JPH06294973A - 液晶表示装置用アレイ基板 - Google Patents
液晶表示装置用アレイ基板Info
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- JPH06294973A JPH06294973A JP8080693A JP8080693A JPH06294973A JP H06294973 A JPH06294973 A JP H06294973A JP 8080693 A JP8080693 A JP 8080693A JP 8080693 A JP8080693 A JP 8080693A JP H06294973 A JPH06294973 A JP H06294973A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ゲート電極および配線とガラス基板との密着
性に優れ、エッチング残渣が残らない液晶表示装置用ア
レイ基板を提供する。 【構成】 ガラス基板１上に、モリブデン・タンタル合
金膜21、モリブデン膜22、アルミニウム膜23およびモリ
ブデン・タンタル合金膜24を積層形成し、４層構造のゲ
ート電極および配線４を形成する。ゲート電極および配
線４とガラス基板１との接触部分にモリブデン・タンタ
ル合金膜21を設けたので、ゲート電極および配線４とガ
ラス基板１との密着性が向上する。モリブデン・タンタ
ル合金膜21とアルミニウム膜23との間にモリブデン膜22
を形成するため、モリブデン膜22をアルミニウム膜23と
同時にエッチングでき、エッチング残渣が出ない。アル
ミニウム膜23は、モリブデン・タンタル合金膜21により
覆い囲まれているため、低抵抗かつ耐薬品性の優れたゲ
ート電極および配線４が得られる。
性に優れ、エッチング残渣が残らない液晶表示装置用ア
レイ基板を提供する。 【構成】 ガラス基板１上に、モリブデン・タンタル合
金膜21、モリブデン膜22、アルミニウム膜23およびモリ
ブデン・タンタル合金膜24を積層形成し、４層構造のゲ
ート電極および配線４を形成する。ゲート電極および配
線４とガラス基板１との接触部分にモリブデン・タンタ
ル合金膜21を設けたので、ゲート電極および配線４とガ
ラス基板１との密着性が向上する。モリブデン・タンタ
ル合金膜21とアルミニウム膜23との間にモリブデン膜22
を形成するため、モリブデン膜22をアルミニウム膜23と
同時にエッチングでき、エッチング残渣が出ない。アル
ミニウム膜23は、モリブデン・タンタル合金膜21により
覆い囲まれているため、低抵抗かつ耐薬品性の優れたゲ
ート電極および配線４が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スイッチング素子とし
て薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置用アレイ基板
に関する。
て薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置用アレイ基板
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、非晶質シリコン膜（ａ−Ｓｉ膜）
を用いた薄膜トランジスタをスイッチング素子とした液
晶表示装置が用いられつつある。すなわち、絶縁性基板
としてガラス基板を用い、低温で形成できる非晶質シリ
コン膜を用いて薄膜トランジスタアレイを構成すること
により、大面積、高精彩、高画質かつ低コストなフラッ
トパネルディスプレイが実現できるためである。
を用いた薄膜トランジスタをスイッチング素子とした液
晶表示装置が用いられつつある。すなわち、絶縁性基板
としてガラス基板を用い、低温で形成できる非晶質シリ
コン膜を用いて薄膜トランジスタアレイを構成すること
により、大面積、高精彩、高画質かつ低コストなフラッ
トパネルディスプレイが実現できるためである。
【０００３】ここで、従来の液晶表示装置用アレイ基板
を、図２に示す逆スタガー型の薄膜トランジスタ部の製
造工程を参照して説明する。
を、図２に示す逆スタガー型の薄膜トランジスタ部の製
造工程を参照して説明する。
【０００４】まず、絶縁性基板としてガラス基板１を用
い、このガラス基板１上にアルミニウム膜２を形成し、
このアルミニウム膜２を覆うようにモリブデン・タンタ
ル（Ｍｏ−Ｔａ）合金膜３を形成し、これらアルミニウ
ム膜２およびモリブデン・タンタル合金膜３にてゲート
電極および配線４を形成する。
い、このガラス基板１上にアルミニウム膜２を形成し、
このアルミニウム膜２を覆うようにモリブデン・タンタ
ル（Ｍｏ−Ｔａ）合金膜３を形成し、これらアルミニウ
