JPH0628967A - ディスペンサー陰極 - Google Patents
ディスペンサー陰極Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/20—Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
- H01J1/28—Dispenser-type cathodes, e.g. L-cathode
-
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- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/14—Solid thermionic cathodes characterised by the material
Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】
［目的］低い温度でも持続的に安定した熱電子の放出を
行なうことができ、しかも、長寿命化を図ることを可能
とした。 ［構成］電子放出物質と、タングステンを含む多孔質基
体と、この多孔質基体を収納する貯蔵槽と、この貯蔵槽
を支持固定し内部にヒータが内蔵されたスリーブとを有
してなるディスペンサー陰極において、前記多孔質基体
にＴｉＯ2 またはＺｒＯ2が選択的に含まれていること
を特徴としている。
行なうことができ、しかも、長寿命化を図ることを可能
とした。 ［構成］電子放出物質と、タングステンを含む多孔質基
体と、この多孔質基体を収納する貯蔵槽と、この貯蔵槽
を支持固定し内部にヒータが内蔵されたスリーブとを有
してなるディスペンサー陰極において、前記多孔質基体
にＴｉＯ2 またはＺｒＯ2が選択的に含まれていること
を特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はディスペンサー陰極に係
り、特に陰極線管等の電子管に使用される特に動作温度
を下げることにより、高電流密度と長寿命を有するよう
に改良されたディスペンサー陰極に関する。
り、特に陰極線管等の電子管に使用される特に動作温度
を下げることにより、高電流密度と長寿命を有するよう
に改良されたディスペンサー陰極に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、投射管、ＨＤＴＶ、プロジェクシ
ョンＴＶ等が大型化する傾向にあり、この大型化に伴
い、新規な陰極が要求されている。
ョンＴＶ等が大型化する傾向にあり、この大型化に伴
い、新規な陰極が要求されている。
【０００３】このような要求に比較的適合した陰極とし
ては、ディスペンサー陰極があげられ、このディスペン
サー陰極は、従来の酸化物陰極に比べて極めて高い電流
密度を有するとともに、その寿命が極めて長いことか
ら、ディスペンサー陰極に対する研究開発が続けられて
いる。そして、このようなディスペンサー陰極の主流
は、含浸形と貯蔵形とに大別されるものである。
ては、ディスペンサー陰極があげられ、このディスペン
サー陰極は、従来の酸化物陰極に比べて極めて高い電流
密度を有するとともに、その寿命が極めて長いことか
ら、ディスペンサー陰極に対する研究開発が続けられて
いる。そして、このようなディスペンサー陰極の主流
は、含浸形と貯蔵形とに大別されるものである。
【０００４】しかし、前記従来のディスペンサー陰極に
おいては、その動作温度が９００〜１１００℃であり、
従来の酸化物陰極に比べて約２００℃程度高いという問
題を有している。このように動作温度が高いと、結果的
に極めて大きい熱量を有するヒータが要求されることに
なり、これにより、陰極自体の材料のみならず、その近
隣部品の素材までも高熱に十分耐えられる耐熱性素材で
製造しなければならない。しかも、高い動作温度のた
め、陰極からのＢａあるいはＢａＯの蒸発量が著しく増
加され、近隣部品に付着されてしまい、特に、陰極に隣
接された制御グリッドに蒸発されたＢａが付着されて陰
極を損傷させる、いわゆるグリッドエミッションとして
第２のエミッションを引起すことになってまう。
おいては、その動作温度が９００〜１１００℃であり、
従来の酸化物陰極に比べて約２００℃程度高いという問
題を有している。このように動作温度が高いと、結果的
に極めて大きい熱量を有するヒータが要求されることに
なり、これにより、陰極自体の材料のみならず、その近
隣部品の素材までも高熱に十分耐えられる耐熱性素材で
製造しなければならない。しかも、高い動作温度のた
め、陰極からのＢａあるいはＢａＯの蒸発量が著しく増
