JPH0629110A - 機能調整用抵抗器 - Google Patents
機能調整用抵抗器Info
- Publication number
- JPH0629110A JPH0629110A JP4182036A JP18203692A JPH0629110A JP H0629110 A JPH0629110 A JP H0629110A JP 4182036 A JP4182036 A JP 4182036A JP 18203692 A JP18203692 A JP 18203692A JP H0629110 A JPH0629110 A JP H0629110A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 機能調整用抵抗器において、1つの機能調整
用抵抗器のみで抵抗器の抵抗値調整曲線の変更および抵
抗値調整倍率の拡大および中点電位の調整を可能とす
る。 【構成】 96アルミナ基板11上に並列的に配設され
た抵抗層13および14と、これらの抵抗層13および
14の同一側に配設された導体層12と、この導体層1
2側の抵抗層13および14の端から中央部に向かって
レーザートリミングにより形成した機能調整用の溝16
および17から構成したものである。これにより、抵抗
値調整曲線の変更および抵抗値調整倍率の拡大および中
点電位の調整が可能となる。
用抵抗器のみで抵抗器の抵抗値調整曲線の変更および抵
抗値調整倍率の拡大および中点電位の調整を可能とす
る。 【構成】 96アルミナ基板11上に並列的に配設され
た抵抗層13および14と、これらの抵抗層13および
14の同一側に配設された導体層12と、この導体層1
2側の抵抗層13および14の端から中央部に向かって
レーザートリミングにより形成した機能調整用の溝16
および17から構成したものである。これにより、抵抗
値調整曲線の変更および抵抗値調整倍率の拡大および中
点電位の調整が可能となる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高密度配線回路に用いら
れ、回路に実装後、抵抗値をレーザートリミングにより
調整することにより回路動作を調整する、機能調整用抵
抗器に関するものである。
れ、回路に実装後、抵抗値をレーザートリミングにより
調整することにより回路動作を調整する、機能調整用抵
抗器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の軽薄短小化に対する要
求がますます増大していく中、回路基板の配線密度を高
めるため、抵抗素子には非常に小型な抵抗器が多く用い
られるようになってきた。また、近年の高密度化はチッ
プボリュームにまでおよんでおり、チップボリュームの
置き換えとして高倍率の機能調整用抵抗器が開発されて
いる。
求がますます増大していく中、回路基板の配線密度を高
めるため、抵抗素子には非常に小型な抵抗器が多く用い
られるようになってきた。また、近年の高密度化はチッ
プボリュームにまでおよんでおり、チップボリュームの
置き換えとして高倍率の機能調整用抵抗器が開発されて
いる。
【0003】従来の機能調整用抵抗器の一例を図5
(a)に示し、この時の抵抗値調整曲線を図5(b)に
示す。図5(a)に示すように従来の機能調整用抵抗器
は、アルミナ基板1上にガラス層2を設け、さらにガラ
ス層2上に抵抗層3を設けることにより構成されてお
り、このように構成された機能調整用抵抗器をランドパ
ターン4,5が形成されたプリント配線板6上に配設し
た後、レーザートリミングなどにより機能調整用の溝7
を設けることにより端子A−B間の抵抗値を調整してい
た。
(a)に示し、この時の抵抗値調整曲線を図5(b)に
示す。図5(a)に示すように従来の機能調整用抵抗器
は、アルミナ基板1上にガラス層2を設け、さらにガラ
ス層2上に抵抗層3を設けることにより構成されてお
り、このように構成された機能調整用抵抗器をランドパ
ターン4,5が形成されたプリント配線板6上に配設し
た後、レーザートリミングなどにより機能調整用の溝7
を設けることにより端子A−B間の抵抗値を調整してい
た。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような機能調整用
抵抗器は回路実装後にレーザートリミングを行うが、そ
の抵抗値調整曲線は機能調整用抵抗器の形状によりほぼ
定まっており、抵抗値調整曲線の変更を行うためには複
数個の機能調整用抵抗器を用いる必要があった。また、
半固定抵抗ボリュームでは可能となっている中点電位の
