JPH06295480A - 光ヘッド - Google Patents
光ヘッドInfo
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- JPH06295480A JPH06295480A JP5080639A JP8063993A JPH06295480A JP H06295480 A JPH06295480 A JP H06295480A JP 5080639 A JP5080639 A JP 5080639A JP 8063993 A JP8063993 A JP 8063993A JP H06295480 A JPH06295480 A JP H06295480A
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Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 書換え型の光磁気ディスクに対応できると共
に、小形にでき、しかも位置調整が容易にでき、安価に
できる光ヘッドを提供する。 【構成】 半導体レーザ(22)からの光を集光手段(29)を
経て光磁気記録媒体(30)に集光し、光磁気記録媒体(30)
で反射される戻り光を集光手段(29)を経て光検出手段(2
3,24,25,26) で受光するようにした光ヘッドにおいて、
戻り光を回折するように半導体レーザ(22)と集光手段(2
9)との間に配置した回折素子(28e) と、この回折素子(2
8e) での戻り光の0次光の光軸とほぼ平行な偏光分離面
(28f,28g)を有し、回折素子(28e) で回折される光をそ
の偏光方向に応じて分離して光検出手段(23,24,25,26)
に入射させる偏光分離素子(28b,28c) とを設ける。
に、小形にでき、しかも位置調整が容易にでき、安価に
できる光ヘッドを提供する。 【構成】 半導体レーザ(22)からの光を集光手段(29)を
経て光磁気記録媒体(30)に集光し、光磁気記録媒体(30)
で反射される戻り光を集光手段(29)を経て光検出手段(2
3,24,25,26) で受光するようにした光ヘッドにおいて、
戻り光を回折するように半導体レーザ(22)と集光手段(2
9)との間に配置した回折素子(28e) と、この回折素子(2
8e) での戻り光の0次光の光軸とほぼ平行な偏光分離面
(28f,28g)を有し、回折素子(28e) で回折される光をそ
の偏光方向に応じて分離して光検出手段(23,24,25,26)
に入射させる偏光分離素子(28b,28c) とを設ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、光磁気記録媒体に対
して情報の記録、再生を行うための光ヘッドに関するも
のである。
して情報の記録、再生を行うための光ヘッドに関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】光ヘッドは、従来種々のものが提案され
ており、本願人も例えば特開平4−248134号公報
において、図14に示すようなものを提案している。こ
の光ヘッドにおいては、半導体基板1に半導体レーザ2
をマウントすると共に、この半導体レーザ2からの出射
光の光路を境とする両側に光検出部3および4を形成し
て、半導体レーザ2から基板1と平行な方向に光を出射
させ、これを図15に平面図を示すように、基板1に設
けた立ち上げミラー5で反射させた後、ホログラム素子
6に入射させている。
ており、本願人も例えば特開平4−248134号公報
において、図14に示すようなものを提案している。こ
の光ヘッドにおいては、半導体基板1に半導体レーザ2
をマウントすると共に、この半導体レーザ2からの出射
光の光路を境とする両側に光検出部3および4を形成し
て、半導体レーザ2から基板1と平行な方向に光を出射
させ、これを図15に平面図を示すように、基板1に設
けた立ち上げミラー5で反射させた後、ホログラム素子
6に入射させている。
【0003】ホログラム素子6には、その半導体基板1
に面する表面に、グレーテング6aを、他方の表面には
ホログラムパターン領域6bをそれぞれ形成し、このホ
ログラム素子6に入射する半導体レーザ2からの光を、
グレーテング6aによって1本のメインビームと、トラ
ッキングエラー検出用の2本のサブビームとの3本のビ
ームに分離して、これらを対物レンズ7を経て記録媒体
8に投射するようにしている。
に面する表面に、グレーテング6aを、他方の表面には
ホログラムパターン領域6bをそれぞれ形成し、このホ
ログラム素子6に入射する半導体レーザ2からの光を、
グレーテング6aによって1本のメインビームと、トラ
ッキングエラー検出用の2本のサブビームとの3本のビ
ームに分離して、これらを対物レンズ7を経て記録媒体
8に投射するようにしている。
【0004】また、記録媒体8で反射される各ビームの
戻り光は、対物レンズ7を経てホログラム素子6に入射
させ、そのホログラムパターン領域6bで互いに逆方向
のパワーを生じる±1次回折光を発生させて、それらの
+1次回折光を光検出部3で、−1次回折光を光検出部
4でそれぞれ受光するようにしている。
戻り光は、対物レンズ7を経てホログラム素子6に入射
させ、そのホログラムパターン領域6bで互いに逆方向
のパワーを生じる±1次回折光を発生させて、それらの
+1次回折光を光検出部3で、−1次回折光を光検出部
4でそれぞれ受光するようにしている。
【0005】ここで、光検出部3は、3ビームの各+1
次回折光を受光するように3つの光検出器3a,3b,
3cをもって構成されていると共に、中央のメインビー
ムを受光する光検出器3bは、ホログラムパターン領域
6bでの回折方向に分割線を有する3分割した受光領域
3d,3e,3fをもって構成されている。同様に、光
検出部4は、3ビームの各−1次回折光を受光するよう
に3つの光検出器4a,4b,4cをもって構成されて
いると共に、中央のメインビームを受光する光検出器4
bは、ホログラムパターン領域6bでの回折方向に分割
線を有する3分割した受光領域4d,4e,4fをもっ
て構成されている。