加され、近隣部品に付着されてしまい、特に、陰極に隣
接された制御グリッドに蒸発されたＢａが付着されて陰
極を損傷させる、いわゆるグリッドエミッションとして
第２のエミッションを引起すことになってまう。
【０００５】このような陰極の高い動作温度のために生
じる問題点を改善するものとして、アメリカ特許３，３
７３，３０７号に開示されたＭタイプのディスペンサー
陰極およびアメリカ特許４，７３７，６３９号に開示さ
れたＳｃ系含浸形ディスペンサー陰極が注目されてい
る。
じる問題点を改善するものとして、アメリカ特許３，３
７３，３０７号に開示されたＭタイプのディスペンサー
陰極およびアメリカ特許４，７３７，６３９号に開示さ
れたＳｃ系含浸形ディスペンサー陰極が注目されてい
る。
【０００６】前記Ｍタイプのディスペンサー陰極は、多
孔質タングステン金属基体の表面にタングステンより仕
事関数の高いＯｓ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒ等の白金族元素を被
覆したもので、前記物質の被覆効果を通じて陰極表面の
Ｂａ濃度を高め、これにより、仕事関数を減少させるこ
とができるようになっている。
孔質タングステン金属基体の表面にタングステンより仕
事関数の高いＯｓ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒ等の白金族元素を被
覆したもので、前記物質の被覆効果を通じて陰極表面の
Ｂａ濃度を高め、これにより、仕事関数を減少させるこ
とができるようになっている。
【０００７】また、前記Ｓｃ系ディスペンサー陰極は、
その動作温度を低減させることができるように、多孔質
基体の表面にＳｃを含むコーティング層を形成したもの
である。
その動作温度を低減させることができるように、多孔質
基体の表面にＳｃを含むコーティング層を形成したもの
である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来のデ
ィスペンサー陰極においても、やはり、従来の酸化物陰
極より動作温度が約１００〜２００℃程度高いので、同
様に、陰極材料および近隣部品材料を耐熱性素材で製造
しなければならず、しかも、高い動作温度のため、熱電
子放出物質が多量に蒸発することにより、陰極等の部材
の寿命が著しく短縮されてしまい、さらに、エイジング
（活性化）に要する時間が極めて長くなってしまうとい
う問題を有している。
ィスペンサー陰極においても、やはり、従来の酸化物陰
極より動作温度が約１００〜２００℃程度高いので、同
様に、陰極材料および近隣部品材料を耐熱性素材で製造
しなければならず、しかも、高い動作温度のため、熱電
子放出物質が多量に蒸発することにより、陰極等の部材
の寿命が著しく短縮されてしまい、さらに、エイジング
（活性化）に要する時間が極めて長くなってしまうとい
う問題を有している。
【０００９】本発明は前記した点に鑑みてなされたもの
で、低い温度でも持続的に安定した熱電子の放出を行な
うことができ、しかも、長寿命化を図ることのできるデ
ィスペンサー陰極を提供することを目的とするものであ
る。
で、低い温度でも持続的に安定した熱電子の放出を行な
うことができ、しかも、長寿命化を図ることのできるデ
ィスペンサー陰極を提供することを目的とするものであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明に係るディスペンサー陰極は、電子放出物質と、
タングステンを含む多孔質基体と、この多孔質基体を収
納する貯蔵槽と、この貯蔵槽を支持固定し内部にヒータ
が内蔵されたスリーブとを有してなるディスペンサー陰
極において、前記多孔質基体にＴｉＯ2 またはＺｒＯ2
が選択的に含まれていることを特徴とするものである。
本発明に係るディスペンサー陰極は、電子放出物質と、
タングステンを含む多孔質基体と、この多孔質基体を収
納する貯蔵槽と、この貯蔵槽を支持固定し内部にヒータ
が内蔵されたスリーブとを有してなるディスペンサー陰
極において、前記多孔質基体にＴｉＯ2 またはＺｒＯ2
が選択的に含まれていることを特徴とするものである。
【００１１】また、好ましくは、前記多孔質基体の表面
にＯｓ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｕのうち少なくとも１つの金属
からなる金属薄膜層を形成するものであり、さらに、前
記ＴｉＯ2 またはＺｒＯ2 がタングステンに対して約１
０〜５０重量％含まれるものである。
にＯｓ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｕのうち少なくとも１つの金属
