JPH0629252A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0629252A JPH0629252A JP4179988A JP17998892A JPH0629252A JP H0629252 A JPH0629252 A JP H0629252A JP 4179988 A JP4179988 A JP 4179988A JP 17998892 A JP17998892 A JP 17998892A JP H0629252 A JPH0629252 A JP H0629252A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】反応室にガスを導入し、ガスをプラズマ化し、
シリコン酸化膜のエッチングを行うドライエッチング方
法において、前記エッチングガスのＣＨＦ3に添加ガス
として一般式がＣXＯY、あるいはＣXＨYＯZ、あるいは
ＣXＨYで表わされるガスを用いることを特徴とする。 【効果】添加ガスに一般式でＣXＯY、あるいはＣXＨYＯ
Z、あるいはＣXＨYで表わされるガスを用いることで、
側壁保護膜の−（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n
−のポリマーの形成を多くし、側壁がえぐれたホールの
形成を防止することができる。また、Ｃを含むガスを添
加することになるため、酸素の結合は安定なＣ−Ｏ結合
を生成し、エッチングを抑制するＳｉ−Ｏ結合をできに
くくするため酸化膜のエッチングが促進される。
シリコン酸化膜のエッチングを行うドライエッチング方
法において、前記エッチングガスのＣＨＦ3に添加ガス
として一般式がＣXＯY、あるいはＣXＨYＯZ、あるいは
ＣXＨYで表わされるガスを用いることを特徴とする。 【効果】添加ガスに一般式でＣXＯY、あるいはＣXＨYＯ
Z、あるいはＣXＨYで表わされるガスを用いることで、
側壁保護膜の−（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n
−のポリマーの形成を多くし、側壁がえぐれたホールの
形成を防止することができる。また、Ｃを含むガスを添
加することになるため、酸素の結合は安定なＣ−Ｏ結合
を生成し、エッチングを抑制するＳｉ−Ｏ結合をできに
くくするため酸化膜のエッチングが促進される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
において、特にエッチングガスに関するものである。
において、特にエッチングガスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法は、図７、
図２のようであった。図７において、７０１は配線層、
７０２は絶縁膜、７０３はレジストである。図２は、反
応室にガスを導入し、マイクロ波によりガスをプラズマ
化し、必要に応じて高周波を印加し、エッチングを行う
ＥＣＲ型ドライエッチング装置であり、２０１は印加電
極、２０２は接地電極、２０３はウエハ、２０４はＲＦ
電源、２０５はマイクロ波電源、２０６はマグネットコ
イルである。
図２のようであった。図７において、７０１は配線層、
７０２は絶縁膜、７０３はレジストである。図２は、反
応室にガスを導入し、マイクロ波によりガスをプラズマ
化し、必要に応じて高周波を印加し、エッチングを行う
ＥＣＲ型ドライエッチング装置であり、２０１は印加電
極、２０２は接地電極、２０３はウエハ、２０４はＲＦ
電源、２０５はマイクロ波電源、２０６はマグネットコ
イルである。
【０００３】図７において、Ｓｉ基板の上方に前記配線
層７０１を例えばポリＳｉ配線層で形成する。その上に
絶縁膜７０２（例えばモノシランと酸素とホスフィンを
用いた化学気相成長法によるリン・シリケート・ガラ
ス）、その膜厚を例えば１．５μｍで形成する。その上
に前記レジスト７０３を例えばホール径が０．５μｍの
大きさで前記配線層７０１上にパターニングする。パタ
ーニングした前記レジスト７０３をマスクとして異方性
エッチングによりホールを形成する。
層７０１を例えばポリＳｉ配線層で形成する。その上に
絶縁膜７０２（例えばモノシランと酸素とホスフィンを
用いた化学気相成長法によるリン・シリケート・ガラ
ス）、その膜厚を例えば１．５μｍで形成する。その上
に前記レジスト７０３を例えばホール径が０．５μｍの
大きさで前記配線層７０１上にパターニングする。パタ
ーニングした前記レジスト７０３をマスクとして異方性
エッチングによりホールを形成する。
【０００４】図２において、前記ホールの形成を装置内
の圧力を例えば１０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦパワーの大き
さを例えば３００Ｗ、エッチングプロセスガスを例えば
ＣＨＦ3 ３０ｓｃｃｍ、マイクロ波パワーの大きさを
例えば２００ｍＡ、チャンバー温度を例えば２０℃の条
件でエッチングを行うと、エッチング速度が３８９２．
０Å／ｍｉｎ、均一性が１０．４％、対ポリＳｉとの選
択比が２３．５７、対レジストとの選択比が８．１４で
あった。
の圧力を例えば１０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦパワーの大き
さを例えば３００Ｗ、エッチングプロセスガスを例えば
ＣＨＦ3 ３０ｓｃｃｍ、マイクロ波パワーの大きさを
例えば２００ｍＡ、チャンバー温度を例えば２０℃の条
件でエッチングを行うと、エッチング速度が３８９２．
０Å／ｍｉｎ、均一性が１０．４％、対ポリＳｉとの選
択比が２３．５７、対レジストとの選択比が８．１４で
あった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ポ
リＳｉ配線層７０１上にホールを形成すると、異方性エ
ッチングを行うために必要な側壁保護膜が少なく、サイ
ドエッチングの量が大きくなって、ホールの側壁がえぐ
れた形状となった。例えば、ホールの側壁のサイドエッ
チングの量が０．１６７μｍでホールの側壁の形状がえ
ぐれた形状であるとき、ホールを埋める配線（例えばス
パッタリングによるアルミニウム）が、えぐれた側壁で
付きまわりが悪くなって断線したり、穴の上部が先にふ
さがって穴の途中にボイドが生成したりして、半導体装
置が配線の面で信頼性が悪くなるおそれがある。
リＳｉ配線層７０１上にホールを形成すると、異方性エ
ッチングを行うために必要な側壁保護膜が少なく、サイ
ドエッチングの量が大きくなって、ホールの側壁がえぐ
