JPH06290904A - 金属皮膜抵抗器およびその製造方法 - Google Patents
金属皮膜抵抗器およびその製造方法Info
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- JPH06290904A JPH06290904A JP5095588A JP9558893A JPH06290904A JP H06290904 A JPH06290904 A JP H06290904A JP 5095588 A JP5095588 A JP 5095588A JP 9558893 A JP9558893 A JP 9558893A JP H06290904 A JPH06290904 A JP H06290904A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- film
- metal film
- resistance value
- crsi
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- Pending
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 特性劣化がなく、容易な手段で安定した高抵
抗値を取得することができる金属皮膜抵抗器およびその
製造方法の提供。 【構成】 まず、96％アルミナの円柱状（長さ 1.6mm、
直径 1.0mm）の磁器素地の表面全体に、スパッタ法によ
り、真空度１×10-5Torr、ターゲット加熱温度 200℃で
ＣｒＳｉ皮膜（Ｃｒ：Ｓｉ＝３：７）を着膜する。次い
で、このＣｒＳｉ皮膜を、空気中 400℃で熱処理して酸
化せしめ、ＣｒＳｉＯ2 皮膜からなる抵抗体を構成す
る。次に、レーザートリマーによって抵抗体をトリミン
グし、所望の抵抗値に調整する。次いで、抵抗体皮膜内
部の欠陥の除去および不良品選別等の目的で過剰電圧を
印加し、所定の位置に外装樹脂を塗布し、 150℃で30分
焼成して硬化させた後、Ｐｂ／Ｓｎ電解メッキ処理を施
し、本発明の金属皮膜抵抗器を得る。
抗値を取得することができる金属皮膜抵抗器およびその
製造方法の提供。 【構成】 まず、96％アルミナの円柱状（長さ 1.6mm、
直径 1.0mm）の磁器素地の表面全体に、スパッタ法によ
り、真空度１×10-5Torr、ターゲット加熱温度 200℃で
ＣｒＳｉ皮膜（Ｃｒ：Ｓｉ＝３：７）を着膜する。次い
で、このＣｒＳｉ皮膜を、空気中 400℃で熱処理して酸
化せしめ、ＣｒＳｉＯ2 皮膜からなる抵抗体を構成す
る。次に、レーザートリマーによって抵抗体をトリミン
グし、所望の抵抗値に調整する。次いで、抵抗体皮膜内
部の欠陥の除去および不良品選別等の目的で過剰電圧を
印加し、所定の位置に外装樹脂を塗布し、 150℃で30分
焼成して硬化させた後、Ｐｂ／Ｓｎ電解メッキ処理を施
し、本発明の金属皮膜抵抗器を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属皮膜抵抗器および
その製造方法に関する。
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子部品の小型軽量化に伴って抵
抗器の小型化も進行しており、また、これと並行して抵
抗器の高抵抗値化について様々な研究開発が行われてい
る。
抗器の小型化も進行しており、また、これと並行して抵
抗器の高抵抗値化について様々な研究開発が行われてい
る。
【０００３】従来より、金属皮膜抵抗器としては、円柱
状または角柱状の磁器素地の表面に、抵抗体としてＣｒ
Ｓｉ、ＮｉＣｒ等の金属皮膜を形成したものが広く知ら
れいる。
状または角柱状の磁器素地の表面に、抵抗体としてＣｒ
Ｓｉ、ＮｉＣｒ等の金属皮膜を形成したものが広く知ら
れいる。
【０００４】上記のように金属皮膜を抵抗体として有す
る抵抗器は、一般に円柱状または角柱状のアルミナ磁器
素地の表面に、抵抗体としてＣｒＳｉ、ＮｉＣｒ等の金
属皮膜をメッキ法や蒸着法などによって形成し、これを
熱処理（ 200℃程度でのアニール処理）した後、外部電
極形成、トリミング、外装形成および電解メッキ処理を
行うことによって製造されてきた。
る抵抗器は、一般に円柱状または角柱状のアルミナ磁器
素地の表面に、抵抗体としてＣｒＳｉ、ＮｉＣｒ等の金
属皮膜をメッキ法や蒸着法などによって形成し、これを
熱処理（ 200℃程度でのアニール処理）した後、外部電
極形成、トリミング、外装形成および電解メッキ処理を
行うことによって製造されてきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の抵抗器は、チップの小型化が進行するとトリミング
