JPH06291243A - 半導体装置用パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置 - Google Patents
半導体装置用パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置Info
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- JPH06291243A JPH06291243A JP5073832A JP7383293A JPH06291243A JP H06291243 A JPH06291243 A JP H06291243A JP 5073832 A JP5073832 A JP 5073832A JP 7383293 A JP7383293 A JP 7383293A JP H06291243 A JPH06291243 A JP H06291243A
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- semiconductor chip
- semiconductor device
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
- H05K3/202—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using self-supporting metal foil pattern
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パッケージサイズをコンパクト化でき、表面
実装を可能にするとともに、容易に多ピン化できるパッ
ケージを容易に製造する。 【構成】 半導体チップを搭載するベース基板１０上に
半導体チップ２２に接続されるインナーリード２０ａと
外部接続用のアウターリード等の導体パターン２０が形
成され、前記ベース基板１０とともに前記導体パターン
２０が一体に絞り加工されて、前記アウターリードが設
けられる前記ベース基板１０の周縁部に対して半導体チ
ップ２２の接合部位がくぼみ形成されたことを特徴とす
る。
実装を可能にするとともに、容易に多ピン化できるパッ
ケージを容易に製造する。 【構成】 半導体チップを搭載するベース基板１０上に
半導体チップ２２に接続されるインナーリード２０ａと
外部接続用のアウターリード等の導体パターン２０が形
成され、前記ベース基板１０とともに前記導体パターン
２０が一体に絞り加工されて、前記アウターリードが設
けられる前記ベース基板１０の周縁部に対して半導体チ
ップ２２の接合部位がくぼみ形成されたことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用パッケージ
及びその製造方法並びに半導体装置に関する。
及びその製造方法並びに半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は樹脂封止タイプでもっとも基本的
な構成の半導体装置であり、リードフレーム２のステー
ジ３に半導体チップ４を搭載し、モールド樹脂５によっ
て樹脂封止したものである。この樹脂封止タイプの半導
体装置は放熱性が低く発熱量の大きな半導体チップの搭
載には適さない。このため、熱放散性に優れたパッケー
ジとして図７のようなメタルコアタイプの半導体装置が
検討されている。このメタルコアタイプの半導体装置は
パッケージの本体にメタル基板６を使用し、メタル基板
６の片面あるいは両面にメタル基板６と電気的に絶縁し
て導体パターン７を形成したものである。
な構成の半導体装置であり、リードフレーム２のステー
ジ３に半導体チップ４を搭載し、モールド樹脂５によっ
て樹脂封止したものである。この樹脂封止タイプの半導
体装置は放熱性が低く発熱量の大きな半導体チップの搭
載には適さない。このため、熱放散性に優れたパッケー
ジとして図７のようなメタルコアタイプの半導体装置が
検討されている。このメタルコアタイプの半導体装置は
パッケージの本体にメタル基板６を使用し、メタル基板
６の片面あるいは両面にメタル基板６と電気的に絶縁し
て導体パターン７を形成したものである。
【０００３】メタルコアタイプの半導体装置ではパッケ
ージの厚さを薄くするため半導体チップ４を搭載するメ
タル基板６に座ぐり加工を施し、またモールド樹脂を流
れ止めするため枠状に形成したダム部８を貼り付けると
いったことを行っている。ダム部８は基板表面から突出
するから、この形態のパッケージではバンプを利用した
表面実装はできず図のようにリードピン９によって実装
するようにしている。また、導体パターン７を多層で形
成する場合にはメタル基板６の両面に絶縁層を介して導
体パターンを設け、導体パターンとリードピン９とをビ
ア等を利用して接続している。
ージの厚さを薄くするため半導体チップ４を搭載するメ
タル基板６に座ぐり加工を施し、またモールド樹脂を流
れ止めするため枠状に形成したダム部８を貼り付けると
いったことを行っている。ダム部８は基板表面から突出
するから、この形態のパッケージではバンプを利用した
表面実装はできず図のようにリードピン９によって実装
するようにしている。また、導体パターン７を多層で形
成する場合にはメタル基板６の両面に絶縁層を介して導
体パターンを設け、導体パターンとリードピン９とをビ
ア等を利用して接続している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来のメ
タルコアタイプの半導体装置ではメタル基板６に座ぐり
加工を施す必要があったり、導体パターン７とリードピ
ン９とを接続する操作が煩雑であったりするという問題
があり、リードピン９を使用することによって表面実装
ができないという問題点があった。また、図６のような
