン、イエロ、グルーン、ホワイトの４色のカ
ラーフィルタを形成し、最上層にカラーフィルタの表面
保護層をＰＧＭＡ膜を形成し、各層ごとにＰＧＭＡ膜を
露光、現像して素子のボンディングパッド部上を開口
し、カラーフィルタ層を形成している。また、後者で
は、シアン、イエロ、マゼンタのカラーフィルタを前者
と同様にしてＰＧＭＡ膜を素子平坦化膜、フィルタ層間
の保護膜、カラーフィルタの表面保護膜として用いて、
シアン、イエロ、グルーン、マゼンタの４色のカラーフ
ィルタを形成し、各層ごとにＰＧＭＡ膜を露光、現像し
て素子のボンディングパッド部上を開口し、カラーフィ
ルタ層を形成している。上記のカラーフィルタは、ゼラ
チン、カゼイン等を主成分とする感光性可染性材料を通
常のフォトリソグラフィ技術により、フォトマスクを用
いて露光した後、現像してパターン化し、染色液に浸漬
して所望の各色に染色されて形成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述のカラー固体撮像
素子では、カラーフィルタは、ゼラチン、カゼイン等を
主成分とする感光性可染性材料を通常のフォトリソグラ
フィ技術により、フォトマスクを用いて露光した後、現
像してパターン化し、染色液に浸漬して所望の各色に染
色されて形成されている。上記の感光性可染性材料で
は、ゼラチンやカゼインなどの天然蛋白質からなる可染
性材料に感光剤として重クロム酸アンモニウムを加えた
材料が一般的である。前記の材料、プロセスには、次の
ような問題点がある。

【０００５】１）可染性材料が天然物であるため、品質
のバラツキが大きく、膜厚や染色性が変動する。

【０００６】２）感光剤である重クロム酸アンモニウム
の廃液処理が必要である。

【０００７】３）感光性可染性材料について、加温塗
布する必要があるため膜質に欠陥やムラが生じやすく、
温度による膜厚変動が大きい。暗反応が起り、材料の
安定性が低い。感度が低い。

【０００８】４）パターン形成時の露光量や加熱温度に
より、染色特性が変化する。

【０００９】５）工程数が多く、生産性に劣る。

【００１０】従って、本発明の目的は上記した問題を解
決することにあり、その第１の目的はスルホニルアジド
基を有する色素を含有するフィルタ母材組成物を用いて
カラーフィルタを形成することにより、フィルタ形成時
の裕度を増してフィルタの分光特性を向上させるに好適
なカラー固体撮像素子を、その第２の目的はそのような
カラー固体撮像素子形成する改良された製造方法を、そ
れぞれ提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的は、光電
変換を行なう受光部と、前記受光部で発生した電気信号
を取り出す走査部と、前記受光部及び走査部を保護する
パッシベーション膜とが形成された半導体基板からなる
固体撮像素子基板上に、素子表面保護層を設け、前記素
子表面保護層上に前記素子受光部に対応した位置に有機
膜で保護されたカラーフィルタパターンを配してなるカ
ラー固体撮像素子において、スルホニルアジド基を有す
る色素を含有するフィルタ母材組成物からカラーフィル
タが形成されていることを特徴とするカラー固体撮像素
子により達成される。

【００１２】以下に、好ましいカラー固体撮像素子の特
徴点を列挙する。

【００１３】（１）．光電変換を行なう受光部と、前記
受光部で発生した電気信号を取り出す走査部と、前記受
光部及び走査部を保護するパッシベーション膜とが形成
された半導体基板からなる固体撮像素子基板上に、素子
表面保護層を設け、前記素子表面保護層上に前記素子受
光部に対応した位置に有機膜で保護されたカラーフィル
タパターンを配してなるカラー固体撮像素子において、
スルホニルアジド基を有する色素を含有するフィルタ母
材組成物からカラーフィルタが形成されていることを特
徴とするカラー固体撮像素子により、また、（２）．上
記スルホニルアジド基を有する色素を含有するフィルタ
母材組成物が感光性材料である上記（１）記載のカラー
固体撮像素子により、また、（３）．上記スルホニルア
ジド基を有する色素を含有するフィルタ母材組成物が熱
硬化性材料である上記（１）記載のカラー固体撮像素子
により、また、（４）．少なくとも２色のカラーフィル
タパターンが同一平面上に存在する上記（１）記載のカ
ラー固体撮像素子により、また、（５）．上記素子表面
保護層が有機ケイ素系材料の単層もしくは有機高分子材
料と有機ケイ素系材料との積層からなる上記（１）記載
のカラー固体撮像素子により、また、（６）．上記カラ
ーフィルタパターンの有機保護膜が感光性材料からなる
上記（１）記載のカラー固体撮像素子により、また、
（７）．上記各受光部に対応した位置のカラーフィルタ
層を被うフィルタ表面保護層上に、受光部への集光用凸
状マイクロレンズが形成されている上記（１）記載のカ
ラー固体撮像素子により、達成される。

【００１４】そして、上記第２の目的は、（８）．光電
変換を行なう受光部と、前記受光部で発生した電気信号
を取り出す走査部と、前記受光部及び走査部を保護する
パッシベーション膜とが形成された半導体基板からなる
固体撮像素子基板上に、素子表面保護層を形成する工程
と、；前記素子表面保護層上にスルホニルアジド基を有
する色素を含有する熱硬化性フィルタ母材組成物を塗布
し、加熱してカラーフィルタ膜を形成する工程と、前記
固体撮像素子基板の受光部に対応した位置の前記カラー
フィルタ膜上に選択的にレジストマスクパターンを形成
する工程と、前記レジストマスクパターンをマスクとし
て前記カラーフィルタ膜をウェットエッチングすること
によりカラーフィルタパターンを形成する工程と、加熱
してカラーフィルタパターンを熱硬化する工程とからな
るカラーフィルタパターン形成工程と、前記カラーフィ
ルタパターンを被う透明なフィルタ保護膜を形成する工
程と、前記カラーフィルタパターン形成工程及びフィル
タ保護膜を形成する工程をカラーフィルタの色構成に見
合った複数回繰り返す工程とからなるカラー固体撮像素
子の製造方法により、また、（９）．光電変換を行なう
受光部と、前記受光部で発生した電気信号を取り出す走
査部と、前記受光部及び走査部を保護するパッシベーシ
ョン膜とが形成された半導体基板からなる固体撮像素子
基板上に、素子表面保護層を形成する工程と、；前記素
子表面保護層上にスルホニルアジド基を有する色素を含
有する感光性フィルタ母材組成物を塗布し、加熱し、通
常のフォトリソグラフィ技術により露光し、次いで現
像、加熱して、前記固体撮像素子基板の受光部に対応し
た位置にカラーフィルタパターンを形成する工程と、前
記カラーフィルタパターンを被う透明なフィルタ保護膜
を形成する工程と；、前記カラーフィルタパターン形成
工程及びフィルタ保護膜を形成する工程をカラーフィル
タの色構成に見合った複数回繰り返す工程とからなるカ
ラー固体撮像素子の製造方法により、また、（１０）．
光電変換を行なう受光部と、前記受光部で発生した電気
信号を取り出す走査部と、前記受光部及び走査部を保護
するパッシベーション膜とが形成された半導体基板から
なる固体撮像素子基板上に、有機ケイ素系材料単層ある
いは有機高分子材料と有機ケイ素系材料との積層からな
る素子表面保護層を形成する工程と、；前記素子表面保
護層上にスルホニルアジド基を有する色素を含有する熱
硬化性フィルタ母材組成物を塗布し、加熱してカラーフ
ィルタ膜を形成する工程と、前記固体撮像素子基板の受
光部に対応した位置の前記カラーフィルタ膜上に選択的
に有機ケイ素系材料からなるレジストマスクパターンを
形成する工程と、前記レジストマスクパターンをマスク
として前記カラーフィルタ膜を酸素ドライエッチングす
ることによりカラーフィルタパターンを形成する工程
と、加熱してカラーフィルタパターンを熱硬化する工程
とからなるカラーフィルタパターン形成工程と、前記カ
ラーフィルタパターンを被う透明な有機ケイ素系材料か
らなるフィルタ保護膜を形成する工程と；、前記カラー
フィルタパターン形成工程及びフィルタ保護膜を形成す
る工程をカラーフィルタの色構成に見合った複数回繰り
返す工程とからなるカラー固体撮像素子の製造方法によ
り、また、（１１）．光電変換を行なう受光部と、前記
受光部で発生した電気信号を取り出す走査部と、前記受
光部及び走査部を保護するパッシベーション膜とが形成
された半導体基板からなる固体撮像素子基板上に、有機
ケイ素系材料単層あるいは有機高分子材料と有機ケイ素
系材料との積層からなる素子表面保護層を形成する工程
と、；前記素子表面保護層上にスルホニルアジド基を有
する色素を含有する熱硬化性フィルタ母材組成物を塗布
し、加熱してカラーフィルタ膜を形成する工程と、前記
固体撮像素子基板の受光部に対応した位置の前記カラー
フィルタ膜上に選択的に有機ケイ素系材料からなるレジ
ストマスクパターンを形成する工程と、前記レジストマ
スクパターンをマスクとして前記カラーフィルタ膜を酸
素ドライエッチングすることによりカラーフィルタパタ
ーンを形成する工程と、加熱してカラーフィルタパター
ンを熱硬化する工程とからなるカラーフィルタパターン
形成工程と、；、前記カラーフィルタパターン形成工程
をカラーフィルタの色構成に見合った複数回繰り返す工
程とからなり、前記素子表面保護層上の同一平面内に所
定の複数色のカラーフィルタパターンを形成してなるカ
ラー固体撮像素子の製造方法により、また、（１２）．
光電変換を行なう受光部と、前記受光部で発生した電気
信号を取り出す走査部と、前記受光部及び走査部を保護
するパッシベーション膜とが形成された半導体基板から
なる固体撮像素子基板上に、素子表面保護層を形成する
工程と、；前記素子表面保護層上にスルホニルアジド基
を有する色素を含有する感光性フィルタ母材組成物を塗
布し、加熱し、通常のフォトリソグラフィ技術により露
光し、次いで現像、加熱して、前記固体撮像素子基板の
受光部に対応した位置にカラーフィルタパターンを形成
する工程と、前記カラーフィルタパターンを被う感光性
材料からなるフィルタパターン保護膜を形成する工程
と；、前記カラーフィルタパターン形成工程及びフィル
タ保護膜を形成する工程をカラーフィルタの色構成に見
合った複数回繰り返す工程とからなるカラー固体撮像素
子の製造方法により、また、（１３）．光電変換を行な
う受光部と、前記受光部で発生した電気信号を取り出す
走査部と、前記受光部及び走査部を保護するパッシベー
ション膜とが形成された半導体基板からなる固体撮像素
子基板上に、素子表面保護層を形成する工程と、；前記
素子表面保護層上にスルホニルアジド基を有する色素を
含有する感光性フィルタ母材組成物を塗布し、加熱し、
通常のフォトリソグラフィ技術により露光し、次いで現
像、加熱して、前記固体撮像素子基板の受光部に対応し
た位置にカラーフィルタパターンを形成する工程と；、
前記カラーフィルタパターン形成工程をカラーフィルタ
の色構成に見合った複数回繰り返す工程と、前記カラー
フィルタパターンを被う保護膜を形成する工程とからな
るカラー固体撮像素子の製造方法により、また、（１
４）．光電変換を行なう受光部と、前記受光部で発生し
た電気信号を取り出す走査部と、前記受光部及び走査部
を保護するパッシベーション膜とが形成された半導体基
板からなる固体撮像素子基板上に、素子表面保護層を形
成する工程と、前記素子表面保護層上にスルホニルアジ
ド基を有する色素を含有する感光性フィルタ母材組成物
を塗布し、加熱し、通常のフォトリソグラフィ技術によ
り露光し、次いで現像、加熱して、前記固体撮像素子基
板の受光部に対応した位置に１色目のカラーフィルタパ
ターンを形成する工程と、感光性材料にて前記カラーフ
ィルタパターンを被い、通常のフォトリソグラフィ技術
により露光、現像し、次いで加熱して、前記固体撮像素
子基板の受光部に対応した所望の位置に開口部を形成す
る工程と、；前記スルホニルアジド基を有する色素を含
有する感光性フィルタ母材組成物を塗布し、加熱し、通
常のフォトリソグラフィ技術により露光し、次いで現
像、加熱して、前記開口部に２色目のカラーフィルタパ
ターンを形成する工程と、感光性材料を塗布、加熱、露
光、現像して、前記２色目のカラーフィルタパターンを
被う保護膜を形成するとともに、前記固体撮像素子基板
の受光部に対応した所望の位置に開口部を形成する工程
と；、前記カラーフィルタパターン形成工程及びフィル
タ保護膜を形成する工程をカラーフィルタの色構成に見
合った複数回繰り返す工程とからなるカラー固体撮像素
子の製造方法により、また、（１５）各受光部に対応し
た位置のカラーフィルタ層最上層を被う保護膜上に、受
光部への集光用凸状マイクロレンズが形成されている上
記（８）〜（１４）記載のカラー固体撮像素子の製造方
法により、達成される。

【００１５】次に、上述のカラーフィルタに用いられる
スルホニルアジド基を有する色素を含有するフィルタ母
材組成物、素子表面保護膜に用いられる有機ケイ素系材
料と有機高分子材料、及びカラーフィルタパターンの保
護膜に用いられる感光性材料について詳述する。

【００１６】［スルホニルアジド基を有する色素］本色
素は、カラー固体撮像素子のカラーフィルタを構成しう
るに望ましい分光特性を有する色素骨格にスルホニルア
ジド基を有する色素で、下記一般式（化１）で表され
る。

【００１７】

【化１】Ａｒ（ＳＯ₂Ｎ₃）ｎ ・・・・・・・（化１） （但し、Ａｒは芳香族残基を、ｎは１以上の整数を表
す。）スルホニルアジド基は、光又は熱反応によりナイ
トレンを生成し、これがフィルタ母材となる高分子材料
と反応、結合して、高分子材料中にアミノ化合物が形成
され、色素骨格が固定される。このとき、色素骨格と高
分子材料との間には、−ＳＯ₂−基が存在することによ
り、両者の間で直接的な電子間相互作用が小さく、色素
骨格の分光特性が保持される。このため、カラーフィル
タを構成しうるに望ましい分光特性は、この色素骨格で
決定される。

【００１８】［フィルタ母材］フィルタ母材としては、
ノボラック樹脂、ポリビニルフェノール、エポキシ樹
脂、ポリビニルアルコール樹脂、アクリル樹脂、ポリビ
ニルアルコールケン化合物などが挙げられる。

