JPH03212938A - シリコン窒化膜の形成方法 - Google Patents
シリコン窒化膜の形成方法Info
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はＳｉ、Ｎ、膜の形成方法に関する。
［従来の技術］
従来、Ｓｉ、Ｎ、膜の形成方法には ３ＳｉＨ，＋４Ｎ
Ｈ４１）Ｓ ｉｓ Ｎ４ ＋ １２ Ｈｚの反応等によ
るいわゆるＯＶＤ法及び、Ｓｉ基板やＳｉ膜あるいは５
ｉＯ１膜等を９００℃以上の高温で窒素雰囲気やアンモ
ニア雰囲気に晒して窒化する等の方法が用いられている
。
Ｈ４１）Ｓ ｉｓ Ｎ４ ＋ １２ Ｈｚの反応等によ
るいわゆるＯＶＤ法及び、Ｓｉ基板やＳｉ膜あるいは５
ｉＯ１膜等を９００℃以上の高温で窒素雰囲気やアンモ
ニア雰囲気に晒して窒化する等の方法が用いられている
。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来技術によるとＳ ｉ、Ｎ、の生成温度
が８００℃以上と高いと云う課題があり、ひいてはＳｉ
ウエーハの大口径化に伴う高温熱処理時の歪が太き（な
ると云う課題があった。
が８００℃以上と高いと云う課題があり、ひいてはＳｉ
ウエーハの大口径化に伴う高温熱処理時の歪が太き（な
ると云う課題があった。
本発明はかかる従来技術の課題を解決し、８１基板又は
Ｓｉ膜（含５１０２膜）を８００℃以下の低温で形成す
る新しいシリコン窒化膜の形成方法を提供する事を目的
とする。
Ｓｉ膜（含５１０２膜）を８００℃以下の低温で形成す
る新しいシリコン窒化膜の形成方法を提供する事を目的
とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、本発明はシリコン窒化膜の
形成方法に関し、８１基板又はＳｉ膜（含Ｓ ｉ Ｏ２
膜）表面に窒素ラジカルを照射しＳｉ３Ｎ４膜を形成す
る手段を取る。
形成方法に関し、８１基板又はＳｉ膜（含Ｓ ｉ Ｏ２
膜）表面に窒素ラジカルを照射しＳｉ３Ｎ４膜を形成す
る手段を取る。
［実施例コ
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の実施例を示すためのＳｉ、Ｎ。
膜形成装置の模式図である。すなわち、加熱するだめの
炉１内には支持台２が設置され、該支持台２の上にはＳ
ｌ等のウェーハ３が設置され、前記炉１には石英から成
るチーーブ４が挿入されて成り、該チューブ４にはマイ
クロ波電極等を具備したプラズマ発生器５゜が連結され
ると共に、窒素ガス６や水素がスフやアンモニア−ガス
８あるいはアルゴン・ガスやヘリウム・ガス等の導入口
が取付けられて成る。
炉１内には支持台２が設置され、該支持台２の上にはＳ
ｌ等のウェーハ３が設置され、前記炉１には石英から成
るチーーブ４が挿入されて成り、該チューブ４にはマイ
クロ波電極等を具備したプラズマ発生器５゜が連結され
ると共に、窒素ガス６や水素がスフやアンモニア−ガス
８あるいはアルゴン・ガスやヘリウム・ガス等の導入口
が取付けられて成る。
いま、８１基板あるいはＳｉ膜や５１０２膜が形成され
たウェーハ３を炉１により６００℃程度に加熱しながら
チューブ４から窒素ガス６をプラズマ発生器５で励起し
て窒素プラズマを発生させ、該窒素プラズマ中の活性な
窒素ラジカルを、前記ウェー／・３０表面に照射すると
、３１基板表面やＳｉ膜あるいはＳ ｉ Ｏ２膜は１ｏ
ｏｉ／分程度の速度でＳｉ、Ｎ４膜化することができる
。
たウェーハ３を炉１により６００℃程度に加熱しながら
チューブ４から窒素ガス６をプラズマ発生器５で励起し
て窒素プラズマを発生させ、該窒素プラズマ中の活性な
窒素ラジカルを、前記ウェー／・３０表面に照射すると
、３１基板表面やＳｉ膜あるいはＳ ｉ Ｏ２膜は１ｏ
ｏｉ／分程度の速度でＳｉ、Ｎ４膜化することができる
。
尚、・導入ガスは窒素ガスに代え、アンモニア・ガスで
あっても良く、窒素ガスと水素ガスの混合ガスであって
も良い。この場合には窒素ラジカルと同時に水素ラジカ
ルも発生し、−層の低温化及び高速成膜化を計る事が出
来る。
あっても良く、窒素ガスと水素ガスの混合ガスであって
も良い。この場合には窒素ラジカルと同時に水素ラジカ
ルも発生し、−層の低温化及び高速成膜化を計る事が出
来る。
更に、反応速度等を制御するために、窒素ガスやアンモ
ニア・ガス、あるいは窒素ガスと水素ガス等と共に、ア
ルゴン・ガスやヘリウム−ガスを導入しても良い。
ニア・ガス、あるいは窒素ガスと水素ガス等と共に、ア
ルゴン・ガスやヘリウム−ガスを導入しても良い。
［発明の効果］
本発明により８１基板表面やＳｉ膜あるいはｓｉｏ□膜
を８００℃以下の低温で窒化してＳｉ。
を８００℃以下の低温で窒化してＳｉ。
Ｎ４膜を形成する事ができ、Ｓｉウェーハ等の大口径化
に伴う加熱処理時の歪発生を押えることができる効果等
がある。
に伴う加熱処理時の歪発生を押えることができる効果等
がある。
第１図は本発明の詳細な説明するためのＳｉ。
Ｎ４膜形成装置の模式図である。
１・・・・・・・・・炉
２・・・・・・・・・支持台
・・・・・・・・・ウェーハ
・・・・・・・・・チューブ
・・・・・・・・・プラズマ発生器
・・・・・・・・・窒素ガス
・・・・・・・・・水素ガス
・・・・・・・・・アンモニア・ガス
Claims (1)
- Ｓｉ基板又はＳｉ膜表面には窒素ラジカルを照射し、Ｓ
ｉ＿３Ｎ＿４膜を形成する事を特徴とするシリコン窒化
膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP872990A JPH03212938A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | シリコン窒化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP872990A JPH03212938A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | シリコン窒化膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03212938A true JPH03212938A (ja) | 1991-09-18 |
Family
