JPH0629248A - プラズマエッチ方法及び装置 - Google Patents

プラズマエッチ方法及び装置

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JPH0629248A
JPH0629248A JP5017848A JP1784893A JPH0629248A JP H0629248 A JPH0629248 A JP H0629248A JP 5017848 A JP5017848 A JP 5017848A JP 1784893 A JP1784893 A JP 1784893A JP H0629248 A JPH0629248 A JP H0629248A
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wafer
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シアマク・サリミアン
Michelangelo Delfino
ミケランジェロ・デルフィノ
Bu-Chin Chung
ブ−チン・チャン
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 酸化シリコンを浄化する低温の急速ＥＣＲプ
ラズマのための改良されたＥＣＲ窓装置およびＥＣＲ処
理を提供することである。 【構成】 本方法は、反応チェンバー内で酸素の寄与が
ない環境をもつＥＣＲにおいて、水素およびアルゴンな
らびに特定の電子サイクロトロン共鳴ＥＣＲ動作パラメ
ータを用いて急速な酸化物エッチングをするための高電
子密度を有する低圧プラズマを利用する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
に関し、特に超高純度プラズ浄化および超純度材料エピ
タキシのための装置および方法に関する。
【０００２】
【従来技術】表面へのイオンの打ち込みは、プラズマエ
ッチング、反応イオンエッチング、そしてスパッタエッ
チングの重要な事項である。イオンの打ち込みはまた、
二次イオン質量分光計（ＳＩＭＳ）、低エネルギーイオ
ンスキャッタリング分光計（ＬＥＩＳ）のようないくつ
かの分析技術の重要な一部をなす。オージェ電子分光計
（ＡＥＳ）もまた、深さプロファイリングを維持するた
めの侵食を得るために、物理的スパッタリングするため
の低エネルギー不活性ガスを利用する。これらは非常に
重要な処理になってはきているけれども、イオン誘導表
面化学、表面近くの化学的、物理的、さらに電子的特性
の変更は非常に複雑で、依然として十分に理解されてい
ない方法である。このことにより、多くのプラズマエッ
チング処理は経験的に発展してきた。
【０００３】プラズマとは部分的にイオン化された擬中
性ガスをいう。それらはガスをイオン化するのに十分な
電場を印加することにより真空チャンバ内に生成するこ
とができる。パワー源はＤＣ電場、誘導性ＲＦコイル、
マイクロ波、あるいは容量性結合したＲＦ電場等であ
る。電子は他の粒子に対して小さな質量をもつことか
ら、このシステムで獲得するエネルギーのほとんどは最
初電子により吸収される。これらの高エネルギー電子は
他の粒子と衝突し、ガスをイオン化し、プラズマを維持
する。典型的なイオン化ポテンシャルは高く、その結果
分子、原子の大半は中性となっている。結局、ＤＣポテ
ンシャルはプラズマおよび近傍の誘電性表面との間に形
成され、いかなる他の非平衡を防止する。
【０００４】一般的に、半導体処理プラズマは熱非平衡
状態にあり、次の事柄により影響を受ける。
【０００５】（ａ）パワー−吸収パワーの増加により、
そのシースポテンシャルは生成されたイオンの数ととも
に増加する。プラズマ内にあるウェファは、増加したイ
オンエネルギーの打込みならびに増加したイオン束か
ら、誘導温度の増加を受ける。明らかに、基板へのダメ
ージはパワーが高くなるにつれより大きくなる。
【０００６】（ｂ）圧力 −より高い圧力で、より多く
のガス分子が利用可能となり、より高いイオン束となる
と一般的に信じられている。しかし、研究中にＥＣＲプ
ラズマ発生器において、低圧力の励起された水素の鋭い
生成ピークがあることを発見した。この発見により、こ
のピークの長所を利用して、低イオンエネルギーの急速
エッチングがなし得る。その結果、エネルギーをもつイ
オンにより通常生じた表面のダメージが回避される。こ
のような表面のダメージが重いイオンにより生じるけれ
ども、Ｈ+のような軽いイオンでもまた生じる。
【０００７】（ｃ）装置の形態−ＥＣＲ装置において、
基板の配置を含むチャンバーの幾何学形状、磁石の形
状、チャンバー材およびイオン密度の一様性のようなパ
ラメータはエッチング処理に影響を与える。
【０００８】反応ガス分子がエッチされる表面に浸透
し、サブサーフェースの結合（bond)を破壊し、あるい
はサブサーフェース原子の結合エネルギーを下げ、サブ
サーフェースにそれ自身結合することでその結合を置き
換え、それにより放出生成物がその放出温度で揮発的に
なるということを使って、いろいろなエッチガスによる
材料のさまざまなエッチング速度に対する説明がおこな
われなければならないと言われている。
【０００９】エネルギーをもったイオンが固体をたたい
たとき、そのエネルギーが一連の弾性衝突、ならびに電
子的および振動プロセスを通して表面近くの原子に移る
と信じられている。衝突によるカスケード効果がイオン
注入、結晶破壊、イオンの混合、物理的スパッタリング
を生じさせる。これらの効果は低エネルギーイオンの打
ち込みからも生じ得る。イオン混合は、ターゲット原子
がイオン衝突により配置換えされるプロセスで、そのプ
ロセスは跳ね返りおよびカスケードの寄与により破壊さ
れる。混合プロセスは揮発性生成物の形成を強めるとき
に重要になると信じられている。このことは、表面近傍
の原子が、表面のポテンシャルバリアを越え、真空注に
逃げるのに十分な表面に垂直方向の運動量の移動を受け
るというスパッタリングとは異なる。
【００１０】２つのタイプの装置がプラズマエッチング
のために非常にしばしば利用されている。この装置の１
つのタイプは、ＲＦ場により励起された共鳴空洞を利用
し、プラズマを誘導し、維持する。これらは比較的単純
な装置であるが、プラズマ密度およびイオンエネルギー
を別々に制御できず、したがって高パワーを必要とする
場合に高イオンエネルギーを縮小できないという困難性
をもつ。在来のＲＦ場（誘導性あるいは容量的に結合さ