一般的な樹脂封止タイプの半導体装置では半導体チップ
４の厚みによって半導体チップを搭載した側とその反対
側とではモールド樹脂の厚みが異なり、樹脂の肉厚の差
によってパッケージが反るといった問題があった。
タルコアタイプの半導体装置ではメタル基板６に座ぐり
加工を施す必要があったり、導体パターン７とリードピ
ン９とを接続する操作が煩雑であったりするという問題
があり、リードピン９を使用することによって表面実装
ができないという問題点があった。また、図６のような
一般的な樹脂封止タイプの半導体装置では半導体チップ
４の厚みによって半導体チップを搭載した側とその反対
側とではモールド樹脂の厚みが異なり、樹脂の肉厚の差
によってパッケージが反るといった問題があった。
【０００５】本発明はこのようなメタルコアタイプの半
導体装置あるいは樹脂封止タイプの半導体装置での問題
点を解消すべくなされたものであり、その目的とすると
ころは、パッケージを薄形にしてコンパクトに形成する
ことができ、表面実装を可能にして実装基板での省スペ
ースを図ることができ、製造も容易に行うことができる
リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置を提
供しようとするものである。
導体装置あるいは樹脂封止タイプの半導体装置での問題
点を解消すべくなされたものであり、その目的とすると
ころは、パッケージを薄形にしてコンパクトに形成する
ことができ、表面実装を可能にして実装基板での省スペ
ースを図ることができ、製造も容易に行うことができる
リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置を提
供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、半導体装置用パ
ッケージとして、半導体チップを搭載するベース基板上
に半導体チップに接続されるインナーリードと外部接続
用のアウターリード等の導体パターンが形成され、前記
ベース基板とともに前記導体パターンが一体に絞り加工
されて、前記アウターリードが設けられる前記ベース基
板の周縁部に対して半導体チップの接合部位がくぼみ形
成されたことを特徴とし、また半導体チップを搭載する
ベース基板上に半導体チップに接続されるインナーリー
ドと外部接続用のアウターリード等の導体パターンが形
成され、前記ベース基板とともに前記導体パターンが一
体に絞り加工されて、前記アウターリードが設けられる
前記ベース基板の周縁部に対して半導体チップの接合部
位がくぼみ形成され、前記アウターリードに別体で形成
された支持用リードフレームが接合されたことを特徴と
し、またベース基板の周縁部が所定幅で平坦面に形成さ
れ、該平坦面上に延出するアウターリードに表面実装用
のバンプが形成されたことを特徴とする。また、ベース
基板が金属板であり、該金属板に設けた電気的絶縁層上
に導体パターンを設けたことを特徴とし、また、前記ベ
ース基板が電気的絶縁性を有する絶縁基板であり、該絶
縁基板上に導体パターンが形成されたことを特徴とす
る。
するため次の構成を備える。すなわち、半導体装置用パ
ッケージとして、半導体チップを搭載するベース基板上
に半導体チップに接続されるインナーリードと外部接続
用のアウターリード等の導体パターンが形成され、前記
ベース基板とともに前記導体パターンが一体に絞り加工
されて、前記アウターリードが設けられる前記ベース基
板の周縁部に対して半導体チップの接合部位がくぼみ形
成されたことを特徴とし、また半導体チップを搭載する
ベース基板上に半導体チップに接続されるインナーリー
ドと外部接続用のアウターリード等の導体パターンが形
成され、前記ベース基板とともに前記導体パターンが一
体に絞り加工されて、前記アウターリードが設けられる
前記ベース基板の周縁部に対して半導体チップの接合部
位がくぼみ形成され、前記アウターリードに別体で形成
された支持用リードフレームが接合されたことを特徴と
し、またベース基板の周縁部が所定幅で平坦面に形成さ
れ、該平坦面上に延出するアウターリードに表面実装用
のバンプが形成されたことを特徴とする。また、ベース
基板が金属板であり、該金属板に設けた電気的絶縁層上
に導体パターンを設けたことを特徴とし、また、前記ベ
ース基板が電気的絶縁性を有する絶縁基板であり、該絶
縁基板上に導体パターンが形成されたことを特徴とす
る。
【０００７】また、半導体装置用パッケージの製造方法
として、ベース基板たる金属板上に電気的絶縁性を有す
る絶縁被膜を設け、該絶縁被膜上に導体層を形成した
後、該導体層をエッチングして半導体チップに接続する
インナーリードおよび外部接続用のアウターリード等の
導体パターンを形成し、前記金属板および前記絶縁被膜
および前記導体パターンを一体的に絞り加工して、前記
アウターリードが設けられる前記ベース基板の周縁部に
対して半導体チップの接合部位をくぼみ形成することを
特徴とする。また、長尺状に形成された金属板を使用
し、該金属板に加工を施して所定間隔でベース基板とな
る金属板を形成し、該金属板に絶縁被膜および導体層を
設けて製造することを特徴とする。
として、ベース基板たる金属板上に電気的絶縁性を有す
る絶縁被膜を設け、該絶縁被膜上に導体層を形成した
後、該導体層をエッチングして半導体チップに接続する
インナーリードおよび外部接続用のアウターリード等の
導体パターンを形成し、前記金属板および前記絶縁被膜
および前記導体パターンを一体的に絞り加工して、前記
アウターリードが設けられる前記ベース基板の周縁部に
対して半導体チップの接合部位をくぼみ形成することを
特徴とする。また、長尺状に形成された金属板を使用
し、該金属板に加工を施して所定間隔でベース基板とな
る金属板を形成し、該金属板に絶縁被膜および導体層を
設けて製造することを特徴とする。
