JPH062948B2 - 被処理体の処理方法 - Google Patents
被処理体の処理方法Info
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- JPH062948B2 JPH062948B2 JP61229059A JP22905986A JPH062948B2 JP H062948 B2 JPH062948 B2 JP H062948B2 JP 61229059 A JP61229059 A JP 61229059A JP 22905986 A JP22905986 A JP 22905986A JP H062948 B2 JPH062948 B2 JP H062948B2
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- processed
- semiconductor wafer
- film
- cvd
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体ウエハ等の被処理基板にＣＶＤ膜を形
成する被処理体の処理方法に関する。
成する被処理体の処理方法に関する。
（従来の技術） 一般に、半導体ウエハ等の被処理基板の表面にＳｉ
Ｏ２、ＰＳＧ、ＢＳＧ等のＣＶＤ膜を形成するＣＶＤ装
置には、減圧ＣＶＤ装置、常圧ＣＶＤ装置、プラズマＣ
ＶＤ装置等の種々のＣＶＤ装置がある。
Ｏ２、ＰＳＧ、ＢＳＧ等のＣＶＤ膜を形成するＣＶＤ装
置には、減圧ＣＶＤ装置、常圧ＣＶＤ装置、プラズマＣ
ＶＤ装置等の種々のＣＶＤ装置がある。
これらの従来のＣＶＤ装置では、常圧あるいは減圧され
た処理室内に半導体ウエハ等の被処理基板を多数配置
し、これらの被処理基板を加熱するとともに、処理室内
に例えばＳｉＨ４とＰＨ３とＯ２あるいはＳｉＨ４とＯ
２等の所定の反応ガスを流通させ、バッチ方式あるいは
インライン方式等により半導体ウエハ表面にＣＶＤ膜を
形成する。またプラズマＣＶＤ装置では、これらの反応
ガスをプラズマ化して処理室内に流通させる。
た処理室内に半導体ウエハ等の被処理基板を多数配置
し、これらの被処理基板を加熱するとともに、処理室内
に例えばＳｉＨ４とＰＨ３とＯ２あるいはＳｉＨ４とＯ
２等の所定の反応ガスを流通させ、バッチ方式あるいは
インライン方式等により半導体ウエハ表面にＣＶＤ膜を
形成する。またプラズマＣＶＤ装置では、これらの反応
ガスをプラズマ化して処理室内に流通させる。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら上記説明の従来のＣＶＤ装置では、処理室
内に流通させる反応ガスを処理室内に配置された半導体
ウエハ等の被処理基板の表面に均一に供給することが困
難であり、このため各半導体ウエハ間にあるいは半導体
ウエハの表面の部位によって、形成されたＣＶＤ膜の膜
厚が不均一になるという問題があった。
内に流通させる反応ガスを処理室内に配置された半導体
ウエハ等の被処理基板の表面に均一に供給することが困
難であり、このため各半導体ウエハ間にあるいは半導体
ウエハの表面の部位によって、形成されたＣＶＤ膜の膜
厚が不均一になるという問題があった。
本発明はかかる従来の事情に対処してなされたもので、
各半導体ウエハおよび半導体ウエハの表面全面に、均一
な膜厚でＣＶＤ膜を形成することのできる被処理体の処
理方法を提供しようとするものである。
各半導体ウエハおよび半導体ウエハの表面全面に、均一
な膜厚でＣＶＤ膜を形成することのできる被処理体の処
理方法を提供しようとするものである。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） すなわち本発明の被処理体の処理方法は、被処理体を処
理室内の載置台に載置し、前記処理室内を所定圧力に設
定する工程と、前記被処理体を所定温度に設定した後、
オゾンを含む酸素ガスおよび成膜ガスと予め冷却され、
前記被処理体に近接対向して設けられたガス流出部へ供
給する工程とを具備し、前記被処理体表面に前記ガス流
出部から略垂直に前記２種のガスを供給し、前記被処理
体の処理面にＣＶＤ膜を形成することを特徴とする （作 用） 本発明の被処理体の処理方法では、まず、被処理体を処
理室内の載置台に載置し、処理室内を所定圧力に設定す
る。
理室内の載置台に載置し、前記処理室内を所定圧力に設
定する工程と、前記被処理体を所定温度に設定した後、
オゾンを含む酸素ガスおよび成膜ガスと予め冷却され、
前記被処理体に近接対向して設けられたガス流出部へ供
給する工程とを具備し、前記被処理体表面に前記ガス流
出部から略垂直に前記２種のガスを供給し、前記被処理
体の処理面にＣＶＤ膜を形成することを特徴とする （作 用） 本発明の被処理体の処理方法では、まず、被処理体を処