れたもの）は低電子密度および高プラズマポテンシャル
により特徴付けされる。プラズマ生成装置の他のタイプ
は、プラズマを生成するためのマイクロ波共鳴空洞を利
用する。そのプラズマは空洞から出て離れた領域に流れ
る。これはダウンストリーム・マイクロ波プラズマと言
われている。ダウンストリーム・マイクロ波は低電子密
度、低プラズマポテンシャル、および高プラズマ圧力に
より特徴付けされる。この理由から、電子サイクロトロ
ン共鳴（ＥＣＲ）マイクロ波プラズマ装置はエッチング
の応用においてよりポピュラーなものとなってきた。Ｅ
ＣＲ装置は低イオンエネルギーで圧力が低く、イオン密
度が高いものを提供し、そのイオンエネルギーは基板バ
イアスにより制御され得るし、プラズマポテンシャルも
また低い。
【００１１】磁場中で動く電子は、電子の動きの方向に
直角に力を生じさせる磁場により作用を受ける。その結
果、固定した磁場に入る電子は曲線路をたどる。その曲
率半径は磁場の強度の逆の関数となる。電子の回転の周
波数、ｗがｗ＝２．８×１０6Ｂcycles/secで表され、
ここでＢ（の単位）はガウスである。これは電子サイク
ロトロン共鳴周波数として知られている。本発明におい
て、ＥＣＲプラズマ発生器は８７５ガウスの磁場、対応
するサイクロトロン周波数は２．４５ＧＨｚとなるよう
に設計されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ここ数年、集積回路の
線の幅の減少、装置の密度の増加という要求により、そ
の業界は集積されたクラスタツールとして言われる製造
装置を注目している。集積されたクラスタルーツは多重
チャンバー真空装置であり、その装置において作動チャ
ンバーが中央移送チャンバーのまわりに配置され、各作
動チャンバーが真空ロックを形成する一対のゲートバル
ブにより中央移送チャンバーから分離される。動作中、
半導体ウェファは一つの作動チャンバー内で処理され得
る一方で、クラスタルーツの残部は他のどの作動チャン
バーの環境からも隔離される。ウェファの処理が特定の
作動チャンバー内で完了した後で、そのウェファは二重
ゲートバルブを通って移送チャンバーへと自動的に通過
し、他の二重ゲートバルブを通って続く作動チャンバー
へと自動的に通過する。この集積されたクラスタルーツ
により複数のいろいろな作動チャンバーが中央移送チャ
ンバーのまわりで“群がる（クラスタ）”ことができ、
ウェファを周囲、あるいはクリーンルームを通過させる
いう条件を課すことなく、多くの必要とされる処理をウ
ェファになすことがことができる。クリーンルーム内の
粒子量を、最新の集積回路の密度に対して要求される許
容範囲まで制御することが、ほとんど不可能であり実施
不能であることは知られている。
【００１３】クラスタルーツの重要性が増加するので、
ウェファ上になすエッチ処理工程に要求される時間を減
少させることが商業上重要となってきている。以前は、
多くのウェファは大きな炉内で同時に処理された。高真
空条件、機械的な移送条件のため、クラスタルーツ作動
モジュールは一般的に一度に１枚のウェファのみを処理
する。二重の同一モジュールが移送チャンバーの回りに
（群がるように）取り付け得るけれども、クラスタルー
ツは基本的に連続処理システムで、各工程の処理時間は
全体処理速度に直接影響を与える。
【００１４】
【課題を解決するための手段】シリコン表面を不動態化
する間にシリコンから酸化シリコンを非常に急速にエッ
チするために、高密度、低シースポテンシャル、低圧力
のＨ2またはＨ2／Ａｒプラズマを使用する処理を説明し
てきた。本発明の処理は、表面にダメージを与えること
なく６０秒以下でシリコン表面から負の酸化物を完全に
除去する。プラズマチャンバー内の酸素源を不動態化ま
たは除去することが重要であるが分かった。この目的の
ため、本発明のＥＣＲチャンバーのマイクロ波窓はコー
トされた。本発明のＥＣＲ酸化物クリーニング処理と集
積されたクラスタルールと組み合わせることで、非常に
クリーンなＳｉウェファを酸化物の再成長なく、窒化処
理炉へと通過させ、次に前に成長した窒化シリコン層の
純度を越えたＳｉ上に化学量論的Ｓｉ3Ｎ4を続いて成長
させることができる。
【００１５】本発明の目的は、酸化シリコンを浄化する
低温の急速ＥＣＲプラズマのための改良されたＥＣＲ窓
装置およびＥＣＲ処理を提供することである。
【００１６】本発明の他の目的は、集積されたクラスタ
ツール内で集積回路ウェファを実用的に製造するために
十分な早さで酸化シリコンを浄化する処理を提供するこ
とである。
【００１７】さらに、本発明の他の目的は、クラスタツ
ールおよび窒化炉と一緒になって、酸素、水素および炭
素が０．０１％以下しかない化学量論的Ｓｉ3Ｎ4膜の成
長処理を可能にするＥＣＲ酸化シリコン浄化処理を提供
することである。
【００１８】
【実施例】図１を参照すると、我々の発明した方法を用
いた改良されたプラズマチャンバー装置の略示線図が示
されている。我々の仕事には低圧力、高密度電子、低シ
ースポテンシャルプラズマが必要であり、我々はプラズ
マをもたらすためにＥＣＲリアクターを使用した。導波
管５を介してチューナー３１を通り、ＲＦ発生器３から
適切なサイクロトロン共鳴周波数でのマイクロ波のイン
ポジションによって電子サイクロトロン共鳴がチャンバ
ー１内に誘導される。マイクロ波は前記チューナー３１
はを通ってマイクロ波絶縁窓４を通り、チャンバー内に
誘導される。磁石２からの磁場はチャンバー１内のガス
中の電子を電子が極めて迅速にマイクロ波からエネルギ
ーを吸収することが可能であるようなマイクロ波と同じ
周波数で回転させる。一つの磁石コイル２が図示されて
いる。好適な実施例では一つ以上の磁気コイルが使用さ
れるが、それは本願発明にとって重要なことではない。
励起された電子はチャンバー内の如何なるガス分子とも
激しく衝突し、もし圧力とパワーの条件が正しければ、
多くのガスが準中性のプラズマをもたらしながらイオン
化される。該プラズマ中では、幾つかの分子はたたき落
とされたそれらの電子を有することでイオン化され、他
の分子は非荷電状態が維持される間、僅かに励起され
る。プラズマを維持し、チャンバー１内で起こる様々な
反応を支持するためのガスが管１３及び１１を介してチ
ャンバー中に導入される。チャンバー１の周りを取巻い
ているものはチャンバー１を冷却するための環状流体チ
ャンバー３３である。管１２及び１４が冷却液を冷却チ