機能調整が従来の機能調整用抵抗器では不可能であると
いう課題を有していた。
抵抗器は回路実装後にレーザートリミングを行うが、そ
の抵抗値調整曲線は機能調整用抵抗器の形状によりほぼ
定まっており、抵抗値調整曲線の変更を行うためには複
数個の機能調整用抵抗器を用いる必要があった。また、
半固定抵抗ボリュームでは可能となっている中点電位の
機能調整が従来の機能調整用抵抗器では不可能であると
いう課題を有していた。
【0005】本発明では上記課題を一挙に解決し、機能
調整用抵抗器を複数個用いる必要性をなくすものであ
り、1つの機能調整用抵抗器のみで抵抗器の抵抗値調整
曲線の変更および抵抗値調整倍率の拡大および中点電位
の調整を可能とする機能調整用抵抗器を提供するもので
ある。
調整用抵抗器を複数個用いる必要性をなくすものであ
り、1つの機能調整用抵抗器のみで抵抗器の抵抗値調整
曲線の変更および抵抗値調整倍率の拡大および中点電位
の調整を可能とする機能調整用抵抗器を提供するもので
ある。
【0006】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の機能調整用抵抗器は、絶縁基板と、この絶縁
基板上に並列的に配設された複数の抵抗層と、これらの
抵抗層の同一側に前記複数の抵抗層を接続するように配
設された導体層と、前記抵抗層のうち少なくとも1つに
その抵抗層の前記導体層側の端から中央部に向かって設
けた機能調整用の溝とで構成したものである。
に本発明の機能調整用抵抗器は、絶縁基板と、この絶縁
基板上に並列的に配設された複数の抵抗層と、これらの
抵抗層の同一側に前記複数の抵抗層を接続するように配
設された導体層と、前記抵抗層のうち少なくとも1つに
その抵抗層の前記導体層側の端から中央部に向かって設
けた機能調整用の溝とで構成したものである。
【0007】
【作用】本発明は、高倍率機能調整用抵抗器を複数個用
いる必要性をなくすものであり、絶縁基板上に機能調整
用の溝を設けた抵抗層を少なくとも1つ含む複数の抵抗
層を形成することにより、1つの機能調整用抵抗器のみ
で抵抗器の抵抗値調整曲線の変更および抵抗値調整倍率
の拡大が可能となる。
いる必要性をなくすものであり、絶縁基板上に機能調整
用の溝を設けた抵抗層を少なくとも1つ含む複数の抵抗
層を形成することにより、1つの機能調整用抵抗器のみ
で抵抗器の抵抗値調整曲線の変更および抵抗値調整倍率
の拡大が可能となる。
【0008】
【実施例】(実施例1)以下本発明の一実施例につい
て、図面を参照しながら説明する。図1は本発明の第1
の実施例における機能調整用抵抗器の上面図を示すもの
である。
て、図面を参照しながら説明する。図1は本発明の第1
の実施例における機能調整用抵抗器の上面図を示すもの
である。
【0009】図において、11は絶縁基板である、96
アルミナ基板、12は96アルミナ基板11上に設けた
導体層、13および14は導体層12と接続するように
96アルミナ基板11上に互いに並列的に配設された抵
抗層、15はガラス保護層である。なお抵抗層13およ
び14は図1(a)に示すように、抵抗層13および1
4の同一側に配設された導体層12によって、直列的に
配線されている。ここで抵抗層13,14の初期抵抗値
はそれぞれ同じ値の1kΩとした。
アルミナ基板、12は96アルミナ基板11上に設けた
導体層、13および14は導体層12と接続するように
96アルミナ基板11上に互いに並列的に配設された抵
抗層、15はガラス保護層である。なお抵抗層13およ
び14は図1(a)に示すように、抵抗層13および1
4の同一側に配設された導体層12によって、直列的に
配線されている。ここで抵抗層13,14の初期抵抗値
はそれぞれ同じ値の1kΩとした。
【0010】以上のように構成された機能調整用抵抗器
の抵抗層13および14に対してこの順でレーザートリ
ミングによる機能調整用の溝16,17を形成した。
の抵抗層13および14に対してこの順でレーザートリ
ミングによる機能調整用の溝16,17を形成した。
【0011】図1(b)は図1(a)の抵抗層13およ
び14に形成した機能調整用の溝16および17の寸法
に対する、端子A−B間の抵抗値調整曲線のグラフであ
り、図1(b)に示すように端子A−B間の抵抗値は、
初期抵抗値に対して20倍程度になり、従来の抵抗値調
整倍率が約10倍止まりであったのに対して、大幅に拡
大することがわかる。なお、抵抗層13および14への
切り込み寸法はそれぞれ2.8mmを最大とした。
び14に形成した機能調整用の溝16および17の寸法
に対する、端子A−B間の抵抗値調整曲線のグラフであ
