JPH06293967A - イオンシャワー装置 - Google Patents
イオンシャワー装置Info
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- JPH06293967A JPH06293967A JP8071793A JP8071793A JPH06293967A JP H06293967 A JPH06293967 A JP H06293967A JP 8071793 A JP8071793 A JP 8071793A JP 8071793 A JP8071793 A JP 8071793A JP H06293967 A JPH06293967 A JP H06293967A
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- Japan
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- ion shower
- insulating substrate
- glass substrate
- plasma chamber
- shower device
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- Pending
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁体基板のチャージアップを防止すること
ができるイオンシャワー装置を提供する。 【構成】 ガラス等の絶縁体基板６上に形成された薄膜
にイオンシャワードーピングを行う装置において、絶縁
体基板６の外周に絶縁体基板６に蓄積した電荷を中和す
るための、接地され或いは負電圧が印加された２次電子
供給金属体１０を設けたことを特徴としている。
ができるイオンシャワー装置を提供する。 【構成】 ガラス等の絶縁体基板６上に形成された薄膜
にイオンシャワードーピングを行う装置において、絶縁
体基板６の外周に絶縁体基板６に蓄積した電荷を中和す
るための、接地され或いは負電圧が印加された２次電子
供給金属体１０を設けたことを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁体基板のチャージ
アップを防止するようにしたイオンシャワー装置に関す
る。
アップを防止するようにしたイオンシャワー装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイを製造する工程で、反
応性ガスをプラズマ化して得られたイオンビームをガラ
ス基板上の薄膜アモルファスシリコンにドーピングする
ことが行われている。このようなイオンビームのドーピ
ングを行う装置としてイオンシャワー装置がある。
応性ガスをプラズマ化して得られたイオンビームをガラ
ス基板上の薄膜アモルファスシリコンにドーピングする
ことが行われている。このようなイオンビームのドーピ
ングを行う装置としてイオンシャワー装置がある。
【０００３】図２は従来のイオンシャワー装置の概念図
である。
である。
【０００４】同図においてイオンシャワー装置は、バケ
ット型のプラズマ室１と、プラズマ室１にＰＨ3 等の反
応性ガスを導入するための導入口２と、プラズマ室１の
上部に設けられたカソードとしてのフィラメント３と、
フィラメント３に接続されフィラメント３を点灯させる
ためのフィラメント電源４と、このフィラメント３とア
ノードとしてのプラズマ室１の内壁との間でアーク放電
を発生させるための高圧電源５と、このプラズマ室１の
出射側（図の下側）に設けられアモルファスシリコン薄
膜が形成されたガラス基板６を収容するチャンバ７と、
チャンバ７とプラズマ室１との間に設けられプラズマ室
１で発生したプラズマを引き出してガラス基板６上のア
モルファスシリコン薄膜にドーピングするための引き出
し電極系８とで構成されている。
ット型のプラズマ室１と、プラズマ室１にＰＨ3 等の反
応性ガスを導入するための導入口２と、プラズマ室１の
上部に設けられたカソードとしてのフィラメント３と、
フィラメント３に接続されフィラメント３を点灯させる
ためのフィラメント電源４と、このフィラメント３とア
ノードとしてのプラズマ室１の内壁との間でアーク放電
を発生させるための高圧電源５と、このプラズマ室１の
出射側（図の下側）に設けられアモルファスシリコン薄
膜が形成されたガラス基板６を収容するチャンバ７と、
チャンバ７とプラズマ室１との間に設けられプラズマ室
１で発生したプラズマを引き出してガラス基板６上のア
モルファスシリコン薄膜にドーピングするための引き出
し電極系８とで構成されている。
【０００５】このようなイオンシャワー装置のチャンバ
７内にガラス基板６を配置しておき、図示しない真空ポ
ンプでプラズマ室１及びチャンバ７の真空引きを行うと