ャンバーに出し入れする。ガスインプット線１３が数個
の質量流量制御器に接続されたミキシング“Ｔ”１７に
接続されており、また１７はインプット線１８及び１９
に接続されたガス源からの流量を制御するために平行に
接続されている。ウエファ１０が基板ホルダー９に置か
れているところが示されているが、該ホルダーは冷却及
び加熱コンジット（図示せず）を有してもよく、その何
れもがプラズマカラム内に取付けられている。基板ホル
ダー９の軸線方向の位置は調節可能であり、使用される
各ガスについて経験的に調節される。時折、処理領域の
チャンバー直径にわたってイオン束密度を均一にするた
めに、磁場収束磁石２０が基板ホルダー９の下に設けら
れ、磁力線を変化させる。チャンバー１の底部に連結し
て示されているのは大容量高真空ポンプ８である。導線
２１を介して基板ホルダーに接続されているのはウエフ
ァ１０をバイスするための回路である。ＲＦバイアス発
生器２３とＲＦ整合ネットワークがインダクター２５と
ＤＣ電源２６を含むＤＣバイアス回路と並列に接続され
ている。図２のクラスターツールの連結移送チャンバー
が示されており、前記クラスターツールはそれをＥＣＲ
プラズマチャンバー１から分離するための真空ゲートバ
ルブ３０及び６を含む。全ウエファ１０がクラスターツ
ール４１からの移送アーム４１（図２）によってチャン
バー１に出し入れされる。前記移送アームは一対のゲー
トバルブ３０と６を通る。図２を参照すると、処理のた
めウエファを前後に通すＥＣＲ４２が新規のクラスター
ツール４１に連結されている。二重ゲートバルブ７′を
介してクラスターツールに連結されているのは例えば急
速熱処理（ＲＴＰ）反応器４９のような他のモジュール
であり、前記反応器４９にはＲＴＰ処理装置４５及びＲ
ＴＰガスボックス５０が連結されている。二重ゲートバ
ルブ７′を介して一対のスッパタモジュール４６及び４
７もクラスターツールに連結されており、前記スッパタ
モジュールは集積回路の電流経路のデポジット・メタラ
イゼーションのために使用される。研究環境の中で、我
々はＸ線光電子スペクトロメータ（ＸＰＳ）と静的二次
イオン質量スペクトロメータ（ＳＳＩＭＳ）を含む分析
モジュール４８を連結した。クラスターツールの電流モ
ジュールの周囲に連結できるモジュールの数の上での制
限は、二次ゲートバルブ７′に要求されるアパーチャの
直径とクラスターツールの周囲の大きさによって決定さ
れる。ゲートバルブ直径は処理されるウエファな直径に
よって決定される。
【００１９】窓４の好適実施例が図３に示されている。
プラズマチャンバーに面した窓４の側面は、プラズマチ
ャンバー内で用いられるガスによるエッチングに耐える
物質で被覆されている。誘電性ディスクはしばしば水晶
である。しかし、我々はこの通常の窓材料が我々の酸化
物エッチング処理で使用される励起されたＨ種によっ
て、より早くエッチされることを発見した。水晶から除
去された酸素は、しばしば、処理中のウエファ１０のシ
リコン表面に酸化物として再度デポジットされる。この
問題を避けるために、酸素エッチの間、反応器からでき
る限り多くの酸化物源を除去することが重要である。従
って、我々は我々のプラズマガスによってエッチされな
い窓、即ち、エッチの間にチャンバー内の酸化物の導入
を無くすような被覆又はパッシベイト（passivated）さ
れた窓を使用した。ＥＣＲ反応器チャンバー物質はステ
ンレススチール、即ち３１６５５、アルミニューム及び
アルミナである。
【００２０】実施例においては、マイクロ波窓水晶ディ
スク上に３ミリの厚さの火炎溶射アルミナＡlＯxの層を
使用した。この層はマイクロ波が低い反射損失でチャン
バーに入ることを可能にすることが証明されており、ま
た、その層はその表面から容易に熱を放射し、酸化物の
放出の防止を可能にする。好適実施例においては、窓の
冷却はその周囲の環状冷却液流によって促進される。
【００２１】図１、２及び３に関連して記載したＥＣＲ
装置に関して我々は純水素又は僅かなパーセンテージの
アルゴンバッファガスの混合された水素を用いるプラズ
マ処理を発見した。前記水素又は僅かなパーセンテージ
のアルゴンバッファガスの混合された水素はウエファバ
イアスなしに即ち、純水素で４秒また５パーセントのア
ルゴンを含んだ水素で１秒２００℃以下の温度でもって
自然酸化物層を急速に取り除く。自然酸化物は２５Å以
下の厚さであり、本質的に完全なる酸化物の除去はイン
シトゥー(in-situ)Ｘ線光電子スペクトロメータ（ＸＰ
Ｓ）及びインシトゥー静的二次イオン質量スペクトロメ
ータ（ＳＳＩＭＳ）を用いることにより、影響されるこ
とを立証した。
【００２２】実験を通して、プラズマ圧力が２．５ｍＴ
の１００％Ｈ2ガスプラズマは励起されたＨ+種の生産物
にＨ+、Ｈ2 +及び熱的に励起された中性のＨ2を含む期待
しないピークが現れることを発見した。我々はまた、約
６００ワットのネットマイクロ波パワー（ここでネット
パワーは入射−反射パワーである。）の我々の装置にお
いてＳiＯ2除去の比における非常に鋭い増加があること
を発見した。我々の高除去率は下にあるシリコンに認め
られるようなダメージを与えることなく得られることを
証明した。純水素の４分間のエッチ時間は１.２ＫＷマ
イクロ波パワーで得られ、５％Ａr及び９５％Ｈ2の１分
間のエッチ時間は１.３７ＫＷで得られた。操作ベース
圧力は７×１０8トールである。我々は１分間の自然酸
化物エッチ時間が、単に短い要求露出時間のためにコマ
ーシャルプロセスについて選択的であることを期待す
る。
【００２３】図４には我々のＥＣＲチャンバーで得られ
た試験結果がプロットされており、各プラズマ圧力、即
ち２.５ミリトールの励起されたＨ２種における鋭いピ
ーク６０が示されている。これらの結果は一定の１.０
ＫＷで得られ、水素原子の６５３.６ｎｍ線の相対的放
射強度の測定によって得られる。これは、この線発射が
基底状態原子の励起から生じることを仮定している。ピ
ーク６０は図５に示された最大エッチ率６１の点におけ
る圧力に対応する。励起されたＨ種ピークは明らかに同
一のプラズマ圧力での電子の集中の最大値と一致する。
我々のプロセスに必要とされるだけの水素イオン数を得
るために、高い電子密度、即ち、１×１０11電子／ｃｍ
3の電子密度が明らかに必要である。
【００２４】６０秒のＥＣＲ露出後の原子酸素対シリコ
ン比におけるプラズマ圧力の効果が図５に示されてい
る。２.５ミリトールでの放物線形状の最小値６１は除