【０００８】また、半導体装置として、前記半導体装置
用パッケージに半導体チップが搭載され、半導体チップ
とインナーリードとが電気的に接続され、半導体チップ
が封止されて成ることを特徴とし、また、前記半導体装
置用パッケージに半導体チップが搭載され、半導体チッ
プとインナーリードとが電気的に接続され、ベース基板
の凹部内に封止樹脂が充填されて半導体チップが封止さ
れて成ることを特徴とする。
用パッケージに半導体チップが搭載され、半導体チップ
とインナーリードとが電気的に接続され、半導体チップ
が封止されて成ることを特徴とし、また、前記半導体装
置用パッケージに半導体チップが搭載され、半導体チッ
プとインナーリードとが電気的に接続され、ベース基板
の凹部内に封止樹脂が充填されて半導体チップが封止さ
れて成ることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明に係る半導体装置用パッケージはベース
基板と導体パターンが一体に絞り加工され、半導体チッ
プの搭載部がくぼみ形成されたことによりコンパクトな
半導体装置として提供することができる。外部接続用と
してのバンプを形成したものでは表面実装が可能になり
省スペース化を図ることができる。支持用リードフレー
ムにベース基板を接合したものでは半導体チップを搭載
した側と反対側での樹脂の肉厚を均等にして樹脂封止す
ることができ、半導体装置の反りを防止する。半導体装
置用パッケージの製造に際してはベース基板に導体パタ
ーンを形成した後、ベース基板と導体パターンとを一体
に絞り加工することによって容易に製造することができ
る。ベース基板の加工用として長尺な金属板を使用する
ことによって能率的な製造が可能になる。
基板と導体パターンが一体に絞り加工され、半導体チッ
プの搭載部がくぼみ形成されたことによりコンパクトな
半導体装置として提供することができる。外部接続用と
してのバンプを形成したものでは表面実装が可能になり
省スペース化を図ることができる。支持用リードフレー
ムにベース基板を接合したものでは半導体チップを搭載
した側と反対側での樹脂の肉厚を均等にして樹脂封止す
ることができ、半導体装置の反りを防止する。半導体装
置用パッケージの製造に際してはベース基板に導体パタ
ーンを形成した後、ベース基板と導体パターンとを一体
に絞り加工することによって容易に製造することができ
る。ベース基板の加工用として長尺な金属板を使用する
ことによって能率的な製造が可能になる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。本発明に係る半導体装置用パッ
ケージは従来の半導体装置用パッケージとは異なり、最
終的にパッケージの本体となるベース基板に半導体チッ
プの搭載部を設けるとともに、ベース基板上に同時に半
導体チップと接続するためのインナーリード等の導体パ
ターンを設けることを特徴とする。図１(a) 、(b) 、
(c) は金属板をベース基板とする半導体装置用パッケー
ジの製造方法を示す説明図である。
づいて詳細に説明する。本発明に係る半導体装置用パッ
ケージは従来の半導体装置用パッケージとは異なり、最
終的にパッケージの本体となるベース基板に半導体チッ
プの搭載部を設けるとともに、ベース基板上に同時に半
導体チップと接続するためのインナーリード等の導体パ
ターンを設けることを特徴とする。図１(a) 、(b) 、
(c) は金属板をベース基板とする半導体装置用パッケー
ジの製造方法を示す説明図である。
【００１１】半導体装置用パッケージの製造に際して
は、まず、図１(a) に示すように、長尺な金属板材をプ
レス抜き加工あるいはエッチング加工してベース基板１
０を一定ピッチで連設する。実施例ではベース基板１０
は図のように薄板材の側縁のレール部１２、１２にサポ
ートバー１４、１４によって連結支持したが、隣接する
ベース基板１０間をサポートバーで連結してもよいし、
隣接するベース基板１０の境界にセクションバーを設け
てセクションバーでベース基板１０を支持してもよい。
は、まず、図１(a) に示すように、長尺な金属板材をプ
レス抜き加工あるいはエッチング加工してベース基板１
０を一定ピッチで連設する。実施例ではベース基板１０
は図のように薄板材の側縁のレール部１２、１２にサポ
ートバー１４、１４によって連結支持したが、隣接する
ベース基板１０間をサポートバーで連結してもよいし、
隣接するベース基板１０の境界にセクションバーを設け
てセクションバーでベース基板１０を支持してもよい。
【００１２】ベース基板１０を有する半導体装置用パッ
ケージは、図１(a) に示すように長尺状の金属板材に連
続加工を施すことによって形成することができる。な
お、ベース基板１０を形成する金属板材は後工程でしぼ
り加工するから、しぼり加工に適当な材質および材厚を
選択する。また、ベース基板１０はパッケージのベース
として熱放散性にも影響を与えるから、金属板材として
はこれらの条件を検討して適宜材料を選択する。金属板
材としては、たとえば、銅、アルミニウム等が好適に用
いられる。
ケージは、図１(a) に示すように長尺状の金属板材に連
続加工を施すことによって形成することができる。な
お、ベース基板１０を形成する金属板材は後工程でしぼ
り加工するから、しぼり加工に適当な材質および材厚を
選択する。また、ベース基板１０はパッケージのベース
として熱放散性にも影響を与えるから、金属板材として
はこれらの条件を検討して適宜材料を選択する。金属板
材としては、たとえば、銅、アルミニウム等が好適に用
いられる。
【００１３】上記のようにベース基板１０を形成した
後、ベース基板１０の表面に絶縁被膜を形成するため電
気的絶縁性を有する絶縁フィルム１６を貼着する。図１
(a) はベース基板１０に絶縁フィルム１６を貼着した状
態である。絶縁フィルム１６は実施例のようにベース基