り、図1(b)に示すように端子A−B間の抵抗値は、
初期抵抗値に対して20倍程度になり、従来の抵抗値調
整倍率が約10倍止まりであったのに対して、大幅に拡
大することがわかる。なお、抵抗層13および14への
切り込み寸法はそれぞれ2.8mmを最大とした。
【0012】(実施例2)以下本発明の第2の実施例に
ついて説明する。本実施例の機能調整用抵抗器は図1
(a)の抵抗器において、抵抗層13の初期抵抗値を1
00Ω、抵抗層14の初期抵抗値を1kΩとしたもので
ある。このように構成された機能調整用抵抗器の抵抗層
13および14に対してこの順でレーザートリミングに
よる機能調整用の溝16および17を形成した。
ついて説明する。本実施例の機能調整用抵抗器は図1
(a)の抵抗器において、抵抗層13の初期抵抗値を1
00Ω、抵抗層14の初期抵抗値を1kΩとしたもので
ある。このように構成された機能調整用抵抗器の抵抗層
13および14に対してこの順でレーザートリミングに
よる機能調整用の溝16および17を形成した。
【0013】図2は図1(a)の抵抗層13および14
に形成した機能調整用の溝16および17の寸法に対す
る、端子A−B間の抵抗値調整曲線のグラフである。ま
ず、抵抗層13にレーザートリミングを行い端子A−B
間の抵抗値を目標抵抗値付近まで大きく上昇させ、その
後抵抗層14へレーザートリミングを切り替え微調整す
ることにより、端子A−B間の目標抵抗値の調整精度を
上げることができる。なお、抵抗層13および14への
切り込み寸法はそれぞれ2.8mmを最大とした。
に形成した機能調整用の溝16および17の寸法に対す
る、端子A−B間の抵抗値調整曲線のグラフである。ま
ず、抵抗層13にレーザートリミングを行い端子A−B
間の抵抗値を目標抵抗値付近まで大きく上昇させ、その
後抵抗層14へレーザートリミングを切り替え微調整す
ることにより、端子A−B間の目標抵抗値の調整精度を
上げることができる。なお、抵抗層13および14への
切り込み寸法はそれぞれ2.8mmを最大とした。
【0014】(実施例3)以下本発明の第3の実施例に
ついて説明する。図3(a)は本実施例における機能調
整用抵抗器の上面図であり、図3(b)は抵抗層13お
よび14にレーザートリミングにより形成した機能調整
用の溝16および17の寸法に対する端子A−B間の電
位変化を示すグラフである。図3において11は96ア
ルミナ基板、12は導体層、13,14は抵抗層、15
はガラス保護層であり、以上は第1の実施例と同じ構成
である。また導体層12の前記抵抗層13および14と
の接続部間からは中間端子18が引き出されるように形
成されている。なお、抵抗層13および14は図3
(a)に示すように直列的に配線されている。ここで、
抵抗層13の初期抵抗値を1kΩ、抵抗層14の初期抵
抗値を1.2kΩとした。
ついて説明する。図3(a)は本実施例における機能調
整用抵抗器の上面図であり、図3(b)は抵抗層13お
よび14にレーザートリミングにより形成した機能調整
用の溝16および17の寸法に対する端子A−B間の電
位変化を示すグラフである。図3において11は96ア
ルミナ基板、12は導体層、13,14は抵抗層、15
はガラス保護層であり、以上は第1の実施例と同じ構成
である。また導体層12の前記抵抗層13および14と
の接続部間からは中間端子18が引き出されるように形
成されている。なお、抵抗層13および14は図3
(a)に示すように直列的に配線されている。ここで、
抵抗層13の初期抵抗値を1kΩ、抵抗層14の初期抵
抗値を1.2kΩとした。
【0015】端子A−C間には、まず、あらかじめ10
Vの定電圧を印加しておく。このように電圧を印加され
た機能調整用抵抗器の抵抗層13および14に対して交
互にレーザートリミングにより機能を調整用の溝16お
よび17を形成していくと、図3(b)に示すように端
子A−B間の電位は、抵抗層13にレーザートリミング
による機能調整用の溝16を形成している間は上昇し、
抵抗層14に機能調整用の溝17を形成している間は下
降することになる。
Vの定電圧を印加しておく。このように電圧を印加され
た機能調整用抵抗器の抵抗層13および14に対して交
互にレーザートリミングにより機能を調整用の溝16お
よび17を形成していくと、図3(b)に示すように端
子A−B間の電位は、抵抗層13にレーザートリミング
による機能調整用の溝16を形成している間は上昇し、
抵抗層14に機能調整用の溝17を形成している間は下
降することになる。
【0016】このように本実施例によれば、抵抗層13