れた形状となった。例えば、ホールの側壁のサイドエッ
チングの量が０．１６７μｍでホールの側壁の形状がえ
ぐれた形状であるとき、ホールを埋める配線（例えばス
パッタリングによるアルミニウム）が、えぐれた側壁で
付きまわりが悪くなって断線したり、穴の上部が先にふ
さがって穴の途中にボイドが生成したりして、半導体装
置が配線の面で信頼性が悪くなるおそれがある。
【０００６】この前記ポリＳｉ配線層７０１上に側壁が
えぐれたホールの形成を防止するために、側壁保護膜を
多くし、サイドエッチング量を小さくして、異方性エッ
チングを行うことが考えられる。このためエッチングガ
スでありデポジションの働きのあるＣＨＦ3ガスの流量
を増やすことが考えられるが、ＣＨＦ3ガスはデポジシ
ョンの働きが強いためエッチング速度を速くするためや
デポジションによるチャンバー内の汚れを抑えるために
圧力を下げる必要がある。しかし、圧力を下げると、側
壁保護膜が少なくなり、サイドエッチング量が大きくな
って、ホールの側壁がえぐれた形状となる問題がある。
えぐれたホールの形成を防止するために、側壁保護膜を
多くし、サイドエッチング量を小さくして、異方性エッ
チングを行うことが考えられる。このためエッチングガ
スでありデポジションの働きのあるＣＨＦ3ガスの流量
を増やすことが考えられるが、ＣＨＦ3ガスはデポジシ
ョンの働きが強いためエッチング速度を速くするためや
デポジションによるチャンバー内の汚れを抑えるために
圧力を下げる必要がある。しかし、圧力を下げると、側
壁保護膜が少なくなり、サイドエッチング量が大きくな
って、ホールの側壁がえぐれた形状となる問題がある。
【０００７】また、この様なホールの側壁のえぐれた形
状は、ホールのアスペクト比（ホールの深さ／ホールの
大きさ）が大きくなるほどホールの底の部分で発生した
エッチング生成物により側壁保護膜を形成するエッチン
グガスが供給されにくくなり起こり易くなると知られて
いる。このためエッチング生成物を排気するために、圧
力を下げる必要があるが、圧力を下げることで側壁保護
膜が少なくなり、サイドエッチング量が大きくなって、
ホールの側壁がえぐれた形状となる問題がある。
状は、ホールのアスペクト比（ホールの深さ／ホールの
大きさ）が大きくなるほどホールの底の部分で発生した
エッチング生成物により側壁保護膜を形成するエッチン
グガスが供給されにくくなり起こり易くなると知られて
いる。このためエッチング生成物を排気するために、圧
力を下げる必要があるが、圧力を下げることで側壁保護
膜が少なくなり、サイドエッチング量が大きくなって、
ホールの側壁がえぐれた形状となる問題がある。
【０００８】そこで、本発明は従来のこのような問題点
を解決するもので、その目的とするところは、エッチン
グガスのＣＨＦ3を主ガスとし、添加ガスとして一般式
がＣXＯY、あるいはＣXＨYＯZ、あるいはＣXＨYで表わ
されるガスを用いることで、高アスペクト比のエッチン
グで、圧力が低い場合でも、側壁保護膜を多く生成し、
サイドエッチング量を抑えて異方性のエッチングが行え
ることにある。
を解決するもので、その目的とするところは、エッチン
グガスのＣＨＦ3を主ガスとし、添加ガスとして一般式
がＣXＯY、あるいはＣXＨYＯZ、あるいはＣXＨYで表わ
されるガスを用いることで、高アスペクト比のエッチン
グで、圧力が低い場合でも、側壁保護膜を多く生成し、
サイドエッチング量を抑えて異方性のエッチングが行え
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、反応室にガスを導入し、ガスをプラズマ化
し、シリコン酸化膜のエッチングを行うドライエッチン
グ方法において、前記エッチングガスのＣＨＦ3を主ガ
スとし、添加ガスとして一般式がＣXＯY、あるいはＣX
ＨYＯZ、あるいはＣXＨYで表わされるガスを用いること
を特徴とする。
造方法は、反応室にガスを導入し、ガスをプラズマ化
し、シリコン酸化膜のエッチングを行うドライエッチン
グ方法において、前記エッチングガスのＣＨＦ3を主ガ
スとし、添加ガスとして一般式がＣXＯY、あるいはＣX
ＨYＯZ、あるいはＣXＨYで表わされるガスを用いること
を特徴とする。
【００１０】
【作用】上記のように構成されたエッチングガスのＣＨ
Ｆ3を主ガスとし、添加ガスとして一般式がＣXＯY、あ
るいはＣXＨYＯZ、あるいはＣXＨYで表わされるガスを
用いることで、側壁保護膜の−（Ｃ−Ｈ2）n−または、
−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマーの形成を多くし、側壁がえ
ぐれたホールの形成を防止することができる。
Ｆ3を主ガスとし、添加ガスとして一般式がＣXＯY、あ
るいはＣXＨYＯZ、あるいはＣXＨYで表わされるガスを
用いることで、側壁保護膜の−（Ｃ−Ｈ2）n−または、
−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマーの形成を多くし、側壁がえ
ぐれたホールの形成を防止することができる。
【００１１】また、Ｃを含むガスを添加することになる
ため、酸素の結合は安定なＣ−Ｏ結合を生成し、エッチ
ングを抑制するＳｉ−Ｏ結合をできにくくするため酸化
膜のエッチングが促進される。
ため、酸素の結合は安定なＣ−Ｏ結合を生成し、エッチ
ングを抑制するＳｉ−Ｏ結合をできにくくするため酸化
膜のエッチングが促進される。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は、本発明の半導体装置の製造方法の実施例
を示す要部の断面図であり、１０１は配線層、１０２は
絶縁膜、１０３はレジストである。図２は、本発明の半
導体装置の製造方法の実施例を示す要部の断面図であ
り、反応室にガスを導入し、マイクロ波によりガスをプ
ラズマ化し、必要に応じて高周波を印加し、エッチング
を行うＥＣＲ型ドライエッチング装置である。２０１は
印加電極、２０２は接地電極、２０３はウエハ、２０４
はＲＦ電源、２０５はマイクロは電源、２０６はマグネ
ットコイルである。
する。図１は、本発明の半導体装置の製造方法の実施例
を示す要部の断面図であり、１０１は配線層、１０２は
絶縁膜、１０３はレジストである。図２は、本発明の半
導体装置の製造方法の実施例を示す要部の断面図であ
り、反応室にガスを導入し、マイクロ波によりガスをプ
ラズマ化し、必要に応じて高周波を印加し、エッチング
を行うＥＣＲ型ドライエッチング装置である。２０１は
印加電極、２０２は接地電極、２０３はウエハ、２０４
はＲＦ電源、２０５はマイクロは電源、２０６はマグネ