可能な面積が小さくなるため、取得最大抵抗値が低下し
てしまうという問題点があった。なお、着膜する金属皮
膜の膜厚を薄くすることにより、取得最大抵抗値をある
程度上昇させることができるようにはなるが、金属皮膜
の膜厚を薄くすると、磁器素地と皮膜との密着性の低下
や金属皮膜自体の劣化が起こりやすくなるため、信頼性
が低下してしまう。
来の抵抗器は、チップの小型化が進行するとトリミング
可能な面積が小さくなるため、取得最大抵抗値が低下し
てしまうという問題点があった。なお、着膜する金属皮
膜の膜厚を薄くすることにより、取得最大抵抗値をある
程度上昇させることができるようにはなるが、金属皮膜
の膜厚を薄くすると、磁器素地と皮膜との密着性の低下
や金属皮膜自体の劣化が起こりやすくなるため、信頼性
が低下してしまう。
【０００６】そのため、膜抵抗値が高く、特性が良好な
着膜材料の選択による高抵抗値化が要求されていた。
着膜材料の選択による高抵抗値化が要求されていた。
【０００７】そこで、本発明は、上述従来の技術の問題
点を解決し、特性劣化がなく、容易な手段で安定した高
抵抗値を取得することができる金属皮膜抵抗器およびそ
の製造方法を提供することを目的とする。
点を解決し、特性劣化がなく、容易な手段で安定した高
抵抗値を取得することができる金属皮膜抵抗器およびそ
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するために鋭意研究した結果、円柱状の磁器素地
表面にＣｒＳｉ皮膜を着膜し、この皮膜が酸化する温度
で熱処理を施すことにより、上記課題が解決されること
を見い出し、本発明に到達した。
を達成するために鋭意研究した結果、円柱状の磁器素地
表面にＣｒＳｉ皮膜を着膜し、この皮膜が酸化する温度
で熱処理を施すことにより、上記課題が解決されること
を見い出し、本発明に到達した。
【０００９】すなわち、本発明は、円柱状または角柱状
の磁器素地における少なくとも長手方向側面中央部に、
金属皮膜によって構成された抵抗体、および端部に外部
電極を有してなる金属皮膜抵抗器であって、前記抵抗体
が、ＣｒＳｉＯ2 皮膜によって構成されていることを特
徴とする金属皮膜抵抗器；および円柱状または角柱状の
磁器素地における少なくとも長手方向側面中央部に、抵
抗体としてＣｒＳｉ皮膜を着膜し、この皮膜を空気中で
熱処理して酸化させることを特徴とする金属皮膜抵抗器
の製造方法を提供するものである。
の磁器素地における少なくとも長手方向側面中央部に、
金属皮膜によって構成された抵抗体、および端部に外部
電極を有してなる金属皮膜抵抗器であって、前記抵抗体
が、ＣｒＳｉＯ2 皮膜によって構成されていることを特
徴とする金属皮膜抵抗器；および円柱状または角柱状の
磁器素地における少なくとも長手方向側面中央部に、抵
抗体としてＣｒＳｉ皮膜を着膜し、この皮膜を空気中で
熱処理して酸化させることを特徴とする金属皮膜抵抗器
の製造方法を提供するものである。
【００１０】
【作用】本発明の金属皮膜抵抗器は、円柱状または角柱
状の磁器素地における少なくとも長手方向側面中央部表
面に、ＣｒＳｉＯ2 皮膜によって構成された抵抗体を有
してなり、このような構成からなる金属皮膜抵抗器は、
次のような方法で製造することができる（本発明の金属
皮膜抵抗器の製造方法）。
状の磁器素地における少なくとも長手方向側面中央部表
面に、ＣｒＳｉＯ2 皮膜によって構成された抵抗体を有
してなり、このような構成からなる金属皮膜抵抗器は、
次のような方法で製造することができる（本発明の金属
皮膜抵抗器の製造方法）。
【００１１】まず、円柱状または角柱状の磁器素地にお
ける少なくとも長手方向側面中央部に、ＣｒＳｉ皮膜を
スパッタ法等によって着膜し、この皮膜を空気中におい
て高温（ 400℃程度）で熱処理して酸化せしめ、抵抗体
を構成する（ＣｒＳｉＯ2 皮膜からなる）。次いで、必
要により所定の端部に外部電極を形成した後、抵抗値調
整のためのトリミングを行い、外装形成および電解メッ
キ処理を行う。
ける少なくとも長手方向側面中央部に、ＣｒＳｉ皮膜を
スパッタ法等によって着膜し、この皮膜を空気中におい
て高温（ 400℃程度）で熱処理して酸化せしめ、抵抗体
を構成する（ＣｒＳｉＯ2 皮膜からなる）。次いで、必
要により所定の端部に外部電極を形成した後、抵抗値調
整のためのトリミングを行い、外装形成および電解メッ
キ処理を行う。
【００１２】このように、極めて容易な手段、すなわち
磁器素地にＣｒＳｉ皮膜を着膜し、この皮膜を高温（ 4
00℃程度）で熱処理して酸化せしめることにより（Ｃｒ
ＳｉＯ2 皮膜となる）、膜抵抗値は飛躍的に向上するよ
うになる。そのため、ＣｒＳｉＯ2 皮膜によって抵抗体
が構成された抵抗器は、トリミングのカット倍率の引き