ム膜２およびモリブデン・タンタル合金膜３にてゲート
電極および配線４を形成する。
【０００５】そして、ゲート電極および配線４の表面に
は、シリコン酸化膜５およびシリコン窒化膜６の複合膜
からなるゲート絶縁膜７を堆積する。続いて、このゲー
ト絶縁膜７上に半導体膜として非晶質シリコン膜８を順
次堆積する。さらに、非晶質シリコン膜８上のゲート電
極および配線４の上方にシリコン窒化膜からなるエッチ
ングストッパ層９を形成した後、このエッチングストッ
パ層９上に、非晶質シリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）膜からな
るオーミックコンタクト層10を堆積する。
は、シリコン酸化膜５およびシリコン窒化膜６の複合膜
からなるゲート絶縁膜７を堆積する。続いて、このゲー
ト絶縁膜７上に半導体膜として非晶質シリコン膜８を順
次堆積する。さらに、非晶質シリコン膜８上のゲート電
極および配線４の上方にシリコン窒化膜からなるエッチ
ングストッパ層９を形成した後、このエッチングストッ
パ層９上に、非晶質シリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）膜からな
るオーミックコンタクト層10を堆積する。
【０００６】次に、このオーミックコンタクト層10、非
晶質シリコン膜８およびシリコン窒化膜６をレジストパ
ターンをマスクとしてパターニングした後、ＩＴＯ（In
diumTin Oxide）膜の画素電極11を形成する。そして、
この画素電極11上に一端が接続されたモリブデンとアル
ミニウムとの２層膜で構成されるソース電極12を一方の
オーミックコンタクト層10上に形成するとともに、他方
のオーミックコンタクト層10上に同様にモリブデンとア
ルミニウムとの２層膜で構成されるドレイン電極13を形
成する。この後、同じレジストパターンをマスクとして
露出したオーミックコンタクト層10をエッチングして、
互いに電気的に分離されたソース、ドレイン領域を形成
し、薄膜トランジスタ14を構成する。
晶質シリコン膜８およびシリコン窒化膜６をレジストパ
ターンをマスクとしてパターニングした後、ＩＴＯ（In
diumTin Oxide）膜の画素電極11を形成する。そして、
この画素電極11上に一端が接続されたモリブデンとアル
ミニウムとの２層膜で構成されるソース電極12を一方の
オーミックコンタクト層10上に形成するとともに、他方
のオーミックコンタクト層10上に同様にモリブデンとア
ルミニウムとの２層膜で構成されるドレイン電極13を形
成する。この後、同じレジストパターンをマスクとして
露出したオーミックコンタクト層10をエッチングして、
互いに電気的に分離されたソース、ドレイン領域を形成
し、薄膜トランジスタ14を構成する。
【０００７】さらに、薄膜トランジスタ14の上部には、
シリコン窒化膜の保護膜15を形成して、薄膜トランジス
タ14を有する液晶表示装置用アレイ基板が完成する。
シリコン窒化膜の保護膜15を形成して、薄膜トランジス
タ14を有する液晶表示装置用アレイ基板が完成する。
【０００８】ところが、アルミニウム膜２をモリブデン
・タンタル合金膜３にて覆った構造のゲート電極および
配線４では、アルミニウム膜２とガラス基板１との密着
性があまり良好でないため、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition ）法、または、プラズマＣＶＤ法によるゲ
ート絶縁膜７の成膜工程における高温熱処理によって、
アルミニウム膜２に膨らみが生じ、ゲート電極および配
線４とガラス基板１との間に空洞ができてしまうおそれ
がある。
・タンタル合金膜３にて覆った構造のゲート電極および
配線４では、アルミニウム膜２とガラス基板１との密着
性があまり良好でないため、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition ）法、または、プラズマＣＶＤ法によるゲ
ート絶縁膜７の成膜工程における高温熱処理によって、
アルミニウム膜２に膨らみが生じ、ゲート電極および配
線４とガラス基板１との間に空洞ができてしまうおそれ
がある。
【０００９】また、ゲート電極および配線４とガラス基
板１との間の密着性を向上させ空洞を防止する構成とし
て、たとえば図３に示すような液晶表示装置用アレイ基
板が知られている。
板１との間の密着性を向上させ空洞を防止する構成とし
て、たとえば図３に示すような液晶表示装置用アレイ基
板が知られている。
【００１０】この図３に示す液晶表示装置用アレイ基板
は、図２に示す液晶表示装置用アレイ基板において、ガ