【００１９】熱硬化性フィルタ母材は、上記のフィルタ
母材に熱架橋剤を含有するものである。熱架橋剤として
は、テトラヒドロベンゾフェノン、２，２’−（１，３
−フェニレン）ビス（２−オキサゾリン）、メチロール
基を有するアリールフェノールエーテル、下記一般式
（化２）で表されるジアジドジフェニルスルフォン、下
記一般式式（化４）で表されるα−ジアゾアセトアセテ
ートなどが、好適な例として挙げられる。

【００２０】

【化２】

【００２１】

【化３】

【００２２】

【化４】

【００２３】光硬化性フィルタ母材は、上記のフィルタ
母材に光架橋剤を含有するものである。光架橋剤として
は、下記一般式（化５）、（化６）、（化７）、（化
８）で表されるオニウム塩などの酸発生剤、上記一般式
（化２）で表されるジアジドジフェニルスルフォン、一
般式（化３）で表されるビスアジド、一般式（化５）、
（化６）、（化７）、（化８）で表されるオニウム塩な
どの酸発生剤と１，３，５−トリメトキシメチルベンゼ
ン、２，６−ビス（ヒドロキシメチル）−４−ｔ−ブチ
ル−１−ヒドロキシベンゼン、ヘキサメトキシメチルメ
ラミン、上記一般式（化２）で表されるジアジドジフェ
ニルスルフォンなどの架橋剤との混合物が、好適な例と
して挙げられる。

【００２４】

【化５】

【００２５】

【化６】

【００２６】

【化７】

【００２７】

【化８】

【００２８】オニウム塩の具体的な例としては、（表
１）〜（表４）に示す化合物が挙げられる。

【００２９】

【表１】

【００３０】

【表２】

【００３１】

【表３】

【００３２】

【表４】

【００３３】［有機ケイ素系材料］素子表面保護膜に用
いられる有機ケイ素系材料としては、市販されている有
機ケイ素系材料、下記一般式（化９）で表されるアルカ
リ可溶性ポリオルガノシルセスキオサンと、下記一般式
（化１０）で表されるｏ−ナフトキノンアジド、もしく
は上記一般式（化４）で表されるα−ジアゾアセトアセ
テートとからなる組成物、熱架橋性ポリオルガノシルセ
スキオサン、ポリアルキルスルセスキコキサンから導か
れる有機ケイ素系材料が、好適な例として挙げられる。

【００３４】

【化９】

【００３５】

【化１０】

【００３６】［有機高分子材料］素子表面保護膜に用い
られる有機高分子材料としては、ノボラック樹脂、ポリ
ビニルフェノール、エポキシ樹脂、ポリビニルアルコー
ル樹脂、アクリル樹脂と、テトラヒドロベンゾフェノ
ン、２，２’−（１，３−フェニレン）ビス（２−オキ
サゾリン）、メチロール基を有するアリールフェノール
エーテル、上記一般式（化２）で表されるジアジドジフ
ェニルスルフォン、上記一般式（化４）で表されるα−
ジアゾアセトアセテートなどの熱架橋剤からなる組成
物、あるいは上記一般式（化５）、（化６）、（化
７）、（化８）で表されるオニウム塩などの酸発生剤、
上記一般式（化２）で表されるジアジドジフェニルスル
フォン、一般式（化５）、（化６）、（化７）、（化
８）で表されるオニウム塩などの酸発生剤と１，３，５
−トリメトキシメチルベンゼン、２，６−ビス（ヒドロ
キシメチル）−４−ｔ−ブチル−１−ヒドロキシベンゼ
ン、ヘキサメトキシメチルメラミン、上記一般式（化
２）で表されるジアジドジフェニルスルフォンなどの架
橋剤との混合物からなる組成物が、好適な例として挙げ
られる。

【００３７】［感光性材料］カラーフィルタパターンの
保護膜に用いられる感光性材料としては、ノボラック樹
脂、ポリビニルフェノール、エポキシ樹脂、ポリビニル
アルコール樹脂、アクリル樹脂と、上記一般式（化
５）、（化６）、（化７）、（化８）で表されるオニウ
ム塩などの酸発生剤、上記一般式（化２）で表されるジ
アジドジフェニルスルフォン、一般式（化３）で表され
るビスアジド、一般式（化５）、（化６）、（化７）、
（化８）で表されるオニウム塩などの酸発生剤と１，
３，５−トリメトキシメチルベンゼン、２，６−ビス
（ヒドロキシメチル）−４−ｔ−ブチル−１−ヒドロキ
シベンゼン、ヘキサメトキシメチルメラミン、上記一般
式（化２）で表されるジアジドジフェニルスルフォンな
どの架橋剤との混合物からなる組成物が、好適な例とし
て挙げられる。

【００３８】

【作用】本発明のカラー固体撮像素子では、スルホニル
アジド基を有する色素を含有するフィルタ母材組成物を
用いてカラーフィルタを形成することにより、従来のカ
ラーフィルタ材料に比べて、材料の品質や安定性を向上
し、染色特性の変動を抑え、工程数を低減できる。この
ため、カラーフィルタ形成プロセスの裕度を増し、かつ
プロセスを合理化することができる。これにより、カラ
ーフィルタの分光特性、解像性に優れ、かつ生産性に優
れたカラー固体撮像素子が得られる。

【００３９】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。

【００４０】実施例１．半導体基板内に予め受光部及び
走査部が形成され、パッシベーション膜に覆われた最大
２．５μｍの表面段差のある固体撮像素子基板上に、樹
脂分含有量１２ｗｔ％、粘度３０ｃＰ、分子量約３０万
のポリグリシジルメタクリレート（以下、ＰＧＭＡ樹脂
と記す。）のアセトキシエトキシエタン溶液に熱架橋剤
として２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノンを樹脂重量に対して１．５ｗｔ％加えた熱硬化性
材料（以下、熱硬化性保護膜材料１と記す。）を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、素子表面保護膜を２．５μｍ厚形成した。

【００４１】次いで、素子表面保護膜上に、樹脂分含有
量１２ｗｔ％のＰＧＭＡ樹脂のアセトキシエトキシエタ
ン溶液に熱架橋剤として２，２’，４，４’−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノンを樹脂重量に対して１．０ｗｔ
％加えた材料に、下記（化１１）

【００４２】

【化１１】

【００４３】に示すスルホニルアジド基を有する色素を
樹脂重量に対して１５．０ｗｔ％加えた組成物（以下、
色素組成物１と記す。）を塗布し、ホットプレートを用
いて１１０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を
形成した。次いで、市販のネガ型レジストを塗布し、ホ
ットプレートを用いて８０℃で１０分ベークして、０．
７μｍ厚の膜を形成した。次いで、所望のフィルタパタ
ーンマスクを使って、通常のフォトリソグラフィ技術で
水銀灯のｉ線にて露光し、次いで専用現像液で現像して
未露光部を除去し、ホットプレートを用いて１１０℃で
１０分ベークし、所望のフィルタパターン形状のレジス
トパターンを形成した。次に、アセトキシエトキシエタ
ンで前記レジストパターンをマスクに色素組成物１の膜
を除去して、所望のフィルタパターン形状の色素組成物
１の膜を形成した。次いで、ホットプレートを用いて２
００℃で２０分ベークして、色素組成物１を熱硬化する
とともに（化１１）に示す色素を色素組成物１のポリマ
に熱反応、固定化した。これにより、所望の受光部に対
応した位置の素子表面保護膜上に、グリーンのカラーフ
ィルタパターンを形成した。

【００４４】次に、上記熱硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、グリーンフィルタパターンの保護膜を０．８μｍ厚
形成した。

【００４５】次に、ＰＧＭＡ樹脂のアセトキシエトキシ
エタン溶液に熱架橋剤として２，２’，４，４’−テト
ラヒドロキシベンゾフェノンを樹脂重量に対して１．０
ｗｔ％加えた材料に、下記（化１２）

【００４６】

【化１２】

【００４７】に示すスルホニルアジド基を有する色素を
樹脂重量に対して１５．０ｗｔ％加えた組成物（以下、
色素組成物２と記す。）を塗布し、ホットプレートを用
いて１１０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を
形成した。次いで、市販のネガ型レジストを塗布し、ホ
ットプレートを用いて８０℃で１０分ベークして、０．
７μｍ厚の膜を形成した。次いで、所望のフィルタパタ
ーンマスクを使って、通常のフォトリソグラフィ技術で
水銀灯のｉ線にて露光し、次いで専用現像液で現像して
未露光部を除去し、ホットプレートを用いて１１０℃で
１０分ベークし、所望のフィルタパターン形状のレジス
トパターンを形成した。次に、アセトキシエトキシエタ
ンで前記レジストパターンをマスクに色素組成物２の膜
を除去して、所望のフィルタパターン形状の色素組成物
２の膜を形成した。次いで、ホットプレートを用いて２
００℃で２０分ベークして、色素組成物２を熱硬化する
とともに（化１２）に示す色素を色素組成物２のポリマ
に熱反応、固定化した。これにより、所望の受光部に対
応した位置のフィルタ保護膜上に、ブルーのカラーフィ
ルタパターンを形成した。

【００４８】次に、上記熱硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、ブルーフィルタパターンの保護膜を０．８μｍ厚形
成した。

【００４９】次に、ＰＧＭＡ樹脂のアセトキシエトキシ
エタン溶液に熱架橋剤として２，２’，４，４’−テト
ラヒドロキシベンゾフェノンを樹脂重量に対して１．０
ｗｔ％加えた材料に、下記（化１３）

【００５０】

【化１３】

【００５１】に示すスルホニルアジド基を有する色素を
樹脂重量に対して１５．０ｗｔ％加えた組成物（以下、
色素組成物３と記す。）を塗布し、ホットプレートを用
いて１１０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を
形成した。次いで、市販のネガ型レジストを塗布し、ホ
ットプレートを用いて８０℃で１０分ベークして、０．
７μｍ厚の膜を形成した。次いで、所望のフィルタパタ
ーンマスクを使って、通常のフォトリソグラフィ技術で
水銀灯のｉ線にて露光し、次いで専用現像液で現像して
未露光部を除去し、ホットプレートを用いて１１０℃で
１０分ベークし、所望のフィルタパターン形状のレジス
トパターンを形成した。次に、アセトキシエトキシエタ
ンで前記レジストパターンをマスクに色素組成物３の膜
を除去して、所望のフィルタパターン形状の色素組成物
３の膜を形成した。次いで、ホットプレートを用いて２
００℃で２０分ベークして、色素組成物３を熱硬化する
とともに（化１３）に示す色素を色素組成物３のポリマ
に熱反応、固定化した。これにより、所望の受光部に対
応した位置のフィルタ保護膜上に、レッドのカラーフィ
ルタパターンを形成した。

【００５２】次に、上記熱硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、レッドフィルタパターンの保護膜を０．８μｍ厚形
成した。

【００５３】以上の工程により、原色型のカラーフィル
タを形成したカラー固体撮像素子を得た。

【００５４】実施例２．半導体基板内に予め受光部及び
走査部が形成され、パッシベーション膜に覆われた最大
２．５μｍの表面段差のある固体撮像素子基板上に、熱
硬化性保護膜材料１を塗布し、ホットプレートを用いて
２００℃で１０分ベークして、素子表面保護膜を２．５
μｍ厚形成した。

【００５５】次いで、素子表面保護膜上に、ＰＧＭＡ樹
脂のアセトキシエトキシエタン溶液に熱架橋剤として
２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン
を樹脂重量に対して１．０ｗｔ％加えた材料に、下記
（化１４）

【００５６】

【化１４】

【００５７】に示すスルホニルアジド基を有する色素を
樹脂重量に対して１５．０ｗｔ％加えた組成物（以下、
色素組成物４と記す。）を塗布し、ホットプレートを用
いて１１０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を
形成した。次いで、市販のネガ型レジストを塗布し、ホ
ットプレートを用いて８０℃で１０分ベークして、０．
７μｍ厚の膜を形成した。次いで、所望のフィルタパタ
ーンマスクを使って、通常のフォトリソグラフィ技術で
水銀灯のｉ線にて露光し、次いで専用現像液で現像して
未露光部を除去し、ホットプレートを用いて１１０℃で
１０分ベークし、所望のフィルタパターン形状のレジス
トパターンを形成した。次に、アセトキシエトキシエタ
ンで前記レジストパターンをマスクに色素組成物４の膜
を除去して、所望のフィルタパターン形状の色素組成物
４の膜を形成した。次いで、ホットプレートを用いて２
００℃で２０分ベークして、色素組成物４を熱硬化する
とともに（化１４）に示す色素を色素組成物４のポリマ
に熱反応、固定化した。これにより、所望の受光部に対
応した位置の素子表面保護膜上に、シアンのカラーフィ
ルタパターンを形成した。

【００５８】次に、上記熱硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、フィルタパターンの保護膜を０．８μｍ厚形成し
た。

【００５９】次に、ＰＧＭＡ樹脂のアセトキシエトキシ
エタン溶液に熱架橋剤として２，２’，４，４’−テト
ラヒドロキシベンゾフェノンを樹脂重量に対して１．０
ｗｔ％加えた材料に、下記（化１５）

【００６０】

【化１５】

【００６１】に示すスルホニルアジド基を有する色素を
樹脂重量に対して１５．０ｗｔ％加えた組成物（以下、
色素組成物５と記す。）を塗布し、ホットプレートを用
いて１１０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を
形成した。次いで、市販のネガ型レジストを塗布し、ホ
ットプレートを用いて８０℃で１０分ベークして、０．
７μｍ厚の膜を形成した。次いで、所望のフィルタパタ
ーンマスクを使って、通常のフォトリソグラフィ技術で
水銀灯のｉ線にて露光し、次いで専用現像液で現像して
未露光部を除去し、ホットプレートを用いて１１０℃で
１０分ベークし、所望のフィルタパターン形状のレジス
トパターンを形成した。次に、アセトキシエトキシエタ
ンで前記レジストパターンをマスクに色素組成物５の膜
を除去して、所望のフィルタパターン形状の色素組成物
５の膜を形成した。次いで、ホットプレートを用いて２
００℃で２０分ベークして、色素組成物５を熱硬化する
とともに（化１５）に示す色素を色素組成物５のポリマ
に熱反応、固定化した。これにより、所望の受光部に対
応した位置のフィルタ保護膜上に、イエロのカラーフィ
ルタパターンを形成した。

【００６２】次に、上記熱硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、フィルタパターンの保護膜を０．８μｍ厚形成し
た。

【００６３】次に、ＰＧＭＡ樹脂のアセトキシエトキシ
エタン溶液に熱架橋剤として２，２’，４，４’−テト
ラヒドロキシベンゾフェノンを樹脂重量に対して１．０
ｗｔ％加えた材料に、下記（化１６）

