JPS62291101A - 金属皮膜抵抗器 - Google Patents
金属皮膜抵抗器Info
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- JPS62291101A JPS62291101A JP62134990A JP13499087A JPS62291101A JP S62291101 A JPS62291101 A JP S62291101A JP 62134990 A JP62134990 A JP 62134990A JP 13499087 A JP13499087 A JP 13499087A JP S62291101 A JPS62291101 A JP S62291101A
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- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/006—Thin film resistors
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- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin-film techniques
- H01C17/12—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin-film techniques by sputtering
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/06—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
この発明は、抵抗材料としてニッケル合金を有する電気
金属皮膜抵抗器及びその製造方法Ｇこ関する。
金属皮膜抵抗器及びその製造方法Ｇこ関する。
このような抵抗器には、英国特許第１３３８７３５号明
細書で、重量％表示で １５≦Ｎｉ ≦５５ １０≦Ｃｒ≦６８ 及び ２＜Ａｌ＜６０ の糾成を有するＮ１−Ｃｒ−Ａ １合金を抵抗材料とＵ
２で有するものが知られている。
細書で、重量％表示で １５≦Ｎｉ ≦５５ １０≦Ｃｒ≦６８ 及び ２＜Ａｌ＜６０ の糾成を有するＮ１−Ｃｒ−Ａ １合金を抵抗材料とＵ
２で有するものが知られている。
合金を基体表面上にスパッタリングにより設け、次いで
これを酸素含を雰囲気中での加熱により安定化させて製
造するこれらの抵抗器は、約５オームから１メガオーム
までの範囲内の場合、工業的規模で優秀に実現されてい
る。これらは、−５５〜＋Ｉ５５℃の温度範囲で±２５
Ｘ １０−６７ ’Ｃの間の値の電気抵抗温度係数を
有する。
これを酸素含を雰囲気中での加熱により安定化させて製
造するこれらの抵抗器は、約５オームから１メガオーム
までの範囲内の場合、工業的規模で優秀に実現されてい
る。これらは、−５５〜＋Ｉ５５℃の温度範囲で±２５
Ｘ １０−６７ ’Ｃの間の値の電気抵抗温度係数を
有する。
５オームより低い値を有する、この材料の抵抗器は、成
る程スパッタリングによりつくることができるが、しか
しその場合、０．５オームの抵抗器を得るためには、極
めて長時間、例えば、１０時間スパッタすることが必要
であり、この目的のためには４００００個あたり８ＫＨ
の電力が必要である。実際」二これは、許されない。こ
のため、核形成基体」−に無電解ニッケルめっき浴によ
り析出させたニッケルーリンを抵抗材料として使用する
努力がなされた。スパッタリングにより製造される５オ
ームより高い抵抗器に適用される要求品質は、これらの
無電解ニッケルめっき抵抗器によっては決して実現する
ことができない。
る程スパッタリングによりつくることができるが、しか
しその場合、０．５オームの抵抗器を得るためには、極
めて長時間、例えば、１０時間スパッタすることが必要
であり、この目的のためには４００００個あたり８ＫＨ
の電力が必要である。実際」二これは、許されない。こ
のため、核形成基体」−に無電解ニッケルめっき浴によ
り析出させたニッケルーリンを抵抗材料として使用する
努力がなされた。スパッタリングにより製造される５オ
ームより高い抵抗器に適用される要求品質は、これらの
無電解ニッケルめっき抵抗器によっては決して実現する
ことができない。
高電力（＞ ｌ Ｗ）が散逸される用途の抵抗体は、動
作巾約３００℃の温度に達することがある。しかし、こ
れらは、前記動作温度に数回上がり、しばらくその温度
に保たれ、その後再び室温に冷却される使用を長期繰り
返した後でも安定のままでなければならない。低オーム
抵抗器の他の種類は、いわゆる精密抵抗器である。これ
らの抵抗器は、±２５Ｘ１０−６／’Ｃの間の抵抗温度
係数値を持たねばならない。
作巾約３００℃の温度に達することがある。しかし、こ
れらは、前記動作温度に数回上がり、しばらくその温度
に保たれ、その後再び室温に冷却される使用を長期繰り
返した後でも安定のままでなければならない。低オーム
抵抗器の他の種類は、いわゆる精密抵抗器である。これ
らの抵抗器は、±２５Ｘ１０−６／’Ｃの間の抵抗温度
係数値を持たねばならない。
更に、スパッタリングにより設けられる層は、磨滅に対
する高い抵抗を有しなければならない。
する高い抵抗を有しなければならない。
実際のところ、スパッタリングは、回転ドラム中で行わ
れ、その中で被覆すべき支持体が自由に動くことができ
、若干の力で互いにこすり合わされる。層が磨滅抵抗の
低い材料より成る場合、これは、磨滅の結果としてスパ
ッタリング時間が長くなり、更に析出の均一性が損なわ
れるため製品の外観が低下することを意味する。
れ、その中で被覆すべき支持体が自由に動くことができ