および14へのレーザートリミングを交互に繰り返すこ
とにより、端子A−B間の電位を上下させながら調整す
ることが可能となる。
および14へのレーザートリミングを交互に繰り返すこ
とにより、端子A−B間の電位を上下させながら調整す
ることが可能となる。
【0017】(実施例4)以下本発明の第4の実施例に
ついて説明する。図4(a)は本実施例における機能調
整用抵抗器の上面図であり、図4(b)は抵抗層14に
レーザートリミングにより形成した機能調整用の溝17
の寸法に対する端子C−B間の電位変化を示すグラフで
ある。
ついて説明する。図4(a)は本実施例における機能調
整用抵抗器の上面図であり、図4(b)は抵抗層14に
レーザートリミングにより形成した機能調整用の溝17
の寸法に対する端子C−B間の電位変化を示すグラフで
ある。
【0018】すなわち、本実施例においては、図4に示
すように一方の抵抗層13を固定抵抗層としたもので、
他の構成は上記第3の実施例と同じ構成である。ここ
で、抵抗層13の初期抵抗値を5kΩ、抵抗層14の初
期抵抗値を1kΩとした。なお、抵抗層14への切り込
み寸法は2.8mmを最大とした。
すように一方の抵抗層13を固定抵抗層としたもので、
他の構成は上記第3の実施例と同じ構成である。ここ
で、抵抗層13の初期抵抗値を5kΩ、抵抗層14の初
期抵抗値を1kΩとした。なお、抵抗層14への切り込
み寸法は2.8mmを最大とした。
【0019】まず、あらかじめ端子A−C間には10V
の電圧を印加しておく。このように電圧を印加された機
能調整用抵抗器の抵抗層14に対してレーザートリミン
グにより機能調整用の溝17を形成していくと、図4
(b)に示すように端子C−B間の電圧は、抵抗層14
にレーザートリミングによる機能調整用の溝17を形成
している間上昇する。このように端子A−B間の目標電
位(Bの中点電圧)付近の電位を機能調整用の溝17を
形成して行き端子C−B間の電位を上昇させることによ
りさらに目標電位に近づくように調整できる。
の電圧を印加しておく。このように電圧を印加された機
能調整用抵抗器の抵抗層14に対してレーザートリミン
グにより機能調整用の溝17を形成していくと、図4
(b)に示すように端子C−B間の電圧は、抵抗層14
にレーザートリミングによる機能調整用の溝17を形成
している間上昇する。このように端子A−B間の目標電
位(Bの中点電圧)付近の電位を機能調整用の溝17を
形成して行き端子C−B間の電位を上昇させることによ
りさらに目標電位に近づくように調整できる。
【0020】このように、本発明のこれらの実施例によ
れば複数個の高倍率機能調整用抵抗器を用いる必要がな
く、それぞれ2つの抵抗層を組み合わせることにより、
1つの機能調整用抵抗器のみで抵抗値調整曲線の変更お
よび抵抗値倍率の拡大および中点電位の調整を実現でき
る。
れば複数個の高倍率機能調整用抵抗器を用いる必要がな
く、それぞれ2つの抵抗層を組み合わせることにより、
1つの機能調整用抵抗器のみで抵抗値調整曲線の変更お
よび抵抗値倍率の拡大および中点電位の調整を実現でき
る。
【0021】なお、各実施例では抵抗層の数を2個に限
定したが、2個以上の場合についても本発明が適用され
ることはいうまでもない。また、各実施例で抵抗層の抵
抗値をそれぞれ指定したが、他の任意の抵抗値でもよ
い。但し、各実施例の抵抗値の組み合わせが実用的であ
る。
定したが、2個以上の場合についても本発明が適用され
ることはいうまでもない。また、各実施例で抵抗層の抵
抗値をそれぞれ指定したが、他の任意の抵抗値でもよ
い。但し、各実施例の抵抗値の組み合わせが実用的であ
る。
【0022】
【発明の効果】以上のように本発明は、絶縁基板上に並
列的に配設された複数の抵抗層の同一側に、これらの抵
抗層を接続するように導体層を設けるとともに、前記抵
抗層のうち少なくとも1つにその抵抗層の前記導体層側
の端から中央部に向かって機能調整用の溝を形成するこ
とにより、高倍率機能調整用抵抗器を複数個用いること
なく、1つの機能調整用抵抗器のみで抵抗器の抵抗値調
整曲線の変更および抵抗値倍率の拡大および中点電位の
調整を実現できるものである。
列的に配設された複数の抵抗層の同一側に、これらの抵
抗層を接続するように導体層を設けるとともに、前記抵
抗層のうち少なくとも1つにその抵抗層の前記導体層側
の端から中央部に向かって機能調整用の溝を形成するこ
とにより、高倍率機能調整用抵抗器を複数個用いること
なく、1つの機能調整用抵抗器のみで抵抗器の抵抗値調
整曲線の変更および抵抗値倍率の拡大および中点電位の