【００６４】

【化１６】

【００６５】に示すスルホニルアジド基を有する色素を
樹脂重量に対して１５．０ｗｔ％加えた組成物（以下、
色素組成物６と記す。）を塗布し、ホットプレートを用
いて１１０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を
形成した。次いで、市販のネガ型レジストを塗布し、ホ
ットプレートを用いて８０℃で１０分ベークして、０．
７μｍ厚の膜を形成した。次いで、所望のフィルタパタ
ーンマスクを使って、通常のフォトリソグラフィ技術で
水銀灯のｉ線にて露光し、次いで専用現像液で現像して
未露光部を除去し、ホットプレートを用いて１１０℃で
１０分ベークし、所望のフィルタパターン形状のレジス
トパターンを形成した。次に、アセトキシエトキシエタ
ンで前記レジストパターンをマスクに色素組成物６の膜
を除去して、所望のフィルタパターン形状の色素組成物
６の膜を形成した。次いで、ホットプレートを用いて２
００℃で２０分ベークして、色素組成物６を熱硬化する
とともに（化１６）に示す色素を色素組成物６のポリマ
に熱反応、固定化した。これにより、所望の受光部に対
応した位置のフィルタ保護膜上に、マゼンタのカラーフ
ィルタパターンを形成した。

【００６６】次に、上記熱硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、フィルタパターンの保護膜を０．８μｍ厚形成し
た。

【００６７】次に、ＰＧＭＡ樹脂のアセトキシエトキシ
エタン溶液に熱架橋剤として２，２’，４，４’−テト
ラヒドロキシベンゾフェノンを樹脂重量に対して１．０
ｗｔ％加えた材料に、下記（化１３）

【００６８】

【化１７】

【００６９】に示すスルホニルアジド基を有する色素を
樹脂重量に対して１５．０ｗｔ％加えた組成物（以下、
色素組成物７と記す。）を塗布し、ホットプレートを用
いて１１０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を
形成した。次いで、市販のネガ型レジストを塗布し、ホ
ットプレートを用いて８０℃で１０分ベークして、０．
７μｍ厚の膜を形成した。次いで、所望のフィルタパタ
ーンマスクを使って、通常のフォトリソグラフィ技術で
水銀灯のｉ線にて露光し、次いで専用現像液で現像して
未露光部を除去し、ホットプレートを用いて１１０℃で
１０分ベークし、所望のフィルタパターン形状のレジス
トパターンを形成した。次に、アセトキシエトキシエタ
ンで前記レジストパターンをマスクに色素組成物７の膜
を除去して、所望のフィルタパターン形状の色素組成物
７の膜を形成した。次いで、ホットプレートを用いて２
００℃で２０分ベークして、色素組成物７を熱硬化する
とともに（化１７）に示す色素を色素組成物７のポリマ
に熱反応、固定化した。これにより、所望の受光部に対
応した位置のフィルタ保護膜上に、グリーンのカラーフ
ィルタパターンを形成した。

【００７０】次に、上記熱硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、フィルタパターンの保護膜を０．８μｍ厚形成し
た。

【００７１】以上の工程により、補色型のカラーフィル
タを形成したカラー固体撮像素子を得た。

【００７２】実施例３．半導体基板内に予め受光部及び
走査部が形成され、パッシベーション膜に覆われた最大
２．５μｍの表面段差のある固体撮像素子基板上に、樹
脂分含有量１２ｗｔ％、粘度３０ｃＰ、分子量約３０万
のポリグリシジルメタクリレート（以下、ＰＧＭＡ樹脂
と記す。）のアセトキシエトキシエタン溶液に熱架橋剤
として２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノンを樹脂重量に対して１．５ｗｔ％加えた熱硬化性
材料（以下、熱硬化性保護膜材料１と記す。）を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、素子表面保護膜を２．５μｍ厚形成した。

【００７３】次に、素子表面保護膜上に、樹脂分含有量
１５ｗｔ％の下記（化１８）

【００７４】

【化１８】

【００７５】に示す樹脂のアセトキシエトキシエタン溶
液に熱架橋剤として３，３’−ジアジド−４，４’−ジ
メトキシジフェニルスルフォンを樹脂重量に対して２．
０ｗｔ％加えた材料（以下、熱硬化性組成物１と記
す。）に、前記（化１１）に示すスルホニルアジド基を
有する色素を樹脂重量に対して１５．０ｗｔ％加えた組
成物（以下、色素組成物８と記す。）を塗布し、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークして、０．５
μｍ厚の膜を形成した。次いで、市販のネガ型レジスト
を塗布し、ホットプレートを用いて８０℃で１０分ベー
クして、０．７μｍ厚の膜を形成した。次いで、所望の
フィルタパターンマスクを使って、通常のフォトリソグ
ラフィ技術で水銀灯のｉ線にて露光し、次いで専用現像
液で現像して未露光部を除去し、ホットプレートを用い
て１１０℃で１０分ベークし、所望のフィルタパターン
形状のレジストパターンを形成した。次に、アセトキシ
エトキシエタンで前記レジストパターンをマスクに色素
組成物８の膜を除去して、所望のフィルタパターン形状
の色素組成物８の膜を形成した。次いで、ホットプレー
トを用いて２００℃で２０分ベークして、色素組成物８
を熱硬化するとともに（化１１）に示す色素を色素組成
物８のポリマに熱反応、固定化した。これにより、所望
の受光部に対応した位置の素子表面保護膜上に、グリー
ンのカラーフィルタパターンを形成した。

【００７６】次に、前記熱硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、グリーンフィルタパターンの保護膜を０．８μｍ厚
形成した。

【００７７】次に、熱硬化性組成物１に、前記（化１
２）に示すスルホニルアジド基を有する色素を樹脂重量
に対して１５．０ｗｔ％加えた組成物（以下、色素組成
物９と記す。）を塗布し、ホットプレートを用いて１１
０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成し
た。次いで、市販のネガ型レジストを塗布し、ホットプ
レートを用いて８０℃で１０分ベークして、０．７μｍ
厚の膜を形成した。次いで、所望のフィルタパターンマ
スクを使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯
のｉ線にて露光し、次いで専用現像液で現像して未露光
部を除去し、ホットプレートを用いて１１０℃で１０分
ベークし、所望のフィルタパターン形状のレジストパタ
ーンを形成した。次に、アセトキシエトキシエタンで前
記レジストパターンをマスクに色素組成物９の膜を除去
して、所望のフィルタパターン形状の色素組成物９の膜
を形成した。次いで、ホットプレートを用いて２００℃
で２０分ベークして、色素組成物９を熱硬化するととも
に（化１２）に示す色素を色素組成物９のポリマに熱反
応、固定化した。これにより、所望の受光部に対応した
位置のフィルタ保護膜上に、ブルーのカラーフィルタパ
ターンを形成した。

【００７８】次に、上記熱硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、ブルーフィルタパターンの保護膜を０．８μｍ厚形
成した。

【００７９】次に、熱硬化性組成物１に、前記（化１
３）に示すスルホニルアジド基を有する色素を樹脂重量
に対して１５．０ｗｔ％加えた組成物（以下、色素組成
物１０と記す。）を塗布し、ホットプレートを用いて１
１０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成し
た。次いで、市販のネガ型レジストを塗布し、ホットプ
レートを用いて８０℃で１０分ベークして、０．７μｍ
厚の膜を形成した。次いで、所望のフィルタパターンマ
スクを使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯
のｉ線にて露光し、次いで専用現像液で現像して未露光
部を除去し、ホットプレートを用いて１１０℃で１０分
ベークし、所望のフィルタパターン形状のレジストパタ
ーンを形成した。次に、アセトキシエトキシエタンで前
記レジストパターンをマスクに色素組成物１０の膜を除
去して、所望のフィルタパターン形状の色素組成物１０
の膜を形成した。次いで、ホットプレートを用いて２０
０℃で２０分ベークして、色素組成物１０を熱硬化する
とともに（化１３）に示す色素を色素組成物１０のポリ
マに熱反応、固定化した。これにより、所望の受光部に
対応した位置のフィルタ保護膜上に、レッドのカラーフ
ィルタパターンを形成した。

【００８０】次に、上記熱硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、レッドフィルタパターンの保護膜を０．８μｍ厚形
成した。

【００８１】以上の工程により、原色型のカラーフィル
タを形成したカラー固体撮像素子を得た。

【００８２】実施例４．半導体基板内に予め受光部及び
走査部が形成され、パッシベーション膜に覆われた最大
２．５μｍの表面段差のある固体撮像素子基板上に、熱
硬化性保護膜材料１を塗布し、ホットプレートを用いて
２００℃で１０分ベークして、素子表面保護膜を２．５
μｍ厚形成した。

【００８３】次いで、素子表面保護膜上に、前記熱硬化
性組成物１に（化１４）に示すスルホニルアジド基を有
する色素を樹脂重量に対して１５．０ｗｔ％加えた組成
物（以下、色素組成物１１と記す。）を塗布し、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークして、０．５
μｍ厚の膜を形成した。次いで、市販のネガ型レジスト
を塗布し、ホットプレートを用いて８０℃で１０分ベー
クして、０．７μｍ厚の膜を形成した。次いで、所望の
フィルタパターンマスクを使って、通常のフォトリソグ
ラフィ技術で水銀灯のｉ線にて露光し、次いで専用現像
液で現像して未露光部を除去し、ホットプレートを用い
て１１０℃で１０分ベークし、所望のフィルタパターン
形状のレジストパターンを形成した。次に、アセトキシ
エトキシエタンで前記レジストパターンをマスクに色素
組成物１１の膜を除去して、所望のフィルタパターン形
状の色素組成物１１の膜を形成した。次いで、ホットプ
レートを用いて２００℃で２０分ベークして、色素組成
物１１を熱硬化するとともに（化１４）に示す色素を色
素組成物１１のポリマに熱反応、固定化した。これによ
り、所望の受光部に対応した位置の素子表面保護膜上
に、シアンのカラーフィルタパターンを形成した。

【００８４】次に、前記熱硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、フィルタパターンの保護膜を０．８μｍ厚形成し
た。

【００８５】次に、前記熱硬化性組成物１に前記（化１
５）に示すスルホニルアジド基を有する色素を樹脂重量
に対して１５．０ｗｔ％加えた組成物（以下、色素組成
物１２と記す。）を塗布し、ホットプレートを用いて１
１０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成し
た。次いで、市販のネガ型レジストを塗布し、ホットプ
レートを用いて８０℃で１０分ベークして、０．７μｍ
厚の膜を形成した。次いで、所望のフィルタパターンマ
スクを使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯
のｉ線にて露光し、次いで専用現像液で現像して未露光
部を除去し、ホットプレートを用いて１１０℃で１０分
ベークし、所望のフィルタパターン形状のレジストパタ
ーンを形成した。次に、アセトキシエトキシエタンで前
記レジストパターンをマスクに色素組成物１２の膜を除
去して、所望のフィルタパターン形状の色素組成物１２
の膜を形成した。次いで、ホットプレートを用いて２０
０℃で２０分ベークして、色素組成物１２を熱硬化する
とともに（化１５）に示す色素を色素組成物１２のポリ
マに熱反応、固定化した。これにより、所望の受光部に
対応した位置のフィルタ保護膜上に、イエロのカラーフ
ィルタパターンを形成した。

【００８６】次に、前記熱硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、フィルタパターンの保護膜を０．８μｍ厚形成し
た。

【００８７】次に、前記熱硬化性組成物１に前記（化１
６）に示すスルホニルアジド基を有する色素を樹脂重量
に対して１５．０ｗｔ％加えた組成物（以下、色素組成
物１３と記す。）を塗布し、ホットプレートを用いて１
１０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成し
た。次いで、市販のネガ型レジストを塗布し、ホットプ
レートを用いて８０℃で１０分ベークして、０．７μｍ
厚の膜を形成した。次いで、所望のフィルタパターンマ
スクを使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯
のｉ線にて露光し、次いで専用現像液で現像して未露光
部を除去し、ホットプレートを用いて１１０℃で１０分
ベークし、所望のフィルタパターン形状のレジストパタ
ーンを形成した。次に、アセトキシエトキシエタンで前
記レジストパターンをマスクに色素組成物１３の膜を除
去して、所望のフィルタパターン形状の色素組成物１３
の膜を形成した。次いで、ホットプレートを用いて２０
０℃で２０分ベークして、色素組成物１３を熱硬化する
とともに（化１６）に示す色素を色素組成物１３のポリ
マに熱反応、固定化した。これにより、所望の受光部に
対応した位置のフィルタ保護膜上に、マゼンタのカラー
フィルタパターンを形成した。

【００８８】次に、前記熱硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、フィルタパターンの保護膜を０．８μｍ厚形成し
た。

【００８９】次に、前記熱硬化性組成物１に前記（化１
７）に示すスルホニルアジド基を有する色素を樹脂重量
に対して１５．０ｗｔ％加えた組成物（以下、色素組成
物１４と記す。）を塗布し、ホットプレートを用いて１
１０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成し
た。次いで、市販のネガ型レジストを塗布し、ホットプ
レートを用いて８０℃で１０分ベークして、０．７μｍ
厚の膜を形成した。次いで、所望のフィルタパターンマ
スクを使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯
のｉ線にて露光し、次いで専用現像液で現像して未露光
部を除去し、ホットプレートを用いて１１０℃で１０分
ベークし、所望のフィルタパターン形状のレジストパタ
ーンを形成した。次に、アセトキシエトキシエタンで前
記レジストパターンをマスクに色素組成物１４の膜を除
去して、所望のフィルタパターン形状の色素組成物１４
の膜を形成した。次いで、ホットプレートを用いて２０
０℃で２０分ベークして、色素組成物１４を熱硬化する
とともに（化１７）に示す色素を色素組成物１４のポリ
マに熱反応、固定化した。これにより、所望の受光部に
対応した位置のフィルタ保護膜上に、グリーンのカラー
フィルタパターンを形成した。

【００９０】次に、前記熱硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、フィルタパターンの保護膜を０．８μｍ厚形成し
た。