去された酸素、即ち最も低いＯ／Ｓi比の量の酸素を反
射する。それ以降酸素除去率は突然に減少する１４ミリ
トール位まで圧力に鈍感である。オリジナルの自然Ｏ/
Ｓi比が６３であるときは、それらの圧力で除去される
酸化物はない。Ｏ／Ｓi比はSurface science X-ray光電
子スペクトロメータを用いて得られた。集積されたＯ１
ｓ遷移は５３２.４eＶで、１５１eＶでコアレベルＳi２
ｓ遷移から得られるシリコン集中に関して正規化され
る。
【００２５】図６に示されるように一定圧力２.５ミリ
トールでの６０秒露出についてのＯ／Ｓi比対ネットマ
イクロ波パワーの関係において、予期しない不連続性６
２が存在する。酸素除去率の２つの別個のレイジーム(r
egimes)は６００ワット近くの鋭い遷移によって分離さ
れる。約１.０ＫＷのパワーレベルでの酸素除去率の相
対的感度は現実的重要性であり、高パワーでの広い処理
範囲を可能にする。
【００２６】我々はまた、我々の処理によってエッチさ
れた表面が明らかにＳi表面ボンディング位置への水素
ボンディングによって不能動化されたものと分かった。
特に、ＥＣＲ Ｈ2プラズマ清浄化ウエファは３×１０9
トールで７２時間保管されたとき、少量の炭素吸収が検
出されたが、Ｏ2又はＨ2Ｏの如何なる吸収もないであろ
う。室温に５分さらされたとき、我々の処理したウエフ
ァ比Ｏ／Ｓiは僅か０.０２５だけ増加する。酸化物生成
のこのゆっくりとした速度は商業的取扱いにおいて有益
である。ＥＣＲ Ｈ2プラズマ清浄化Ｓi表面のネガティ
ブ二次イオン質量スペクトルは最強ピークとして1Ｈ-を
示しており、それは次に高いピーク（２８Ｓi16Ｏ）よ
りも大きい大きさのオーダーである。1Ｈ-／16Ｏ及び1
Ｈ-／12Ｃの強度比はそれぞれ２０及び３２である。分
子の種類に関して、強度比は1Ｈ-／（28Ｓｉ1Ｈ)- は２
３であり、16Ｏ-／(28Ｓｉ16Ｏ)-は２７である。非常に
安定性のある(16Ｏ1Ｈ)-は検知されないので、我々は水
素及び酸素原子の大部分が直接シリコンに付着し、清浄
化された表面は水素で被覆され、また、１０15Ｏ原子／
ｃｍ2と１０16Ｃ原子／ｃｍ2で汚染されると推断する。
我々は清浄化の間にＳｉ格子に拡散する十分な量の水素
の不足を検知する。それは低イオンエネルギー及び従来
よりも低い基板温度の結果に起因すると考える。
【００２７】図７は一定のゼロバイアスでのプラズマ中
における原子百分率の関数に従ったほぼ２５Åの厚さの
自然酸化物のＨ2プラズマエッチについて、Ｏ／Ｓi＝Ｏ
に達するエッチ時間の間に見いだされた関係を明示して
いる。最高エッチ率である点７０は、アルゴンが５％で
２５Å／分付近に現れる。我々は５原子パーセントのよ
うなアルゴンの微少量が純粋なＨ2プラズマについての
自然酸化物エッチ時間を２４０秒から６０秒に減じるこ
とを知っただけではなく、この微少量のアルゴンを伴っ
たプラズマにおいてより良い安定性を知った。実験にお
けるＨ2及びＡrの流量は、毎分１５及び１標準立法セン
チメートル（ＳＣＣＭ）即ち約７パーセントの流量比で
あった。ガス混合体の分圧はそれらの相対流量の測定値
である。分圧の和が全圧である。従って、水素の分圧
［Ｈ］とアルゴンの分圧［Ａr］を加えると全圧にな
る。アルゴンの圧力の全圧に対する比［Ａr］／
（［Ｈ］＋［Ａr］）は原子百分率の比である。
【００２８】ネットマイクロ波パワーは最大エッチ量に
ついての１３７５ワットのＡr／Ｈガスについて僅かに
高く、圧力はほぼｐ＝４.０ミリトールであった。我々
は熱的に作られた５％のアルゴン／Ｈ2混合体について
の最大エッチ量の酸化物が２.２ミリトールで現れるこ
とも分かった。
【００２９】改良されたＥＣＲプラズマチャンバーと本
発明の方法を使用することで、水素によって不動化され
た超清浄化されたシリコン表面を得ることが可能になっ
た。開示したタイプのクラスターツールに関して、ＥＣ
Ｒプラズマ清浄化シリコンウエファは〈１１１〉及び
〈１００〉シリコン上に酸素、水素及び炭素の０.０１
％以下の超純粋な化学式Ｓi3Ｎ4どおりのフィルムを成
長させることができることが分かった。二つのステップ
処理はＥＣＲ励起Ｈ2プラズマ中で表面を清浄化するス
テップと、ウエファを真空中で第二モジュールに通すス
テップから成り、該モジュールでウエファは１０７０℃
で２分間ＮＨ3にさらされてニトロ化が促進される。
〈１１１〉Ｓi上に作られたフィルムは６３３ｎｍの光
りに対して２.０１の屈折率を有するほぼ５ｎｍの厚さ
である。これらのフィルムは１０５０℃で６時間乾燥Ｏ
2に耐え、表面にＡlの層を作ることによってこのような
フィルムから作られるキャパシターの平均破損フィール
ドは約９ＭＶ／ｃｍである。我々は総ての従来技術にお
いてＳiのＳi3Ｎ4フィルムにＯ，Ｈ又はＣの汚染がある
ことに気が付いた。我々の層の超純度はスパッタデプス
プロファイリングと組んで使用されるインシトゥＸ線光
電子分光学及びインシトゥ静二次イオン質量分光学（Ｓ
ＳＩＭＳ）によって証明された。
【００３０】我々の窒化作用実験は図２に従ったバリア
ンＭ２０００単一ウエファ・マルチチャンバー・クラス
ターツールにおいて実行された。シリコンウエファ・サ
ンプルは直径１２.５ｃｍ、ｎタイプ、０.１オーム-ｃ
ｍの〈１１１〉Ｓiであり、ＥＣＲ励起Ｈ2プラズマに１
０分間さらされた。マイクロ波パワーは１.０ＫＷであ
り、プラズマ圧力は２.５ｍトールであった。
【００３１】クリーニングの後に基板は真空の中を急速
温度処理モジュール４５（図２）に移され、そこで、３
０℃／秒で１０７０℃の温度変化を受け、１７トールの
ＮＨ3の中で２分間保持された。チャンバーんベース圧
力は２×１０-7トールである。その後、窒化Ｓiウエフ
ァは真空中で分析モジュールに移されて、そこでＸＰＳ
及びＳＳＩＭＳデータが逐次取られた。モジュール間の
移送は８×１０-8トールで１分以内に行われた。
【００３２】Ｎ 1s，Ｓi 2p，Ｓi 2s，Ｏ 1s，及びＣ 1
sの追跡で発生したデプスプロファイルは３ｋｅＶでの
間欠的なＡrイオンスパッタリングの後の変化である。
デプスプロファイリングの間、如何なる識別可能なＯ 1
s又はＣ 1sも見られなかった。０.１％のＸＰＳ感度を
仮定すると、この結果はより早い時期の仕事の純度にお
ける大きさの改良のオーダーを示す。加えて、ポジティ
ブ（1Ｈ，12Ｃ，14Ｎ，28Ｓi,29Ｓi,30Ｓｉ）及びネガ
ティブ（1Ｈ，16Ｏ）二次イオン質量インテンシティー