下げ、または最大取得抵抗値の引き上げが可能になる。
磁器素地にＣｒＳｉ皮膜を着膜し、この皮膜を高温（ 4
00℃程度）で熱処理して酸化せしめることにより（Ｃｒ
ＳｉＯ2 皮膜となる）、膜抵抗値は飛躍的に向上するよ
うになる。そのため、ＣｒＳｉＯ2 皮膜によって抵抗体
が構成された抵抗器は、トリミングのカット倍率の引き
下げ、または最大取得抵抗値の引き上げが可能になる。
【００１３】以下、実施例により本発明をさらに詳細に
説明する。しかし本発明の範囲は以下の実施例により制
限されるものではない。
説明する。しかし本発明の範囲は以下の実施例により制
限されるものではない。
【００１４】
【実施例】本発明の金属皮膜抵抗器の製造方法の一例を
以下に示す。
以下に示す。
【００１５】まず、96％アルミナの円柱状（長さ 1.6m
m、直径 1.0mm）の磁器素地の表面全体に、スパッタ法
により、真空度１×10-5Torr、ターゲット加熱温度 200
℃でＣｒＳｉ皮膜（Ｃｒ：Ｓｉ＝３：７）を着膜した。
次いで、このＣｒＳｉ皮膜を、空気中において 400℃で
熱処理して酸化せしめ、ＣｒＳｉＯ2 皮膜からなる抵抗
体を構成した。
m、直径 1.0mm）の磁器素地の表面全体に、スパッタ法
により、真空度１×10-5Torr、ターゲット加熱温度 200
℃でＣｒＳｉ皮膜（Ｃｒ：Ｓｉ＝３：７）を着膜した。
次いで、このＣｒＳｉ皮膜を、空気中において 400℃で
熱処理して酸化せしめ、ＣｒＳｉＯ2 皮膜からなる抵抗
体を構成した。
【００１６】次に、レーザートリマーによって抵抗体を
トリミングし、所望の抵抗値に調整した。次いで、抵抗
体皮膜内部の欠陥の除去および不良品選別等の目的で過
剰電圧を印加し、所定の位置に外装樹脂を塗布し、 150
℃で30分焼成して硬化させた後、Ｐｂ／Ｓｎ電解メッキ
処理を施し、本発明の金属皮膜抵抗器を得た。
トリミングし、所望の抵抗値に調整した。次いで、抵抗
体皮膜内部の欠陥の除去および不良品選別等の目的で過
剰電圧を印加し、所定の位置に外装樹脂を塗布し、 150
℃で30分焼成して硬化させた後、Ｐｂ／Ｓｎ電解メッキ
処理を施し、本発明の金属皮膜抵抗器を得た。
【００１７】上記のような方法で複数個の抵抗器の製造
を行い、その製造工程におけるＣｒＳｉ皮膜着膜後（熱
処理前）、およびＣｒＳｉＯ2 皮膜形成後（熱処理後）
にそれぞれ抵抗値を測定したところ、熱処理前の抵抗値
は 1.0ｋΩ（平均）、熱処理後の抵抗値は10.0ｋΩ（平
均）であり、熱処理（酸化処理）による抵抗値の飛躍的
な向上が認められた。また、この熱処理後にさらに熱処
理を施したところ、抵抗温度係数（ＴＣＲ）は平均-250
ppm/℃（熱処理前）から平均-150ppn/℃（熱処理後）に
上昇した。
を行い、その製造工程におけるＣｒＳｉ皮膜着膜後（熱
処理前）、およびＣｒＳｉＯ2 皮膜形成後（熱処理後）
にそれぞれ抵抗値を測定したところ、熱処理前の抵抗値
は 1.0ｋΩ（平均）、熱処理後の抵抗値は10.0ｋΩ（平
均）であり、熱処理（酸化処理）による抵抗値の飛躍的
な向上が認められた。また、この熱処理後にさらに熱処
理を施したところ、抵抗温度係数（ＴＣＲ）は平均-250
ppm/℃（熱処理前）から平均-150ppn/℃（熱処理後）に
上昇した。
【００１８】一方、抵抗材料（ＣｒＳｉ）の組成比をＣ
ｒ：Ｓｉ＝４：６〜２：８の間で変化させ、上記と同様
の方法で抵抗器を製造し、その製造工程において上記と
同様の測定（抵抗値および抵抗温度係数の測定）を行っ
たところ、上記と同様の傾向の結果が得られた。
ｒ：Ｓｉ＝４：６〜２：８の間で変化させ、上記と同様
の方法で抵抗器を製造し、その製造工程において上記と
同様の測定（抵抗値および抵抗温度係数の測定）を行っ
たところ、上記と同様の傾向の結果が得られた。
【００１９】また、抵抗材料として、ＣｒＳｉに代えて
ＮｉＣｒ、ＴａＳｉＯ2 を用い、上記同様の方法で抵抗
器の製造を行い、その製造工程において上記と同様の測
定（抵抗値および抵抗温度係数の測定）を行った。その
結果を表１（抵抗値）および図１（抵抗温度係数と熱処
理温度との関係）に示す。なお、表１における抵抗値
は、平均値である。
ＮｉＣｒ、ＴａＳｉＯ2 を用い、上記同様の方法で抵抗
器の製造を行い、その製造工程において上記と同様の測
定（抵抗値および抵抗温度係数の測定）を行った。その
結果を表１（抵抗値）および図１（抵抗温度係数と熱処
理温度との関係）に示す。なお、表１における抵抗値
は、平均値である。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１からもわかるように、熱処理による抵
抗値上昇はＣｒＳｉを抵抗材料とした場合が最も大きい
ことが確認された。また、図１の結果より、熱処理を施