【００９１】以上の工程により、補色型のカラーフィル
タを形成したカラー固体撮像素子を得た。

【００９２】実施例５．半導体基板内に予め受光部及び
走査部が形成され、パッシベーション膜に覆われた最大
２．５μｍの表面段差のある固体撮像素子基板上に、前
記ＰＧＭＡ樹脂のアセトキシエトキシエタン溶液に光架
橋剤として酸発生剤であるトリフェニルスルホニウムト
リフレート（表２，Ｎｏ．１５記載）を樹脂重量に対し
て２．０ｗｔ％加えた光硬化性材料（以下、光硬化性保
護膜材料１と記す。）を塗布し、ホットプレートを用い
て２００℃で１０分ベークし、次いで、ＤｅｅｐＵＶで
全面露光（露光強度は２５４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃ
ｍ²）し、更に、１００℃で１０分ベークして、素子表
面保護膜を２．０μｍ厚形成した。 次いで、素子表面
保護膜上に、前記色素組成物１を塗布し、ホットプレー
トを用いて１１０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚
の膜を形成した。次いで、市販のネガ型レジストを塗布
し、ホットプレートを用いて８０℃で１０分ベークし
て、０．７μｍ厚の膜を形成した。次いで、所望のフィ
ルタパターンマスクを使って、通常のフォトリソグラフ
ィ技術で水銀灯のｉ線にて露光し、次いで専用現像液で
現像して未露光部を除去し、ホットプレートを用いて１
１０℃で１０分ベークし、所望のフィルタパターン形状
のレジストパターンを形成した。次に、アセトキシエト
キシエタンで前記レジストパターンをマスクに色素組成
物１の膜を除去して、所望のフィルタパターン形状の色
素組成物１の膜を形成した。次いで、ホットプレートを
用いて２００℃で２０分ベークして、色素組成物１を熱
硬化するとともに（化１１）に示す色素を色素組成物１
のポリマに熱反応、固定化した。これにより、所望の受
光部に対応した位置の素子表面保護膜上に、グリーンの
カラーフィルタパターンを形成した。

【００９３】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、グリーンフィルタパターンの保護
膜を０．８μｍ厚形成した。

【００９４】次に、前記色素組成物２を塗布し、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークして、０．５
μｍ厚の膜を形成した。次いで、市販のネガ型レジスト
を塗布し、ホットプレートを用いて８０℃で１０分ベー
クして、０．７μｍ厚の膜を形成した。次いで、所望の
フィルタパターンマスクを使って、通常のフォトリソグ
ラフィ技術で水銀灯のｉ線にて露光し、次いで専用現像
液で現像して未露光部を除去し、ホットプレートを用い
て１１０℃で１０分ベークし、所望のフィルタパターン
形状のレジストパターンを形成した。次に、アセトキシ
エトキシエタンで前記レジストパターンをマスクに色素
組成物２の膜を除去して、所望のフィルタパターン形状
の色素組成物２の膜を形成した。次いで、ホットプレー
トを用いて２００℃で２０分ベークして、色素組成物２
を熱硬化するとともに（化１２）に示す色素を色素組成
物２のポリマに熱反応、固定化した。これにより、所望
の受光部に対応した位置のフィルタ保護膜上に、ブルー
のカラーフィルタパターンを形成した。

【００９５】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、ブルーフィルタパターンの保護膜
を０．８μｍ厚形成した。

【００９６】次に、前記色素組成物３を塗布し、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークして、０．５
μｍ厚の膜を形成した。次いで、市販のネガ型レジスト
を塗布し、ホットプレートを用いて８０℃で１０分ベー
クして、０．７μｍ厚の膜を形成した。次いで、所望の
フィルタパターンマスクを使って、通常のフォトリソグ
ラフィ技術で水銀灯のｉ線にて露光し、次いで専用現像
液で現像して未露光部を除去し、ホットプレートを用い
て１１０℃で１０分ベークし、所望のフィルタパターン
形状のレジストパターンを形成した。次に、アセトキシ
エトキシエタンで前記レジストパターンをマスクに色素
組成物３の膜を除去して、所望のフィルタパターン形状
の色素組成物３の膜を形成した。次いで、ホットプレー
トを用いて２００℃で２０分ベークして、色素組成物３
を熱硬化するとともに（化１３）に示す色素を色素組成
物３のポリマに熱反応、固定化した。これにより、所望
の受光部に対応した位置のフィルタ保護膜上に、レッド
のカラーフィルタパターンを形成した。

【００９７】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、レッドフィルタパターンの保護膜
を０．８μｍ厚形成した。

【００９８】以上の工程により、原色型のカラーフィル
タを形成したカラー固体撮像素子を得た。

【００９９】実施例６．半導体基板内に予め受光部及び
走査部が形成され、パッシベーション膜に覆われた最大
２．５μｍの表面段差のある固体撮像素子基板上に、前
記光硬化性保護膜材料１を塗布し、ホットプレートを用
いて２００℃で１０分ベークして、次いで、ＤｅｅｐＵ
Ｖで全面露光（露光強度は２５４ｎｍ測定で２００ｍＪ
／ｃｍ^２）し、更に、１００℃で１０分ベークして、素
子表面保護膜を２．０μｍ厚形成した。

【０１００】次いで、前記色素組成物４を塗布し、ホッ
トプレートを用いて１１０℃で１０分ベークして、０．
５μｍ厚の膜を形成した。次いで、市販のネガ型レジス
トを塗布し、ホットプレートを用いて８０℃で１０分ベ
ークして、０．７μｍ厚の膜を形成した。次いで、所望
のフィルタパターンマスクを使って、通常のフォトリソ
グラフィ技術で水銀灯のｉ線にて露光し、次いで専用現
像液で現像して未露光部を除去し、ホットプレートを用
いて１１０℃で１０分ベークし、所望のフィルタパター
ン形状のレジストパターンを形成した。次に、アセトキ
シエトキシエタンで前記レジストパターンをマスクに色
素組成物４の膜を除去して、所望のフィルタパターン形
状の色素組成物４の膜を形成した。次いで、ホットプレ
ートを用いて２００℃で２０分ベークして、色素組成物
４を熱硬化するとともに（化１４）に示す色素を色素組
成物４のポリマに熱反応、固定化した。これにより、所
望の受光部に対応した位置の素子表面保護膜上に、シア
ンのカラーフィルタパターンを形成した。

【０１０１】次に、前記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ^２）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１０２】次に、前記色素組成物５を塗布し、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークして、０．５
μｍ厚の膜を形成した。次いで、市販のネガ型レジスト
を塗布し、ホットプレートを用いて８０℃で１０分ベー
クして、０．７μｍ厚の膜を形成した。次いで、所望の
フィルタパターンマスクを使って、通常のフォトリソグ
ラフィ技術で水銀灯のｉ線にて露光し、次いで専用現像
液で現像して未露光部を除去し、ホットプレートを用い
て１１０℃で１０分ベークし、所望のフィルタパターン
形状のレジストパターンを形成した。次に、アセトキシ
エトキシエタンで前記レジストパターンをマスクに色素
組成物５の膜を除去して、所望のフィルタパターン形状
の色素組成物５の膜を形成した。次いで、ホットプレー
トを用いて２００℃で２０分ベークして、色素組成物５
を熱硬化するとともに（化１５）に示す色素を色素組成
物５のポリマに熱反応、固定化した。これにより、所望
の受光部に対応した位置のフィルタ保護膜上に、イエロ
のカラーフィルタパターンを形成した。

【０１０３】次に、前記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１０４】次に、前記色素組成物６を塗布し、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークして、０．５
μｍ厚の膜を形成した。次いで、市販のネガ型レジスト
を塗布し、ホットプレートを用いて８０℃で１０分ベー
クして、０．７μｍ厚の膜を形成した。次いで、所望の
フィルタパターンマスクを使って、通常のフォトリソグ
ラフィ技術で水銀灯のｉ線にて露光し、次いで専用現像
液で現像して未露光部を除去し、ホットプレートを用い
て１１０℃で１０分ベークし、所望のフィルタパターン
形状のレジストパターンを形成した。次に、アセトキシ
エトキシエタンで前記レジストパターンをマスクに色素
組成物６の膜を除去して、所望のフィルタパターン形状
の色素組成物６の膜を形成した。次いで、ホットプレー
トを用いて２００℃で２０分ベークして、色素組成物６
を熱硬化するとともに（化１６）に示す色素を色素組成
物６のポリマに熱反応、固定化した。これにより、所望
の受光部に対応した位置のフィルタ保護膜上に、マゼン
タのカラーフィルタパターンを形成した。

【０１０５】次に、前記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１０６】次に、前記色素組成物を塗布し、ホットプ
レートを用いて１１０℃で１０分ベークして、０．５μ
ｍ厚の膜を形成した。次いで、市販のネガ型レジストを
塗布し、ホットプレートを用いて８０℃で１０分ベーク
して、０．７μｍ厚の膜を形成した。次いで、所望のフ
ィルタパターンマスクを使って、通常のフォトリソグラ
フィ技術で水銀灯のｉ線にて露光し、次いで専用現像液
で現像して未露光部を除去し、ホットプレートを用いて
１１０℃で１０分ベークし、所望のフィルタパターン形
状のレジストパターンを形成した。次に、アセトキシエ
トキシエタンで前記レジストパターンをマスクに色素組
成物７の膜を除去して、所望のフィルタパターン形状の
色素組成物７の膜を形成した。次いで、ホットプレート
を用いて２００℃で２０分ベークして、色素組成物７を
熱硬化するとともに（化１７）に示す色素を色素組成物
７のポリマに熱反応、固定化した。これにより、所望の
受光部に対応した位置のフィルタ保護膜上に、グリーン
のカラーフィルタパターンを形成した。

【０１０７】次に、前記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１０８】以上の工程により、補色型のカラーフィル
タを形成したカラー固体撮像素子を得た。

【０１０９】実施例７．半導体基板内に予め受光部及び
走査部が形成され、パッシベーション膜に覆われた最大
２．５μｍの表面段差のある固体撮像素子基板上に、前
記光硬化性保護膜材料１を塗布し、ホットプレートを用
いて２００℃で１０分ベークして、次いで、ＤｅｅｐＵ
Ｖで全面露光（露光強度は２５４ｎｍ測定で２００ｍＪ
／ｃｍ^２）し、更に、１００℃で１０分ベークして、素
子表面保護膜を２．０μｍ厚形成した。

【０１１０】次に、素子表面保護膜上に、樹脂分含有量
１５ｗｔ％の下記（化１９）

【０１１１】

【化１９】

【０１１２】に示す樹脂のアセトキシエトキシエタン溶
液に１，３，５−メトキシメチルベンゼンを樹脂重量に
対して５．０ｗｔ％加えた材料（以下、熱硬化性組成物
２と記す。）に、前記（化１１）に示すスルホニルアジ
ド基を有する色素を樹脂重量に対して１５．０ｗｔ％加
えた組成物（以下、色素組成物１５と記す。）を塗布
し、ホットプレートを用いて１１０℃で１０分ベークし
て、０．５μｍ厚の膜を形成した。次いで、市販のネガ
型レジストを塗布し、ホットプレートを用いて８０℃で
１０分ベークして、０．７μｍ厚の膜を形成した。次い
で、所望のフィルタパターンマスクを使って、通常のフ
ォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線にて露光し、次い
で専用現像液で現像して未露光部を除去し、ホットプレ
ートを用いて１１０℃で１０分ベークし、所望のフィル
タパターン形状のレジストパターンを形成した。次に、
メチルエチルケトンで前記レジストパターンをマスクに
色素組成物８の膜を除去して、所望のフィルタパターン
形状の色素組成物１５の膜を形成した。次いで、ホット
プレートを用いて２００℃で２０分ベークして、色素組
成物１５を熱硬化するとともに（化１１）に示す色素を
色素組成物１５のポリマに熱反応、固定化した。これに
より、所望の受光部に対応した位置の素子表面保護膜上
に、グリーンのカラーフィルタパターンを形成した。

【０１１３】次に、前記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ^２）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１１４】次に、前記フィルタパターン保護膜上に、
前記熱硬化性組成物２に前記（化１２）に示すスルホニ
ルアジド基を有する色素を樹脂重量に対して１５．０ｗ
ｔ％加えた組成物（以下、色素組成物１６と記す。）を
塗布し、ホットプレートを用いて１１０℃で１０分ベー
クして、０．５μｍ厚の膜を形成した。次いで、市販の
ネガ型レジストを塗布し、ホットプレートを用いて８０
℃で１０分ベークして、０．７μｍ厚の膜を形成した。
次いで、所望のフィルタパターンマスクを使って、通常
のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線にて露光し、
次いで専用現像液で現像して未露光部を除去し、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、所望のフ
ィルタパターン形状のレジストパターンを形成した。次
に、メチルエチルケトンで前記レジストパターンをマス
クに色素組成物１６の膜を除去して、所望のフィルタパ
ターン形状の色素組成物１６の膜を形成した。次いで、
ホットプレートを用いて２００℃で２０分ベークして、
色素組成物１６を熱硬化するとともに（化１２）に示す
色素を色素組成物１６のポリマに熱反応、固定化した。
これにより、所望の受光部に対応した位置のフィルタ保
護膜上に、ブルーのカラーフィルタパターンを形成し
た。

【０１１５】次に、前記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１１６】次に、前記フィルタパターン保護膜上に、
前記熱硬化性組成物２に前記（化１３）に示すスルホニ
ルアジド基を有する色素を樹脂重量に対して１５．０ｗ
ｔ％加えた組成物（以下、色素組成物１７と記す。）を
塗布し、ホットプレートを用いて１１０℃で１０分ベー
クして、０．５μｍ厚の膜を形成した。次いで、市販の
ネガ型レジストを塗布し、ホットプレートを用いて８０
℃で１０分ベークして、０．７μｍ厚の膜を形成した。
次いで、所望のフィルタパターンマスクを使って、通常
のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線にて露光し、
次いで専用現像液で現像して未露光部を除去し、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、所望のフ
ィルタパターン形状のレジストパターンを形成した。次
に、メチルエチルケトンで前記レジストパターンをマス
クに色素組成物１７の膜を除去して、所望のフィルタパ
ターン形状の色素組成物１７の膜を形成した。次いで、
ホットプレートを用いて２００℃で２０分ベークして、
色素組成物１７を熱硬化するとともに（化１３）に示す
色素を色素組成物１７のポリマに熱反応、固定化した。
これにより、所望の受光部に対応した位置のフィルタ保
護膜上に、レッドのカラーフィルタパターンを形成し
た。

【０１１７】次に、前記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１１８】以上の工程により、原色型のカラーフィル
タを形成したカラー固体撮像素子を得た。

【０１１９】実施例８．半導体基板内に予め受光部及び
走査部が形成され、パッシベーション膜に覆われた最大
２．５μｍの表面段差のある固体撮像素子基板上に、前
記光硬化性保護膜材料１を塗布し、ホットプレートを用
いて２００℃で１０分ベークして、次いで、ＤｅｅｐＵ
Ｖで全面露光（露光強度は２５４ｎｍ測定で２００ｍＪ
／ｃｍ²）し、更に、１００℃で１０分ベークして、素
子表面保護膜を２．０μｍ厚形成した。