が静モードでおよそ０.２ｎＡ／ｃｍ2の電流密度で動作
するＡrイオンガンによって記録された。12Ｃ+，1Ｈ-，
及び16Ｏ-インテンシティーは真空バックグランドの３
０％は超えない。妥当な二次イオン感度要素はフィルム
の０.０１％以下の不純物であると仮定する。直径が２
００μｍの円形Ａl／Ｓi3Ｎ4／Ｓiキャパシターは厚さ
３μｍの熱酸化物を含む接触開口に作られる。Ａl電極
に供給された正のバイアスによって測定された典型的な
電流−電圧トレーシングは、５ｎｍフィルム厚を仮定す
る９ＭＶ／ｃｍのブレイクダウンフィールド（breakdow
n field）によって特徴付けられる。そのフィルムは３
Ｖでおよそ１０-4Ａ／ｃｍ2の電流密度を有する。ブレ
イクダウンは３ＭＶ／ｃｍ低く、漏れ電流は他の熱Ｓi3
Ｎ4層よりも数オーダー高い大きさである。この特性が
フィルムの高純度によるものかどうかはまだ分からな
い。
【００３３】タングステン及びチタン被覆に関するもう
一つの本発明の実施例は進行中である。タングステン被
覆は高密度のＩＣに非常に望ましい。しかし、アクティ
ブＳi表面上の残余層のためにこれらの耐久性金属をＳi
上に向けてデポジットすることは難しい。従って、ＷＳ
ix又はＴiＳixのデポジション又は複合ケイ化物形成処
理が必要でった。我々のエッチング処理は酸素、炭素及
び窒素超酸化物自由表面となるので、我々は中間にケイ
化物を作ること、いわゆるブランケット及び選択タング
ステンＣＶＤに関する中間ケイ化物のデポジットの必要
性なしに耐久金属との良好なオーム接触を得ることとデ
ポジットが成功することを信じる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＥＣＲプラズマ装置の略示図である。
【図２】典型的な集積されたクラスタルーツを示す。
【図３】ＥＣＲ装置のマイクロ波窓の断面を示す
【図４】プラズマ圧の関数で励起されたＨ密度を示すグ
ラフである。
【図５】プラズマ圧の関数でＯ／Ｓｉ比を示すグラフで
ある。
【図６】マイクロ波のパワーの関数でＯ／Ｓｉ比を示す
グラフである。
【図７】Ａｒ／Ｈ原子百分率比の関数でＯ除去時間を示
すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ミケランジェロ・デルフィノ アメリカ合衆国カリフォルニア州ロス・ア ルトス、ノース・サン・アントニオ・ロー ド650 (72)発明者 ブ−チン・チャン アメリカ合衆国カリフォルニア州サラト ガ、ゼルマ・アベニュー20315

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 高電子イオンビームボンバードを用いる
    ことなしに、同時に低温度でシリコンウエファを急速エ
    ッチングし、パッシベイティングするための高電子密度
    のシースポテンシャル装置を操作する方法であって、 ａ） シリコン基板を収容した前記エッチング装置の排
    気されたプラズマチャンバー中にＨ2及びＡrから成るガ
    スを流入させるステップ及びＨ2の濃度がＡrの濃度より
    もずっと大きくなるようにＨ2及びＡrの流量を選択する
    ステップ、 ｂ） プラズマチャンバー内の前記ガスの電子サイクロ
    トロン共鳴を励起し前記チャンバー内にプラズマを形成
    するために、十分なネットマイクロ波パワーを供給する
    ステップであって、前記パワーがＯ2除去量対前記プラ
    ズマチャンバーのためのパワーの曲線中の不連続領域よ
    りも高いところのステップ、並びに、 ｃ） 励起された水素種の最大濃度が発展されると決め
    られた予め定められた圧力とほぼ等しくプラズマチャン
    バー圧力を設定するステップ、 とから成る方法。
  2. 【請求項２】 ネットマイクロ波パワーレベルが６００
    ワットよりも大きいところの請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記プラズマチャンバーの前記予め定め
    られた圧力が２.２トールのオーダーであるところの請
    求項２記載の方法。
  4. 【請求項４】 アルゴン／水素流量の比がほぼ１：７で
    あるところの請求項１記載の方法。
  5. 【請求項５】 円筒状のプラズマ発生チャンバーに連結
    されたマイクロ波発生器を有するＥＣＲプラズマ処理装
    置であって、前記プラズマ発生チャンバーが強固定磁場
    内にあって、該磁場の最大強度が前記円筒状プラズマ発
    生チャンバーの軸線に沿ってあり、前記プラズマ発生器
    チャンバー内部領域が誘電性マイクロ波窓によって前記
    マイクロ波発生器から絶縁されており、磁場のマイクロ
    波周波数及び強度が電子サイクロトロン共鳴を誘導する
    のに適しているところのＥＣＲプラズマ処理装置におい
    て、 前記誘電性マイクロ波窓がそこからの酸素の漏れとプラ
    ズマエッチングを不可能にするために非水晶の誘電性表
    面を有することを特徴とする装置。
  6. 【請求項６】 前記マイクロ波窓がアルミナの緩衝層に
    よってコートされているところの請求項５記載の装置。
  7. 【請求項７】 前記アルミナ緩衝層がほぼ３ミル（ほぼ
    ２.５４×１０-3センチメートル）の厚さであるところ
    の請求項６記載の装置。
  8. 【請求項８】 前記誘電性窓がアルミナの固体ディスク
    であるところの請求項５記載の装置。
  9. 【請求項９】 シリコンウエファ上に超高純度Ｓi3Ｎ4
    フィルムを作るために高電子密度の低プラズマシースポ
    テンシャルプラズマ発生装置を含む集積されたクラスタ
    ーツールを使用するための方法であって、 ａ） 窒化する前記ウエファを励起されたＨ2プラズマ
    を使用する前記ＥＣＲプラズマ発生装置内に置くことに
    より前記シリコンウエファの表面をクリーニングするス
    テップ、並びにｂ） 前記クリーニングの後に前記シリ
    コンウエファを真空状態で真空絶縁デポジット装置に通
    すステップであり、該装置で前記ウエファが高温に加熱
    され、窒化のためにＮＨ3にさらされるところのステッ
    プ、 から成り、 前記クリーニングステップが最大励起水素種が発生し、
    電子サイクロトロン共鳴を励起するのに十分大きなネッ
    トパワーレベルで前記ＥＣＲを操作するステップを含