理室内の載置台に載置し、処理室内を所定圧力に設定す
る。
次に、被処理体を所定温度に設定した後、オゾンを含む
酸素ガスおよび成膜ガスとを予め冷却され、前記被処理
体に近接対向して設けられたガス流出部へ供給する。成
膜ガスとしては、例えば、ＳｉＨ4、ＰＨ3、Ｂ２Ｈ６中
から選ばれた少なくとも２つのガスを含むガスを用い
る。また、ガス流出部は、被処理体に対して、例えば
０．５乃至２０ｍｍ程度の関隙を設けて近接対向して配
置されている。
酸素ガスおよび成膜ガスとを予め冷却され、前記被処理
体に近接対向して設けられたガス流出部へ供給する。成
膜ガスとしては、例えば、ＳｉＨ4、ＰＨ3、Ｂ２Ｈ６中
から選ばれた少なくとも２つのガスを含むガスを用い
る。また、ガス流出部は、被処理体に対して、例えば
０．５乃至２０ｍｍ程度の関隙を設けて近接対向して配
置されている。
そして、被処理体表面にガス流出部から略垂直に前記２
種のガスを供給し、被処理体の処理面にＣＶＤ膜を形成
する。
種のガスを供給し、被処理体の処理面にＣＶＤ膜を形成
する。
したがって、ガス流出部と半導体ウエハ等の被処理基板
との間に形成されたギャップが、均一なガス濃度の反応
空間となり、各被処理基板全面に均一なＣＶＤ膜を形成
することができる。
との間に形成されたギャップが、均一なガス濃度の反応
空間となり、各被処理基板全面に均一なＣＶＤ膜を形成
することができる。
また、所定の反応ガスは、冷却されたガス流出部から加
熱された被処理基板へ向けて流出されるので、高温にお
いて分解されやすい反応ガスでも被処理基板に供給され
る直前まで分解されることがなく反応ガスを有効に使用
することができ、高速な成膜速度で処理を行なうことが
できる。
熱された被処理基板へ向けて流出されるので、高温にお
いて分解されやすい反応ガスでも被処理基板に供給され
る直前まで分解されることがなく反応ガスを有効に使用
することができ、高速な成膜速度で処理を行なうことが
できる。
（実施例） 以下、本発明の被処理体の処理方法を図面を参照して実
施例について説明する。
施例について説明する。
第１図および第４図は本発明の一実施例のＣＶＤ装置を
示すもので、この実施例のＣＶＤ装置では、処理室１１
内には、例えば真空チャック等により半導体ウエハ１２
を吸着保持する載置台１３が配置されており、この載置
台１３は、温度制御装置１４によって制御されるヒータ
１５を内蔵し、昇降装置１６により上下に移動自在とさ
れている。
示すもので、この実施例のＣＶＤ装置では、処理室１１
内には、例えば真空チャック等により半導体ウエハ１２
を吸着保持する載置台１３が配置されており、この載置
台１３は、温度制御装置１４によって制御されるヒータ
１５を内蔵し、昇降装置１６により上下に移動自在とさ
れている。
載置台１３上方には、円錐形状に形成されたコーン部１
７ａと、このコーン部１７ａの開口部に配置され、第３
図にも示すように、例えば金属あるいはセラミック等の
焼結体からなる拡散板１７ｂとから構成されるガス流出
部１７が配置されており、ガス流出部１７は、冷却装置
１８からコーン部１７ａの外側に配置された配管１８ａ
内を循環される冷却水等により冷却されている。
７ａと、このコーン部１７ａの開口部に配置され、第３
図にも示すように、例えば金属あるいはセラミック等の
焼結体からなる拡散板１７ｂとから構成されるガス流出
部１７が配置されており、ガス流出部１７は、冷却装置
１８からコーン部１７ａの外側に配置された配管１８ａ
内を循環される冷却水等により冷却されている。
そしてガス流出部１７は、それぞれガス流量調節器１９
ａ、１９ｂ、１９ｃを備えたガス供給源２０ａ、２０
ｂ、２０ｃに接続されている。
ａ、１９ｂ、１９ｃを備えたガス供給源２０ａ、２０
ｂ、２０ｃに接続されている。
また、載置台１３の周囲には、この載置台１３の周囲を
囲むように例えばスリット状あるいは複数の開口からな
る排気口２１が配置されており、この排気口２１は、排
気装置２２に接続されている。
囲むように例えばスリット状あるいは複数の開口からな
る排気口２１が配置されており、この排気口２１は、排
気装置２２に接続されている。
そして上記構成のこの実施例のＣＶＤ装置では、次のよ
うにしてＣＶＤを行なう。
うにしてＣＶＤを行なう。
すなわち、まず昇降装置１６によって載置台１３を下降
させ、ガス流出部１７との間に図示しないウエハ搬送装
置のアーム等が導入される間隔が設けられ、半導体ウエ
ハ１２がこのウエハ搬送装置等により載置台１３上に載
置され、吸着保持される。
させ、ガス流出部１７との間に図示しないウエハ搬送装
置のアーム等が導入される間隔が設けられ、半導体ウエ
ハ１２がこのウエハ搬送装置等により載置台１３上に載
置され、吸着保持される。
この後、昇降装置１６によって載置台１３を上昇させ、
ガス流出部１７の拡散板１７ｂと、半導体ウエハ１２表