【０１２０】次いで、素子表面保護膜上に、前記熱硬化
性組成物２に（化１４）に示すスルホニルアジド基を有
する色素を樹脂重量に対して１５．０ｗｔ％加えた組成
物（以下、色素組成物１８と記す。）を塗布し、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークして、０．５
μｍ厚の膜を形成した。次いで、市販のネガ型レジスト
を塗布し、ホットプレートを用いて８０℃で１０分ベー
クして、０．７μｍ厚の膜を形成した。次いで、所望の
フィルタパターンマスクを使って、通常のフォトリソグ
ラフィ技術で水銀灯のｉ線にて露光し、次いで専用現像
液で現像して未露光部を除去し、ホットプレートを用い
て１１０℃で１０分ベークし、所望のフィルタパターン
形状のレジストパターンを形成した。次に、メチルエチ
ルケトンで前記レジストパターンをマスクに色素組成物
１８の膜を除去して、所望のフィルタパターン形状の色
素組成物１８の膜を形成した。次いで、ホットプレート
を用いて２００℃で２０分ベークして、色素組成物１８
を熱硬化するとともに（化１４）に示す色素を色素組成
物１８のポリマに熱反応、固定化した。これにより、所
望の受光部に対応した位置の素子表面保護膜上に、シア
ンのカラーフィルタパターンを形成した。

【０１２１】次に、前記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１２２】次に、前記フィルタパターン保護膜上に、
前記熱硬化性組成物２に前記（化１５）に示すスルホニ
ルアジド基を有する色素を樹脂重量に対して１５．０ｗ
ｔ％加えた組成物（以下、色素組成物１９と記す。）を
塗布し、ホットプレートを用いて１１０℃で１０分ベー
クして、０．５μｍ厚の膜を形成した。次いで、市販の
ネガ型レジストを塗布し、ホットプレートを用いて８０
℃で１０分ベークして、０．７μｍ厚の膜を形成した。
次いで、所望のフィルタパターンマスクを使って、通常
のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線にて露光し、
次いで専用現像液で現像して未露光部を除去し、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、所望のフ
ィルタパターン形状のレジストパターンを形成した。次
に、メチルエチルケトンで前記レジストパターンをマス
クに色素組成物１９の膜を除去して、所望のフィルタパ
ターン形状の色素組成物１９の膜を形成した。次いで、
ホットプレートを用いて２００℃で２０分ベークして、
色素組成物１９を熱硬化するとともに（化１５）に示す
色素を色素組成物１９のポリマに熱反応、固定化した。
これにより、所望の受光部に対応した位置のフィルタ保
護膜上に、イエロのカラーフィルタパターンを形成し
た。

【０１２３】次に、前記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１２４】次に、前記フィルタパターン保護膜上に、
前記熱硬化性組成物２に前記（化１６）に示すスルホニ
ルアジド基を有する色素を樹脂重量に対して１５．０ｗ
ｔ％加えた組成物（以下、色素組成物２０と記す。）を
塗布し、ホットプレートを用いて１１０℃で１０分ベー
クして、０．５μｍ厚の膜を形成した。次いで、市販の
ネガ型レジストを塗布し、ホットプレートを用いて８０
℃で１０分ベークして、０．７μｍ厚の膜を形成した。
次いで、所望のフィルタパターンマスクを使って、通常
のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線にて露光し、
次いで専用現像液で現像して未露光部を除去し、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、所望のフ
ィルタパターン形状のレジストパターンを形成した。次
に、メチルエチルケトンで前記レジストパターンをマス
クに色素組成物２０の膜を除去して、所望のフィルタパ
ターン形状の色素組成物２０の膜を形成した。次いで、
ホットプレートを用いて２００℃で２０分ベークして、
色素組成物２０を熱硬化するとともに（化１６）に示す
色素を色素組成物２０のポリマに熱反応、固定化した。
これにより、所望の受光部に対応した位置のフィルタ保
護膜上に、マゼンタのカラーフィルタパターンを形成し
た。

【０１２５】次に、前記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１２６】次に、前記フィルタパターン保護膜上に、
前記熱硬化性組成物２に前記（化１７）に示すスルホニ
ルアジド基を有する色素を樹脂重量に対して１５．０ｗ
ｔ％加えた組成物（以下、色素組成物２１と記す。）を
塗布し、ホットプレートを用いて１１０℃で１０分ベー
クして、０．５μｍ厚の膜を形成した。次いで、市販の
ネガ型レジストを塗布し、ホットプレートを用いて８０
℃で１０分ベークして、０．７μｍ厚の膜を形成した。
次いで、所望のフィルタパターンマスクを使って、通常
のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線にて露光し、
次いで専用現像液で現像して未露光部を除去し、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、所望のフ
ィルタパターン形状のレジストパターンを形成した。次
に、メチルエチルケトンで前記レジストパターンをマス
クに色素組成物２１の膜を除去して、所望のフィルタパ
ターン形状の色素組成物２１の膜を形成した。次いで、
ホットプレートを用いて２００℃で２０分ベークして、
色素組成物２１を熱硬化するとともに（化１７）に示す
色素を色素組成物２１のポリマに熱反応、固定化した。
これにより、所望の受光部に対応した位置のフィルタ保
護膜上に、グリーンのカラーフィルタパターンを形成し
た。

【０１２７】次に、前記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１２８】以上の工程により、補色型のカラーフィル
タを形成したカラー固体撮像素子を得た。

【０１２９】実施例９．樹脂分含有量３０ｗｔ％の下記
（化２０）

【０１３０】

【化２０】

【０１３１】に示す樹脂のアセトキシエトキシエタン溶
液に、下記（化２１）

【０１３２】

【化２１】

【０１３３】に示す感光剤を樹脂重量に対して６．０ｗ
ｔ％加え、かつ１，３，５−メトキシメチルベンゼンを
樹脂重量に対して１０ｗｔ％加えた組成物に、それぞれ
前記（化１１）、（化１２）、（化１３）で示されるス
ルホニルアジド基を有する色素を樹脂重量に対して１
５．０ｗｔ％加えた組成物（以下、それぞれ色素組成物
２２、２３、２４と記す。）を用意した。

【０１３４】半導体基板内に予め受光部及び走査部が形
成され、パッシベーション膜に覆われた最大２．５μｍ
の表面段差のある固体撮像素子基板上に、前記光硬化性
保護膜材料１を塗布し、ホットプレートを用いて２００
℃で１０分ベークし、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光
（露光強度は２５４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）
し、更に、１００℃で１０分ベークして、素子表面保護
膜を２．０μｍ厚形成した。

【０１３５】次いで、素子表面保護膜上に、前記色素組
成物２２を塗布し、ホットプレートを用いて９０℃で１
０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成した。

【０１３６】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
の素子表面保護膜上に、グリーンのカラーフィルタパタ
ーンを形成した。

【０１３７】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１３８】次に、前記フィルタパターン保護膜上に、
前記色素組成物２３を塗布し、ホットプレートを用いて
９０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成し
た。

【０１３９】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
のフィルタパターン保護膜上に、ブルーのカラーフィル
タパターンを形成した。

【０１４０】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１４１】次に、前記フィルタパターン保護膜上に、
前記色素組成物２４を塗布し、ホットプレートを用いて
９０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成し
た。

【０１４２】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
のフィルタパターン保護膜上に、レッドのカラーフィル
タパターンを形成した。

【０１４３】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１４４】以上の工程により、原色型のカラーフィル
タを形成したカラー固体撮像素子を得た。

【０１４５】実施例１０．樹脂分含有量３０ｗｔ％の前
記（化２０）に示す樹脂のアセトキシエトキシエタン溶
液に、前記（化２１）に示す感光剤を樹脂重量に対して
６．０ｗｔ％加え、かつ１，３，５−メトキシメチルベ
ンゼンを樹脂重量に対して１０ｗｔ％加えた組成物に、
それぞれ前記（化１４）、（化１５）、（化１６）、
（化１７）で示されるスルホニルアジド基を有する色素
を樹脂重量に対して１５．０ｗｔ％加えた組成物（以
下、それぞれ色素組成物２５、２６、２７、２８と記
す。）を用意した。

【０１４６】半導体基板内に予め受光部及び走査部が形
成され、パッシベーション膜に覆われた最大２．５μｍ
の表面段差のある固体撮像素子基板上に、前記光硬化性
保護膜材料１を塗布し、ホットプレートを用いて２００
℃で１０分ベークして、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露
光（露光強度は２５４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）
し、更に、１００℃で１０分ベークして、素子表面保護
膜を２．０μｍ厚形成した。

【０１４７】次いで、素子表面保護膜上に、前記色素組
成物２５を塗布し、ホットプレートを用いて９０℃で１
０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成した。

【０１４８】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
の素子表面保護膜上に、シアンのカラーフィルタパター
ンを形成した。

【０１４９】次いで、前記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１５０】次いで、素子表面保護膜上に、前記色素組
成物２６を塗布し、ホットプレートを用いて９０℃で１
０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成した。

【０１５１】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
のフィルタパターン保護膜上に、イエロのカラーフィル
タパターンを形成した。

【０１５２】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１５３】次に、前記フィルタパターン保護膜上に、
前記色素組成物２７を塗布し、ホットプレートを用いて
９０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成し
た。

【０１５４】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
のフィルタパターン保護膜上に、マゼンタのカラーフィ
ルタパターンを形成した。

【０１５５】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１５６】次に、前記フィルタパターン保護膜上に、
前記色素組成物２８を塗布し、ホットプレートを用いて
９０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成し
た。

【０１５７】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
のフィルタパターン保護膜上に、グリーンのカラーフィ
ルタパターンを形成した。

【０１５８】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１５９】以上の工程により、補色型のカラーフィル
タを形成したカラー固体撮像素子を得た。

【０１６０】実施例１１．樹脂分含有量３０ｗｔ％の前
記（化１９）に示す樹脂のアセトキシエトキシエタン溶
液に、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアジドビフ
ェニル５．０ｗｔ％加えた組成物にそれぞれ前記（化１
１）、（化１２）、（化１３）で示されるスルホニルア
ジド基を有する色素を樹脂重量に対して１５．０ｗｔ％
加えた組成物（以下、それぞれ色素組成物２９、３０、
３１と記す。）を用意した。

【０１６１】半導体基板内に予め受光部及び走査部が形
成され、パッシベーション膜に覆われた最大２．５μｍ
の表面段差のある固体撮像素子基板上に、前記光硬化性
保護膜材料１を塗布し、ホットプレートを用いて２００
℃で１０分ベークし、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光
（露光強度は２５４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）
し、更に、１００℃で１０分ベークして、素子表面保護
膜を２．０μｍ厚形成した。

【０１６２】次いで、素子表面保護膜上に、前記色素組
成物２９を塗布し、ホットプレートを用いて９０℃で１
０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成した。

【０１６３】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して未露
光部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホッ
トプレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて
２００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位
置の素子表面保護膜上に、グリーンのカラーフィルタパ
ターンを形成した。

【０１６４】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１６５】次に、前記フィルタパターン保護膜上に、
前記色素組成物３０を塗布し、ホットプレートを用いて
９０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成し
た。

【０１６６】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して未露
光部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホッ
トプレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて
２００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位
置の素子表面保護膜上に、ブルーのカラーフィルタパタ
ーンを形成した。

【０１６７】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１６８】次に、前記フィルタパターン保護膜上に、
前記色素組成物３１を塗布し、ホットプレートを用いて
９０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成し
た。

【０１６９】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して未露
光部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホッ
トプレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて
２００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位
置の素子表面保護膜上に、レッドのカラーフィルタパタ
ーンを形成した。

【０１７０】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１７１】以上の工程により、原色型のカラーフィル
タを形成したカラー固体撮像素子を得た。

【０１７２】実施例１２．樹脂分含有量３０ｗｔ％の前
記（化１９）に示す樹脂のアセトキシエトキシエタン溶
液に、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアジドビフ
ェニル５．０ｗｔ％加えた組成物に、それぞれ前記（化
１４）、（化１５）、（化１６）、（化１７）で示され
るスルホニルアジド基を有する色素を樹脂重量に対して
１５．０ｗｔ％加えた組成物（以下、それぞれ色素組成
物３２、３３、３４、３５と記す。）を用意した。

【０１７３】半導体基板内に予め受光部及び走査部が形
成され、パッシベーション膜に覆われた最大２．５μｍ
の表面段差のある固体撮像素子基板上に、前記光硬化性
保護膜材料１を塗布し、ホットプレートを用いて２００
℃で１０分ベークして、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露
光（露光強度は２５４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）
し、更に、１００℃で１０分ベークして、素子表面保護
膜を２．０μｍ厚形成した。

【０１７４】次いで、素子表面保護膜上に、前記色素組
成物３２を塗布し、ホットプレートを用いて９０℃で１
０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成した。

【０１７５】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
の素子表面保護膜上に、シアンのカラーフィルタパター
ンを形成した。

【０１７６】次いで、前記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１７７】次いで、素子表面保護膜上に、前記色素組
成物３３を塗布し、ホットプレートを用いて９０℃で１
０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成した。

【０１７８】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
のフィルタパターン保護膜上に、イエロのカラーフィル
タパターンを形成した。

【０１７９】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１８０】次に、前記フィルタパターン保護膜上に、
前記色素組成物３４を塗布し、ホットプレートを用いて
９０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成し
た。

【０１８１】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
のフィルタパターン保護膜上に、マゼンタのカラーフィ
ルタパターンを形成した。

【０１８２】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１８３】次に、前記フィルタパターン保護膜上に、
前記色素組成物３５を塗布し、ホットプレートを用いて
９０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成し
た。

【０１８４】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
のフィルタパターン保護膜上に、グリーンのカラーフィ
ルタパターンを形成した。

【０１８５】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１８６】以上の工程により、補色型のカラーフィル
タを形成したカラー固体撮像素子を得た。

【０１８７】実施例１３．樹脂分含有量２５ｗｔ％の前
記（化１８）の樹脂のアセトキシエトキシエタン溶液
に、前記表４のＮｏ．２７の酸発生剤を樹脂重量に対し
て３．０ｗｔ％加え、かつ３，３’−ジアジド−４，
４’−ジメトキシエチルジフェニルスルホンを樹脂重量
に対して１０ｗｔ％加えた組成物に、それぞれ前記（化
１１）、（化１２）、（化１３）で示されるスルホニル
アジド基を有する色素を樹脂重量に対して１５．０ｗｔ
％加えた組成物（以下、それぞれ色素組成物３６、３
７、３８と記す。）を用意した。

【０１８８】半導体基板内に予め受光部及び走査部が形
成され、パッシベーション膜に覆われた最大２．５μｍ
の表面段差のある固体撮像素子基板上に、前記光硬化性
保護膜材料１を塗布し、ホットプレートを用いて２００
℃で１０分ベークし、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光
（露光強度は２５４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）
し、更に、１００℃で１０分ベークして、素子表面保護
膜を２．０μｍ厚形成した。

【０１８９】次いで、素子表面保護膜上に、前記色素組
成物３６を塗布し、ホットプレートを用いて９０℃で１
０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成した。

【０１９０】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
の素子表面保護膜上に、グリーンのカラーフィルタパタ
ーンを形成した。