    み、前記パワーレベルが酸素除去量対前記ＥＣＲチャン
    バーに現れるネットパワーの不連続領域よりも大きいと
    ころの方法。
  10. 【請求項１０】 窒化のための前記温度が１０００℃以
    上であり、前記ＮＨ3にさらされる時間が１分よりも大
    きいところの請求項９記載の方法。
  11. 【請求項１１】 Ｈ2プラズマがアルゴンの小さな流量
    を含むところの請求項９記載の方法。
  12. 【請求項１２】 ＥＣＲプラズマチャンバーの内側をパ
    ッシベイティングする前記ＥＣＲ装置内のプラズマを初
    期化する前に、操作の間の酸素のチャンバー寄与を不可
    能にするためのステップを含む請求項１記載の方法。
  13. 【請求項１３】 酸素を妨げるためのパッシベイティン
    グのステップがマイクロ波を通す耐エッチ物質で前記Ｅ
    ＣＲのチャンバーのマイクロ波窓をコーティングするス
    テップを含むところの請求項１２記載の方法。
  14. 【請求項１４】 ＥＣＲプラズマチャンバーの内側をパ
    ッシベイティングする前記ＥＣＲ装置内のプラズマを初
    期化する前に、操作の間の酸素のチャンバー寄与を不可
    能にするためのステップを含む請求項９記載の方法。
  15. 【請求項１５】 パッシベイティングのステップがマイ
    クロ波を通す対エッチ物質によって前記ＥＣＲのチャン
    バーのマイクロ波窓をコーティングするステップを含む
    ところの請求項１４記載の方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0684637A3 (en) * 1994-05-27 1996-09-25 Toshiba Kk Semiconductor component with thermal nitride film and method for its production.
US7655549B2 (en) 2005-02-25 2010-02-02 Canon Anelva Corporation Method for depositing a metal gate on a high-k dielectric film

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5376223A (en) * 1992-01-09 1994-12-27 Varian Associates, Inc. Plasma etch process
JP2833946B2 (ja) * 1992-12-08 1998-12-09 日本電気株式会社 エッチング方法および装置
JP3365067B2 (ja) * 1994-02-10 2003-01-08 ソニー株式会社 プラズマ装置およびこれを用いたプラズマ処理方法
JPH09205254A (ja) * 1996-01-26 1997-08-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法および半導体製造装置並びに半導体レーザの製造方法
CH692446A5 (de) * 1996-04-15 2002-06-28 Esec Sa Verfahren zur Herstellung von Werkstücken und von Teilen hierfür
US5667592A (en) * 1996-04-16 1997-09-16 Gasonics International Process chamber sleeve with ring seals for isolating individual process modules in a common cluster
US5863170A (en) * 1996-04-16 1999-01-26 Gasonics International Modular process system
US5855465A (en) * 1996-04-16 1999-01-05 Gasonics International Semiconductor wafer processing carousel
US6267074B1 (en) * 1997-02-24 2001-07-31 Foi Corporation Plasma treatment systems
KR100258875B1 (ko) * 1998-01-15 2000-06-15 김영환 다층배선용 비아형성방법
FR2775986B1 (fr) * 1998-03-10 2000-05-05 Air Liquide Procede et installation de traitement de surface d'une piece metallique
US6232219B1 (en) 1998-05-20 2001-05-15 Micron Technology, Inc. Self-limiting method of reducing contamination in a contact opening, method of making contacts and semiconductor devices therewith, and resulting structures
US6352941B1 (en) * 1998-08-26 2002-03-05 Texas Instruments Incorporated Controllable oxidation technique for high quality ultrathin gate oxide formation
US6156606A (en) * 1998-11-17 2000-12-05 Siemens Aktiengesellschaft Method of forming a trench capacitor using a rutile dielectric material
US6277199B1 (en) * 1999-01-19 2001-08-21 Applied Materials, Inc. Chamber design for modular manufacturing and flexible onsite servicing
US6375790B1 (en) 1999-07-19 2002-04-23 Epion Corporation Adaptive GCIB for smoothing surfaces