ットコイルである。
【００１３】図１において、Ｓｉ基板の上方に前記配線
層１０１を例えばポリＳｉ配線層で形成する。その上に
絶縁膜１０２（例えばモノシランと酸素とホスフィンを
用いた化学気相成長法によるリン・シリケート・ガラ
ス）、その膜厚を例えば１．５μｍで形成する。その上
に前記レジスト１０３を例えばホール径が０．５μｍの
大きさで前記配線層１０１上にパターニングする。パタ
ーニングした前記レジスト１０３をマスクとして異方性
エッチングによりホールを形成する。
層１０１を例えばポリＳｉ配線層で形成する。その上に
絶縁膜１０２（例えばモノシランと酸素とホスフィンを
用いた化学気相成長法によるリン・シリケート・ガラ
ス）、その膜厚を例えば１．５μｍで形成する。その上
に前記レジスト１０３を例えばホール径が０．５μｍの
大きさで前記配線層１０１上にパターニングする。パタ
ーニングした前記レジスト１０３をマスクとして異方性
エッチングによりホールを形成する。
【００１４】図２において、前記ホールの形成を装置内
の圧力を例えば１０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦパワーの大き
さを例えば３００Ｗ、エッチングガスを例えば主ガスと
してＣＨＦ3 ２０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣＯ １
０ｓｃｃｍ、マイクロ波パワーの大きさを例えば２００
ｍＡ、チャンバー温度を例えば２０℃の条件でエッチン
グを行うと、エッチング速度が３５３６．１Å／ｍｉ
ｎ、均一性が６．８％、対ポリＳｉとの選択比が１６．
２７、対レジストとの選択比が４．９３であった。 こ
こで、上記のエッチングガスを例えば主ガスとしてＣＨ
Ｆ3 ２０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣＯ １０ｓｃｃ
ｍとしたことから、側壁保護膜の−（Ｃ−Ｈ2）n−また
は、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマーの形成を多くし、側壁
がえぐれたホールの形成を防止することができた。
の圧力を例えば１０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦパワーの大き
さを例えば３００Ｗ、エッチングガスを例えば主ガスと
してＣＨＦ3 ２０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣＯ １
０ｓｃｃｍ、マイクロ波パワーの大きさを例えば２００
ｍＡ、チャンバー温度を例えば２０℃の条件でエッチン
グを行うと、エッチング速度が３５３６．１Å／ｍｉ
ｎ、均一性が６．８％、対ポリＳｉとの選択比が１６．
２７、対レジストとの選択比が４．９３であった。 こ
こで、上記のエッチングガスを例えば主ガスとしてＣＨ
Ｆ3 ２０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣＯ １０ｓｃｃ
ｍとしたことから、側壁保護膜の−（Ｃ−Ｈ2）n−また
は、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマーの形成を多くし、側壁
がえぐれたホールの形成を防止することができた。
【００１５】また、同様に図２において、前記ホールの
形成を装置内の圧力を例えば１０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦ
パワーの大きさを例えば３００Ｗ、エッチングガスを例
えば主ガスとしてＣＨＦ3 ２０ｓｃｃｍ、添加ガスと
してＣＨ3ＯＨ １０ｓｃｃｍ、マイクロ波パワーの大
きさを例えば２００ｍＡ、チャンバー温度を例えば２０
℃の条件でエッチングを行うと、エッチング速度が３７
４４．６Å／ｍｉｎ、均一性が７．２％、対ポリＳｉと
の選択比が２０．８３、対レジストとの選択比が６．３
１であった。
形成を装置内の圧力を例えば１０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦ
パワーの大きさを例えば３００Ｗ、エッチングガスを例
えば主ガスとしてＣＨＦ3 ２０ｓｃｃｍ、添加ガスと
してＣＨ3ＯＨ １０ｓｃｃｍ、マイクロ波パワーの大
きさを例えば２００ｍＡ、チャンバー温度を例えば２０
℃の条件でエッチングを行うと、エッチング速度が３７
４４．６Å／ｍｉｎ、均一性が７．２％、対ポリＳｉと
の選択比が２０．８３、対レジストとの選択比が６．３
１であった。
【００１６】ここで、上記のエッチングガスを例えば主
ガスとしてＣＨＦ3 ２０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ
Ｈ3ＯＨ １０ｓｃｃｍとしたことから、側壁保護膜の
−（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマー
の形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防止す
ることができた。
ガスとしてＣＨＦ3 ２０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ
Ｈ3ＯＨ １０ｓｃｃｍとしたことから、側壁保護膜の
−（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマー
の形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防止す
ることができた。
【００１７】また、同様に図２において、前記ホールの
形成を装置内の圧力を例えば１０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦ
パワーの大きさを例えば３００Ｗ、エッチングガスを例
えば主ガスとしてＣＨＦ3 ２０ｓｃｃｍ、添加ガスと
して（ＣＨ3）Ｏ １０ｓｃｃｍ、マイクロ波パワーの
大きさを例えば２００ｍＡ、チャンバー温度を例えば２
０℃の条件でエッチングを行うと、エッチング速度が３
７７１．０Å／ｍｉｎ、均一性が６．８％、対ポリＳｉ
との選択比が２１．９９、対レジストとの選択比が７．
４８であった。
形成を装置内の圧力を例えば１０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦ
パワーの大きさを例えば３００Ｗ、エッチングガスを例
えば主ガスとしてＣＨＦ3 ２０ｓｃｃｍ、添加ガスと