【０１９１】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１９２】次に、前記フィルタパターン保護膜上に、
前記色素組成物３７を塗布し、ホットプレートを用いて
９０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成し
た。

【０１９３】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
のフィルタパターン保護膜上に、ブルーのカラーフィル
タパターンを形成した。

【０１９４】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１９５】次に、前記フィルタパターン保護膜上に、
前記色素組成物３８を塗布し、ホットプレートを用いて
９０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成し
た。

【０１９６】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
のフィルタパターン保護膜上に、レッドのカラーフィル
タパターンを形成した。

【０１９７】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０１９８】以上の工程により、原色型のカラーフィル
タを形成したカラー固体撮像素子を得た。

【０１９９】実施例１４．樹脂分含有量２５ｗｔ％の前
記（化１８）の樹脂のアセトキシエトキシエタン溶液
に、前記表４のＮｏ．２７の酸発生剤を樹脂重量に対し
て３．０ｗｔ％加え、かつ３，３’−ジアジド−４，
４’−ジメトキシエチルジフェニルスルホンを樹脂重量
に対して１０ｗｔ％加えた組成物に、それぞれ前記（化
１４）、（化１５）、（化１６）、（化１７）で示され
るスルホニルアジド基を有する色素を樹脂重量に対して
１５．０ｗｔ％加えた組成物（以下、それぞれ色素組成
物３９、４０、４１、４２と記す。）を用意した。

【０２００】半導体基板内に予め受光部及び走査部が形
成され、パッシベーション膜に覆われた最大２．５μｍ
の表面段差のある固体撮像素子基板上に、前記光硬化性
保護膜材料１を塗布し、ホットプレートを用いて２００
℃で１０分ベークして、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露
光（露光強度は２５４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）
し、更に、１００℃で１０分ベークして、素子表面保護
膜を２．０μｍ厚形成した。

【０２０１】次いで、素子表面保護膜上に、前記色素組
成物３９を塗布し、ホットプレートを用いて９０℃で１
０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成した。

【０２０２】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
の素子表面保護膜上に、シアンのカラーフィルタパター
ンを形成した。

【０２０３】次いで、前記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０２０４】次いで、素子表面保護膜上に、前記色素組
成物４０を塗布し、ホットプレートを用いて９０℃で１
０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成した。

【０２０５】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
のフィルタパターン保護膜上に、イエロのカラーフィル
タパターンを形成した。

【０２０６】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０２０７】次に、前記フィルタパターン保護膜上に、
前記色素組成物４１を塗布し、ホットプレートを用いて
９０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成し
た。

【０２０８】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
のフィルタパターン保護膜上に、マゼンタのカラーフィ
ルタパターンを形成した。

【０２０９】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０２１０】次に、前記フィルタパターン保護膜上に、
前記色素組成物４２を塗布し、ホットプレートを用いて
９０℃で１０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成し
た。

【０２１１】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
のフィルタパターン保護膜上に、グリーンのカラーフィ
ルタパターンを形成した。

【０２１２】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０２１３】以上の工程により、補色型のカラーフィル
タを形成したカラー固体撮像素子を得た。

【０２１４】実施例１５．半導体基板内に予め受光部及
び走査部が形成され、パッシベーション膜に覆われた最
大２．５μｍの表面段差のある固体撮像素子基板上に、
前記光硬化性保護膜材料１を塗布し、ホットプレートを
用いて２００℃で１０分ベークし、次いで、ＤｅｅｐＵ
Ｖで全面露光（露光強度は２５４ｎｍ測定で２００ｍＪ
／ｃｍ²）し、更に、１００℃で１０分ベークして、第
１層目の素子表面保護膜を１．５μｍ厚形成した。

【０２１５】次に、有機ケイ素系材料である日立化成工
業（株）製ポジ型レジスト（商品名ＲＵ−１６００Ｐ）
を塗布し、ホットプレートを用いて９０℃で１０分ベー
クした後、高圧水銀灯を用いて過剰の露光量で全面露光
（露光強度は、波長３６５ｎｍ測定で約３０００ｍＪ／
ｃｍ²）をした。これにより、レジスト膜をブリーチン
グさせて膜の透光性を向上させ、次いで、ホットプレー
トを用いて２００℃で２０分ベークして、０．６μｍ厚
の第２層目の素子表面保護膜を形成した。

【０２１６】次に、前記素子表面保護膜上に、前記色素
組成物１を塗布し、ホットプレートを用いて１００℃で
１０分ベークし、続いて２００℃で２０分ベークして、
色素組成物１を硬化させて、０．５μｍ厚の色素組成物
１膜を形成した。

【０２１７】次に、前記色素組成物１の膜上に、前記Ｒ
Ｕ−１６００Ｐを塗布し、ホットプレートを用いて９０
℃で１０分ベークした後、高圧水銀灯を用いて所望のカ
ラーフィルタパターンマスクを通して露光し、専用現像
液で露光部を現像、除去し、純粋にて水洗し、所望のカ
ラーフィルタパターン形状のレジストパターンを形成し
た。

【０２１８】次に、前記レジストパターンをマスクとし
て、酸素プラズマにて前記色素組成物１膜を除去し、次
にレジストパターンを高圧水銀灯を用いて過剰の露光量
で全面露光し、専用現像液でレジストパターンを除去
し、純粋にて水洗して、所望の受光部に対応した位置の
素子表面保護膜上に、グリーンのカラーフィルタパター
ンを形成した。

【０２１９】次に、前記ＲＵ−１６００Ｐを塗布し、ホ
ットプレートを用いて９０℃で１０分ベークした後、高
圧水銀灯を用いて過剰の露光量で全面露光（露光強度
は、波長３６５ｎｍ測定で約３０００ｍＪ／ｃｍ²）を
した。これにより、レジスト膜をブリーチングさせて膜
の透光性を向上させ、次いで、ホットプレートを用いて
２００℃で２０分ベークして、０．８μｍ厚のフィルタ
パターン保護膜を形成した。

【０２２０】次に、前記フィルタパターン保護膜に、前
記色素組成物２を塗布し、ホットプレートを用いて１０
０℃で１０分ベークし、続いて２００℃で２０分ベーク
して、色素組成物２を硬化させて、０．５μｍ厚の色素
組成物２膜を形成した。

【０２２１】次に、前記色素組成物２の膜上に、前記Ｒ
Ｕ−１６００Ｐを塗布し、ホットプレートを用いて９０
℃で１０分ベークした後、高圧水銀灯を用いて所望のカ
ラーフィルタパターンマスクを通して露光し、専用現像
液で露光部を現像、除去し、純粋にて水洗し、所望のカ
ラーフィルタパターン形状のレジストパターンを形成し
た。

【０２２２】次に、前記レジストパターンをマスクとし
て、酸素プラズマにて前記色素組成物２膜を除去し、次
にレジストパターンを高圧水銀灯を用いて過剰の露光量
で全面露光し、専用現像液でレジストパターンを除去
し、純粋にて水洗して、所望の受光部に対応した位置の
フィルタパターン保護膜上に、ブルーのカラーフィルタ
パターンを形成した。

【０２２３】次に、前記ＲＵ−１６００Ｐを塗布し、ホ
ットプレートを用いて９０℃で１０分ベークした後、高
圧水銀灯を用いて過剰の露光量で全面露光（露光強度
は、波長３６５ｎｍ測定で約３０００ｍＪ／ｃｍ²）を
した。これにより、レジスト膜をブリーチングさせて膜
の透光性を向上させ、次いで、ホットプレートを用いて
２００℃で２０分ベークして、０．８μｍ厚のフィルタ
パターン保護膜を形成した。

【０２２４】次に、前記フィルタパターン保護膜に、前
記色素組成物３を塗布し、ホットプレートを用いて１０
０℃で１０分ベークし、続いて２００℃で２０分ベーク
して、色素組成物３を硬化させて、０．５μｍ厚の色素
組成物３膜を形成した。

【０２２５】次に、前記色素組成物３の膜上に、前記Ｒ
Ｕ−１６００Ｐを塗布し、ホットプレートを用いて９０
℃で１０分ベークした後、高圧水銀灯を用いて所望のカ
ラーフィルタパターンマスクを通して露光し、専用現像
液で露光部を現像、除去し、純粋にて水洗し、所望のカ
ラーフィルタパターン形状のレジストパターンを形成し
た。

【０２２６】次に、前記レジストパターンをマスクとし
て、酸素プラズマにて前記色素組成物３膜を除去し、次
にレジストパターンを高圧水銀灯を用いて過剰の露光量
で全面露光し、専用現像液でレジストパターンを除去
し、純粋にて水洗して、所望の受光部に対応した位置の
フィルタパターン保護膜上に、レッドのカラーフィルタ
パターンを形成した。

【０２２７】次に、前記ＲＵ−１６００Ｐを塗布し、ホ
ットプレートを用いて９０℃で１０分ベークした後、高
圧水銀灯を用いて過剰の露光量で全面露光（露光強度
は、波長３６５ｎｍ測定で約３０００ｍＪ／ｃｍ²）を
した。これにより、レジスト膜をブリーチングさせて膜
の透光性を向上させ、次いで、ホットプレートを用いて
２００℃で２０分ベークして、０．８μｍ厚のフィルタ
パターン保護膜を形成した。

【０２２８】以上の工程により、原色型のカラーフィル
タを形成したカラー固体撮像素子を得た。

【０２２９】実施例１６．半導体基板内に予め受光部及
び走査部が形成され、パッシベーション膜に覆われた最
大２．５μｍの表面段差のある固体撮像素子基板上に、
前記光硬化性保護膜材料１を塗布し、ホットプレートを
用いて２００℃で１０分ベークし、次いで、ＤｅｅｐＵ
Ｖで全面露光（露光強度は２５４ｎｍ測定で２００ｍＪ
／ｃｍ²）し、更に、１００℃で１０分ベークして、第
１層目の素子表面保護膜を１．５μｍ厚形成した。

【０２３０】次に、有機ケイ素系材料である日立化成工
業（株）製ポジ型レジスト（商品名ＲＵ−１６００Ｐ）
を塗布し、ホットプレートを用いて９０℃で１０分ベー
クした後、高圧水銀灯を用いて過剰の露光量で全面露光
（露光強度は、波長３６５ｎｍ測定で約３０００ｍＪ／
ｃｍ²）をした。これにより、レジスト膜をブリーチン
グさせて膜の透光性を向上させ、次いで、ホットプレー
トを用いて２００℃で２０分ベークして、０．６μｍ厚
の第２層目の素子表面保護膜を形成した。

【０２３１】次に、前記素子表面保護膜上に、前記色素
組成物４を塗布し、ホットプレートを用いて１００℃で
１０分ベークし、続いて２００℃で２０分ベークして、
色素組成物１を硬化させて、０．５μｍ厚の色素組成物
４膜を形成した。

【０２３２】次に、前記色素組成物１の膜上に、前記Ｒ
Ｕ−１６００Ｐを塗布し、ホットプレートを用いて９０
℃で１０分ベークした後、高圧水銀灯を用いて所望のカ
ラーフィルタパターンマスクを通して露光し、専用現像
液で露光部を現像、除去し、純粋にて水洗し、所望のカ
ラーフィルタパターン形状のレジストパターンを形成し
た。

【０２３３】次に、前記レジストパターンをマスクとし
て、酸素プラズマにて前記色素組成物４膜を除去し、次
にレジストパターンを高圧水銀灯を用いて過剰の露光量
で全面露光し、専用現像液でレジストパターンを除去
し、純粋にて水洗して、所望の受光部に対応した位置の
素子表面保護膜上に、シアンのカラーフィルタパターン
を形成した。

【０２３４】次に、前記ＲＵ−１６００Ｐを塗布し、ホ
ットプレートを用いて９０℃で１０分ベークした後、高
圧水銀灯を用いて過剰の露光量で全面露光（露光強度
は、波長３６５ｎｍ測定で約３０００ｍＪ／ｃｍ²）を
した。これにより、レジスト膜をブリーチングさせて膜
の透光性を向上させ、次いで、ホットプレートを用いて
２００℃で２０分ベークして、０．８μｍ厚のフィルタ
パターン保護膜を形成した。

【０２３５】次に、前記フィルタパターン保護膜に、前
記色素組成物５を塗布し、ホットプレートを用いて１０
０℃で１０分ベークし、続いて２００℃で２０分ベーク
して、色素組成物５を硬化させて、０．５μｍ厚の色素
組成物５膜を形成した。

【０２３６】次に、前記色素組成物５の膜上に、前記Ｒ
Ｕ−１６００Ｐを塗布し、ホットプレートを用いて９０
℃で１０分ベークした後、高圧水銀灯を用いて所望のカ
ラーフィルタパターンマスクを通して露光し、専用現像
液で露光部を現像、除去し、純粋にて水洗し、所望のカ
ラーフィルタパターン形状のレジストパターンを形成し
た。

【０２３７】次に、前記レジストパターンをマスクとし
て、酸素プラズマにて前記色素組成物２膜を除去し、次
にレジストパターンを高圧水銀灯を用いて過剰の露光量
で全面露光し、専用現像液でレジストパターンを除去
し、純粋にて水洗して、所望の受光部に対応した位置の
フィルタパターン保護膜上に、イエロのカラーフィルタ
パターンを形成した。

【０２３８】次に、前記ＲＵ−１６００Ｐを塗布し、ホ
ットプレートを用いて９０℃で１０分ベークした後、高
圧水銀灯を用いて過剰の露光量で全面露光（露光強度
は、波長３６５ｎｍ測定で約３０００ｍＪ／ｃｍ²）を
した。これにより、レジスト膜をブリーチングさせて膜
の透光性を向上させ、次いで、ホットプレートを用いて
２００℃で２０分ベークして、０．８μｍ厚のフィルタ
パターン保護膜を形成した。

【０２３９】次に、前記フィルタパターン保護膜に、前
記色素組成物６を塗布し、ホットプレートを用いて１０
０℃で１０分ベークし、続いて２００℃で２０分ベーク
して、色素組成物６を硬化させて、０．５μｍ厚の色素
組成物６膜を形成した。

【０２４０】次に、前記色素組成物６の膜上に、前記Ｒ
Ｕ−１６００Ｐを塗布し、ホットプレートを用いて９０
℃で１０分ベークした後、高圧水銀灯を用いて所望のカ
ラーフィルタパターンマスクを通して露光し、専用現像
液で露光部を現像、除去し、純粋にて水洗し、所望のカ
ラーフィルタパターン形状のレジストパターンを形成し
た。

【０２４１】次に、前記レジストパターンをマスクとし
て、酸素プラズマにて前記色素組成物６膜を除去し、次
にレジストパターンを高圧水銀灯を用いて過剰の露光量
で全面露光し、専用現像液でレジストパターンを除去
し、純粋にて水洗して、所望の受光部に対応した位置の
フィルタパターン保護膜上に、マゼンタのカラーフィル
タパターンを形成した。