板１０に個々に貼着してもよいし、金属板材を加工する
前に帯状の絶縁フィルム１６を連続的に貼着しておいて
もよい。また、絶縁フィルムのかわりに電気的絶縁性を
有する絶縁材料をコーティングして絶縁被膜を形成する
ようにしてもよい。
後、ベース基板１０の表面に絶縁被膜を形成するため電
気的絶縁性を有する絶縁フィルム１６を貼着する。図１
(a) はベース基板１０に絶縁フィルム１６を貼着した状
態である。絶縁フィルム１６は実施例のようにベース基
板１０に個々に貼着してもよいし、金属板材を加工する
前に帯状の絶縁フィルム１６を連続的に貼着しておいて
もよい。また、絶縁フィルムのかわりに電気的絶縁性を
有する絶縁材料をコーティングして絶縁被膜を形成する
ようにしてもよい。
【００１４】絶縁フィルム１６を貼着した後、その上面
に導体層として銅箔１８を貼着する。図２に銅箔１８を
貼着した状態を断面図で示す。銅箔１８を貼着した後、
銅箔１８上にレジスト１９を塗布し、レジストをパター
ン形成し、銅箔１８をエッチングして導体パターン２０
を形成する。図１(b)はこうしてベース基板１０上に導
体パターン２０を形成した状態である。中央部に半導体
チップを搭載するためのスペースを設け、その周囲に導
体パターン２０として半導体チップに接続されるインナ
ーリードと、さらにその外側に外部接続用のアウターリ
ードを設ける。なお、導体パターン２０を形成するため
銅箔を貼着するかわりにスパッタリング法で導体層を形
成してもよい。また、銅箔を貼着する操作を簡略にする
ため表層にあらかじめ銅箔を設けた絶縁フィルムを使用
してこれを貼着し、上記と同様な方法で導体パターンを
形成するようにしてもよい。
に導体層として銅箔１８を貼着する。図２に銅箔１８を
貼着した状態を断面図で示す。銅箔１８を貼着した後、
銅箔１８上にレジスト１９を塗布し、レジストをパター
ン形成し、銅箔１８をエッチングして導体パターン２０
を形成する。図１(b)はこうしてベース基板１０上に導
体パターン２０を形成した状態である。中央部に半導体
チップを搭載するためのスペースを設け、その周囲に導
体パターン２０として半導体チップに接続されるインナ
ーリードと、さらにその外側に外部接続用のアウターリ
ードを設ける。なお、導体パターン２０を形成するため
銅箔を貼着するかわりにスパッタリング法で導体層を形
成してもよい。また、銅箔を貼着する操作を簡略にする
ため表層にあらかじめ銅箔を設けた絶縁フィルムを使用
してこれを貼着し、上記と同様な方法で導体パターンを
形成するようにしてもよい。
【００１５】次いで、ベース基板１０に対し半導体チッ
プを搭載する中央部を周縁部よりもくぼんだ形状にする
ための絞り加工を施す。図１(c) はベース基板１０に絞
り加工を施した状態を示す。実施例ではインナーリード
の先端とインナーリードから外部配線接続用のバンプ形
成部への中途位置の２か所を絞り加工した。１０ａ、１
０ｂが絞り加工によって形成した曲げ段差部である。な
お、この絞り加工ではベース基板１０とともに絶縁フィ
ルム１６および導体パターン２０を一体に絞り加工して
段差状に形成する。したがって、絞り加工の際に絶縁フ
ィルム１６にクラックが入ったり、導体パターン２０が
断線したりしないようにしなければならない。
プを搭載する中央部を周縁部よりもくぼんだ形状にする
ための絞り加工を施す。図１(c) はベース基板１０に絞
り加工を施した状態を示す。実施例ではインナーリード
の先端とインナーリードから外部配線接続用のバンプ形
成部への中途位置の２か所を絞り加工した。１０ａ、１
０ｂが絞り加工によって形成した曲げ段差部である。な
お、この絞り加工ではベース基板１０とともに絶縁フィ
ルム１６および導体パターン２０を一体に絞り加工して
段差状に形成する。したがって、絞り加工の際に絶縁フ
ィルム１６にクラックが入ったり、導体パターン２０が
断線したりしないようにしなければならない。
【００１６】絶縁フィルム１６の加工性を良くする方法
としては、絞り加工の際に加温して絶縁フィルム１６を
加工しやすくして行う方法や、絶縁フィルム１６が完全
に硬化する前段階で加工を行う方法、柔軟性を有する加
工性の良い材料を使うといったことが考えられる。導体
パターン２０の加工性については材料の伸展性を考慮し
て材質や材厚を選択すればよい。なお、実際に絞り加工
で形成するくぼみ量は１mm程度である。したがって、２
段の絞り加工を施す場合には0.5 mmずつ絞り加工する。
としては、絞り加工の際に加温して絶縁フィルム１６を
加工しやすくして行う方法や、絶縁フィルム１６が完全
に硬化する前段階で加工を行う方法、柔軟性を有する加
工性の良い材料を使うといったことが考えられる。導体
パターン２０の加工性については材料の伸展性を考慮し
て材質や材厚を選択すればよい。なお、実際に絞り加工
で形成するくぼみ量は１mm程度である。したがって、２
段の絞り加工を施す場合には0.5 mmずつ絞り加工する。
【００１７】図３に上記方法によって形成した半導体装
置用パッケージに半導体チップ２２を搭載した半導体装
置の断面図を示す。ベース基板１０上に絶縁フィルム１
６および導体パターン２０が層形成され、絞り加工によ
って１０ａ、１０ｂに曲げ段差部が形成されている。導
体パターン２０のインナーリード２０ａは絞り加工によ
って形成された段差上の平坦部及び段差部に連続して形
成され、バンプ２４はベース基板１０の外周縁部で平坦
面に引き出された導体パターン２０の端縁に形成されて
いる。バンプ２４は導体パターン２０のバンプ形成部に
はんだあるいは金等によって凸状に形成する。
置用パッケージに半導体チップ２２を搭載した半導体装
置の断面図を示す。ベース基板１０上に絶縁フィルム１
６および導体パターン２０が層形成され、絞り加工によ
って１０ａ、１０ｂに曲げ段差部が形成されている。導
体パターン２０のインナーリード２０ａは絞り加工によ