して（ＣＨ3）Ｏ １０ｓｃｃｍ、マイクロ波パワーの
大きさを例えば２００ｍＡ、チャンバー温度を例えば２
０℃の条件でエッチングを行うと、エッチング速度が３
７７１．０Å／ｍｉｎ、均一性が６．８％、対ポリＳｉ
との選択比が２１．９９、対レジストとの選択比が７．
４８であった。
【００１８】ここで、上記のエッチングガスを例えば主
ガスとしてＣＨＦ3 ２０ｓｃｃｍ、添加ガスとして
（ＣＨ3）Ｏ １０ｓｃｃｍとしたことから、側壁保護
膜の−（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリ
マーの形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防
止することができた。
ガスとしてＣＨＦ3 ２０ｓｃｃｍ、添加ガスとして
（ＣＨ3）Ｏ １０ｓｃｃｍとしたことから、側壁保護
膜の−（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリ
マーの形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防
止することができた。
【００１９】また、同様に図２において、前記ホールの
形成を装置内の圧力を例えば１０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦ
パワーの大きさを例えば３００Ｗ、エッチングガスを例
えば主ガスとしてＣＨＦ3 ２０ｓｃｃｍ、添加ガスと
してＣＨ4 １０ｓｃｃｍ、マイクロ波パワーの大きさ
を例えば２００ｍＡ、チャンバー温度を例えば２０℃の
条件でエッチングを行うと、エッチング速度が３８３
９．７Å／ｍｉｎ、均一性が５．５％、対ポリＳｉとの
選択比が２１．９９、対レジストとの選択比が７．４８
であった。
形成を装置内の圧力を例えば１０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦ
パワーの大きさを例えば３００Ｗ、エッチングガスを例
えば主ガスとしてＣＨＦ3 ２０ｓｃｃｍ、添加ガスと
してＣＨ4 １０ｓｃｃｍ、マイクロ波パワーの大きさ
を例えば２００ｍＡ、チャンバー温度を例えば２０℃の
条件でエッチングを行うと、エッチング速度が３８３
９．７Å／ｍｉｎ、均一性が５．５％、対ポリＳｉとの
選択比が２１．９９、対レジストとの選択比が７．４８
であった。
【００２０】ここで、上記のエッチングガスを例えば主
ガスとしてＣＨＦ3 ２０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ
Ｈ4 １０ｓｃｃｍとしたことから、側壁保護膜の−
（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマーの
形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防止する
ことができた。
ガスとしてＣＨＦ3 ２０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ
Ｈ4 １０ｓｃｃｍとしたことから、側壁保護膜の−
（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマーの
形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防止する
ことができた。
【００２１】以上を実施例１の説明とする。
【００２２】図３は、本発明の半導体装置の製造方法の
実施例を示す要部の断面図であり、３０１はＬＯＣＯＳ
（選択酸化、Locoal Oxidation of Silicon、以下ＬＯ
ＣＯＳと略す）、３０２は酸化膜、３０３は配線層、３
０４はソース・ドレイン領域、３０５は絶縁膜、３０６
はレジストである。図４は、本発明の半導体装置の製造
方法の実施例を示す要部の断面図であり、反応室にガス
を導入し、平行に置かれた電極間に高周波を印加してガ
スをプラズマ化し、プラズマ化し、エッチングを行うＲ
ＩＥ型（トライオード）ドライエッチング装置である。
４０１は印加電極、４０２は接地電極、４０３はウエ
ハ、４０４はＲＦ電源である。
実施例を示す要部の断面図であり、３０１はＬＯＣＯＳ
（選択酸化、Locoal Oxidation of Silicon、以下ＬＯ
ＣＯＳと略す）、３０２は酸化膜、３０３は配線層、３
０４はソース・ドレイン領域、３０５は絶縁膜、３０６
はレジストである。図４は、本発明の半導体装置の製造
方法の実施例を示す要部の断面図であり、反応室にガス
を導入し、平行に置かれた電極間に高周波を印加してガ
スをプラズマ化し、プラズマ化し、エッチングを行うＲ
ＩＥ型（トライオード）ドライエッチング装置である。
４０１は印加電極、４０２は接地電極、４０３はウエ
ハ、４０４はＲＦ電源である。
【００２３】図３において、Ｓｉ基板にＬＯＣＯＳ３０
１を形成した後に全面に酸化膜３０２を形成する。その
上にゲート電極として、配線層３０３を例えばポリＳｉ
配線層で形成する。その構造で、配線層３０３をマスク
として、イオンを打ち込みソース・ドレイン領域３０４
を形成し、配線層以外の酸化膜３０２をフッ酸エッチン
グで取り除く。その上に絶縁膜３０５（例えばモノシラ
ンと酸素とホスフィンを用いた化学気相成長法によるリ
ン・シリケート・ガラス）、その膜厚を例えば１．５μ
ｍを形成する。その上に前記レジスト３０６を前記配線
層３０３上にホール径例えば０．５μｍの大きさでパタ
ーニングする。パターニングした前記レジスト３０６を
マスクとして異方性エッチングによりホールを形成す
る。
１を形成した後に全面に酸化膜３０２を形成する。その
上にゲート電極として、配線層３０３を例えばポリＳｉ
配線層で形成する。その構造で、配線層３０３をマスク
として、イオンを打ち込みソース・ドレイン領域３０４
を形成し、配線層以外の酸化膜３０２をフッ酸エッチン
グで取り除く。その上に絶縁膜３０５（例えばモノシラ
ンと酸素とホスフィンを用いた化学気相成長法によるリ
ン・シリケート・ガラス）、その膜厚を例えば１．５μ
ｍを形成する。その上に前記レジスト３０６を前記配線
層３０３上にホール径例えば０．５μｍの大きさでパタ
ーニングする。パターニングした前記レジスト３０６を
マスクとして異方性エッチングによりホールを形成す
る。
【００２４】図４において、前記ホールの形成を装置内
の圧力を例えば８０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦパワーの大き