【０２４２】次に、前記ＲＵ−１６００Ｐを塗布し、ホ
ットプレートを用いて９０℃で１０分ベークした後、高
圧水銀灯を用いて過剰の露光量で全面露光（露光強度
は、波長３６５ｎｍ測定で約３０００ｍＪ／ｃｍ²）を
した。これにより、レジスト膜をブリーチングさせて膜
の透光性を向上させ、次いで、ホットプレートを用いて
２００℃で２０分ベークして、０．８μｍ厚のフィルタ
パターン保護膜を形成した。

【０２４３】次に、前記フィルタパターン保護膜に、前
記色素組成物７を塗布し、ホットプレートを用いて１０
０℃で１０分ベークし、続いて２００℃で２０分ベーク
して、色素組成物７を硬化させて、０．５μｍ厚の色素
組成物７膜を形成した。

【０２４４】次に、前記色素組成物７の膜上に、前記Ｒ
Ｕ−１６００Ｐを塗布し、ホットプレートを用いて９０
℃で１０分ベークした後、高圧水銀灯を用いて所望のカ
ラーフィルタパターンマスクを通して露光し、専用現像
液で露光部を現像、除去し、純粋にて水洗し、所望のカ
ラーフィルタパターン形状のレジストパターンを形成し
た。

【０２４５】次に、前記レジストパターンをマスクとし
て、酸素プラズマにて前記色素組成物７膜を除去し、次
にレジストパターンを高圧水銀灯を用いて過剰の露光量
で全面露光し、専用現像液でレジストパターンを除去
し、純粋にて水洗して、所望の受光部に対応した位置の
フィルタパターン保護膜上に、グリーンのカラーフィル
タパターンを形成した。

【０２４６】次に、前記ＲＵ−１６００Ｐを塗布し、ホ
ットプレートを用いて９０℃で１０分ベークした後、高
圧水銀灯を用いて過剰の露光量で全面露光（露光強度
は、波長３６５ｎｍ測定で約３０００ｍＪ／ｃｍ²）を
した。これにより、レジスト膜をブリーチングさせて膜
の透光性を向上させ、次いで、ホットプレートを用いて
２００℃で２０分ベークして、０．８μｍ厚のフィルタ
パターン保護膜を形成した。

【０２４７】以上の工程により、補色型のカラーフィル
タを形成したカラー固体撮像素子を得た。

【０２４８】実施例１７．半導体基板内に予め受光部及
び走査部が形成され、パッシベーション膜に覆われた最
大２．５μｍの表面段差のある固体撮像素子基板上に、
前記光硬化性保護膜材料１を塗布し、ホットプレートを
用いて２００℃で１０分ベークし、次いで、ＤｅｅｐＵ
Ｖで全面露光（露光強度は２５４ｎｍ測定で２００ｍＪ
／ｃｍ²）し、更に、１００℃で１０分ベークして、素
子表面保護膜を２．０μｍ厚形成した。

【０２４９】次いで、素子表面保護膜上に、前記色素組
成物３６を塗布し、ホットプレートを用いて９０℃で１
０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成した。

【０２５０】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
の素子表面保護膜上に、グリーンのカラーフィルタパタ
ーンを形成した。

【０２５１】次に、前記色素組成物３７を塗布し、ホッ
トプレートを用いて９０℃で１０分ベークして、０．５
μｍ厚の膜を形成した。

【０２５２】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
の素子表面保護膜上に、ブルーのカラーフィルタパター
ンを形成した。

【０２５３】次に、前記色素組成物３８を塗布し、ホッ
トプレートを用いて９０℃で１０分ベークして、０．５
μｍ厚の膜を形成した。

【０２５４】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
の素子表面保護膜上に、レッドのカラーフィルタパター
ンを形成した。

【０２５５】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０２５６】以上の工程により、３色の原色型カラーフ
ィルタを同一層に形成したカラー固体撮像素子を得た。

【０２５７】実施例１８．半導体基板内に予め受光部及
び走査部が形成され、パッシベーション膜に覆われた最
大２．５μｍの表面段差のある固体撮像素子基板上に、
前記光硬化性保護膜材料１を塗布し、ホットプレートを
用いて２００℃で１０分ベークして、次いで、Ｄｅｅｐ
ＵＶで全面露光（露光強度は２５４ｎｍ測定で２００ｍ
Ｊ／ｃｍ²）し、更に、１００℃で１０分ベークして、
素子表面保護膜を２．０μｍ厚形成した。

【０２５８】次いで、素子表面保護膜上に、前記色素組
成物３９を塗布し、ホットプレートを用いて９０℃で１
０分ベークして、０．５μｍ厚の膜を形成した。

【０２５９】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
の素子表面保護膜上に、シアンのカラーフィルタパター
ンを形成した。

【０２６０】次いで、前記色素組成物４０を塗布し、ホ
ットプレートを用いて９０℃で１０分ベークして、０．
５μｍ厚の膜を形成した。

【０２６１】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
の素子表面保護膜上に、イエロのカラーフィルタパター
ンを形成した。

【０２６２】次に、前記色素組成物４１を塗布し、ホッ
トプレートを用いて９０℃で１０分ベークして、０．５
μｍ厚の膜を形成した。

【０２６３】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
の素子表面保護膜上に、マゼンタのカラーフィルタパタ
ーンを形成した。

【０２６４】次に、前記色素組成物４２を塗布し、ホッ
トプレートを用いて９０℃で１０分ベークして、０．５
μｍ厚の膜を形成した。

【０２６５】次いで、所望のフィルタパターンマスクを
使って、通常のフォトリソグラフィ技術で水銀灯のｉ線
にて露光し、次いで有機アルカリ水溶液で現像して露光
部を除去し、エタノールでリンスして、次いで、ホット
プレートを用いて１１０℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークし、所望の受光部に対応した位置
の素子表面保護膜上に、グリーンのカラーフィルタパタ
ーンを形成した。

【０２６６】次に、上記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベークし
て、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、フィルタパターンの保護膜を０．
８μｍ厚形成した。

【０２６７】以上の工程により、４色の補色型のカラー
フィルタを同一層に形成したカラー固体撮像素子を得
た。

【０２６８】実施例１９．半導体基板内に予め受光部及
び走査部が形成され、パッシベーション膜に覆われた最
大２．５μｍの表面段差のある固体撮像素子基板上に、
前記光硬化性保護膜材料１を塗布し、ホットプレートを
用いて２００℃で１０分ベークし、次いで、ＤｅｅｐＵ
Ｖで全面露光（露光強度は２５４ｎｍ測定で２００ｍＪ
／ｃｍ²）し、更に、１００℃で１０分ベークして、第
１層目の素子表面保護膜を１．５μｍ厚形成した。

【０２６９】次に、有機ケイ素系材料である日立化成工
業（株）製ポジ型レジスト（商品名ＲＵ−１６００Ｐ）
を塗布し、ホットプレートを用いて９０℃で１０分ベー
クした後、高圧水銀灯を用いて過剰の露光量で全面露光
（露光強度は、波長３６５ｎｍ測定で約３０００ｍＪ／
ｃｍ²）をした。これにより、レジスト膜をブリーチン
グさせて膜の透光性を向上させ、次いで、ホットプレー
トを用いて２００℃で２０分ベークして、０．６μｍ厚
の第２層目の素子表面保護膜を形成した。

【０２７０】次に、前記素子表面保護膜上に、前記色素
組成物１を塗布し、ホットプレートを用いて１００℃で
１０分ベークし、続いて２００℃で２０分ベークして、
色素組成物１を硬化させて、０．５μｍ厚の色素組成物
１膜を形成した。

【０２７１】次に、前記色素組成物１の膜上に、前記Ｒ
Ｕ−１６００Ｐを塗布し、ホットプレートを用いて９０
℃で１０分ベークした後、高圧水銀灯を用いて所望のカ
ラーフィルタパターンマスクを通して露光し、専用現像
液で露光部を現像、除去し、純粋にて水洗し、所望のカ
ラーフィルタパターン形状のレジストパターンを形成し
た。

【０２７２】次に、前記レジストパターンをマスクとし
て、酸素プラズマにて前記色素組成物１膜を除去し、次
にレジストパターンを高圧水銀灯を用いて過剰の露光量
で全面露光し、レジスト膜をブリーチングさせて膜の透
光性を向上させ、次いで、ホットプレートを用いて２０
０℃で２０分ベークして、所望の受光部に対応した位置
の素子表面保護膜上に、透明となった有機ケイ素系レジ
スト膜の乗ったグリーンのカラーフィルタパターンを形
成した。

【０２７３】次に、前記色素組成物２を塗布し、ホット
プレートを用いて１００℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークして、色素組成物２を硬化させ
て、０．５μｍ厚の色素組成物２膜を形成した。

【０２７４】次に、前記色素組成物２の膜上に、前記Ｒ
Ｕ−１６００Ｐを塗布し、ホットプレートを用いて９０
℃で１０分ベークした後、高圧水銀灯を用いて所望のカ
ラーフィルタパターンマスクを通して露光し、専用現像
液で露光部を現像、除去し、純粋にて水洗し、所望のカ
ラーフィルタパターン形状のレジストパターンを形成し
た。

【０２７５】次に、前記レジストパターンをマスクとし
て、酸素プラズマにて前記色素組成物２膜を除去し、次
にレジストパターンを高圧水銀灯を用いて過剰の露光量
で全面露光し、レジスト膜をブリーチングさせて膜の透
光性を向上させ、次いで、ホットプレートを用いて２０
０℃で２０分ベークして、所望の受光部に対応した位置
の素子表面保護膜上に、透明となった有機ケイ素系レジ
スト膜の乗ったブルーのカラーフィルタパターンを形成
した。

【０２７６】次に、前記色素組成物３を塗布し、ホット
プレートを用いて１００℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークして、色素組成物３を硬化させ
て、０．５μｍ厚の色素組成物３膜を形成した。

【０２７７】次に、前記色素組成物３の膜上に、前記Ｒ
Ｕ−１６００Ｐを塗布し、ホットプレートを用いて９０
℃で１０分ベークした後、高圧水銀灯を用いて所望のカ
ラーフィルタパターンマスクを通して露光し、専用現像
液で露光部を現像、除去し、純粋にて水洗し、所望のカ
ラーフィルタパターン形状のレジストパターンを形成し
た。

【０２７８】次に、前記レジストパターンをマスクとし
て、酸素プラズマにて前記色素組成物３膜を除去し、次
にレジストパターンを高圧水銀灯を用いて過剰の露光量
で全面露光し、レジスト膜をブリーチングさせて膜の透
光性を向上させ、次いで、ホットプレートを用いて２０
０℃で２０分ベークして、所望の受光部に対応した位置
の素子表面保護膜上に、透明となった有機ケイ素系レジ
スト膜の乗ったレッドのカラーフィルタパターンを形成
した。

【０２７９】次に、前記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベーク
し、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、０．８μｍ厚のフィルタパターン
保護膜を形成した。

【０２８０】以上の工程により、３色の原色型カラーフ
ィルタを同一層に形成したカラー固体撮像素子を得た。

【０２８１】実施例２０．半導体基板内に予め受光部及
び走査部が形成され、パッシベーション膜に覆われた最
大２．５μｍの表面段差のある固体撮像素子基板上に、
前記光硬化性保護膜材料１を塗布し、ホットプレートを
用いて２００℃で１０分ベークし、次いで、ＤｅｅｐＵ
Ｖで全面露光（露光強度は２５４ｎｍ測定で２００ｍＪ
／ｃｍ²）し、更に、１００℃で１０分ベークして、第
１層目の素子表面保護膜を１．５μｍ厚形成した。

【０２８２】次に、有機ケイ素系材料である日立化成工
業（株）製ポジ型レジスト（商品名ＲＵ−１６００Ｐ）
を塗布し、ホットプレートを用いて９０℃で１０分ベー
クした後、高圧水銀灯を用いて過剰の露光量で全面露光
（露光強度は、波長３６５ｎｍ測定で約３０００ｍＪ／
ｃｍ²）をした。これにより、レジスト膜をブリーチン
グさせて膜の透光性を向上させ、次いで、ホットプレー
トを用いて２００℃で２０分ベークして、０．６μｍ厚
の第２層目の素子表面保護膜を形成した。

【０２８３】次に、前記素子表面保護膜上に、前記色素
組成物４を塗布し、ホットプレートを用いて１００℃で
１０分ベークし、続いて２００℃で２０分ベークして、
色素組成物１を硬化させて、０．５μｍ厚の色素組成物
４膜を形成した。

【０２８４】次に、前記色素組成物１の膜上に、前記Ｒ
Ｕ−１６００Ｐを塗布し、ホットプレートを用いて９０
℃で１０分ベークした後、高圧水銀灯を用いて所望のカ
ラーフィルタパターンマスクを通して露光し、専用現像
液で露光部を現像、除去し、純粋にて水洗し、所望のカ
ラーフィルタパターン形状のレジストパターンを形成し
た。

【０２８５】次に、前記レジストパターンをマスクとし
て、酸素プラズマにて前記色素組成物４膜を除去し、次
にレジストパターンを高圧水銀灯を用いて過剰の露光量
で全面露光し、レジスト膜をブリーチングさせて膜の透
光性を向上させ、次いで、ホットプレートを用いて２０
０℃で２０分ベークして、所望の受光部に対応した位置
の素子表面保護膜上に、透明となった有機ケイ素系レジ
スト膜の乗ったシアンのカラーフィルタパターンを形成
した。

【０２８６】次に、前記色素組成物５を塗布し、ホット
プレートを用いて１００℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークして、色素組成物５を硬化させ
て、０．５μｍ厚の色素組成物５膜を形成した。

【０２８７】次に、前記色素組成物５の膜上に、前記Ｒ
Ｕ−１６００Ｐを塗布し、ホットプレートを用いて９０
℃で１０分ベークした後、高圧水銀灯を用いて所望のカ
ラーフィルタパターンマスクを通して露光し、専用現像
液で露光部を現像、除去し、純粋にて水洗し、所望のカ
ラーフィルタパターン形状のレジストパターンを形成し
た。

【０２８８】次に、前記レジストパターンをマスクとし
て、酸素プラズマにて前記色素組成物２膜を除去し、次
にレジストパターンを高圧水銀灯を用いて過剰の露光量
で全面露光し、レジスト膜をブリーチングさせて膜の透
光性を向上させ、次いで、ホットプレートを用いて２０
０℃で２０分ベークして、所望の受光部に対応した位置
の素子表面保護膜上に、透明となった有機ケイ素系レジ
スト膜の乗ったイエロのカラーフィルタパターンを形成
した。