、若干の力で互いにこすり合わされる。層が磨滅抵抗の
低い材料より成る場合、これは、磨滅の結果としてスパ
ッタリング時間が長くなり、更に析出の均一性が損なわ
れるため製品の外観が低下することを意味する。
スパッタリングにより設けるべき既知の抵抗材料、例え
ば、」−記Ｎ１−Ｃｒ−Ａ １合金も、しかしまた旧−
Ｃｒ又はＮｉ−Ｃｕ合金もこれらのすべての要求を満た
すことはできない。
ば、」−記Ｎ１−Ｃｒ−Ａ １合金も、しかしまた旧−
Ｃｒ又はＮｉ−Ｃｕ合金もこれらのすべての要求を満た
すことはできない。
例えば、Ｎｉ−Ｃｒは、Ｎ１−Ｃｒ−Ａ １合金より低
いレヘルの抵抗率を有するが約１４０ ｘ １０− ’
／ ’ｃの抵抗温度係数を有する。両合金は、磨滅抵
抗がむしろ低い。
いレヘルの抵抗率を有するが約１４０ ｘ １０− ’
／ ’ｃの抵抗温度係数を有する。両合金は、磨滅抵
抗がむしろ低い。
他の２元系合金、ＮｉＣｕ、は、抵抗率が低いが、これ
も使用できない。ＮｉＣｕ （３０×７０重量％）は、
マグネトロンスパッタリング装置によりスパッタするこ
とができるが、１００〜１５０ Ｘｌ０−６／’Ｃの抵
抗温度係数を有し、その上熟成の際大きな変化をするこ
とが分かった。磨滅が高い結果としてスパッタリング時
に多量のほこりがドラム中で発生し、層のセラミックス
に対する接着力が乏しい。
も使用できない。ＮｉＣｕ （３０×７０重量％）は、
マグネトロンスパッタリング装置によりスパッタするこ
とができるが、１００〜１５０ Ｘｌ０−６／’Ｃの抵
抗温度係数を有し、その上熟成の際大きな変化をするこ
とが分かった。磨滅が高い結果としてスパッタリング時
に多量のほこりがドラム中で発生し、層のセラミックス
に対する接着力が乏しい。
この発明は、−５５〜＋１５０℃の温度範囲で５０×１
０−６／’Ｃより低く 、２５Ｘ１０−’／’Ｃより低
くさえある抵抗温度係数の絶対値を有し、自由に動く抵
抗支持体上にドラム中でスパッタする製造方法に対して
許容しうる値の磨滅抵抗を有する低抵抗値用抵抗材料を
従供する。
０−６／’Ｃより低く 、２５Ｘ１０−’／’Ｃより低
くさえある抵抗温度係数の絶対値を有し、自由に動く抵
抗支持体上にドラム中でスパッタする製造方法に対して
許容しうる値の磨滅抵抗を有する低抵抗値用抵抗材料を
従供する。
この発明に従えば、１０オームより低い抵抗値及び−５
５〜＋１５０ ”Ｃの範囲での５０ Ｘｌ０−６／”Ｃ
より低い抵抗温度係数の絶対値用の皮膜抵抗器は、抵抗
材料が少なくとも１４．５重量％多くとも２２重量％の
アルミニウム含量を有し、残りがニッケルであり、全部
で最高２．５重量％しか相溶性汚染を受けないニッケル
とアルミニウムの合金より成ることを特徴とする。
５〜＋１５０ ”Ｃの範囲での５０ Ｘｌ０−６／”Ｃ
より低い抵抗温度係数の絶対値用の皮膜抵抗器は、抵抗
材料が少なくとも１４．５重量％多くとも２２重量％の
アルミニウム含量を有し、残りがニッケルであり、全部
で最高２．５重量％しか相溶性汚染を受けないニッケル
とアルミニウムの合金より成ることを特徴とする。
精密抵抗器として使用するためには、抵抗温度係数の絶
対値が一５５℃〜＋１５０℃の範囲で２５×１０−”／
’Ｃより小さいことが要求される。抵抗器の好ましい例
に従えば、これは、ニッケルとアルミニウムの合金が少
なくとも１６．５重量％多くとも１８．５重量％のアル
ミニウム含量を有する場合に達成される。
対値が一５５℃〜＋１５０℃の範囲で２５×１０−”／
’Ｃより小さいことが要求される。抵抗器の好ましい例
に従えば、これは、ニッケルとアルミニウムの合金が少
なくとも１６．５重量％多くとも１８．５重量％のアル
ミニウム含量を有する場合に達成される。
抵抗層は、スパッタリングにより、好ましくはマグネト
ロンスパッタリングにより設けられる。
ロンスパッタリングにより設けられる。
抵抗器のすぐれた安定性は、既知の方法で酸素含有雰囲
気中、例えば空気中、３００℃以トの温度で熟成するこ
とにより得られる。
気中、例えば空気中、３００℃以トの温度で熟成するこ
とにより得られる。
この発明に従う多数の型の抵抗器の製造を、以下に例に
よっていっそう詳細に説明する。
よっていっそう詳細に説明する。
１ 、７ｍｍの直径と６ｍｍの長さを有する多数の磁器
棒がＡＰ、含量の異なるＮｉＡｌ！ターゲントを用いて
回転ドラムを有するマグネトロンスパッタリング装置中
でこの合金の層により被覆された。ＮｉＡ １層を設け
た後、抵抗器を種々の温度で３時間熟成した。
棒がＡＰ、含量の異なるＮｉＡｌ！ターゲントを用いて
回転ドラムを有するマグネトロンスパッタリング装置中
でこの合金の層により被覆された。ＮｉＡ １層を設け
た後、抵抗器を種々の温度で３時間熟成した。
このようにして得られた／ｌ含量１９．２％を有する旧
−Ａｐ、抵抗体は、０．７６オームの抵抗値を有し、こ
の値は、３時間３５０℃Ｔ：Ｐ成後０．８６オームに増
加した。＋２５〜＋１５０℃の範囲内の抵抗温度係数（
ＴＣＲ）は、４０Ｘ１０−６／’Ｃであった。
−Ａｐ、抵抗体は、０．７６オームの抵抗値を有し、こ
の値は、３時間３５０℃Ｔ：Ｐ成後０．８６オームに増
加した。＋２５〜＋１５０℃の範囲内の抵抗温度係数（
ＴＣＲ）は、４０Ｘ１０−６／’Ｃであった。
１７．２％のＡＩ！、含量を有する抵抗体は、１．１オ
ームの抵抗値と２５〜１５０℃の範囲の温度係数−２２
ＸＩＯ−６／’Ｃを有していた。３時間３００℃で熟成
後、抵抗値は、１．２オームに増加し、−５５〜」−２
５℃の範囲内のＴＣＰは、＋５ｘ１０６／”Ｃで＋２５
〜−１−１５０℃の範囲内のそれは、−１７ｘｌＯ−６
／’ｃであった。
ームの抵抗値と２５〜１５０℃の範囲の温度係数−２２
ＸＩＯ−６／’Ｃを有していた。３時間３００℃で熟成
後、抵抗値は、１．２オームに増加し、−５５〜」−２
５℃の範囲内のＴＣＰは、＋５ｘ１０６／”Ｃで＋２５