ラス基板１上に高融点金属膜であるモリブデン・タンタ
ル（Ｍｏ−Ｔａ）合金膜16を形成し、このモリブデン・
タンタル合金膜16上にアルミニウム膜２を形成し、この
アルミニウム膜２をモリブデン・タンタル合金膜３で覆
い、ゲート電極および配線４を３層構造にしたものであ
る。
は、図２に示す液晶表示装置用アレイ基板において、ガ
ラス基板１上に高融点金属膜であるモリブデン・タンタ
ル（Ｍｏ−Ｔａ）合金膜16を形成し、このモリブデン・
タンタル合金膜16上にアルミニウム膜２を形成し、この
アルミニウム膜２をモリブデン・タンタル合金膜３で覆
い、ゲート電極および配線４を３層構造にしたものであ
る。
【００１１】ところが、モリブデン・タンタル合金膜1
6、アルミニウム膜２およびモリブデン・タンタル合金
膜３からなる３層構造のゲート電極および配線４にする
と、ゲート絶縁膜７の成膜工程における高温熱処理によ
って、モリブデン・タンタル合金膜16とアルミニウム膜
２との界面にモリブデン・タンタル合金膜16のタンタル
（Ｔａ）とアルミニウム膜２のアルミニウム（Ａｌ）と
の化合物が形成される。このタンタルとアルミニウムと
の化合物のため、モリブデン・タンタル合金膜16および
モリブデン・タンタル合金膜３の同時エッチング後にエ
ッチング残渣が生じてしまう。
6、アルミニウム膜２およびモリブデン・タンタル合金
膜３からなる３層構造のゲート電極および配線４にする
と、ゲート絶縁膜７の成膜工程における高温熱処理によ
って、モリブデン・タンタル合金膜16とアルミニウム膜
２との界面にモリブデン・タンタル合金膜16のタンタル
（Ｔａ）とアルミニウム膜２のアルミニウム（Ａｌ）と
の化合物が形成される。このタンタルとアルミニウムと
の化合物のため、モリブデン・タンタル合金膜16および
モリブデン・タンタル合金膜３の同時エッチング後にエ
ッチング残渣が生じてしまう。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、図２に
示す構成の場合には、アルミニウム膜２とガラス基板１
との密着性があまり良好でないため、熱ＣＶＤ法、また
は、プラズマＣＶＤ法による高温熱処理によって、アル
ミニウム膜２に膨らみが生じ、ゲート電極および配線４
とガラス基板１との間に空洞が生じてしまい、図３に示
す構成の場合には、モリブデン・タンタル合金膜16とア
ルミニウム膜２との界面に、タンタルとアルミニウムと
の化合物が形成され、エッチング後にエッチング残渣が
生じてしまう問題を有している。
示す構成の場合には、アルミニウム膜２とガラス基板１
との密着性があまり良好でないため、熱ＣＶＤ法、また
は、プラズマＣＶＤ法による高温熱処理によって、アル
ミニウム膜２に膨らみが生じ、ゲート電極および配線４
とガラス基板１との間に空洞が生じてしまい、図３に示
す構成の場合には、モリブデン・タンタル合金膜16とア
ルミニウム膜２との界面に、タンタルとアルミニウムと
の化合物が形成され、エッチング後にエッチング残渣が
生じてしまう問題を有している。
【００１３】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、ゲート電極および配線とガラス基板との密着性に優
れ、エッチング残渣が残らない液晶表示装置用アレイ基
板を提供することを目的とする。
で、ゲート電極および配線とガラス基板との密着性に優
れ、エッチング残渣が残らない液晶表示装置用アレイ基
板を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁性基板上
に形成されたゲート電極および配線と、前記ゲート電極
上にゲート絶縁膜を介して形成された半導体膜と、この
半導体膜に接して形成されたソース電極およびドレイン
電極とを有する薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置
用アレイ基板において、前記ゲート電極および配線は、
前記絶縁性基板上に形成され高融点金属膜からなる第１
層と、この第１層上に形成されアルミニウムとともにエ
ッチング可能な高融点金属膜からなる第２層と、この第
２層上に形成されアルミニウム膜からなる第３層と、こ
れら第１層ないし第３層を覆う耐薬品性の強い高融点金
属膜からなる第４層とを具備したものである。
に形成されたゲート電極および配線と、前記ゲート電極
上にゲート絶縁膜を介して形成された半導体膜と、この
半導体膜に接して形成されたソース電極およびドレイン
電極とを有する薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置
用アレイ基板において、前記ゲート電極および配線は、
