JPH0629162U - 光増幅回路 - Google Patents
光増幅回路Info
- Publication number
- JPH0629162U JPH0629162U JP6341592U JP6341592U JPH0629162U JP H0629162 U JPH0629162 U JP H0629162U JP 6341592 U JP6341592 U JP 6341592U JP 6341592 U JP6341592 U JP 6341592U JP H0629162 U JPH0629162 U JP H0629162U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- amplifier circuit
- light
- optical amplifier
- pumping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 74
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 9
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 26
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 12
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006854 communication Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007175 bidirectional communication Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000007526 fusion splicing Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】信号光を双方向に、しかも十分な増幅度で増幅
できる新規な光増幅回路を提供する。 【構成】光増幅部11は希土類元素たとえばEr,Nd
がコアに添加されている増幅用光ファイバ12と該増幅
用光ファイバ12を励起する励起光を発生する半導体レ
ーザ(LD)13、及び信号光と励起光とを合波又は分
岐する合分波器14より成る。次に、光分岐回路15
a,15bは、2種類の波長帯の信号光を通過方向が逆
になるように、かつ互いに一方向のみ通過させる光導波
回路である。2台の狭帯域合分波器16a,16b又は
16c,16dと、全て同じ波長特性を持った光アイソ
レータ17a,17b又は17c,17dとよりなり、
アイソレーションは通常45dB〜60dB程度であ
る。本考案の光増幅回路は、上記光増幅部11を上記2
組の光分岐回路15a,15bの間に組込んだものであ
る。
できる新規な光増幅回路を提供する。 【構成】光増幅部11は希土類元素たとえばEr,Nd
がコアに添加されている増幅用光ファイバ12と該増幅
用光ファイバ12を励起する励起光を発生する半導体レ
ーザ(LD)13、及び信号光と励起光とを合波又は分
岐する合分波器14より成る。次に、光分岐回路15
a,15bは、2種類の波長帯の信号光を通過方向が逆
になるように、かつ互いに一方向のみ通過させる光導波
回路である。2台の狭帯域合分波器16a,16b又は
16c,16dと、全て同じ波長特性を持った光アイソ
レータ17a,17b又は17c,17dとよりなり、
アイソレーションは通常45dB〜60dB程度であ
る。本考案の光増幅回路は、上記光増幅部11を上記2
組の光分岐回路15a,15bの間に組込んだものであ
る。
Description
【0001】
本考案は、小型にして高い利得を有し、1.5μm帯の信号光を双方向に直接 増幅する光増幅回路に関するものである。
【0002】
従来、希土類元素であるエルビウム(以後Erと称す)ドープファイバ型増幅 器の構成は、図4に示すようなものであった。励起用高出力半導体レーザ1、該 レーザ1からの励起光と1.5μm帯の入力信号光とを合波する光合波器2、増 幅媒体となるErドープファイバ3、戻り光防止用の光アイソレータ4、励起光 を遮断し信号光のみを通過させる狭帯域フィルタ5からなっている。
【0003】 ここで半導体レーザ1としては、Erイオンの吸収波長帯に合致するInGa AsPレーザ(波長1.48μm)やInGaAs歪量子井戸レーザ(波長0. 98μm)等が用いられ、光合波器2としては、誘電体多層膜フィルタを適用し たバルク型光回路や融着延伸形の光ファイバカプラなどが用いられている。また 、増幅媒体となるErドープファイバ3は、コア部に微量の希土類元素であるE rを添加したもので、数10m〜数100m程度の長さで用いられ、その作製法 としては含浸法や気相成長法などがある。光アイソレータ4は、光回路やコネク タ接続部で発生する反射戻り光によるレーザ発振を抑制するために用いられ、狭 帯域フィルタ5は、自然放出光(ASE)等を除去して、信号光に対する雑音成 分の比率を小さくするために用いられている。以上の5つの部品は、光ファイバ 型増幅器を構成する上でいずれも欠かせないものであり、それゆえ、個々の部品 の特性に増幅器全体の特性が支配されるといえる。
【0004】
ところで、上記従来例において光アイソレータ4は、反射戻り光防止のために 不可欠なものであり、通常、順方向通過損失1.0〜1.5dBに対し、逆方向 通過損失45〜60dB以上のものが使用されている。そのため、図4に示した 光ファイバ型増幅器をファイバ伝送路の中継器として使用する場合、光アイソレ ータ4の順方向には信号光を通すが、逆方向には通さない。したがって、この回 路だけでは双方向通信が不可能で、双方向通信を行うためには、独立した2台の 光ファイバ型増幅器と2本の伝送路が必要となる欠点があった。