共に、プラズマ室１内に反応性ガスを導入し、この反応
性ガスをアーク放電させてプラズマ化する。反応性ガス
がプラズマ化した後引き出し電極系８に所定の電圧を印
加してイオンを引き出し、得られたイオンビームをガラ
ス基板６に照射することによりイオンシャワードーピン
グが行われる。
７内にガラス基板６を配置しておき、図示しない真空ポ
ンプでプラズマ室１及びチャンバ７の真空引きを行うと
共に、プラズマ室１内に反応性ガスを導入し、この反応
性ガスをアーク放電させてプラズマ化する。反応性ガス
がプラズマ化した後引き出し電極系８に所定の電圧を印
加してイオンを引き出し、得られたイオンビームをガラ
ス基板６に照射することによりイオンシャワードーピン
グが行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで上述したイオ
ンシャワー装置ではガラス基板そのものが絶縁体のため
直接接地することができない。このためイオンビームを
ガラス基板上のアモルファスシリコン薄膜にドーピング
するとプラスイオンがガラス基板上に蓄積（チャージア
ップ）してしまい、アモルファスシリコン薄膜が破壊さ
れてしまう。
ンシャワー装置ではガラス基板そのものが絶縁体のため
直接接地することができない。このためイオンビームを
ガラス基板上のアモルファスシリコン薄膜にドーピング
するとプラスイオンがガラス基板上に蓄積（チャージア
ップ）してしまい、アモルファスシリコン薄膜が破壊さ
れてしまう。
【０００７】そこでこの種の液晶ディスプレイ製造用の
イオンシャワー装置は通常のイオンシャワードーピング
を行う装置よりガス圧を高くしてチャンバ内の中性ガス
を電離することにより得られた電子（マイナスイオン）
でガラス基板に蓄積したプラスイオンを中和させること
が行われている。
イオンシャワー装置は通常のイオンシャワードーピング
を行う装置よりガス圧を高くしてチャンバ内の中性ガス
を電離することにより得られた電子（マイナスイオン）
でガラス基板に蓄積したプラスイオンを中和させること
が行われている。
【０００８】しかしながら、ガスの種類によっては電離
しやすいものとしにくいものとがあり、ドーピングする
イオン種によってはガスの電離だけでは中和しきれなく
なりチャージアップすることがある。
しやすいものとしにくいものとがあり、ドーピングする
イオン種によってはガスの電離だけでは中和しきれなく
なりチャージアップすることがある。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、絶縁体基板のチャージアップを防止することができ
るイオンシャワー装置を提供することにある。
し、絶縁体基板のチャージアップを防止することができ
るイオンシャワー装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、ガラス等の絶縁体基板上に形成された薄膜
にイオンシャワードーピングを行う装置において、絶縁
体基板の外周に絶縁体基板に蓄積した電荷を中和するた
めの、接地され或いは負電圧が印加された２次電子供給
金属体を設けたものである。
に本発明は、ガラス等の絶縁体基板上に形成された薄膜
にイオンシャワードーピングを行う装置において、絶縁
体基板の外周に絶縁体基板に蓄積した電荷を中和するた
めの、接地され或いは負電圧が印加された２次電子供給
金属体を設けたものである。
【００１１】
【作用】上記構成によれば、絶縁体基板上に形成された
薄膜に対してイオンシャワードーピングを行う際に絶縁
体基板に正の電荷が蓄積される。しかし、接地され或い
は負電圧が印加された２次電子供給金属体にイオンが衝
突することによって２次電子が放出され、この２次電子
で絶縁体基板上に蓄積した正の電荷が中和され、絶縁体
基板のチャージアップが防止される。
薄膜に対してイオンシャワードーピングを行う際に絶縁
体基板に正の電荷が蓄積される。しかし、接地され或い
は負電圧が印加された２次電子供給金属体にイオンが衝
突することによって２次電子が放出され、この２次電子
で絶縁体基板上に蓄積した正の電荷が中和され、絶縁体
基板のチャージアップが防止される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳述する。
て詳述する。
【００１３】図１は本発明のイオンシャワー装置の一実
施例の概念図である。尚、図２に示したイオンシャワー
装置と共通の部材には共通の符号を用いた。
施例の概念図である。尚、図２に示したイオンシャワー
装置と共通の部材には共通の符号を用いた。
【００１４】同図において、イオンシャワー装置は、バ
ケット型のプラズマ室１と、プラズマ室１に接続され反
応性ガス及び／又は不活性ガス（例えばＰＨ3 ／Ｈ2 ）
をプラズマ室１内に導入するための導入口２と、反応性