前記絶縁性基板上に形成され高融点金属膜からなる第１
層と、この第１層上に形成されアルミニウムとともにエ
ッチング可能な高融点金属膜からなる第２層と、この第
２層上に形成されアルミニウム膜からなる第３層と、こ
れら第１層ないし第３層を覆う耐薬品性の強い高融点金
属膜からなる第４層とを具備したものである。
【００１５】
【作用】本発明は、第１層の高融点金属膜によりゲート
電極および配線と絶縁性基板との密着性が向上し、ゲー
ト絶縁膜の成膜時の熱により発生する第３層のアルミニ
ウム膜の膨れによる空洞を防止でき、第２層の高融点金
属膜は第３層のアルミニウム膜と同時にエッチングする
ことができ、エッチング残渣が出ることなく形成でき、
さらに、第３層のアルミニウム膜が第４層の耐薬品性の
強い高融点金属により覆い囲まれているため、低抵抗か
つ耐薬品性の優れたゲート電極および配線を得られる。
電極および配線と絶縁性基板との密着性が向上し、ゲー
ト絶縁膜の成膜時の熱により発生する第３層のアルミニ
ウム膜の膨れによる空洞を防止でき、第２層の高融点金
属膜は第３層のアルミニウム膜と同時にエッチングする
ことができ、エッチング残渣が出ることなく形成でき、
さらに、第３層のアルミニウム膜が第４層の耐薬品性の
強い高融点金属により覆い囲まれているため、低抵抗か
つ耐薬品性の優れたゲート電極および配線を得られる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の液晶表示装置用アレイ基板の
一実施例を図面を参照して説明する。なお、図２および
図３に示す従来例に対応する部分には、同一符号を付し
て説明する。
一実施例を図面を参照して説明する。なお、図２および
図３に示す従来例に対応する部分には、同一符号を付し
て説明する。
【００１７】まず、絶縁性基板としてのガラス基板１
に、スパッタ法によりモリブデン・タンタル（Ｍｏ−Ｔ
ａ）合金を１０００オングストロームの厚さで堆積し、
このモリブデン・タンタル合金上にモリブデン（Ｍｏ）
を５００オングストロームの厚さで堆積する。さらに、
モリブデン上にアルミニウム（Ａｌ）を１０００オング
ストロームの厚さで堆積した後、フォトリソグラフィー
およびエッチングにより、第１層となる高融点金属膜で
あるモリブデン・タンタル合金膜21、アルミニウムとと
もにエッチング可能な高融点金属膜であり第２層となる
モリブデン膜22および第３層となるアルミニウム膜23を
積層形成する。
に、スパッタ法によりモリブデン・タンタル（Ｍｏ−Ｔ
ａ）合金を１０００オングストロームの厚さで堆積し、
このモリブデン・タンタル合金上にモリブデン（Ｍｏ）
を５００オングストロームの厚さで堆積する。さらに、
モリブデン上にアルミニウム（Ａｌ）を１０００オング
ストロームの厚さで堆積した後、フォトリソグラフィー
およびエッチングにより、第１層となる高融点金属膜で
あるモリブデン・タンタル合金膜21、アルミニウムとと
もにエッチング可能な高融点金属膜であり第２層となる
モリブデン膜22および第３層となるアルミニウム膜23を
積層形成する。
【００１８】さらに、アルミニウム膜23上にモリブデン
・タンタル合金膜を２０００オングストロームの厚さで
堆積し、リン酸系エッチング液でモリブデン膜22および
アルミニウム膜23とともにエッチングして、モリブデン
膜22およびアルミニウム膜23を覆い囲むように、第４層
となる耐薬品性の強い高融点金属膜のモリブデン・タン
タル合金膜24を形成する。なお、このエッチングは、リ
ン酸系エッチング液によるエッチングに限らず、塩素
（Ｃｌ）系ガスでのドライエッチングでも同様の効果を
得られる。
・タンタル合金膜を２０００オングストロームの厚さで
堆積し、リン酸系エッチング液でモリブデン膜22および
アルミニウム膜23とともにエッチングして、モリブデン
膜22およびアルミニウム膜23を覆い囲むように、第４層
となる耐薬品性の強い高融点金属膜のモリブデン・タン
タル合金膜24を形成する。なお、このエッチングは、リ
ン酸系エッチング液によるエッチングに限らず、塩素
（Ｃｌ）系ガスでのドライエッチングでも同様の効果を
得られる。
【００１９】次に、ゲート電極および配線４の表面に、
熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法によりガラ
ス基板１の温度４３０℃のもとでシリコン酸化膜５を３
５００オングストロームの厚さで堆積する。
熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法によりガラ
ス基板１の温度４３０℃のもとでシリコン酸化膜５を３
５００オングストロームの厚さで堆積する。