面との間隔が例えば0.5〜20mm程度の所定の間隔に設定
される。なおこの場合、ガス流出部１７を昇降装置によ
って上下動させてもよい。
ガス流出部１７の拡散板１７ｂと、半導体ウエハ１２表
面との間隔が例えば0.5〜20mm程度の所定の間隔に設定
される。なおこの場合、ガス流出部１７を昇降装置によ
って上下動させてもよい。
半導体ウエハ１２が載置台１３上に配置されるとガス供
給源２０ａ、２ ０ｂ、２０ｃから供給される酸素ガ
スおよびＳｉＨ4、ＰＨ3、Ｂ3H6等の所定の反応ガス
が、少なくとも２種のガス流量調節器１９ａ、１９ｂ、
１９ｃにより流量を調節されて、ガス流出部１７の拡散
板１７ｂから半導体ウエハ１２表面へ向けて流出され
る。なおこの時、載置台１３は、温度制御装置１４およ
びヒータ１５により例えば250℃乃至500℃程度に加熱さ
れ、半導体ウエハ１２を加熱する。この加熱された半導
体ウエハ１２の表面に流出噴射された反応ガスは、酸素
原子ラジカルを生成し、この生成した酸素原子ラジカル
と他の反応ガスとの反応により成膜する。ガス流出部１
７は、冷却装置１８から配管１８ａ内を循環させる冷却
水により冷却される。この冷却は、反応ガスが高温に晒
されて反応により変化するのを防止するためである。そ
して、排気装置２２により排気口２１から排気を行な
い、処理室１１内の気体圧力を700〜200Torr程度に設定
する。
給源２０ａ、２ ０ｂ、２０ｃから供給される酸素ガ
スおよびＳｉＨ4、ＰＨ3、Ｂ3H6等の所定の反応ガス
が、少なくとも２種のガス流量調節器１９ａ、１９ｂ、
１９ｃにより流量を調節されて、ガス流出部１７の拡散
板１７ｂから半導体ウエハ１２表面へ向けて流出され
る。なおこの時、載置台１３は、温度制御装置１４およ
びヒータ１５により例えば250℃乃至500℃程度に加熱さ
れ、半導体ウエハ１２を加熱する。この加熱された半導
体ウエハ１２の表面に流出噴射された反応ガスは、酸素
原子ラジカルを生成し、この生成した酸素原子ラジカル
と他の反応ガスとの反応により成膜する。ガス流出部１
７は、冷却装置１８から配管１８ａ内を循環させる冷却
水により冷却される。この冷却は、反応ガスが高温に晒
されて反応により変化するのを防止するためである。そ
して、排気装置２２により排気口２１から排気を行な
い、処理室１１内の気体圧力を700〜200Torr程度に設定
する。
この時、第２図に矢印で示すように、ガス流出部１７の
拡散板１７ｂから流出したガスは、拡散板１７ｂと半導
体ウエハ１２との間に形成された反応空間内で、半導体
ウエハ１２の中央部から周辺部へ向かうガスの流れを形
成する。ここで所定の反応ガスは、加熱された半導体ウ
エハ１２およびその周囲の雰囲気により加熱され、化学
的な反応を起こし、半導体ウエハ１２の表面にＣＶＤ膜
が形成される。
拡散板１７ｂから流出したガスは、拡散板１７ｂと半導
体ウエハ１２との間に形成された反応空間内で、半導体
ウエハ１２の中央部から周辺部へ向かうガスの流れを形
成する。ここで所定の反応ガスは、加熱された半導体ウ
エハ１２およびその周囲の雰囲気により加熱され、化学
的な反応を起こし、半導体ウエハ１２の表面にＣＶＤ膜
が形成される。
上記説明のこの実施例のＣＶＤ装置では、ガス流出部１
７と半導体ウエハ１２との間に形成されたギャップが、
均一なガス濃度の反応空間となり、各半導体ウヘハ１２
全面に均一なＣＶＤ膜を形成することができる。また、
所定の反応ガスは、冷却されたガス流出部１７から加熱
された半導体ウエハ１２へ向けて流出されるので、高温
において分解されやすい反応ガスでも半導体ウエハ１２
に供給される直前まで分解されることがなく反応ガスを
有効に使用することができ、高速な成膜速度で処理を行
なうことができる。
７と半導体ウエハ１２との間に形成されたギャップが、
均一なガス濃度の反応空間となり、各半導体ウヘハ１２
全面に均一なＣＶＤ膜を形成することができる。また、
所定の反応ガスは、冷却されたガス流出部１７から加熱
された半導体ウエハ１２へ向けて流出されるので、高温
において分解されやすい反応ガスでも半導体ウエハ１２
に供給される直前まで分解されることがなく反応ガスを
有効に使用することができ、高速な成膜速度で処理を行
なうことができる。
なお、この実施例では、所定の反応ガスの１つとして酸
素ガスを用いる場合について説明したが、例えば第４図
に示すように、酸素供給源２５から供給される酸素ガス
内にオゾン発生器２６によってオゾンを発生させ、オゾ
ンを含む酸素ガスによってＣＶＤ膜を形成するよう構成
してもよい。このようなオゾンは、高温とされると分解
が促進されるので、ガス流出部１７の温度は25℃程度と
することが好ましい。なお同図において前述の第１図に
示すＣＶＤ装置と同一の部分には、同一符号を付してあ
る。
素ガスを用いる場合について説明したが、例えば第４図