からなる金属薄膜層を形成するものであり、さらに、前
記ＴｉＯ2 またはＺｒＯ2 がタングステンに対して約１
０〜５０重量％含まれるものである。
【００１２】
【作用】本発明によれば、含浸形陰極および貯蔵形陰極
に共に適用され、多孔質基体に選択的に含まれるＴｉＯ
2 またはＺｒＯ2 により、仕事関数を低減させることが
できるので、低い動作温度で高い電流密度を得ることが
でき、しかも、素材の熱変形が大幅に低減され、ヒータ
の発熱量の減少により長寿命化を図ることができる。特
に、多孔質基体の表面に白金族元素からなる金属薄膜層
を形成した場合には、相乗効果が期待できるので、酸化
物陰極より若干高い程度の動作温度で高い電流密度を得
ることができるものである。
に共に適用され、多孔質基体に選択的に含まれるＴｉＯ
2 またはＺｒＯ2 により、仕事関数を低減させることが
できるので、低い動作温度で高い電流密度を得ることが
でき、しかも、素材の熱変形が大幅に低減され、ヒータ
の発熱量の減少により長寿命化を図ることができる。特
に、多孔質基体の表面に白金族元素からなる金属薄膜層
を形成した場合には、相乗効果が期待できるので、酸化
物陰極より若干高い程度の動作温度で高い電流密度を得
ることができるものである。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１および図２を参
照して説明する。
照して説明する。
【００１４】図１は本発明に係るディスペンサー陰極の
一実施例を示したものであり、本実施例の含浸形ディス
ペンサー陰極においては、多孔質基体１ａには、電子放
出物質２ａが含浸されており、この多孔質基体１ａの表
面には、金属薄膜層３ａが形成されている。前記多孔質
基体１ａは、貯蔵槽４ａの内部に貯蔵されており、この
貯蔵槽４ａは、内部にヒータ６ａが内蔵されたスリーブ
５ａの先端部に支持固定されている。
一実施例を示したものであり、本実施例の含浸形ディス
ペンサー陰極においては、多孔質基体１ａには、電子放
出物質２ａが含浸されており、この多孔質基体１ａの表
面には、金属薄膜層３ａが形成されている。前記多孔質
基体１ａは、貯蔵槽４ａの内部に貯蔵されており、この
貯蔵槽４ａは、内部にヒータ６ａが内蔵されたスリーブ
５ａの先端部に支持固定されている。
【００１５】また、前記金属薄膜層３ａは、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｒｅ、Ｒｕ等の白金族元素から選択される少なくと
も１つの金属により形成されている。さらに、本発明の
特徴的要素である前記多孔質基体１ａは、耐熱性金属で
あるタングステン（Ｗ）を主材料とし、これには、Ｔｉ
Ｏ2 が適量含有されるようになっている。
ｒ、Ｒｅ、Ｒｕ等の白金族元素から選択される少なくと
も１つの金属により形成されている。さらに、本発明の
特徴的要素である前記多孔質基体１ａは、耐熱性金属で
あるタングステン（Ｗ）を主材料とし、これには、Ｔｉ
Ｏ2 が適量含有されるようになっている。
【００１６】次に、本実施例によるディスペンサー陰極
において、前記多孔質基体１ａの製造方法について説明
する。
において、前記多孔質基体１ａの製造方法について説明
する。
【００１７】まず、粒径が３〜８μｍの純粋なタングス
テン粉末に、１０〜５０重量％のＴｉＯ2 をよく混ぜ合
せて混合粉末体を製造した後、この混合粉末体から通常
の方法で一定長さの帯状の圧縮成型体を形成する。
テン粉末に、１０〜５０重量％のＴｉＯ2 をよく混ぜ合
せて混合粉末体を製造した後、この混合粉末体から通常
の方法で一定長さの帯状の圧縮成型体を形成する。
【００１８】その後、前記圧縮成型体を真空または水素
雰囲気で１５００〜２００℃で焼結することにより、１
５〜４０％程度の気空率を有する固化した圧縮成型体を
製造する。このとき、ＷとＴｉＯ2 との融点差が大き
く、これらの焼結温度が高いので、焼結時に焼結助剤と
して微量のニッケルを添加させる。
雰囲気で１５００〜２００℃で焼結することにより、１
５〜４０％程度の気空率を有する固化した圧縮成型体を
製造する。このとき、ＷとＴｉＯ2 との融点差が大き
く、これらの焼結温度が高いので、焼結時に焼結助剤と
して微量のニッケルを添加させる。
【００１９】このような段階を経て、焼結完了された前
記圧縮成形体を所望の大きさに切断して単位多孔質基体
を形成する。そして、通常的な方法により、前記多孔質
基体１ａに陰極物質を含浸させ、その表面に前記白金族
元素の中から選択された金属により金属薄膜層３ａをコ
ーティングする。