【００２０】さらに、このシリコン酸化膜５上に、プラ
ズマＣＶＤ法によりシリコン窒化層を５００オングスト
ローム、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）層を５００オング
ストローム、シリコン窒化層を２０００オングストロー
ムの厚さで連続堆積する。また、このシリコン窒化層上
にエッチングストッパ層９を形成した後、オーミックコ
ンタクト層として非晶質シリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）層を
プラズマＣＶＤによって５００オングストロームの厚さ
で堆積する。
ズマＣＶＤ法によりシリコン窒化層を５００オングスト
ローム、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）層を５００オング
ストローム、シリコン窒化層を２０００オングストロー
ムの厚さで連続堆積する。また、このシリコン窒化層上
にエッチングストッパ層９を形成した後、オーミックコ
ンタクト層として非晶質シリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）層を
プラズマＣＶＤによって５００オングストロームの厚さ
で堆積する。
【００２１】そして、シリコン窒化層、非晶質シリコン
層およびシリコン窒化層の上から３層を島状にパターニ
ングし、シリコン窒化膜６、半導体膜としての非晶質シ
リコン膜８および非晶質シリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）膜か
らなるオーミックコンタクト層10を形成し、シリコン酸
化膜５のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を１０００オング
ストロームの厚さで堆積した後、画素電極11のパターン
を形成する。
層およびシリコン窒化層の上から３層を島状にパターニ
ングし、シリコン窒化膜６、半導体膜としての非晶質シ
リコン膜８および非晶質シリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）膜か
らなるオーミックコンタクト層10を形成し、シリコン酸
化膜５のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を１０００オング
ストロームの厚さで堆積した後、画素電極11のパターン
を形成する。
【００２２】なお、シリコン酸化膜５およびシリコン窒
化膜６の複合膜でゲート絶縁膜７が形成される。
化膜６の複合膜でゲート絶縁膜７が形成される。
【００２３】次に、スパッタ法によりモリブデンとアル
ミニウムとの２層膜を４５００オングストロームの厚さ
で堆積し、ソース電極12およびドレイン電極13をレジス
トパターンを用いてパターン形成する。なお、ソース電
極12の一端は、画素電極11の上に接続するように形成す
る。
ミニウムとの２層膜を４５００オングストロームの厚さ
で堆積し、ソース電極12およびドレイン電極13をレジス
トパターンを用いてパターン形成する。なお、ソース電
極12の一端は、画素電極11の上に接続するように形成す
る。
【００２４】この後、同じレジストパターンをマスクと
して露出したオーミックコンタクト層10をエッチングし
て、互いに電気的に分離されたオーミックコンタクト層
10からなるソース領域およびドレイン領域を形成し、逆
スタガー型の薄膜トランジスタ14を構成する。
して露出したオーミックコンタクト層10をエッチングし
て、互いに電気的に分離されたオーミックコンタクト層
10からなるソース領域およびドレイン領域を形成し、逆
スタガー型の薄膜トランジスタ14を構成する。
【００２５】最後に、薄膜トランジスタ14の上部にシリ
コン窒化膜からなる保護膜15を形成して、薄膜トランジ
スタ14を有する液晶表示装置用アレイ基板が完成する。
コン窒化膜からなる保護膜15を形成して、薄膜トランジ
スタ14を有する液晶表示装置用アレイ基板が完成する。
【００２６】なお、アルミニウム膜23は、アルミニウム
のみに限らず、Ａｌ−Ｓｉ（１ｗｔ．％）−Ｃｕ（０．
５ｗｔ．％）、あるいは、Ａｌ−Ｔａ（１２ｗｔ．％）
などのアルミニウム合金にて形成してもよい。
のみに限らず、Ａｌ−Ｓｉ（１ｗｔ．％）−Ｃｕ（０．
５ｗｔ．％）、あるいは、Ａｌ−Ｔａ（１２ｗｔ．％）
などのアルミニウム合金にて形成してもよい。
【００２７】また、上記実施例では、第１層および第４
層のいずれも同一のモリブデン・タンタル合金を用いて
いるが、第１層と第４層とは異なる金属を用いて構成し
てもよい。
層のいずれも同一のモリブデン・タンタル合金を用いて