すことで抵抗温度係数が上昇することが確認され、しか
も高い温度（ 400℃程度）で熱処理したほうが高い抵抗
温度係数を得ることができることが確認された。
抗値上昇はＣｒＳｉを抵抗材料とした場合が最も大きい
ことが確認された。また、図１の結果より、熱処理を施
すことで抵抗温度係数が上昇することが確認され、しか
も高い温度（ 400℃程度）で熱処理したほうが高い抵抗
温度係数を得ることができることが確認された。
【００２２】
【発明の効果】本発明の金属皮膜抵抗器の製造方法の開
発により、高い抵抗値を容易に取得することができる金
属皮膜抵抗器を、極めて容易な手段で製造することがで
きるようになった。また、本発明の金属皮膜抵抗器は、
金属皮膜と磁器素地との間に優れた密着強度を有し、し
かも金属皮膜自体の強度も大きいため、極めて信頼性に
優れるものである。
発により、高い抵抗値を容易に取得することができる金
属皮膜抵抗器を、極めて容易な手段で製造することがで
きるようになった。また、本発明の金属皮膜抵抗器は、
金属皮膜と磁器素地との間に優れた密着強度を有し、し
かも金属皮膜自体の強度も大きいため、極めて信頼性に
優れるものである。
【図１】抵抗体の熱処理条件と抵抗温度係数との関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項１】 円柱状または角柱状の磁器素地における
少なくとも長手方向側面中央部に、金属皮膜によって構
成された抵抗体、および端部に外部電極を有してなる金
属皮膜抵抗器であって、前記抵抗体が、ＣｒＳｉＯ2 皮
膜によって構成されていることを特徴とする金属皮膜抵
抗器。 - 【請求項２】 円柱状または角柱状の磁器素地における
少なくとも長手方向側面中央部に、抵抗体としてＣｒＳ
ｉ皮膜を着膜し、この皮膜を空気中で熱処理して酸化さ
せることを特徴とする金属皮膜抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5095588A JPH06290904A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 金属皮膜抵抗器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5095588A JPH06290904A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 金属皮膜抵抗器およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06290904A true JPH06290904A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=14141746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5095588A Pending JPH06290904A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 金属皮膜抵抗器およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06290904A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100431099C (zh) * | 2006-10-26 | 2008-11-05 | 昆明理工大学 | 一种在单晶硅基底表面直接制备Cr-Si硅化物电阻薄膜的方法 |
| KR101494015B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2015-02-16 | 헤래우스 센서 테크놀로지 게엠베하 | 코팅 와이어 및 피막 저항기 |
-
1993
- 1993-03-30 JP JP5095588A patent/JPH06290904A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100431099C (zh) * | 2006-10-26 | 2008-11-05 | 昆明理工大学 | 一种在单晶硅基底表面直接制备Cr-Si硅化物电阻薄膜的方法 |
| KR101494015B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2015-02-16 | 헤래우스 센서 테크놀로지 게엠베하 | 코팅 와이어 및 피막 저항기 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020528 |