記圧縮成形体を所望の大きさに切断して単位多孔質基体
を形成する。そして、通常的な方法により、前記多孔質
基体１ａに陰極物質を含浸させ、その表面に前記白金族
元素の中から選択された金属により金属薄膜層３ａをコ
ーティングする。
【００２０】本実施例のディスペンサー陰極において
は、電子放出物質２ａとタングステンとの還元反応等に
より生成された遊離Ｂａ（ＢａＯ）は、白金族元素から
なる金属薄膜層３ａの表面に拡散される際に、多孔質基
体１ａに含まれたＴｉＯ2 と共に、極めて安定した構造
の分子（例えば、ＢａＴｉＯ3 ）を形成する。そのた
め、前記分子により、金属薄膜層３ａの表面に拡散され
たＢａまたはＢａＯ間の結束力が増加され、従来の陰極
に比べてその濃度が著しく増加される。その結果、熱電
子は低い温度で放出されることになる。
は、電子放出物質２ａとタングステンとの還元反応等に
より生成された遊離Ｂａ（ＢａＯ）は、白金族元素から
なる金属薄膜層３ａの表面に拡散される際に、多孔質基
体１ａに含まれたＴｉＯ2 と共に、極めて安定した構造
の分子（例えば、ＢａＴｉＯ3 ）を形成する。そのた
め、前記分子により、金属薄膜層３ａの表面に拡散され
たＢａまたはＢａＯ間の結束力が増加され、従来の陰極
に比べてその濃度が著しく増加される。その結果、熱電
子は低い温度で放出されることになる。
【００２１】前述した本実施例による含浸型ディスペン
サー陰極を約１時間程度でエイジングした後、その電流
密度を測定した結果、７５０〜８００℃の動作温度で、
電流密度は陰極で要求される５Ａ／ｃｍ2 以上であるこ
とが確認された。また、動作温度が低いので、素材の熱
変形を大幅に低減させることができ、ヒータ６ａの発熱
量の減少により著しい長寿命化を図ることができる。
サー陰極を約１時間程度でエイジングした後、その電流
密度を測定した結果、７５０〜８００℃の動作温度で、
電流密度は陰極で要求される５Ａ／ｃｍ2 以上であるこ
とが確認された。また、動作温度が低いので、素材の熱
変形を大幅に低減させることができ、ヒータ６ａの発熱
量の減少により著しい長寿命化を図ることができる。
【００２２】また、図２は本発明に係る貯蔵形のディス
ペンサー陰極の実施例を示したもので、本実施例におい
ては、貯蔵形ディスペンサー陰極は、貯蔵槽４ｂおよび
この貯蔵槽４ｂを先端部に支持固定しヒータ６ｂが内蔵
されたスリーブ５ｂを有している。前記貯蔵槽４ｂの内
部には、電子放出物質２ｂであるバリウムカルシウムア
ルミネートおよびタングステンからなる圧縮成型体７が
貯蔵されており、この圧縮成型体７の上部には、ＴｉＯ
2 およびタングステンからなる多孔質基体１ｂが配置さ
れている。この多孔質基体１ｂの製造方法は、前記実施
例の製法と同様であるが、陰極物質は含浸されない。さ
らに、前記多孔質基体１ｂの表面には、白金族元素から
なる金属薄膜層３ｂが塗布されている。
ペンサー陰極の実施例を示したもので、本実施例におい
ては、貯蔵形ディスペンサー陰極は、貯蔵槽４ｂおよび
この貯蔵槽４ｂを先端部に支持固定しヒータ６ｂが内蔵
されたスリーブ５ｂを有している。前記貯蔵槽４ｂの内
部には、電子放出物質２ｂであるバリウムカルシウムア
ルミネートおよびタングステンからなる圧縮成型体７が
貯蔵されており、この圧縮成型体７の上部には、ＴｉＯ
2 およびタングステンからなる多孔質基体１ｂが配置さ
れている。この多孔質基体１ｂの製造方法は、前記実施
例の製法と同様であるが、陰極物質は含浸されない。さ
らに、前記多孔質基体１ｂの表面には、白金族元素から
なる金属薄膜層３ｂが塗布されている。
【００２３】このような本実施例の貯蔵形ディスペンサ
ー陰極は、前記実施例と同様に、ヒータ６ｂにより加熱
された前記陰極物質からの遊離ＢａまたはＢａＯの濃度
が増加し、仕事関数が減少するので、低い動作温度で電
子放出能力を得ることができる。
ー陰極は、前記実施例と同様に、ヒータ６ｂにより加熱
された前記陰極物質からの遊離ＢａまたはＢａＯの濃度
が増加し、仕事関数が減少するので、低い動作温度で電
子放出能力を得ることができる。
【００２４】本発明者による実験によれば、本実施例に
よるディスペンサー陰極は、従来のディスペンサー陰極
より短い時間内で活性化された。そして、本実施例の貯
蔵形ディスペンサー陰極と前記図１に示す実施例の含浸
形ディスペンサー陰極とを相互比較したところ、両者の
動作温度や電流密度は類似した反面、その構造的な差に
より、前記図１に示す実施例の活性化時間が本実施例の
活性化時間より約１時間〜１時間３０分程度長かった。
よるディスペンサー陰極は、従来のディスペンサー陰極