ID=11701042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP872990A Pending JPH03212938A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | シリコン窒化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03212938A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5376223A (en) * | 1992-01-09 | 1994-12-27 | Varian Associates, Inc. | Plasma etch process |
| WO1999064645A1 (en) * | 1998-06-12 | 1999-12-16 | Applied Materials, Inc. | A method and apparatus for the formation of dielectric layers |
| WO2002054474A1 (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Tadahiro Ohmi | Dielectric film and method of forming it, semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory device, and production method for semiconductor device |
| JP2002543584A (ja) * | 1999-04-22 | 2002-12-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマラジカルに基板を曝露する装置及び方法 |
| WO2003015151A1 (fr) * | 2001-08-02 | 2003-02-20 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement d'un materiau de base et materiau d'utlisation de dispositif electronique |
| US8361845B2 (en) | 2005-06-30 | 2013-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
-
1990
- 1990-01-18 JP JP872990A patent/JPH03212938A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5376223A (en) * | 1992-01-09 | 1994-12-27 | Varian Associates, Inc. | Plasma etch process |
| WO1999064645A1 (en) * | 1998-06-12 | 1999-12-16 | Applied Materials, Inc. | A method and apparatus for the formation of dielectric layers |
| JP2002543584A (ja) * | 1999-04-22 | 2002-12-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマラジカルに基板を曝露する装置及び方法 |
| WO2002054474A1 (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Tadahiro Ohmi | Dielectric film and method of forming it, semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory device, and production method for semiconductor device |
| US7439121B2 (en) | 2000-12-28 | 2008-10-21 | Tadahiro Ohmi | Dielectric film and method of forming it, semiconductor device, non-volatile semiconductor memory device, and production method for semiconductor device |
| US7718484B2 (en) | 2000-12-28 | 2010-05-18 | Foundation For Advancement Of International Science | Method of forming a dielectic film that contains silicon, oxygen and nitrogen and method of fabricating a semiconductor device that uses such a dielectric film |
| WO2003015151A1 (fr) * | 2001-08-02 | 2003-02-20 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement d'un materiau de base et materiau d'utlisation de dispositif electronique |
| US7250375B2 (en) | 2001-08-02 | 2007-07-31 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and material for electronic device |
| US8361845B2 (en) | 2005-06-30 | 2013-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR101524076B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2015-05-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
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