US6399507B1 (en) 1999-09-22 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Stable plasma process for etching of films
US6635117B1 (en) * 2000-04-26 2003-10-21 Axcelis Technologies, Inc. Actively-cooled distribution plate for reducing reactive gas temperature in a plasma processing system
US6777045B2 (en) * 2001-06-27 2004-08-17 Applied Materials Inc. Chamber components having textured surfaces and method of manufacture
US6656535B2 (en) 2001-12-21 2003-12-02 Applied Materials, Inc Method of fabricating a coated process chamber component
US7026009B2 (en) * 2002-03-27 2006-04-11 Applied Materials, Inc. Evaluation of chamber components having textured coatings
US7041200B2 (en) * 2002-04-19 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Reducing particle generation during sputter deposition
US7964085B1 (en) 2002-11-25 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Electrochemical removal of tantalum-containing materials
US6902628B2 (en) * 2002-11-25 2005-06-07 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a coated process chamber component
US20060105182A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-18 Applied Materials, Inc. Erosion resistant textured chamber surface
US7910218B2 (en) * 2003-10-22 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings
US6965287B2 (en) * 2004-03-31 2005-11-15 Tokyo Electron Limited Low reflection microwave window
US20050238807A1 (en) * 2004-04-27 2005-10-27 Applied Materials, Inc. Refurbishment of a coated chamber component
US7157375B2 (en) * 2004-08-25 2007-01-02 Agere Systems, Inc. Methods of downstream microwave photoresist removal and via clean, particularly following Stop-On TiN etching
US7670436B2 (en) 2004-11-03 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Support ring assembly
US7579067B2 (en) 2004-11-24 2009-08-25 Applied Materials, Inc. Process chamber component with layered coating and method
US8617672B2 (en) 2005-07-13 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Localized surface annealing of components for substrate processing chambers
US7762114B2 (en) 2005-09-09 2010-07-27 Applied Materials, Inc. Flow-formed chamber component having a textured surface
US9127362B2 (en) 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
US8647484B2 (en) 2005-11-25 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Target for sputtering chamber
US20080092806A1 (en) * 2006-10-19 2008-04-24 Applied Materials, Inc. Removing residues from substrate processing components
KR100954116B1 (ko) * 2006-11-06 2010-04-23 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 리세스패턴 형성방법
US7981262B2 (en) 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber
US20080196661A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Brian West Plasma sprayed deposition ring isolator
US7942969B2 (en) 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