〜−１−１５０℃の範囲内のそれは、−１７ｘｌＯ−６
／’ｃであった。
この発明の組成範囲外のＡＰ ］４．２％を有するＮ１
−Ａ Ｉ！体は、１．１オームの、３００℃で３時間熟
成後１．３オームに増加する抵抗値と、２５〜１５０℃
の範囲のＴＣＲ３５０Ｘｌ０−６／’Ｃとを有していた
。
−Ａ Ｉ！体は、１．１オームの、３００℃で３時間熟
成後１．３オームに増加する抵抗値と、２５〜１５０℃
の範囲のＴＣＲ３５０Ｘｌ０−６／’Ｃとを有していた
。
２２重量％より高いＡｎ含量を有するＮ１−Ａ ｉ抵抗
体の場合も、同様に使用にならない高いＴＣ＋？値が得
られた。
体の場合も、同様に使用にならない高いＴＣ＋？値が得
られた。
得られた抵抗器について多くの試験を行った。
全抵抗体の＋７０℃での寿命試験の結果、抵抗値の変化
は、１０００時間後±１７４％内にとどまることがわか
った。
は、１０００時間後±１７４％内にとどまることがわか
った。
抵抗体を＋１５５℃に３０分間置き、次いで一５５℃に
３０分間置くことを５サイクル繰り返す温度変化試験で
、抵抗値の変化は、全抵抗体について±１７４％以内で
あった。
３０分間置くことを５サイクル繰り返す温度変化試験で
、抵抗値の変化は、全抵抗体について±１７４％以内で
あった。
ＮｉＣｒ又はＮｉＣｕに基づく既知の蒸着金属皮膜抵抗
器では、これらの試験で抵抗値の一層大きな変化が認め
られた。
器では、これらの試験で抵抗値の一層大きな変化が認め
られた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、抵抗材料が少なくとも１４．５重量％多くとも２２
重量％のアルミニウム含量を有し、残りがニッケルであ
り、全部で最高２．５重量％しか相溶性汚染を受けない
ニッケルとアルミニウムの合金より成ることを特徴とす
る抵抗材料としてニッケル合金を有する電気金属皮膜抵
抗器。 ２、抵抗材料が少なくとも１６．５重量％多くとも１８
．５重量％のアルミニウム含量を有するニッケルとアル
ミニウムの合金より成る特許請求の範囲第１項記載の金
属皮膜抵抗器。 ３、抵抗材料が少なくとも１４．５重量％多くとも２２
重量％のアルミニウム含量を有し、残りがニッケルであ
り、全部で最高２．５重量％しか相溶性汚染を受けない
ニッケルとアルミニウムの合金より成る電気金属皮膜抵
抗器を製造するにあたり、金属皮膜をマグネトロンスパ
ッタリングにより設けることを特徴とする金属皮膜抵抗
器の製造方法。 ４、抵抗材料が少なくとも１６．５重量％多くとも１８
．５重量％のアルミニウム含量を有するニッケルとアル
ミニウムの合金より成る特許請求の範囲第３項記載の方
法。 ５、設けた金属皮膜を少なくとも３００℃の温度で酸素
含有雰囲気中加熱することにより熟成する特許請求の範
囲第３項又は第４項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8601432A NL8601432A (nl) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | Metaalfilmweerstanden. |
| NL8601432 | 1986-06-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291101A true JPS62291101A (ja) | 1987-12-17 |
| JP2571227B2 JP2571227B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=19848115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62134990A Expired - Fee Related JP2571227B2 (ja) | 1986-06-04 | 1987-06-01 | 金属皮膜抵抗器 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4774491A (ja) |
| EP (1) | EP0248476B1 (ja) |
| JP (1) | JP2571227B2 (ja) |
| KR (1) | KR970004565B1 (ja) |
| AT (1) | ATE66315T1 (ja) |
| CA (1) | CA1291885C (ja) |
| DE (1) | DE3772108D1 (ja) |
| NL (1) | NL8601432A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5170146A (en) * | 1991-08-01 | 1992-12-08 | Motorola, Inc. | Leadless resistor |
| US5680092A (en) * | 1993-11-11 | 1997-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip resistor and method for producing the same |
| US6830627B1 (en) * | 1999-03-23 | 2004-12-14 | International Business Machines Corporation | Copper cleaning compositions, processes and products derived therefrom |
| US6225684B1 (en) | 2000-02-29 | 2001-05-01 | Texas Instruments Tucson Corporation | Low temperature coefficient leadframe |