より短い時間内で活性化された。そして、本実施例の貯
蔵形ディスペンサー陰極と前記図１に示す実施例の含浸
形ディスペンサー陰極とを相互比較したところ、両者の
動作温度や電流密度は類似した反面、その構造的な差に
より、前記図１に示す実施例の活性化時間が本実施例の
活性化時間より約１時間〜１時間３０分程度長かった。
【００２５】なお、前記各実施例のディスペンサー陰極
においては、多孔質基体の構成成分としてタングステン
およびＴｉＯ2 を使用したが、前記ＴｉＯ2 の代わりに
同一重量％のＺｒＯ2 を使用しても同様の性能を発揮す
ることができることを確認した。
においては、多孔質基体の構成成分としてタングステン
およびＴｉＯ2 を使用したが、前記ＴｉＯ2 の代わりに
同一重量％のＺｒＯ2 を使用しても同様の性能を発揮す
ることができることを確認した。
【００２６】したがって、本実施例による改良されたデ
ィスペンサー陰極は、９５０〜１２００℃で約４Ａ／ｃ
ｍ2 の電流密度を示す従来のディスペンサー陰極とは異
なり、従来の酸化物陰極の動作温度より若干高い７５０
〜８５０℃で約５Ａ／ｃｍ2以上の高電流密度を示し
た。しかも、動作温度が低いので、素材の熱変形が大幅
に低減され、ヒータ６ｂの発熱量の減少により長寿命化
を図ることができる。
ィスペンサー陰極は、９５０〜１２００℃で約４Ａ／ｃ
ｍ2 の電流密度を示す従来のディスペンサー陰極とは異
なり、従来の酸化物陰極の動作温度より若干高い７５０
〜８５０℃で約５Ａ／ｃｍ2以上の高電流密度を示し
た。しかも、動作温度が低いので、素材の熱変形が大幅
に低減され、ヒータ６ｂの発熱量の減少により長寿命化
を図ることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように本発明に係るディスペ
ンサー陰極は、タングステンと酸化チタンを主成分とす
る多孔質高融点金属基体を有することにより、低い動作
温度で高い電流密度を得ることができ、しかも、素材の
熱変形が大幅に低減され、ヒータの発熱量の減少により
長寿命化を図ることができる。その結果、ディスプレイ
の大型化による高輝度、高精細化が可能となり、さら
に、活性化時間の短縮により陰極製造時間を短縮するこ
とができ、製品の生産効率を著しく向上させることがで
きる等の効果を奏する。
ンサー陰極は、タングステンと酸化チタンを主成分とす
る多孔質高融点金属基体を有することにより、低い動作
温度で高い電流密度を得ることができ、しかも、素材の
熱変形が大幅に低減され、ヒータの発熱量の減少により
長寿命化を図ることができる。その結果、ディスプレイ
の大型化による高輝度、高精細化が可能となり、さら
に、活性化時間の短縮により陰極製造時間を短縮するこ
とができ、製品の生産効率を著しく向上させることがで
きる等の効果を奏する。
【図１】本発明に係る含浸形のディスペンサー陰極の実
施例を示す断面図
施例を示す断面図
【図２】本発明に係る貯蔵形のディスペンサー陰極の実
施例を示す断面図
施例を示す断面図
【符号の説明】 １ａ，１ｂ 多孔質基体 ２ａ，２ｂ 電子放出物質 ３ａ，３ｂ 金属薄膜層 ４ａ，４ｂ 貯蔵槽 ５ａ，５ｂ スリーブ ６ａ，６ｂ ヒータ ７ 圧縮成型体
Claims (3)
- 【請求項１】 電子放出物質と、タングステンを含む多
孔質基体と、この多孔質基体を収納する貯蔵槽と、この
貯蔵槽を支持固定し内部にヒータが内蔵されたスリーブ
とを有してなるディスペンサー陰極において、前記多孔
質基体にＴｉＯ2 またはＺｒＯ2 が選択的に含まれてい
ることを特徴とするディスペンサー陰極。 - 【請求項２】 前記多孔質基体の表面にＯｓ、Ｉｒ、Ｒ
ｅ、Ｒｕのうち少なくとも１つの金属からなる金属薄膜
層を形成したことを特徴とするディスペンサー陰極。 - 【請求項３】 前記ＴｉＯ2 またはＺｒＯ2 がタングス
テンに対して約１０〜５０重量％含まれていることを特
徴とするディスペンサー陰極。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1989-20792 | 1989-12-30 | ||
| KR1019890020792A KR0170221B1 (ko) | 1989-12-30 | 1989-12-30 | 디스펜서 음극 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0628967A true JPH0628967A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=19294823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1032991A Pending JPH0628967A (ja) | 1989-12-30 | 1991-01-04 | ディスペンサー陰極 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5126623A (ja) |