って形成された段差上の平坦部及び段差部に連続して形
成され、バンプ２４はベース基板１０の外周縁部で平坦
面に引き出された導体パターン２０の端縁に形成されて
いる。バンプ２４は導体パターン２０のバンプ形成部に
はんだあるいは金等によって凸状に形成する。
【００１８】半導体チップ２２はベース基板１０の内底
面に接合し、インナーリード２０ａとの間をワイヤボン
ディングによって接続する。２６は半導体チップ２２を
封止する封止樹脂２６である。封止樹脂２６はベース基
板１０の凹部内に充填され、半導体チップ２２を封止す
る。なお、封止樹脂２６を充填するかわりに、ベース基
板１０の凹部を覆って開口側にキャップを接合してキャ
ップ封止するようにしてもよい。
面に接合し、インナーリード２０ａとの間をワイヤボン
ディングによって接続する。２６は半導体チップ２２を
封止する封止樹脂２６である。封止樹脂２６はベース基
板１０の凹部内に充填され、半導体チップ２２を封止す
る。なお、封止樹脂２６を充填するかわりに、ベース基
板１０の凹部を覆って開口側にキャップを接合してキャ
ップ封止するようにしてもよい。
【００１９】図３に示す実施例の半導体装置は、上記の
ようにベース基板１０の周縁部の下面にバンプ２４を設
けたことによって表面実装が可能である。なお、インナ
ーリード２０ａからバンプ２４までは絶縁フィルム１６
の表面に導体パターン２０が形成されて引き出されるか
ら、バンプ２４の形成面で導体パターン２０が露出す
る。実施例ではバンプ２４形成面上の導体パターン２０
が実装基板と接触しないようにバンプ２４を除いて導体
パターン２０を被覆する保護膜を形成するようにした。
また、実施例ではベース基板１０の外面側はそのまま露
出させているが、ベース基板１０の酸化防止あるいは実
装時の取扱い性からベース基板１０の外面に保護用とし
て絶縁樹脂層を設けてもよい。
ようにベース基板１０の周縁部の下面にバンプ２４を設
けたことによって表面実装が可能である。なお、インナ
ーリード２０ａからバンプ２４までは絶縁フィルム１６
の表面に導体パターン２０が形成されて引き出されるか
ら、バンプ２４の形成面で導体パターン２０が露出す
る。実施例ではバンプ２４形成面上の導体パターン２０
が実装基板と接触しないようにバンプ２４を除いて導体
パターン２０を被覆する保護膜を形成するようにした。
また、実施例ではベース基板１０の外面側はそのまま露
出させているが、ベース基板１０の酸化防止あるいは実
装時の取扱い性からベース基板１０の外面に保護用とし
て絶縁樹脂層を設けてもよい。
【００２０】図３に示すような半導体装置の製造にあた
っては、図１(c) に示すようにベース基板２０を複数個
連設した状態で取り扱うことができる。すなわち、各々
のベース基板２０上に順に半導体チップ２２を搭載し、
半導体チップ２２とインナーリード２０ａとをワイヤボ
ンディングする操作と封止樹脂２６を充填する操作を順
に行うことによって連続的に半導体装置を製造すること
ができる。もちろん、ベース基板１０を金属板材から分
離して単体にしたものに対して半導体チップ２２を搭載
する等の操作を行ってもよい。
っては、図１(c) に示すようにベース基板２０を複数個
連設した状態で取り扱うことができる。すなわち、各々
のベース基板２０上に順に半導体チップ２２を搭載し、
半導体チップ２２とインナーリード２０ａとをワイヤボ
ンディングする操作と封止樹脂２６を充填する操作を順
に行うことによって連続的に半導体装置を製造すること
ができる。もちろん、ベース基板１０を金属板材から分
離して単体にしたものに対して半導体チップ２２を搭載
する等の操作を行ってもよい。
【００２１】本発明に係る半導体装置用パッケージは、
上述したようにベース基板１０に電気的絶縁層を介して
導体パターン２０を形成した構成を基本とするものであ
るが、その製造方法は前述した方法に限定されるもので
はなく、また、その形態も上記実施例に限定されるもの
ではない。たとえば、前述した半導体装置用パッケージ
の製造方法においては、ベース基板１０を形成する金属
板材に対してはじめにプレス抜き等でベース基板１０を
形成したが、金属板材に絶縁フィルム１６を貼着して導
体パターン２０を形成した後にプレス抜き等でベース基
板１０を形成するようにしてもよい。また、前記実施例
ではベース基板１０の片面のみに絶縁フィルム１６を設
けたが、ベース基板１０の両面に絶縁体を設けてもよ
い。また、加工に際しては前述したように長尺体で加工
せず、単体ごと加工を施すことも可能である。
上述したようにベース基板１０に電気的絶縁層を介して
導体パターン２０を形成した構成を基本とするものであ
るが、その製造方法は前述した方法に限定されるもので
はなく、また、その形態も上記実施例に限定されるもの
ではない。たとえば、前述した半導体装置用パッケージ
の製造方法においては、ベース基板１０を形成する金属
板材に対してはじめにプレス抜き等でベース基板１０を
形成したが、金属板材に絶縁フィルム１６を貼着して導
体パターン２０を形成した後にプレス抜き等でベース基
板１０を形成するようにしてもよい。また、前記実施例
ではベース基板１０の片面のみに絶縁フィルム１６を設
けたが、ベース基板１０の両面に絶縁体を設けてもよ
い。また、加工に際しては前述したように長尺体で加工
せず、単体ごと加工を施すことも可能である。
【００２２】また、上記実施例ではベース基板として金
属を使用したが、合成樹脂等の電気的絶縁性を有する絶
縁基板を使用することも可能である。この場合には、絶
縁基板の表面に導体層を被着させた後、導体層をエッチ
ングして導体パターンを形成し、絶縁基板を絞り加工す
ることによって形成する。絶縁基板を使用する場合は絞
り加工が可能な合成樹脂材を使用したり、熱可塑性の材
料を使用して比較的高温で加工することによって合成樹
脂のベース基板を用いた場合でも図３に示すような製品