ガス及び／又は不活性ガスをプラズマ化するためのプラ
ズマ室１の上部に設けられたカソードとしてのフィラメ
ント３と、フィラメント３に接続されフィラメント３を
点灯させるためのフィラメント電源４と、このフィラメ
ント３とアノードとしてのプラズマ室１内壁との間でア
ーク放電を発生させるための高圧電源５と、このプラズ
マ室１の出射側（図の下側）に設けられると共に接地さ
れ、表面に薄膜アモルファスシリコンが形成された絶縁
体基板としてのガラス基板６を収容するチャンバ７と、
チャンバ７とプラズマ室１との間に設けられプラズマ室
１で発生したプラズマを引き出してガラス基板６に注入
するための引き出し電極系８と、ガラス基板６の周囲に
設けられ可変直流電源９によって負電圧が印加された２
次電子供給体としての金属板１０とで構成されている。
ケット型のプラズマ室１と、プラズマ室１に接続され反
応性ガス及び／又は不活性ガス（例えばＰＨ3 ／Ｈ2 ）
をプラズマ室１内に導入するための導入口２と、反応性
ガス及び／又は不活性ガスをプラズマ化するためのプラ
ズマ室１の上部に設けられたカソードとしてのフィラメ
ント３と、フィラメント３に接続されフィラメント３を
点灯させるためのフィラメント電源４と、このフィラメ
ント３とアノードとしてのプラズマ室１内壁との間でア
ーク放電を発生させるための高圧電源５と、このプラズ
マ室１の出射側（図の下側）に設けられると共に接地さ
れ、表面に薄膜アモルファスシリコンが形成された絶縁
体基板としてのガラス基板６を収容するチャンバ７と、
チャンバ７とプラズマ室１との間に設けられプラズマ室
１で発生したプラズマを引き出してガラス基板６に注入
するための引き出し電極系８と、ガラス基板６の周囲に
設けられ可変直流電源９によって負電圧が印加された２
次電子供給体としての金属板１０とで構成されている。
【００１５】金属板１０の形状は、例えば枠形である
が、これに限定されるものではなくガラス基板の形状に
応じた形状であれば環状であってもよい。
が、これに限定されるものではなくガラス基板の形状に
応じた形状であれば環状であってもよい。
【００１６】次に実施例の作用を述べる。
【００１７】このようなイオンシャワードーピング装置
を動作させると、反応性ガス及び／又は不活性ガスがプ
ラズマ室１に導入され、フィラメント３が点灯すると共
にこのフィラメント３とプラズマ室１内壁との間でアー
ク放電が発生し、プラズマが発生する。プラズマ室１に
発生したプラズマは引き出し電極系８で引き出されてチ
ャンバ７内のガラス基板６側にイオンビーム１１として
出射される。プラズマ室１から引き出されたイオンビー
ム１１の多くはガラス基板６上に形成されたアモルファ
スシリコン薄膜にドーピングされる。このドーピングに
よってガラス基板６には正の電荷が蓄積する。
を動作させると、反応性ガス及び／又は不活性ガスがプ
ラズマ室１に導入され、フィラメント３が点灯すると共
にこのフィラメント３とプラズマ室１内壁との間でアー
ク放電が発生し、プラズマが発生する。プラズマ室１に
発生したプラズマは引き出し電極系８で引き出されてチ
ャンバ７内のガラス基板６側にイオンビーム１１として
出射される。プラズマ室１から引き出されたイオンビー
ム１１の多くはガラス基板６上に形成されたアモルファ
スシリコン薄膜にドーピングされる。このドーピングに
よってガラス基板６には正の電荷が蓄積する。
【００１８】一方、プラズマ室１から引き出されたイオ
ンビーム１１の一部は金属板１０に照射される。イオン
ビーム１１の照射によってイオン１１ａが金属板１０に
衝突して２次電子ｅ- が放出される。この２次電子ｅ-
はガラス基板６の正の電荷と中和するのでガラス基板６
のチャージアップが防止される。
ンビーム１１の一部は金属板１０に照射される。イオン
ビーム１１の照射によってイオン１１ａが金属板１０に
衝突して２次電子ｅ- が放出される。この２次電子ｅ-
はガラス基板６の正の電荷と中和するのでガラス基板６
のチャージアップが防止される。
【００１９】以上において本実施例によれば絶縁体基板
上に形成された薄膜に対してイオンシャワードーピング
を行う際に絶縁体基板に正の電荷が蓄積される。しか
し、接地され或いは負電圧が印加された２次電子供給金
属体にイオンが衝突することによって２次電子が放出さ
れ、この２次電子で絶縁体基板上に蓄積した正の電荷が
中和され、絶縁体基板のチャージアップが防止され、薄
膜の破壊が防止される。
上に形成された薄膜に対してイオンシャワードーピング
を行う際に絶縁体基板に正の電荷が蓄積される。しか
し、接地され或いは負電圧が印加された２次電子供給金
属体にイオンが衝突することによって２次電子が放出さ
れ、この２次電子で絶縁体基板上に蓄積した正の電荷が
中和され、絶縁体基板のチャージアップが防止され、薄
膜の破壊が防止される。
【００２０】尚、本実施例では金属板に負の電圧を印加