さを例えば９００Ｗ、エッチングガスを例えば主ガスと
してＣＨＦ3 ７０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣＯ2 ３
０ｓｃｃｍ、チャンバー温度を例えば１５℃の条件でエ
ッチングを行うと、エッチング速度が７４８９．３Å／
ｍｉｎ、均一性が７．５％、対ポリＳｉとの選択比が２
２．６０、対レジストとの選択比が７．１３であった。
の圧力を例えば８０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦパワーの大き
さを例えば９００Ｗ、エッチングガスを例えば主ガスと
してＣＨＦ3 ７０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣＯ2 ３
０ｓｃｃｍ、チャンバー温度を例えば１５℃の条件でエ
ッチングを行うと、エッチング速度が７４８９．３Å／
ｍｉｎ、均一性が７．５％、対ポリＳｉとの選択比が２
２．６０、対レジストとの選択比が７．１３であった。
【００２５】ここで、上記のエッチングガスを例えば主
ガスとしてＣＨＦ3 ７０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ
Ｏ2 ３０ｓｃｃｍとしたことから、側壁保護膜の−
（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマーの
形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防止する
ことができた。
ガスとしてＣＨＦ3 ７０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ
Ｏ2 ３０ｓｃｃｍとしたことから、側壁保護膜の−
（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマーの
形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防止する
ことができた。
【００２６】また、同様に図４において、前記ホールの
形成を装置内の圧力を例えば８０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦ
パワーの大きさを例えば９００Ｗ、エッチングガスを例
えば主ガスとしてＣＨＦ3 ７０ｓｃｃｍ、添加ガスと
してＨＣＨＯ ３０ｓｃｃｍ、チャンバー温度を例えば
１５℃の条件でエッチングを行うと、エッチング速度が
７８１１．５Å／ｍｉｎ、均一性が８．４％、対ポリＳ
ｉとの選択比が２６．２３、対レジストとの選択比が
９．３７であった。
形成を装置内の圧力を例えば８０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦ
パワーの大きさを例えば９００Ｗ、エッチングガスを例
えば主ガスとしてＣＨＦ3 ７０ｓｃｃｍ、添加ガスと
してＨＣＨＯ ３０ｓｃｃｍ、チャンバー温度を例えば
１５℃の条件でエッチングを行うと、エッチング速度が
７８１１．５Å／ｍｉｎ、均一性が８．４％、対ポリＳ
ｉとの選択比が２６．２３、対レジストとの選択比が
９．３７であった。
【００２７】ここで、上記のエッチングガスを例えば主
ガスとしてＣＨＦ3 ７０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＨ
ＣＨＯ ３０ｓｃｃｍとしたことから、側壁保護膜の−
（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマーの
形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防止する
ことができた。
ガスとしてＣＨＦ3 ７０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＨ
ＣＨＯ ３０ｓｃｃｍとしたことから、側壁保護膜の−
（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマーの
形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防止する
ことができた。
【００２８】また、同様に図４において、前記ホールの
形成を装置内の圧力を例えば８０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦ
パワーの大きさを例えば９００Ｗ、エッチングガスを例
えば主ガスとしてＣＨＦ3 ７０ｓｃｃｍ、添加ガスと
してＣ2Ｈ6 ３０ｓｃｃｍ、チャンバー温度を例えば１
５℃の条件でエッチングを行うと、エッチング速度が８
０８４．３Å／ｍｉｎ、均一性が５．２％、対ポリＳｉ
との選択比が３０．１７、対レジストとの選択比が１
０．２０であった。
形成を装置内の圧力を例えば８０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦ
パワーの大きさを例えば９００Ｗ、エッチングガスを例
えば主ガスとしてＣＨＦ3 ７０ｓｃｃｍ、添加ガスと
してＣ2Ｈ6 ３０ｓｃｃｍ、チャンバー温度を例えば１
５℃の条件でエッチングを行うと、エッチング速度が８
０８４．３Å／ｍｉｎ、均一性が５．２％、対ポリＳｉ
との選択比が３０．１７、対レジストとの選択比が１
０．２０であった。
【００２９】ここで、上記のエッチングガスを例えば主
ガスとしてＣＨＦ3 ７０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ2
Ｈ6 ３０ｓｃｃｍとしたことから、側壁保護膜の−
（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマーの
形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防止する
ことができた。
ガスとしてＣＨＦ3 ７０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ2
Ｈ6 ３０ｓｃｃｍとしたことから、側壁保護膜の−
（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマーの
形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防止する
ことができた。
【００３０】以上を実施例２の説明とする。
【００３１】図５は、本発明の半導体装置の製造方法の