US7935618B2 (en) * 2007-09-26 2011-05-03 Micron Technology, Inc. Sputtering-less ultra-low energy ion implantation
JP2010153508A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Hitachi High-Technologies Corp 試料のエッチング処理方法
US8487440B2 (en) * 2010-07-09 2013-07-16 Infineon Technologies Ag Backside processing of semiconductor devices
US9553016B2 (en) 2010-07-09 2017-01-24 Infineon Technologies Ag Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof
CN106575598B (zh) * 2014-08-01 2020-04-28 安捷伦科技有限公司 质谱仪的等离子体清洁
US10541118B2 (en) * 2016-03-21 2020-01-21 Board Of Trustees Of Michigan State University Methods and apparatus for microwave plasma assisted chemical vapor deposition reactors
CN113422290B (zh) * 2021-08-24 2024-05-14 度亘激光技术（苏州）有限公司 半导体结构钝化方法及设备

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2555362B1 (fr) * 1983-11-17 1990-04-20 France Etat Procede et dispositif de traitement d'un materiau semi-conducteur, par plasma
JPS6231112A (ja) * 1985-08-02 1987-02-10 Fujitsu Ltd マイクロ波プラズマ反応装置
US5038712A (en) * 1986-09-09 1991-08-13 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus with layered microwave window used in microwave plasma chemical vapor deposition process
JPH0748487B2 (ja) * 1987-03-10 1995-05-24 富士通株式会社 乾式薄膜加工装置
JPS63226929A (ja) * 1987-03-17 1988-09-21 Fujitsu Ltd マイクロ波透過窓
JPS6443950A (en) * 1987-08-10 1989-02-16 Nippon Telegraph & Telephone Microwave ion source
US5024716A (en) * 1988-01-20 1991-06-18 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus for etching, ashing and film-formation
JPH03212938A (ja) * 1990-01-18 1991-09-18 Seiko Epson Corp シリコン窒化膜の形成方法
JP2770544B2 (ja) * 1990-03-23 1998-07-02 松下電器産業株式会社 Ｍｉｓ型半導体装置の製造方法
US5111111A (en) * 1990-09-27 1992-05-05 Consortium For Surface Processing, Inc. Method and apparatus for coupling a microwave source in an electron cyclotron resonance system
US5234526A (en) * 1991-05-24 1993-08-10 Lam Research Corporation Window for microwave plasma processing device
US5376223A (en) * 1992-01-09 1994-12-27 Varian Associates, Inc. Plasma etch process

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0684637A3 (en) * 1994-05-27 1996-09-25 Toshiba Kk Semiconductor component with thermal nitride film and method for its production.
US5838056A (en) * 1994-05-27 1998-11-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device applied to composite insulative film and manufacturing method thereof
KR100272138B1 (ko) * 1994-05-27 2000-11-15 니시무로 타이죠 반도체장치 및 그 제조방법
US6171977B1 (en) 1994-05-27 2001-01-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device applied to composite insulative film manufacturing method thereof
US7655549B2 (en) 2005-02-25 2010-02-02 Canon Anelva Corporation Method for depositing a metal gate on a high-k dielectric film

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