を得ることができる。合成樹脂材を使用した場合にはベ
ース基板上にじかに導体パターンを形成できるという利
点がある。
属を使用したが、合成樹脂等の電気的絶縁性を有する絶
縁基板を使用することも可能である。この場合には、絶
縁基板の表面に導体層を被着させた後、導体層をエッチ
ングして導体パターンを形成し、絶縁基板を絞り加工す
ることによって形成する。絶縁基板を使用する場合は絞
り加工が可能な合成樹脂材を使用したり、熱可塑性の材
料を使用して比較的高温で加工することによって合成樹
脂のベース基板を用いた場合でも図３に示すような製品
を得ることができる。合成樹脂材を使用した場合にはベ
ース基板上にじかに導体パターンを形成できるという利
点がある。
【００２３】また、上記実施例の半導体装置ではベース
基板１０の周縁部に平坦部を設けてバンプ２４を形成し
たが、図４に示すようにインナーリード２０ａから延出
させたアウターリード２０ｂをベース基板１０の周縁か
ら外側に延出させ、アウターリード２０ｂを実装基板に
接続するようにしてもよい。この場合、アウターリード
２０ｂの接続部分に厚めっきを施してアウターリード２
０ｂの強度を高め、曲げ成形できるようにしてもよい。
ベース基板１０の周縁部からアウターリード２０ｂを延
出させる場合は、たとえば、図１に示す実施例では隣接
するベース基板１０間を含めて長尺状の金属板材の全体
に絶縁フィルム１６を貼着して導体パターンを形成すれ
ばよい。
基板１０の周縁部に平坦部を設けてバンプ２４を形成し
たが、図４に示すようにインナーリード２０ａから延出
させたアウターリード２０ｂをベース基板１０の周縁か
ら外側に延出させ、アウターリード２０ｂを実装基板に
接続するようにしてもよい。この場合、アウターリード
２０ｂの接続部分に厚めっきを施してアウターリード２
０ｂの強度を高め、曲げ成形できるようにしてもよい。
ベース基板１０の周縁部からアウターリード２０ｂを延
出させる場合は、たとえば、図１に示す実施例では隣接
するベース基板１０間を含めて長尺状の金属板材の全体
に絶縁フィルム１６を貼着して導体パターンを形成すれ
ばよい。
【００２４】また、ベース基板１０の形態としては、図
４に示すようにベース基板１０の半導体チップ２２を搭
載する部位に透孔を形成し、別体で形成した放熱体２８
をベース基板１０に接合して放熱体２８上に半導体チッ
プ２２を搭載するようにしてもよい。この場合は、絞り
加工の段数を減らすことが可能であり、ベース基板１０
のかわりに合成樹脂のベース板を使用した場合でも熱放
散性のよい半導体装置用パッケージを得ることができる
という利点がある。
４に示すようにベース基板１０の半導体チップ２２を搭
載する部位に透孔を形成し、別体で形成した放熱体２８
をベース基板１０に接合して放熱体２８上に半導体チッ
プ２２を搭載するようにしてもよい。この場合は、絞り
加工の段数を減らすことが可能であり、ベース基板１０
のかわりに合成樹脂のベース板を使用した場合でも熱放
散性のよい半導体装置用パッケージを得ることができる
という利点がある。
【００２５】本発明に係る半導体装置は上述したように
ベース基板を導体パターンとともに絞り加工して形成す
ることを特徴とするが、この絞り加工はパッケージ内に
半導体チップ２２が収容されるようにすることと、半導
体チップ２２と導体パターンのインナーリード２０ａと
が確実に接続できるように、インナーリード２０ａの高
さ位置等を調節して行うようにする。したがって、絞り
加工の段数や、加工を施す部位については製品に合わせ
て適宜条件に設定する。なお、上記実施例では半導体チ
ップ２２とインナーリード２０ａとはワイヤボンディン
グによって接続しているが、インナーリード２０ａと半
導体チップ２２との高さ位置を調節することによってＴ
ＡＢテープを用いた一括ボンディングによる接続方法も
可能である。
ベース基板を導体パターンとともに絞り加工して形成す
ることを特徴とするが、この絞り加工はパッケージ内に
半導体チップ２２が収容されるようにすることと、半導
体チップ２２と導体パターンのインナーリード２０ａと
が確実に接続できるように、インナーリード２０ａの高
さ位置等を調節して行うようにする。したがって、絞り
加工の段数や、加工を施す部位については製品に合わせ
て適宜条件に設定する。なお、上記実施例では半導体チ
ップ２２とインナーリード２０ａとはワイヤボンディン
グによって接続しているが、インナーリード２０ａと半
導体チップ２２との高さ位置を調節することによってＴ
ＡＢテープを用いた一括ボンディングによる接続方法も
可能である。
【００２６】本実施例のように絞り加工によって半導体
装置用パッケージを形成する方法によれば、パッケージ
の全体の厚みを薄くしてコンパクトに形成することがで
きること、ベース基板を座ぐり加工するといった方法に
くらべて加工が簡単であること、ベース基板に薄板材を
使用した場合でも絞り加工によってパッケージの強度を
高められること、ベース基板からの熱放散によって熱放
散特性に優れたパッケージとして提供できること、導体
パターンはベース基板上で任意のパターンで形成できる
といった利点がある。
装置用パッケージを形成する方法によれば、パッケージ
の全体の厚みを薄くしてコンパクトに形成することがで
きること、ベース基板を座ぐり加工するといった方法に
くらべて加工が簡単であること、ベース基板に薄板材を
使用した場合でも絞り加工によってパッケージの強度を
高められること、ベース基板からの熱放散によって熱放
散特性に優れたパッケージとして提供できること、導体
パターンはベース基板上で任意のパターンで形成できる
といった利点がある。
【００２７】また、導体パターンを形成する場合、半導
体チップ２２を搭載する部位に導体層を設けることで半
導体チップ２２の背面電位をとることができるし、導体
層を設けずに絶縁フィルム１６のみとした場合は半導体