した場合で説明したが、これに限定されるものではな
く、モリブデンやタンタル等の２次電子放出数が多い金
属を接地して構成してもよい。また、絶縁体基板にガラ
ス基板を用いた場合で説明したがこれに限定されるもの
ではないことはいうまでもない。
した場合で説明したが、これに限定されるものではな
く、モリブデンやタンタル等の２次電子放出数が多い金
属を接地して構成してもよい。また、絶縁体基板にガラ
ス基板を用いた場合で説明したがこれに限定されるもの
ではないことはいうまでもない。
【００２１】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００２２】(1) ガラス等の絶縁体基板のチャージアッ
プが防止される。
プが防止される。
【図１】本発明のイオンシャワー装置の一実施例の概念
図である。
図である。
【図２】従来のイオンシャワー装置の概念図である。
６ 絶縁体基板（ガラス基板） １０ ２次電子供給金属体（金属板）
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス等の絶縁体基板上に形成された薄
膜にイオンシャワードーピングを行う装置において、上
記絶縁体基板の外周に上記絶縁体基板に蓄積した電荷を
中和するための、接地され或いは負電圧が印加された２
次電子供給金属体を設けたことを特徴とするイオンシャ
ワー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8071793A JPH06293967A (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | イオンシャワー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8071793A JPH06293967A (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | イオンシャワー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06293967A true JPH06293967A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=13726105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8071793A Pending JPH06293967A (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | イオンシャワー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06293967A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7288173B2 (en) * | 2003-10-31 | 2007-10-30 | Sony Corporation | Ion beam processing system and ion beam processing method |
| CN106057625A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-10-26 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 提高离子注入纯度的电弧腔及离子注入方法 |
-
1993
- 1993-04-07 JP JP8071793A patent/JPH06293967A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7288173B2 (en) * | 2003-10-31 | 2007-10-30 | Sony Corporation | Ion beam processing system and ion beam processing method |
| CN106057625A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-10-26 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 提高离子注入纯度的电弧腔及离子注入方法 |
| CN106057625B (zh) * | 2016-05-27 | 2018-05-01 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 提高离子注入纯度的电弧腔及离子注入方法 |
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