に示すように、酸素供給源２５から供給される酸素ガス
内にオゾン発生器２６によってオゾンを発生させ、オゾ
ンを含む酸素ガスによってＣＶＤ膜を形成するよう構成
してもよい。このようなオゾンは、高温とされると分解
が促進されるので、ガス流出部１７の温度は25℃程度と
することが好ましい。なお同図において前述の第１図に
示すＣＶＤ装置と同一の部分には、同一符号を付してあ
る。
縦軸を成膜速度、横軸を半導体ウエハ１２の温度とした
第５図のグラフの実線Ａ、Ｂは、それぞれ第１図に示し
たＣＶＤ装置および第４図に示したオゾンを含む酸素ガ
スによってＣＶＤ膜を形成するＣＶＤ装置の成膜速度を
示している。このグラフからわかるように、オゾンを含
む酸素ガスを用いると、より低温で高速な成膜速度を得
ることができる。
第５図のグラフの実線Ａ、Ｂは、それぞれ第１図に示し
たＣＶＤ装置および第４図に示したオゾンを含む酸素ガ
スによってＣＶＤ膜を形成するＣＶＤ装置の成膜速度を
示している。このグラフからわかるように、オゾンを含
む酸素ガスを用いると、より低温で高速な成膜速度を得
ることができる。
なお、これら実施例ではガス流出部１７を、円錐形状の
コーン部１７ａの開口部に金属あるいはセラミック等の
焼結体からなる拡散板１７ｂを配置して構成したが、本
発明は係る実施例に限定されるものではなく、例えば拡
散板１７ｂは、第６図に示すように多数の小孔３０ｃを
備えた拡散板３０ｂとしてもよく、第７図に示すように
複数の同心円状のスリット３１ｃを備えた拡散板３１
ｂ、第８図に示すように直線状のスリット３２ｃを備え
た拡散板３２ｂ、第９図に示すように大きさの異なる小
孔３３ｃを配置された拡散板３３ｂ、第１０図に示すよ
うに渦巻状のスリット３４ｃを備えた拡散板３４ｂ等と
してもよい。
コーン部１７ａの開口部に金属あるいはセラミック等の
焼結体からなる拡散板１７ｂを配置して構成したが、本
発明は係る実施例に限定されるものではなく、例えば拡
散板１７ｂは、第６図に示すように多数の小孔３０ｃを
備えた拡散板３０ｂとしてもよく、第７図に示すように
複数の同心円状のスリット３１ｃを備えた拡散板３１
ｂ、第８図に示すように直線状のスリット３２ｃを備え
た拡散板３２ｂ、第９図に示すように大きさの異なる小
孔３３ｃを配置された拡散板３３ｂ、第１０図に示すよ
うに渦巻状のスリット３４ｃを備えた拡散板３４ｂ等と
してもよい。
［発明の効果］ 上述のように本発明の被処理体の処理方法では、ガス流
出部と半導体ウエハ等の被処理基板との間に形成された
ギャップが、均一なガス濃度の反応空間となり、各被処
理基板全面に均一なＣＶＤ膜を形成することができる。
また、所定の反応ガスは、冷却されたガス流出部から加
熱された被処理基板へ向けて流出されるので、例えばオ
ゾン等の高温において分解されやすい反応ガスでも被処
理基板に供給される直前まで分解されることがなく反応
ガスを有効に使用することができ、高速な成膜速度で処
理を行なうことができる。
出部と半導体ウエハ等の被処理基板との間に形成された
ギャップが、均一なガス濃度の反応空間となり、各被処
理基板全面に均一なＣＶＤ膜を形成することができる。
また、所定の反応ガスは、冷却されたガス流出部から加
熱された被処理基板へ向けて流出されるので、例えばオ
ゾン等の高温において分解されやすい反応ガスでも被処
理基板に供給される直前まで分解されることがなく反応
ガスを有効に使用することができ、高速な成膜速度で処
理を行なうことができる。
第１図は本発明の一実施例のＣＶＤ装置を示す構成図、
第２図は第１図の要部を示す縦断面図、第３図は第１図
の要部を示す下面図、第４図は第１図のＣＶＤ装置の変
形例を示す構成図、第５図は成膜速度と温度の関係を示
すグラフ、第６図〜第１０図は第３図の変形例を示す下
面図である。 １２……半導体ウエハ、１７……ガス流出部、１４……
温度制御装置、１５……ヒータ、１８……冷却装置。
第２図は第１図の要部を示す縦断面図、第３図は第１図
の要部を示す下面図、第４図は第１図のＣＶＤ装置の変
形例を示す構成図、第５図は成膜速度と温度の関係を示
すグラフ、第６図〜第１０図は第３図の変形例を示す下
面図である。 １２……半導体ウエハ、１７……ガス流出部、１４……
温度制御装置、１５……ヒータ、１８……冷却装置。
Claims (3)
- 【請求項１】被処理体を処理室内の載置台に載置し、前
記処理室内を所定圧力に設定する工程と、 前記被処理体を所定温度に設定した後、オゾンを含む酸
素ガスおよび成膜ガスとを予め冷却され、前記被処理体
に近接対向して設けられたガス流出部へ供給する工程と
を具備し、 前記被処理体表面に前記ガス流出部から略垂直に前記２
種のガスを供給し、前記被処理体の処理面にＣＶＤ膜を
形成することを特徴とする被処理体の処理方法。 - 【請求項２】前記成膜ガスは、ＳｉＨ４、ＰＨ３、Ｂ２