チップ２２の基板への接合性を良好にすることができ
る。また、半導体チップ２２の接合部位に導体層と絶縁
フィルム１６を設けずに半導体チップ２２をじかにベー
ス基板２０に接合するようにした場合は熱放散性を向上
させることができる。
体チップ２２を搭載する部位に導体層を設けることで半
導体チップ２２の背面電位をとることができるし、導体
層を設けずに絶縁フィルム１６のみとした場合は半導体
チップ２２の基板への接合性を良好にすることができ
る。また、半導体チップ２２の接合部位に導体層と絶縁
フィルム１６を設けずに半導体チップ２２をじかにベー
ス基板２０に接合するようにした場合は熱放散性を向上
させることができる。
【００２８】図３、４に示した実施例はベース基板１０
を半導体装置のケーシングとして構成した例であるが、
図５に示すようにベース基板１０に導体パターン２０を
設けて絞り加工したベース基板を従来の樹脂封止タイプ
の半導体装置に利用することもできる。すなわち、この
実施例ではベース基板１０に導体パターン２０を設けて
絞り加工したベース基板１０を、別体で形成した支持用
リードフレーム３０に接続して半導体装置用パッケージ
とし、半導体チップ２２を搭載した後、全体を樹脂モー
ルドして封止している。
を半導体装置のケーシングとして構成した例であるが、
図５に示すようにベース基板１０に導体パターン２０を
設けて絞り加工したベース基板を従来の樹脂封止タイプ
の半導体装置に利用することもできる。すなわち、この
実施例ではベース基板１０に導体パターン２０を設けて
絞り加工したベース基板１０を、別体で形成した支持用
リードフレーム３０に接続して半導体装置用パッケージ
とし、半導体チップ２２を搭載した後、全体を樹脂モー
ルドして封止している。
【００２９】この例ではベース基板１０に導体パターン
２０を形成した後、絞り加工して半導体チップ２２の搭
載部位を若干凹形状に形成している。また、支持用リー
ドフレーム３０に導体パターン２０を接続するためベー
ス基板１０の周縁部を平坦状に外方に延出し、支持用リ
ードフレーム３０に接続するアウターリード２０ｂをパ
ターン形成してアウターリード２０ｂと支持用リードフ
レーム３０とを接続する。アウターリード２０ｂと支持
用リードフレーム３０とは金−金、金−すず、金−銀等
の熱圧着による接合によって接続できる。
２０を形成した後、絞り加工して半導体チップ２２の搭
載部位を若干凹形状に形成している。また、支持用リー
ドフレーム３０に導体パターン２０を接続するためベー
ス基板１０の周縁部を平坦状に外方に延出し、支持用リ
ードフレーム３０に接続するアウターリード２０ｂをパ
ターン形成してアウターリード２０ｂと支持用リードフ
レーム３０とを接続する。アウターリード２０ｂと支持
用リードフレーム３０とは金−金、金−すず、金−銀等
の熱圧着による接合によって接続できる。
【００３０】本実施例のようにベース基板を支持用リー
ドフレーム３０に接続して構成するのは、樹脂モールド
した際に半導体チップ２２を搭載した側の樹脂部の肉厚
と反対側の樹脂部の肉厚を均等にして、樹脂モールド後
に半導体装置が反ることを防止でき、半導体装置の信頼
性を高めることができる。
ドフレーム３０に接続して構成するのは、樹脂モールド
した際に半導体チップ２２を搭載した側の樹脂部の肉厚
と反対側の樹脂部の肉厚を均等にして、樹脂モールド後
に半導体装置が反ることを防止でき、半導体装置の信頼
性を高めることができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置用パッケージ及
び半導体装置によれば、上述したようにパッケージを薄
形化してコンパクトに形成することができる。また、外
部接続用としてバンプを設けることによって表面実装が
可能になり、省スペース化を図ることが可能になる。ま
た、ベース基板上に導体パターンを形成することから高
密度に導体パターンを形成することができ容易に多ピン
化に対応することが可能になる。また、金属板のベース
基板を用いることによってパッケージの熱放散性を向上
させることができる。また、本発明に係る半導体装置用
パッケージの製造方法によれば、ベース基板を絞り加工
することから半導体装置用パッケージの製造を容易に
し、長尺な金属板を使用して効率的に製造することが可
能になる等の著効を奏する。
び半導体装置によれば、上述したようにパッケージを薄
形化してコンパクトに形成することができる。また、外
部接続用としてバンプを設けることによって表面実装が
可能になり、省スペース化を図ることが可能になる。ま
た、ベース基板上に導体パターンを形成することから高
密度に導体パターンを形成することができ容易に多ピン
化に対応することが可能になる。また、金属板のベース
基板を用いることによってパッケージの熱放散性を向上
させることができる。また、本発明に係る半導体装置用
パッケージの製造方法によれば、ベース基板を絞り加工
することから半導体装置用パッケージの製造を容易に
し、長尺な金属板を使用して効率的に製造することが可
能になる等の著効を奏する。
【図１】半導体装置用パッケージの製造方法を示す説明
図である。
図である。
【図２】ベース基板上で導体パターンを形成する方法を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図３】半導体装置の一実施例の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図４】半導体装置の他の実施例の構成を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】半導体装置のさらに他の実施例の構成を示す断
面図である。
面図である。