実施例を示す要部の断面図であり、５０１はＬＯＣＯＳ
（選択酸化、Locoal Oxidation of Silicon、以下ＬＯ
ＣＯＳと略す）、５０２は酸化膜、５０３はゲート電
極、５０４はソース・ドレイン領域としての配線層、５
０５は絶縁膜、５０６はレジストである。図６は、本発
明の半導体装置の製造方法の実施例を示す要部の断面図
であり、反応室にガスを導入し、平行に置かれた電極間
に高周波を印加し、さらにマグネットによりプラズマ化
をアシストしてガスをプラズマ化し、エッチングを行う
磁場アシスト型ＲＩＥドライエッチング装置である。６
０１は印加電極、６０２は接地電極、６０３はウエハ、
６０４はＲＦ電源、６０５はマグネットである。
実施例を示す要部の断面図であり、５０１はＬＯＣＯＳ
（選択酸化、Locoal Oxidation of Silicon、以下ＬＯ
ＣＯＳと略す）、５０２は酸化膜、５０３はゲート電
極、５０４はソース・ドレイン領域としての配線層、５
０５は絶縁膜、５０６はレジストである。図６は、本発
明の半導体装置の製造方法の実施例を示す要部の断面図
であり、反応室にガスを導入し、平行に置かれた電極間
に高周波を印加し、さらにマグネットによりプラズマ化
をアシストしてガスをプラズマ化し、エッチングを行う
磁場アシスト型ＲＩＥドライエッチング装置である。６
０１は印加電極、６０２は接地電極、６０３はウエハ、
６０４はＲＦ電源、６０５はマグネットである。
【００３２】図５において、Ｓｉ基板にＬＯＣＯＳ５０
１を形成した後に全面に酸化膜５０２を形成する。その
上にゲート電極５０３を例えばポリＳｉで形成する。そ
の構造で、ゲート電極５０３をマスクとして、イオンを
打ち込みソース・ドレイン領域としての配線層５０４を
形成し、ゲート電極以外の酸化膜５０２をフッ酸エッチ
ングで取り除く。その上に絶縁膜５０５（例えばモノシ
ランと酸素とホスフィンを用いた化学気相成長法による
リン・シリケート・ガラス）、その膜厚を例えば１．５
μｍを形成する。その上に前記レジスト５０６を前記ソ
ース・ドレイン領域としての配線層５０４上にホール径
例えば０．５μｍの大きさのホールをパターニングす
る。パターニングした前記レジスト５０６をマスクとし
て異方性エッチングによりホールを形成する。
１を形成した後に全面に酸化膜５０２を形成する。その
上にゲート電極５０３を例えばポリＳｉで形成する。そ
の構造で、ゲート電極５０３をマスクとして、イオンを
打ち込みソース・ドレイン領域としての配線層５０４を
形成し、ゲート電極以外の酸化膜５０２をフッ酸エッチ
ングで取り除く。その上に絶縁膜５０５（例えばモノシ
ランと酸素とホスフィンを用いた化学気相成長法による
リン・シリケート・ガラス）、その膜厚を例えば１．５
μｍを形成する。その上に前記レジスト５０６を前記ソ
ース・ドレイン領域としての配線層５０４上にホール径
例えば０．５μｍの大きさのホールをパターニングす
る。パターニングした前記レジスト５０６をマスクとし
て異方性エッチングによりホールを形成する。
【００３３】図６において、前記ホールの形成を装置内
の圧力を例えば８０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦパワーの大き
さを例えば５００Ｗ、マグネットの大きさを例えば２０
０Ｇａｕｓ、エッチングガスを例えば主ガスとしてＣＨ
Ｆ3 ５０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ2Ｈ5ＯＨ ２０
ｓｃｃｍ、チャンバー温度を例えば１５℃の条件でエッ
チングを行うと、エッチング速度が３７４４．７Å／ｍ
ｉｎ、均一性が７．４％、対ポリＳｉとの選択比が２
０．２６、対レジストとの選択比が７．３１であった。
の圧力を例えば８０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦパワーの大き
さを例えば５００Ｗ、マグネットの大きさを例えば２０
０Ｇａｕｓ、エッチングガスを例えば主ガスとしてＣＨ
Ｆ3 ５０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ2Ｈ5ＯＨ ２０
ｓｃｃｍ、チャンバー温度を例えば１５℃の条件でエッ
チングを行うと、エッチング速度が３７４４．７Å／ｍ
ｉｎ、均一性が７．４％、対ポリＳｉとの選択比が２
０．２６、対レジストとの選択比が７．３１であった。
【００３４】ここで、上記のエッチングガスを例えば主
ガスとしてＣＨＦ3 ５０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ2
Ｈ5ＯＨ ２０ｓｃｃｍとしたことから、側壁保護膜の
−（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマー
の形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防止す
ることができた。
ガスとしてＣＨＦ3 ５０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ2
Ｈ5ＯＨ ２０ｓｃｃｍとしたことから、側壁保護膜の
−（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマー
の形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防止す
ることができた。
【００３５】また、同様に図６において、前記ホールの
形成を装置内の圧力を例えば８０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦ
パワーの大きさを例えば５００Ｗ、マグネットの大きさ
を例えば２００Ｇａｕｓ、エッチングガスを例えば主ガ
スとしてＣＨＦ3 ５０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ2Ｈ
4 ２０ｓｃｃｍ、チャンバー温度を例えば１５℃の条
件でエッチングを行うと、エッチング速度が３９０６．
２Å／ｍｉｎ、均一性が８．５％、対ポリＳｉとの選択
比が２３．６３、対レジストとの選択比が９．７３であ
った。
形成を装置内の圧力を例えば８０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦ
パワーの大きさを例えば５００Ｗ、マグネットの大きさ
を例えば２００Ｇａｕｓ、エッチングガスを例えば主ガ
スとしてＣＨＦ3 ５０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ2Ｈ