いるが、第１層と第４層とは異なる金属を用いて構成し
てもよい。
【００２８】上記実施例によれば、ゲート電極および配
線４のガラス基板１との接触部分を高融点金属であるモ
リブデン・タンタル合金膜21にて構成したことにより、
ゲート電極および配線４とガラス基板１との密着性が向
上し、熱ＣＶＤ法によるゲート絶縁膜７の成膜後に発生
するアルミニウム膜23の膨れを防止でき、空洞ができな
い。実験によれば、熱ＣＶＤ法により基板温度４３０℃
のもとでシリコン酸化膜５を３５００オングストローム
の厚さで堆積した後、ＣＶＤ装置からガラス基板１を取
り出しても、ゲート電極および配線４のアルミニウム膜
23の膨れは生じなかった。
線４のガラス基板１との接触部分を高融点金属であるモ
リブデン・タンタル合金膜21にて構成したことにより、
ゲート電極および配線４とガラス基板１との密着性が向
上し、熱ＣＶＤ法によるゲート絶縁膜７の成膜後に発生
するアルミニウム膜23の膨れを防止でき、空洞ができな
い。実験によれば、熱ＣＶＤ法により基板温度４３０℃
のもとでシリコン酸化膜５を３５００オングストローム
の厚さで堆積した後、ＣＶＤ装置からガラス基板１を取
り出しても、ゲート電極および配線４のアルミニウム膜
23の膨れは生じなかった。
【００２９】また、熱ＣＶＤの高温熱処理によりモリブ
デン・タンタル合金膜21とアルミニウム膜23との界面に
できる合金の残渣などの問題も、モリブデン・タンタル
合金膜21とアルミニウム膜23との間にモリブデン膜22を
形成することにより、モリブデン膜22をアルミニウム膜
23と同時にエッチングすることができるので、エッチン
グ残渣が出ることなくゲート電極および配線４を形成で
きる。
デン・タンタル合金膜21とアルミニウム膜23との界面に
できる合金の残渣などの問題も、モリブデン・タンタル
合金膜21とアルミニウム膜23との間にモリブデン膜22を
形成することにより、モリブデン膜22をアルミニウム膜
23と同時にエッチングすることができるので、エッチン
グ残渣が出ることなくゲート電極および配線４を形成で
きる。
【００３０】さらに、アルミニウム膜23が、耐薬品性の
強い高融点金属膜であるモリブデン・タンタル合金膜21
により覆い囲まれているため、低抵抗かつ耐薬品性の優
れたゲート電極および配線４が得られる。
強い高融点金属膜であるモリブデン・タンタル合金膜21
により覆い囲まれているため、低抵抗かつ耐薬品性の優
れたゲート電極および配線４が得られる。
【００３１】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置用アレイ基板によ
れば、第１層を高融点金属膜にて形成することにより、
ゲート電極および配線と絶縁性基板との密着性が向上
し、ゲート絶縁膜の成膜時の熱により発生する第３層の
アルミニウム膜の膨れによる空洞を防止でき、第２層の
高融点金属膜は第３層のアルミニウム膜と同時にエッチ
ングすることができ、エッチング残渣が出ることなく形
成できることにより、さらに、第３層のアルミニウム膜
が第４層の耐薬品性の強い高融点金属により覆い囲まれ
ているため、低抵抗かつ耐薬品性の優れたゲート電極お
よび配線を得ることができる。
れば、第１層を高融点金属膜にて形成することにより、
ゲート電極および配線と絶縁性基板との密着性が向上
し、ゲート絶縁膜の成膜時の熱により発生する第３層の
アルミニウム膜の膨れによる空洞を防止でき、第２層の
高融点金属膜は第３層のアルミニウム膜と同時にエッチ
ングすることができ、エッチング残渣が出ることなく形
成できることにより、さらに、第３層のアルミニウム膜
が第４層の耐薬品性の強い高融点金属により覆い囲まれ
ているため、低抵抗かつ耐薬品性の優れたゲート電極お
よび配線を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例の液晶表示装置用アレイ基板
の一部を示す断面図である。
の一部を示す断面図である。
【図２】従来例の液晶表示装置用アレイ基板の一部を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】他の従来例の液晶表示装置用アレイ基板の一部
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１ 絶縁性基板としてのガラス基板 ４ ゲート電極、配線 ７ ゲート絶縁膜 ８ 半導体膜としての非晶質シリコン膜 12 ソース電極 13 ドレイン電極 14 薄膜トランジスタ 21 第１層としてのモリブデン・タンタル合金膜 22 第２層としてのモリブデン膜 23 第３層としてのアルミニウム膜 24 第４層としてのモリブデン・タンタル合金膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/784