| JP (1) | JPH0628967A (ja) |
| KR (1) | KR0170221B1 (ja) |
| NL (1) | NL9002890A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006025175A1 (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 表示装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| DE4207220A1 (de) * | 1992-03-07 | 1993-09-09 | Philips Patentverwaltung | Festkoerperelement fuer eine thermionische kathode |
| GB2279495A (en) * | 1993-06-22 | 1995-01-04 | Thorn Microwave Devices Limite | Thermionic cathode |
| KR100291903B1 (ko) * | 1993-08-23 | 2001-09-17 | 김순택 | 전자관용산화물음극 |
| KR950012511A (ko) * | 1993-10-05 | 1995-05-16 | 이헌조 | 음극선관용 함침형 음극 |
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| US8311186B2 (en) * | 2007-12-14 | 2012-11-13 | Schlumberger Technology Corporation | Bi-directional dispenser cathode |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4810926A (en) * | 1987-07-13 | 1989-03-07 | Syracuse University | Impregnated thermionic cathode |
| KR910003698B1 (en) * | 1988-11-11 | 1991-06-08 | Samsung Electronic Devices | Cavity reservoir type dispenser cathode and method of the same |
| KR910006044B1 (ko) * | 1988-11-12 | 1991-08-12 | 삼성전관 주식회사 | 디스펜서 캐소오드의 제조방법 |
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1989
- 1989-12-30 KR KR1019890020792A patent/KR0170221B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-12-28 NL NL9002890A patent/NL9002890A/nl not_active Application Discontinuation
- 1990-12-31 US US07/636,442 patent/US5126623A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-01-04 JP JP1032991A patent/JPH0628967A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006025175A1 (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5126623A (en) | 1992-06-30 |
| KR0170221B1 (ko) | 1999-02-01 |
| NL9002890A (nl) | 1991-07-16 |
| KR910013351A (ko) | 1991-08-08 |
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