【0005】 また、図3に示すように、1本の伝送路でも双方向通信が可能な光増幅回路も 考えられるが、この場合でも、2台の光ファイバ型増幅器7a,7bが必要とな ることと、光等分岐器6a,6bを用いているため、利得で6dB・NF(nois e figure:雑音指数)で3bBの劣化が生じる欠点があった。
【0006】 本考案の目的は、前記した従来技術の欠点を解決し、信号光を双方向に、しか も十分な増幅度で増幅できる新規な光増幅回路を提供することにある。
【0007】
本考案は上記目的を達成するために、同一の特性をもつ2台の狭帯域光合分波 器と、信号光の通過方向が逆になるように平行に配した2台の光アイソレータを 接続した光分岐回路を2組用意し、該2組の光分岐回路の間に希土類元素ドープ ファイバ、励起用半導体レーザ、及び光合分波器よりなる光増幅部を組み込んだ ことを特徴とする光増幅回路によって達成される。それによって光増幅部が一つ でも双方向に増幅を可能にさせたものである。
【0008】 本考案における光増幅部としては希土類元素ドープファイバ、励起用半導体レ ーザ、及び光合分波器よりなり、希土類元素ドープファイバとしては例えばEr ,Ndがコア部に添加されている増幅用光ファイバである。この増幅用光ファイ バはたとえば石英系ガラスコアの周囲に屈折率がこれよりも小さい石英系ガラス クラッドを設けた構造を有しており、コア部には前出の希土類元素の他にAl等 の元素を同時にドープしてもよい。
【0009】 励起用半導体レーザとしては、増幅用光ファイバを励起する励起光を発生する 励起光源で、波長はたとえばEr添加ファイバを増幅用光ファイバとして用いる 場合は1.48μmや0.98μmのものが使用される。
【0010】 又合分波器とは信号光と励起光とを合波又は分波するものであるが、合分波特 性として例えば1.54μmと1.56μmの波長をアイソレーションが20d B以上で合分波している。
【0011】 本考案における光分岐回路とは2種類の波長帯の信号光を通過方向が逆になる ように、かつ互いに一方向のみ通過させる光導波回路であり、全て同じ波長特性 を持った狭帯域合分波器2台と、信号光を一方向のみ通過させる光アイソレータ 2台を接続することによって構成され、そのアイソレーションは通常45dB〜 60dBである。
【0012】 本考案の光増幅回路では一本の伝送路において、波長1.54μmと1.56 μmの信号をそれぞれ、通過方向が逆向きで増幅することが出来るため、この2 種類の信号光を用いれば一本の伝送路において、双方向で増幅が可能な光増幅器 を含む双方向伝送システムが構築できる。
【0013】
図1は本考案の光増幅回路の構成図である。同図において点線で囲まれた11 は光増幅部に関わる回路部分を表わし、この光増幅部は希土類元素たとえばEr ,Ndがコアに添加されている増幅用光ファイバ12と、増幅用光ファイバ12 を励起する励起光を発生する半導体レーザ(LD)13、及び信号光と励起光を 合波又は分波する合分波器14より成る。
【0014】 次に、光分岐回路15a,15bは、2種類の波長帯の信号光を通過方向が逆 になるように、かつ互いに一方向のみ通過させる光導波回路である。狭帯域合分 波器16a,16b又は16c,16dで、それぞれ全て同じ波長特性を持った 光アイソレータ17a,17b又は17c,17dよりなり、アイソレーション は通常45dB〜60dB程度である。また18a,18bは、本光増幅回路の 両端に設けられた光ファイバ接続用のコネクタである。
【0015】 次にこの光増幅回路全体の作用を説明する。
【0016】 光増幅部11中の半導体レーザ13により発生された波長1.48μmの励起 光は、合波器14を介して増幅用光ファイバ12に入射される。増幅用光ファイ バ12には、Erがドープされているので、Er元素のイオンが、励起光によっ て励起される。この場合、励起光が増幅用光ファイバ12に対して順逆いずれの 方向から入力されようとも、増幅用光ファイバ12に及ぼすポンピング作用は変 わらない。したがって、この状態で、1.55μm帯の信号光が増幅用光ファイ バ12に入射すると、この信号光が増幅用光ファイバ12中を進行する際に誘導 放出によって増幅される。ところで、この光増幅部11の前後に接続されている 光分岐回路15a,15b部には、同じ特性の狭帯域合分波器がそれぞれ16a ,16bと16c,16dが内蔵されている。狭帯域合分波器16a,16b, 16c,16dの合分波特性を図2に示す。1.54μmと1.56μmの波長 の光をアイソレーションが20dB以上で合分波している。そこで、接続用コネ クタ18aから入射した波長1.54μmの信号光は、狭帯域合分波器16aを 通過し、その合分波特性により光アイソレータ17a側へそのほとんどの光が送 られ、狭帯域合分波器16bを通過した後、光増幅部11に送られる。光増幅部 11を通過しながら、信号光は増幅され、狭帯域合分波器16cに送られる。増 幅された波長1.54μmの信号光は、16cの合分波特性により、光アイソレ ータ17c側へ、そのほとんどの光が送られ、狭帯域合分波器16dを介して接 続用コネクタ18bから出射される。この際、問題となる、接続部等で発生する 反射戻光は、光アイソレータ17cにより阻止されるため、光増幅回路11内で の発振等の現象は生じない。また、接続用コネクタ18bより波長1.56μm の信号光を入射させると、狭帯域合分波器16d,光アイソレータ17d,狭帯 域合分波器16c,光増幅回路11,狭帯域合分波器16b,光アイソレータ1 7b,狭帯域合分波器16aを介して接続用コネクタ18aより出射する。この 際、信号光は、光増幅回路11を通過する際に増幅されることは言うまでもない 。
【0017】 このように本実施例の光増幅回路では、波長1.54μmと1.56μmの信 号光をそれぞれ、通過方向が逆向きで増幅することができるため、この2種類の 信号光を用いれば、1本の伝送路において、双方向で増幅が可能な光増幅器を含 む、双方向伝送システムが構築できる。