4 ２０ｓｃｃｍ、チャンバー温度を例えば１５℃の条
件でエッチングを行うと、エッチング速度が３９０６．
２Å／ｍｉｎ、均一性が８．５％、対ポリＳｉとの選択
比が２３．６３、対レジストとの選択比が９．７３であ
った。
【００３６】ここで、上記のエッチングガスを例えば主
ガスとしてＣＨＦ3 ５０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ2
Ｈ4 ２０ｓｃｃｍとしたことから、側壁保護膜の−
（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマーの
形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防止する
ことができた。
ガスとしてＣＨＦ3 ５０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ2
Ｈ4 ２０ｓｃｃｍとしたことから、側壁保護膜の−
（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマーの
形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防止する
ことができた。
【００３７】また、同様に図６において、前記ホールの
形成を装置内の圧力を例えば８０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦ
パワーの大きさを例えば５００Ｗ、マグネットの大きさ
を例えば２００Ｇａｕｓ、エッチングガスを例えば主ガ
スとしてＣＨＦ3 ５０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ2Ｈ
2 ２０ｓｃｃｍ、チャンバー温度を例えば１５℃の条
件でエッチングを行うと、エッチング速度が４０４２．
１Å／ｍｉｎ、均一性が５．５％、対ポリＳｉとの選択
比が３１．７０、対レジストとの選択比が１２．０２で
あった。
形成を装置内の圧力を例えば８０ｍＴｏｒｒ、印加ＲＦ
パワーの大きさを例えば５００Ｗ、マグネットの大きさ
を例えば２００Ｇａｕｓ、エッチングガスを例えば主ガ
スとしてＣＨＦ3 ５０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ2Ｈ
2 ２０ｓｃｃｍ、チャンバー温度を例えば１５℃の条
件でエッチングを行うと、エッチング速度が４０４２．
１Å／ｍｉｎ、均一性が５．５％、対ポリＳｉとの選択
比が３１．７０、対レジストとの選択比が１２．０２で
あった。
【００３８】ここで、上記のエッチングガスを例えば主
ガスとしてＣＨＦ3 ５０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ2
Ｈ2 ２０ｓｃｃｍとしたことから、側壁保護膜の−
（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマーの
形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防止する
ことができた。
ガスとしてＣＨＦ3 ５０ｓｃｃｍ、添加ガスとしてＣ2
Ｈ2 ２０ｓｃｃｍとしたことから、側壁保護膜の−
（Ｃ−Ｈ2）n−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマーの
形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防止する
ことができた。
【００３９】以上を実施例３の説明とする。
【００４０】以上、本発明の実施例を図面に基づいて３
例説明した。しかし、本発明はこれに限らず、エッチン
グガスにＣＨＦ3を主ガスとし、添加ガスに、一般式が
ＣXＯY、あるいはＣXＨYＯZ、あるいはＣXＨYで表わさ
れるガスを用いることで実現できることは言うまでもな
い。
例説明した。しかし、本発明はこれに限らず、エッチン
グガスにＣＨＦ3を主ガスとし、添加ガスに、一般式が
ＣXＯY、あるいはＣXＨYＯZ、あるいはＣXＨYで表わさ
れるガスを用いることで実現できることは言うまでもな
い。
【００４１】
【発明の効果】本発明は、以上を説明したようにエッチ
ングガスのＣＨＦ3を主ガスとし、添加ガスに一般式で
ＣXＯY、あるいはＣXＨYＯZ、あるいはＣXＨYで表わさ
れるガスを用いることで、側壁保護膜の−（Ｃ−Ｈ2）n
−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマーの形成を多く
し、側壁がえぐれたホールの形成を防止することができ
る。 また、Ｃを含むガスを添加することになるため、
酸素の結合は安定なＣ−Ｏ結合を生成し、エッチングを
抑制するＳｉ−Ｏ結合をできにくくするため酸化膜のエ
ッチングが促進される。
ングガスのＣＨＦ3を主ガスとし、添加ガスに一般式で
ＣXＯY、あるいはＣXＨYＯZ、あるいはＣXＨYで表わさ
れるガスを用いることで、側壁保護膜の−（Ｃ−Ｈ2）n
−または、−（Ｃ−Ｆ2）n−のポリマーの形成を多く
し、側壁がえぐれたホールの形成を防止することができ
る。 また、Ｃを含むガスを添加することになるため、
酸素の結合は安定なＣ−Ｏ結合を生成し、エッチングを
抑制するＳｉ−Ｏ結合をできにくくするため酸化膜のエ
ッチングが促進される。
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の実施例を示す
要部の断面図。
要部の断面図。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の実施例を示す
要部の断面図。
要部の断面図。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の実施例を示す
要部の断面図。
要部の断面図。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法の実施例を示す
要部の断面図。
要部の断面図。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法の実施例を示す
要部の断面図。
要部の断面図。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法の実施例を示す
要部の断面図。
要部の断面図。
【図７】従来の半導体装置の製造方法の実施例を示す要
部の断面図。
部の断面図。