| US6892443B2 (en) * | 2002-11-25 | 2005-05-17 | Vishay Intertechnology | Method of manufacturing a resistor |
| US10177506B2 (en) * | 2016-08-05 | 2019-01-08 | API Technologies Corporation | Connecting conductor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5658203A (en) * | 1979-10-18 | 1981-05-21 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Film resistor |
| JPS575302A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-12 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Resistance thin film |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7102290A (ja) * | 1971-02-20 | 1972-08-22 | ||
| US3872419A (en) * | 1972-06-15 | 1975-03-18 | Alexander J Groves | Electrical elements operable as thermisters, varisters, smoke and moisture detectors, and methods for making the same |
| US3904461A (en) * | 1972-10-02 | 1975-09-09 | Bendix Corp | Method of manufacturing solderable thin film microcircuit with stabilized resistive films |
| US4529958A (en) * | 1983-05-02 | 1985-07-16 | Dale Electronics, Inc. | Electrical resistor |
-
1986
- 1986-06-04 NL NL8601432A patent/NL8601432A/nl not_active Application Discontinuation
-
1987
- 1987-05-15 US US07/050,827 patent/US4774491A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-05-26 DE DE8787200987T patent/DE3772108D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-26 EP EP87200987A patent/EP0248476B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-26 AT AT87200987T patent/ATE66315T1/de active
- 1987-05-28 KR KR1019870005322A patent/KR970004565B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-01 CA CA000538444A patent/CA1291885C/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-01 JP JP62134990A patent/JP2571227B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5658203A (en) * | 1979-10-18 | 1981-05-21 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Film resistor |
| JPS575302A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-12 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Resistance thin film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0248476A1 (en) | 1987-12-09 |
| EP0248476B1 (en) | 1991-08-14 |
| NL8601432A (nl) | 1988-01-04 |
| US4774491A (en) | 1988-09-27 |
| JP2571227B2 (ja) | 1997-01-16 |
| CA1291885C (en) | 1991-11-12 |
| ATE66315T1 (de) | 1991-08-15 |
| KR970004565B1 (ko) | 1997-03-29 |
| DE3772108D1 (de) | 1991-09-19 |
| KR880000991A (ko) | 1988-03-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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