【0018】
本考案によれば、1台の光増幅回路を用いて異なった波長の信号光を選択する ことで一本の伝送路による双方向型伝送システムが構築できるため、従来よりも 大幅に経済的なシステムとすることができ、また、構成部品も少なくなるため、 信頼性も向上する。
【図1】本考案の双方向伝送型光ファイバ増幅回路の回
路図。
路図。
【図2】狭帯域合分波器の損失波長特性。
【図3】従来の双方向伝送型光ファイバ増幅器の回路
図。
図。
【図4】従来の光ファイバ、増幅器の回路図。
【符号の説明】 1,1a,1b 励起用半導体レーザモジュール 2,2a,2b 励起光 信号光 合分波器 3,3a,3b 希土類元素ドープ増幅用光ファイバ 4,4a,4b 光アイソレータ 5,5a,5b 狭帯域フィルタ 6a,6b 光等分岐器 7a,7b 光ファイバ増幅部 11 光増幅部 12 希土類元素ドープ増幅用光ファイバ 13 励起用半導体レーザモジュール 14 励起光 信号光 合分波器 15a,15b 光分岐回路 16a,16b,16c,16d 狭帯域合分波器 17a,17b,17c,17d 光アイソレータ 18a,18b 接続用コネクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01S 3/07 8934−4M 3/094 // G02B 27/28 A 9120−2K
Claims (1)
- 【請求項1】同一の特性をもつ2台の狭帯域光合分波器
と、信号光の通過方向が逆になるように平行に配した2
台の光アイソレータを接続した光分岐回路を2組用意
し、該2組の光分岐回路の間に、希土類元素ドープファ
イバ、励起用半導体レーザ、及び光合分波器よりなる光
増幅部を組み込んだことを特徴とする光増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6341592U JPH0629162U (ja) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | 光増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6341592U JPH0629162U (ja) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | 光増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629162U true JPH0629162U (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=13228643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6341592U Pending JPH0629162U (ja) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | 光増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629162U (ja) |
-
1992
- 1992-09-10 JP JP6341592U patent/JPH0629162U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4301822B2 (ja) | 偏波モード分散補償機能を有する光増幅器 | |
| US12597752B2 (en) | Gain equalization in C+L erbium-doped fiber amplifiers | |
| KR20010042232A (ko) | 이득 평탄화 필터를 가진 광섬유 증폭기 | |
| JP2918794B2 (ja) | 光学増幅器 | |
| US6212000B1 (en) | Two-way optical amplifier module | |
| JP4798997B2 (ja) | 単一のポンプ装置から異なる一対のファイバに位置する光ファイバへポンプ・エネルギを分配する方法および装置 | |
| JP4411696B2 (ja) | 光カプラ、光増幅装置および光通信システム | |
| JPH04250681A (ja) | 多段光学増幅器 | |
| JP3591269B2 (ja) | 超広帯域波長分散補償デバイス | |
| US6175444B1 (en) | Bi-directional optical amplifier | |
| JPH11274625A (ja) | 光ファイバ増幅器とこれを用いた双方向光伝送用光増幅装置 | |
| JP2003518778A (ja) | Lバンドとcバンドの光増幅器 | |
| JP3129368B2 (ja) | 光信号伝送方法および中継増幅器 | |
| JP3052598B2 (ja) | 光増幅による双方向中継装置 | |
| WO2001076350A2 (en) | Broadband amplifier and communication system | |
| JPH0629162U (ja) | 光増幅回路 | |
| JPH1146167A (ja) | 光中継器 | |
| JPH1174595A (ja) | 光ファイバ増幅器 | |
| JP2694014B2 (ja) | 双方向光増幅伝送回路 | |
| JPH05315691A (ja) | 光ファイバ増幅回路 | |
| JPH0590973U (ja) | 光増幅回路 | |
| JP3290707B2 (ja) | 光増幅器 | |
| WO2025062579A1 (ja) | コア切替装置および光増幅システム | |
| JP2003198022A (ja) | 光増幅器及びそれを用いた光伝送システム | |
| JPH09312432A (ja) | 波長多重伝送用光ファイバ増幅器 |