１０１・・・配線層 １０２・・・絶縁膜 １０３・・・レジスト ２０１・・・印加電極 ２０２・・・接地電極 ２０３・・・ウエハ ２０４・・・ＲＦ電源 ２０５・・・マイクロ波電源 ２０６・・・マグネットコイル ３０１・・・ＬＯＣＯＳ ３０２・・・酸化膜 ３０３・・・配線層 ３０４・・・ソース・ドレイン領域 ３０５・・・絶縁膜 ３０６・・・レジスト ４０１・・・印加電極 ４０２・・・接地電極 ４０３・・・ウエハ ４０４・・・ＲＦ電源 ５０１・・・ＬＯＣＯＳ ５０２・・・酸化膜 ５０３・・・ゲート電極 ５０４・・・ソース・ドレイン領域、配線層 ５０５・・・絶縁膜 ５０６・・・レジスト ６０１・・・印加電極 ６０２・・・接地電極 ６０３・・・ウエハ ６０４・・・ＲＦ電源 ６０５・・・マグネット ７０１・・・配線層 ７０２・・・絶縁膜 ７０３・・・レジスト
Claims (13)
- 【請求項１】反応室にガスを導入し、ガスをプラズマ化
し、シリコン酸化膜のエッチングを行うドライエッチン
グ方法において、前記エッチングガスはＣＨＦ3が主ガ
スであり、一般式がＣXＯYで表わされるガスを添加ガス
として用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】反応室にガスを導入し、ガスをプラズマ化
し、シリコン酸化膜のエッチングを行うドライエッチン
グ方法において、前記エッチングガスはＣＨＦ3が主ガ
スであり、一般式がＣXＨYＯZで表わされるガスを添加
ガスとして用いることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】反応室にガスを導入し、ガスをプラズマ化
し、シリコン酸化膜のエッチングを行うドライエッチン
グ方法において、前記エッチングガスはＣＨＦ3が主ガ
スであり、一般式がＣXＨYで表わされるガスを添加ガス
として用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】一般式がＣXＯYで表わされる前記添加ガス
としてＣＯを用いることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項５】一般式がＣXＯYで表わされる前記添加ガス
としてＣＯ2を用いることを特徴とする請求項１記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】一般式がＣXＨYＯZで表わされる前記添加
ガスとしてＨＣＨＯを用いることを特徴とする請求項２
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】一般式がＣXＨYＯZで表わされる前記添加
ガスとしてＣＨ3ＯＨを用いることを特徴とする請求項
２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】一般式がＣXＨYＯZで表わされる前記添加
ガスとして（ＣＨ3）2Ｏを用いることを特徴とする請求
項２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】一般式がＣXＨYＯZで表わされる前記添加
ガスとしてＣ2Ｈ5ＯＨを用いることを特徴とする請求項
２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】一般式がＣXＨYで表わされる前記添加ガ
スとしてＣＨ4を用いることを特徴とする請求項３記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】一般式がＣXＨYで表わされる前記添加ガ
スとしてＣ2Ｈ6を用いることを特徴とする請求項３記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】一般式がＣXＨYで表わされる前記添加ガ
スとしてＣ2Ｈ4を用いることを特徴とする請求項３記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】一般式がＣXＨYで表わされる前記添加ガ
スとしてＣ2Ｈ2を用いることを特徴とする請求項３記載
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4179988A JPH0629252A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4179988A JPH0629252A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629252A true JPH0629252A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16075499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4179988A Pending JPH0629252A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629252A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970003478A (ko) * | 1995-06-23 | 1997-01-28 | 김주용 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
| KR100372654B1 (ko) * | 1995-11-20 | 2003-04-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의콘택홀형성방법 |
| CN116313783A (zh) * | 2023-05-10 | 2023-06-23 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 金属的刻蚀方法以及半导体器件 |
-
1992
- 1992-07-07 JP JP4179988A patent/JPH0629252A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100372654B1 (ko) * | 1995-11-20 | 2003-04-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의콘택홀형성방법 |
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