【０２８９】次に、前記色素組成物６を塗布し、ホット
プレートを用いて１００℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークして、色素組成物６を硬化させ
て、０．５μｍ厚の色素組成物６膜を形成した。

【０２９０】次に、前記色素組成物６の膜上に、前記Ｒ
Ｕ−１６００Ｐを塗布し、ホットプレートを用いて９０
℃で１０分ベークした後、高圧水銀灯を用いて所望のカ
ラーフィルタパターンマスクを通して露光し、専用現像
液で露光部を現像、除去し、純粋にて水洗し、所望のカ
ラーフィルタパターン形状のレジストパターンを形成し
た。

【０２９１】次に、前記レジストパターンをマスクとし
て、酸素プラズマにて前記色素組成物６膜を除去し、次
にレジストパターンを高圧水銀灯を用いて過剰の露光量
で全面露光し、レジスト膜をブリーチングさせて膜の透
光性を向上させ、次いで、ホットプレートを用いて２０
０℃で２０分ベークして、所望の受光部に対応した位置
の素子表面保護膜上に、透明となった有機ケイ素系レジ
スト膜の乗ったマゼンタのカラーフィルタパターンを形
成した。

【０２９２】次に、前記色素組成物７を塗布し、ホット
プレートを用いて１００℃で１０分ベークし、続いて２
００℃で２０分ベークして、色素組成物７を硬化させ
て、０．５μｍ厚の色素組成物７膜を形成した。

【０２９３】次に、前記色素組成物７の膜上に、前記Ｒ
Ｕ−１６００Ｐを塗布し、ホットプレートを用いて９０
℃で１０分ベークした後、高圧水銀灯を用いて所望のカ
ラーフィルタパターンマスクを通して露光し、専用現像
液で露光部を現像、除去し、純粋にて水洗し、所望のカ
ラーフィルタパターン形状のレジストパターンを形成し
た。

【０２９４】次に、前記レジストパターンをマスクとし
て、酸素プラズマにて前記色素組成物７膜を除去し、次
にレジストパターンを高圧水銀灯を用いて過剰の露光量
で全面露光し、レジスト膜をブリーチングさせて膜の透
光性を向上させ、次いで、ホットプレートを用いて２０
０℃で２０分ベークして、所望の受光部に対応した位置
の素子表面保護膜上に、透明となった有機ケイ素系レジ
スト膜の乗ったグリーンのカラーフィルタパターンを形
成した。

【０２９５】次に、前記光硬化性保護膜材料１を塗布
し、ホットプレートを用いて２００℃で１０分ベーク
し、次いで、ＤｅｅｐＵＶで全面露光（露光強度は２５
４ｎｍ測定で２００ｍＪ／ｃｍ²）し、更に、１００℃
で１０分ベークして、０．８μｍ厚のフィルタパターン
保護膜を形成した。

【０２９６】以上の工程により、４色の補色型のカラー
フィルタを同一層に形成したカラー固体撮像素子を得
た。

【０２９７】実施例２２−４２．前記実施例１−２１記
載のカラー固体撮像素子において、最上層のフィルタパ
ターン保護膜上に、市販のＤｅｅｐ ＵＶレジストを塗
布し、ホットプレートを用いて９０℃で１０分ベーク
し、次いで、ＤｅｅｐＵＶで所望のパターン形状を形成
したパターンマスクを通して露光し、専用現像液で現像
して、所望の形状のレジストパターンを形成した。

【０２９８】次いで、ホットプレートを用いて１４０℃
で２０分ベークし、続いて２００℃で２０分ベークし
て、レジストパターンを熱流動させて、最上層のフィル
タパターン保護膜上の所望の位置に、マイクロレンズを
形成した。

【０２９９】以上の工程により、マイクロレンズ付きカ
ラー固体撮像素子を得た。

【０３００】

【発明の効果】スルホニルアジド基を有する色素を含有
するフィルタ母材組成物を用いてカラーフィルタを形成
することにより、従来のカラーフィルタ材料に比べて、
材料の品質や安定性を向上し、染色特性の変動を抑え、
工程数を低減できる。このため、カラーフィルタ形成プ
ロセスの裕度を増し，かつプロセスを合理化することが
できる。これにより、カラーフィルタの分光特性、解像
性に優れ、かつ生産性に優れたカラー固体撮像素子が得
られる。

フロントページの続き (72)発明者 林 伸明 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地株 式会社日立製作所中央研究所内

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光電変換を行なう受光部と、前記受光部で
   発生した電気信号を取り出す走査部と、前記受光部及び
   走査部を保護するパッシベーション膜とが形成された半
   導体基板からなる固体撮像素子基板上に、素子表面保護
   層を設け、前記素子表面保護層上に前記素子受光部に対
   応した位置に有機膜で保護されたカラーフィルタパター
   ンを配してなるカラー固体撮像素子において、スルホニ
   ルアジド基を有する色素を含有するフィルタ母材組成物
   からカラーフィルタが形成されていることを特徴とする
   カラー固体撮像素子。
2. 【請求項２】上記カラー固体撮像素子において、スルホ
   ニルアジド基を有する色素を含有するフィルタ母材組成
   物が感光性材料であることを特徴とする請求項１記載の
   カラー固体撮像素子。
3. 【請求項３】上記カラー固体撮像素子において、スルホ
   ニルアジド基を有する色素を含有するフィルタ母材組成
   物が熱硬化性材料であることを特徴とする請求項１記載
   のカラー固体撮像素子。
4. 【請求項４】上記カラー固体撮像素子において、少なく
   とも２色のカラーフィルタパターンが同一平面上に存在
   することを特徴とする請求項１記載のカラー固体撮像素
   子。
5. 【請求項５】上記カラー固体撮像素子において、素子表
   面保護層が有機ケイ素系材料の単層もしくは有機高分子
   材料と有機ケイ素系材料との積層からなることを特徴と
   する請求項１記載のカラー固体撮像素子。
6. 【請求項６】上記カラー固体撮像素子において、カラー
   フィルタパターンの有機保護膜が感光性材料からなるこ
   とを特徴とする請求項１記載のカラー固体撮像素子。
7. 【請求項７】上記カラー固体撮像素子において、各受光
   部に対応した位置のカラーフィルタ層を被うフィルタ表
   面保護層上に、受光部への集光用凸状マイクロレンズが
   形成されていることを特徴とする請求項１記載のカラー
   固体撮像素子。
8. 【請求項８】光電変換を行なう受光部と、前記受光部で
   発生した電気信号を取り出す走査部と、前記受光部及び
   走査部を保護するパッシベーション膜とが形成された半
   導体基板からなる固体撮像素子基板上に、素子表面保護
   層を形成する工程と、前記素子表面保護層上にスルホニ
   ルアジド基を有する色素を含有する熱硬化性フィルタ母
   材組成物を塗布し、加熱してカラーフィルタ膜を形成す
   る工程と、前記固体撮像素子基板の受光部に対応した位
   置の前記カラーフィルタ膜上に選択的にレジストマスク
   パターンを形成する工程と、前記レジストマスクパター
   ンをマスクとして前記カラーフィルタ膜をウェットエッ
   チングすることによりカラーフィルタパターンを形成す
   る工程と、加熱してカラーフィルタパターンを熱硬化す
   る工程とからなるカラーフィルタパターン形成工程と、
   前記カラーフィルタパターンを被う透明なフィルタ保護
   膜を形成する工程と、前記カラーフィルタパターン形成
   工程及びフィルタ保護膜を形成する工程をカラーフィル
   タの色構成に見合った複数回繰り返す工程とからなるカ
   ラー固体撮像素子の製造方法。
9. 【請求項９】光電変換を行なう受光部と、前記受光部で
   発生した電気信号を取り出す走査部と、前記受光部及び
   走査部を保護するパッシベーション膜とが形成された半
   導体基板からなる固体撮像素子基板上に、素子表面保護
   層を形成する工程と、前記素子表面保護層上にスルホニ
   ルアジド基を有する色素を含有する感光性フィルタ母材
   組成物を塗布し、加熱し、通常のフォトリソグラフィ技
   術により露光し、次いで現像、加熱して、前記固体撮像
   素子基板の受光部に対応した位置にカラーフィルタパタ
   ーンを形成する工程と、前記カラーフィルタパターンを
   被う透明なフィルタ保護膜を形成する工程と、前記カラ
   ーフィルタパターン形成工程及びフィルタ保護膜を形成
   する工程をカラーフィルタの色構成に見合った複数回繰
   り返す工程とからなるカラー固体撮像素子の製造方法。
10. 【請求項１０】光電変換を行なう受光部と、前記受光部
    で発生した電気信号を取り出す走査部と、前記受光部及
    び走査部を保護するパッシベーション膜とが形成された
    半導体基板からなる固体撮像素子基板上に、有機ケイ素
    系材料単層あるいは有機高分子材料と有機ケイ素系材料
    との積層からなる素子表面保護層を形成する工程と、前
    記素子表面保護層上にスルホニルアジド基を有する色素
    を含有する熱硬化性フィルタ母材組成物を塗布し、加熱
    してカラーフィルタ膜を形成する工程と、前記固体撮像
    素子基板の受光部に対応した位置の前記カラーフィルタ
    膜上に選択的に有機ケイ素系材料からなるレジストマス
    クパターンを形成する工程と、前記レジストマスクパタ
    ーンをマスクとして前記カラーフィルタ膜を酸素ドライ
    エッチングすることによりカラーフィルタパターンを形
    成する工程と、加熱してカラーフィルタパターンを熱硬
    化する工程とからなるカラーフィルタパターン形成工程
    と、前記カラーフィルタパターンを被う透明な有機ケイ
    素系材料からなるフィルタ保護膜を形成する工程と、前
    記カラーフィルタパターン形成工程及びフィルタ保護膜
    を形成する工程をカラーフィルタの色構成に見合った複
    数回繰り返す工程とからなるカラー固体撮像素子の製造
    方法。
11. 【請求項１１】光電変換を行なう受光部と、前記受光部
    で発生した電気信号を取り出す走査部と、前記受光部及
    び走査部を保護するパッシベーション膜とが形成された
    半導体基板からなる固体撮像素子基板上に、有機ケイ素
    系材料単層あるいは有機高分子材料と有機ケイ素系材料
    との積層からなる素子表面保護層を形成する工程と、前
    記素子表面保護層上にスルホニルアジド基を有する色素
    を含有する熱硬化性フィルタ母材組成物を塗布し、加熱
    してカラーフィルタ膜を形成する工程と、前記固体撮像
    素子基板の受光部に対応した位置の前記カラーフィルタ
    膜上に選択的に有機ケイ素系材料からなるレジストマス
    クパターンを形成する工程と、前記レジストマスクパタ
    ーンをマスクとして前記カラーフィルタ膜を酸素ドライ
    エッチングすることによりカラーフィルタパターンを形
    成する工程と、加熱してカラーフィルタパターンを熱硬
    化する工程とからなるカラーフィルタパターン形成工程
    と、前記カラーフィルタパターン形成工程をカラーフィ
    ルタの色構成に見合った複数回繰り返す工程とからな
    り、前記素子表面保護層上の同一平面内に所定の複数色
    のカラーフィルタパターンを形成してなるカラー固体撮
    像素子の製造方法。
12. 【請求項１２】光電変換を行なう受光部と、前記受光部
    で発生した電気信号を取り出す走査部と、前記受光部及
    び走査部を保護するパッシベーション膜とが形成された
    半導体基板からなる固体撮像素子基板上に、素子表面保
    護層を形成する工程と、前記素子表面保護層上にスルホ
    ニルアジド基を有する色素を含有する感光性フィルタ母
    材組成物を塗布し、加熱し、通常のフォトリソグラフィ
    技術により露光し、次いで現像、加熱して、前記固体撮
    像素子基板の受光部に対応した位置にカラーフィルタパ
    ターンを形成する工程と、前記カラーフィルタパターン
    を被う感光性材料からなるフィルタパターン保護膜を形
    成する工程と、前記カラーフィルタパターン形成工程及
    びフィルタ保護膜を形成する工程をカラーフィルタの色
    構成に見合った複数回繰り返す工程とからなるカラー固
    体撮像素子の製造方法。
13. 【請求項１３】光電変換を行なう受光部と、前記受光部
    で発生した電気信号を取り出す走査部と、前記受光部及
    び走査部を保護するパッシベーション膜とが形成された
    半導体基板からなる固体撮像素子基板上に、素子表面保
    護層を形成する工程と、前記素子表面保護層上にスルホ
    ニルアジド基を有する色素を含有する感光性フィルタ母
    材組成物を塗布し、加熱し、通常のフォトリソグラフィ
    技術により露光し、次いで現像、加熱して、前記固体撮
    像素子基板の受光部に対応した位置にカラーフィルタパ
    ターンを形成する工程と、前記カラーフィルタパターン
    形成工程をカラーフィルタの色構成に見合った複数回繰
    り返す工程と、前記カラーフィルタパターンを被う保護
    膜を形成する工程とからなるカラー固体撮像素子の製造
    方法。
14. 【請求項１４】光電変換を行なう受光部と、前記受光部
    で発生した電気信号を取り出す走査部と、前記受光部及
    び走査部を保護するパッシベーション膜とが形成された
    半導体基板からなる固体撮像素子基板上に、素子表面保
    護層を形成する工程と、前記素子表面保護層上にスルホ
    ニルアジド基を有する色素を含有する感光性フィルタ母
    材組成物を塗布し、加熱し、通常のフォトリソグラフィ
    技術により露光し、次いで現像、加熱して、前記固体撮
    像素子基板の受光部に対応した位置に１色目のカラーフ
    ィルタパターンを形成する工程と、感光性材料にて前記
    カラーフィルタパターンを被い、通常のフォトリソグラ
    フィ技術により露光、現像し、次いで加熱して、前記固
    体撮像素子基板の受光部に対応した所望の位置に開口部
    を形成する工程と、前記スルホニルアジド基を有する色
    素を含有する感光性フィルタ母材組成物を塗布し、加熱
    し、通常のフォトリソグラフィ技術により露光し、次い
    で現像、加熱して、前記開口部に２色目のカラーフィル
    タパターンを形成する工程と、感光性材料を塗布、加
    熱、露光、現像して、前記２色目のカラーフィルタパタ
    ーンを被う保護膜を形成するとともに、前記固体撮像素
    子基板の受光部に対応した所望の位置に開口部を形成す
    る工程と、前記カラーフィルタパターン形成工程及びフ
    ィルタ保護膜を形成する工程をカラーフィルタの色構成
    に見合った複数回繰り返す工程とからなるカラー固体撮
    像素子の製造方法。
15. 【請求項１５】各受光部に対応した位置のカラーフィル
    タ層最上層を被う保護膜上に、受光部への集光用凸状マ
    イクロレンズが形成されていることを特徴とする請求項
    ８〜１４のいずれか１項に記載のカラー固体撮像素子の
    製造方法。