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に形成されたゲート電極お
よび配線と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して
形成された半導体膜と、この半導体膜に接して形成され
たソース電極およびドレイン電極とを有する薄膜トラン
ジスタを備えた液晶表示装置用アレイ基板において、 前記ゲート電極および配線は、 前記絶縁性基板上に形成され高融点金属膜からなる第１
層と、 この第１層上に形成されアルミニウムとともにエッチン
グ可能な高融点金属膜からなる第２層と、 この第２層上に形成されアルミニウム膜からなる第３層
と、 これら第１層ないし第３層を覆う耐薬品性の強い高融点
金属膜からなる第４層とを具備したことを特徴とする液
晶表示装置用アレイ基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8080693A JPH06294973A (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 液晶表示装置用アレイ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8080693A JPH06294973A (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 液晶表示装置用アレイ基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06294973A true JPH06294973A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=13728716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8080693A Pending JPH06294973A (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 液晶表示装置用アレイ基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06294973A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5825437A (en) * | 1995-11-21 | 1998-10-20 | Lg Electronics Inc. | Structure of a liquid crystal display device and a method of manufacturing same |
| KR20010088415A (ko) * | 2000-03-10 | 2001-09-26 | 가나이 쓰토무 | 액정표시장치 |
| KR100701654B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2007-03-30 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시소자의 데이터 라인 형성방법 |
| JP2007281459A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板およびその製造方法 |
| US7456910B2 (en) * | 2000-08-08 | 2008-11-25 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
-
1993
- 1993-04-07 JP JP8080693A patent/JPH06294973A/ja active Pending
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| US8497949B2 (en) | 2000-08-08 | 2013-07-30 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
| JP2007281459A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板およびその製造方法 |
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