Ｈ６の中から選ばれた少なくとも２つのガスを含むこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の被処理体の処
理方法。 - 【請求項３】前記所定温度は２５０℃以下の温度である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の被処理体
の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229059A JPH062948B2 (ja) | 1986-09-27 | 1986-09-27 | 被処理体の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229059A JPH062948B2 (ja) | 1986-09-27 | 1986-09-27 | 被処理体の処理方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6310129A Division JP2751015B2 (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 被処理体の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6383275A JPS6383275A (ja) | 1988-04-13 |
| JPH062948B2 true JPH062948B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=16886093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61229059A Expired - Lifetime JPH062948B2 (ja) | 1986-09-27 | 1986-09-27 | 被処理体の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062948B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2786224B2 (ja) * | 1989-01-23 | 1998-08-13 | アネルバ株式会社 | 薄膜作製装置および方法 |
| JP4542641B2 (ja) * | 1999-05-24 | 2010-09-15 | 株式会社アルバック | 半導体製造装置及びこの装置を利用したバリアメタル膜の形成方法 |
| JP4635266B2 (ja) * | 1999-11-29 | 2011-02-23 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 化学蒸着装置 |
| KR100717583B1 (ko) * | 2000-08-26 | 2007-05-15 | 주성엔지니어링(주) | Ｐｅｃｖｄ 장치 |
| JP4058364B2 (ja) * | 2003-03-18 | 2008-03-05 | 株式会社日立製作所 | 半導体製造装置 |
| US7775141B2 (en) | 2008-08-01 | 2010-08-17 | Snap-On Incorporated | Extended low-torque ratchet wrench |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5976870A (ja) * | 1982-10-25 | 1984-05-02 | Seiko Epson Corp | 酸化膜の化学蒸着法 |
| JPS6085531A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Sony Corp | 薄膜の形成方法 |
| JPS60131969A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-13 | Applied Material Japan Kk | 化学気相成長処理装置 |
| JPS61110767A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-29 | Fujitsu Ltd | Ｃｖｄ装置 |
-
1986
- 1986-09-27 JP JP61229059A patent/JPH062948B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6383275A (ja) | 1988-04-13 |
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