【図６】半導体装置の従来例の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図７】メタルコアタイプの半導体装置の従来例の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
５ モールド樹脂 １０ ベース基板 １０ａ、１０ｂ 曲げ段差部 １２ レール部 １４ サポートバー １６ 絶縁フィルム １８ 銅箔 ２０ 導体パターン ２０ａ インナーリード ２０ｂ アウターリード ２２ 半導体チップ ２４ バンプ ２６ 封止樹脂 ２８ 放熱体 ３０ 支持用リードフレーム
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体チップを搭載するベース基板上に
半導体チップに接続されるインナーリードと外部接続用
のアウターリード等の導体パターンが形成され、 前記ベース基板とともに前記導体パターンが一体に絞り
加工されて、前記アウターリードが設けられる前記ベー
ス基板の周縁部に対して半導体チップの接合部位がくぼ
み形成されたことを特徴とする半導体装置用パッケー
ジ。 - 【請求項２】 半導体チップを搭載するベース基板上に
半導体チップに接続されるインナーリードと外部接続用
のアウターリード等の導体パターンが形成され、 前記ベース基板とともに前記導体パターンが一体に絞り
加工されて、前記アウターリードが設けられる前記ベー
ス基板の周縁部に対して半導体チップの接合部位がくぼ
み形成され、 前記アウターリードに別体で形成された支持用リードフ
レームが接合されたことを特徴とする半導体装置用パッ
ケージ。 - 【請求項３】 ベース基板の周縁部が所定幅で平坦面に
形成され、該平坦面上に延出するアウターリードに表面
実装用のバンプが形成されたことを特徴とする請求項１
記載の半導体装置用パッケージ。 - 【請求項４】 ベース基板が金属板であり、該金属板に
設けた電気的絶縁層上に導体パターンを設けたことを特
徴とする請求項１、２または３記載の半導体装置用パッ
ケージ。 - 【請求項５】 ベース基板が電気的絶縁性を有する絶縁
基板であり、該絶縁基板上に導体パターンが形成された
ことを特徴とする請求項１、２または３記載の半導体装
置用パッケージ。 - 【請求項６】 ベース基板たる金属板上に電気的絶縁性
を有する絶縁被膜を設け、該絶縁被膜上に導体層を形成
した後、 該導体層をエッチングして半導体チップに接続するイン
ナーリードおよび外部接続用のアウターリード等の導体
パターンを形成し、 前記金属板および前記絶縁被膜および前記導体パターン
を一体的に絞り加工して、前記アウターリードが設けら
れる前記ベース基板の周縁部に対して半導体チップの接
合部位をくぼみ形成することを特徴とする半導体装置用
パッケージの製造方法。 - 【請求項７】 長尺状に形成された金属板を使用し、該
金属板に加工を施して所定間隔でベース基板となる金属
板を形成し、該金属板に絶縁被膜および導体層を設けて
製造することを特徴とする請求項６記載の半導体装置用
パッケージの製造方法。 - 【請求項８】 請求項１、２、３、４または５記載の半
導体装置用パッケージに半導体チップが搭載され、半導
体チップとインナーリードとが電気的に接続され、半導
体チップが封止されて成ることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項９】 請求項１、３、４または５記載の半導体
装置用パッケージに半導体チップが搭載され、半導体チ
ップとインナーリードとが電気的に接続され、ベース基
板の凹部内に封止樹脂が充填されて半導体チップが封止
されて成ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5073832A JPH06291243A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 半導体装置用パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5073832A JPH06291243A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 半導体装置用パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291243A true JPH06291243A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=13529515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5073832A Pending JPH06291243A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 半導体装置用パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06291243A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1035164A (ja) * | 1996-04-25 | 1998-02-10 | Samsung Aerospace Ind Ltd | Ｉｃカード及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP5073832A patent/JPH06291243A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1035164A (ja) * | 1996-04-25 | 1998-02-10 | Samsung Aerospace Ind Ltd | Ｉｃカード及びその製造方法 |
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