調整を実現できるものである。
【図1】(a)は本発明の第1の実施例における機能調
整用抵抗器の上面図 (b)は同実施例の機能調整用抵抗器の抵抗調整曲線図
整用抵抗器の上面図 (b)は同実施例の機能調整用抵抗器の抵抗調整曲線図
【図2】本発明の第2の実施例における機能調整用抵抗
器の抵抗調整曲線図
器の抵抗調整曲線図
【図3】(a)は本発明の第3の実施例における機能調
整用抵抗器の上面図 (b)は同実施例の機能調整用抵抗器の抵抗調整曲線図
整用抵抗器の上面図 (b)は同実施例の機能調整用抵抗器の抵抗調整曲線図
【図4】(a)は本発明の第4の実施例における機能調
整用抵抗器の上面図 (b)は同実施例の機能調整用抵抗器の抵抗調整曲線図
整用抵抗器の上面図 (b)は同実施例の機能調整用抵抗器の抵抗調整曲線図
【図5】(a)は従来の機能調整用抵抗器の上面図 (b)は従来の機能調整用抵抗器の抵抗調整曲線図
【符号の説明】 11 96アルミナ基板 12 導体層 13,14 抵抗層 16,17 機能調整用の溝 18 中間端子
Claims (5)
- 【請求項1】絶縁基板と、この絶縁基板上に並列的に配
設された複数の抵抗層と、これらの抵抗層の同一側に前
記複数の抵抗層を接続するように配設された導体層と、
前記抵抗層のうち少なくとも1つにその抵抗層の前記導
体層側の端から中央部に向かって設けた機能調整用の溝
とから構成したことを特徴とする機能調整用抵抗器。 - 【請求項2】絶縁基板と、この絶縁基板上に並列的に配
設された複数の抵抗層と、これらの抵抗層の同一側に前
記複数の抵抗層を接続するように配設された導体層と、
この導体層のうち抵抗層間の部分に設けた中間端子と、
前記抵抗層のうち少なくとも1つにその抵抗層の前記導
体層側の端から中央部に向かって設けた機能調整用の溝
とから構成したことを特徴とする機能調整用抵抗器。 - 【請求項3】絶縁基板上に配設された複数の抵抗層の抵
抗値がすべてほぼ等しいことを特徴とする請求項1また
は2記載の機能調整用抵抗器。 - 【請求項4】絶縁基板上に配設された複数の抵抗層の抵
抗値のうち少なくとも1つは異なることを特徴とする請
求項1または2記載の機能調整用抵抗器。 - 【請求項5】絶縁基板上に配設された複数の抵抗層のう
ち中間端子部を境にして片側に配設された抵抗層は固定
抵抗層であることを特徴とする請求項2記載の機能調整
用抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4182036A JPH0629110A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 機能調整用抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4182036A JPH0629110A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 機能調整用抵抗器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629110A true JPH0629110A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16111220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4182036A Pending JPH0629110A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 機能調整用抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629110A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104091664A (zh) * | 2014-06-12 | 2014-10-08 | 北京锋速精密设备有限公司 | 一种新型函数曲线跟随电阻修刻方法 |
-
1992
- 1992-07-09 JP JP4182036A patent/JPH0629110A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104091664A (zh) * | 2014-06-12 | 2014-10-08 | 北京锋速精密设备有限公司 | 一种新型函数曲线跟随电阻修刻方法 |
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