次回折光を受光するように3つの光検出器3a,3b,
3cをもって構成されていると共に、中央のメインビー
ムを受光する光検出器3bは、ホログラムパターン領域
6bでの回折方向に分割線を有する3分割した受光領域
3d,3e,3fをもって構成されている。同様に、光
検出部4は、3ビームの各−1次回折光を受光するよう
に3つの光検出器4a,4b,4cをもって構成されて
いると共に、中央のメインビームを受光する光検出器4
bは、ホログラムパターン領域6bでの回折方向に分割
線を有する3分割した受光領域4d,4e,4fをもっ
て構成されている。
【0006】このようにして、メインビームの+1次回
折光を受光する光検出器3bの受光領域3d,3e,3
fの出力と、−1次回折光を受光する光検出器4bの受
光領域4d,4e,4fの出力とに基づいて、ビームサ
イズ法によりフォーカスエラー信号を検出するようにし
ている。また、2本のサブビームの+1次回折光を受光
する光検出器3a,3cの出力と、−1次回折光を受光
する光検出器4a,4cの出力とに基づいて、3ビーム
法によりトラッキングエラー信号を検出するようにして
いる。なお、図14および図15において、記録媒体8
の情報トラックと平行な方向をX方向、それと直交する
トラッキング方向をY方向とする。
折光を受光する光検出器3bの受光領域3d,3e,3
fの出力と、−1次回折光を受光する光検出器4bの受
光領域4d,4e,4fの出力とに基づいて、ビームサ
イズ法によりフォーカスエラー信号を検出するようにし
ている。また、2本のサブビームの+1次回折光を受光
する光検出器3a,3cの出力と、−1次回折光を受光
する光検出器4a,4cの出力とに基づいて、3ビーム
法によりトラッキングエラー信号を検出するようにして
いる。なお、図14および図15において、記録媒体8
の情報トラックと平行な方向をX方向、それと直交する
トラッキング方向をY方向とする。
【0007】この光ヘッドは、部品点数が少なく、また
半導体レーザ2と、光検出部3および光検出部4とを同
一の半導体基板1に配置しているので、小形にできる利
点がある。また、半導体レーザ2から放射される光の波
長変化により、ホログラムパターン領域6bでの±1次
回折光の回折角が変化すると、光検出器3b,4b上で
のスポットは分割線と平行な方向に移動することになる
ので、フォーカスエラー信号が波長変化の影響を受けに
くくなる。さらに、部品加工誤差や組み立て誤差等で光
検出器3b,4b上のスポットがずれても、±1次回折
光で同じずれかたをするので、光検出器3bから得られ
る+1次回折光のフォーカスエラー信号と、光検出器4
bから得られる−1次回折光のフォーカスエラー信号と
の差を取ることで、それぞれのフォーカスエラー信号の
オフセットをキャンセルすることができ、安定した信号
検出を行うことができる。したがって、各部品の位置調
整も容易にできる利点がある。
半導体レーザ2と、光検出部3および光検出部4とを同
一の半導体基板1に配置しているので、小形にできる利
点がある。また、半導体レーザ2から放射される光の波
長変化により、ホログラムパターン領域6bでの±1次
回折光の回折角が変化すると、光検出器3b,4b上で
のスポットは分割線と平行な方向に移動することになる
ので、フォーカスエラー信号が波長変化の影響を受けに
くくなる。さらに、部品加工誤差や組み立て誤差等で光
検出器3b,4b上のスポットがずれても、±1次回折
光で同じずれかたをするので、光検出器3bから得られ
る+1次回折光のフォーカスエラー信号と、光検出器4
bから得られる−1次回折光のフォーカスエラー信号と
の差を取ることで、それぞれのフォーカスエラー信号の
オフセットをキャンセルすることができ、安定した信号
検出を行うことができる。したがって、各部品の位置調
整も容易にできる利点がある。
【0008】また、他の光ヘッドとして、本願人は、特
願平3−279614号において、図16に示すような
ものを既に提案している。この光ヘッドにおいては、半
導体基板11に、図17に平面図をも示すように、第1
〜第3の光検出部12〜14を形成すると共に、半導体
レーザ15、立ち上げミラー16および偏光ビームスプ
リッタ17をマウントし、半導体レーザ15から基板1
1と平行な方向に出射される光を、立ち上げミラー16
で反射させてホログラム素子18に入射させている。
願平3−279614号において、図16に示すような
ものを既に提案している。この光ヘッドにおいては、半
導体基板11に、図17に平面図をも示すように、第1
〜第3の光検出部12〜14を形成すると共に、半導体
レーザ15、立ち上げミラー16および偏光ビームスプ
リッタ17をマウントし、半導体レーザ15から基板1
1と平行な方向に出射される光を、立ち上げミラー16
で反射させてホログラム素子18に入射させている。
【0009】ホログラム素子18には、半導体レーザ1
5と反対側の表面にホログラム18a,18bが重畳し
て形成され、半導体レーザ15側の表面には、半導体レ
ーザ15からの光を1本のメインビームと2本のサブビ
ームとに分離するためのグレーティング18cが形成さ
れている。このホログラム素子18のグレーティング1
8cで分離された3本のビームは、対物レンズ19を経
て光磁気記録媒体20に集光される。なお、図16,図
17では、光磁気記録媒体20の情報トラックと平行な
方向をX、それと直交するトラッキング方向をYとし
て、半導体レーザ15から光磁気記録媒体20にY方向
の直線偏光を照射している。
5と反対側の表面にホログラム18a,18bが重畳し
て形成され、半導体レーザ15側の表面には、半導体レ
ーザ15からの光を1本のメインビームと2本のサブビ
ームとに分離するためのグレーティング18cが形成さ
れている。このホログラム素子18のグレーティング1
8cで分離された3本のビームは、対物レンズ19を経
て光磁気記録媒体20に集光される。なお、図16,図
17では、光磁気記録媒体20の情報トラックと平行な
方向をX、それと直交するトラッキング方向をYとし
て、半導体レーザ15から光磁気記録媒体20にY方向
の直線偏光を照射している。
【0010】光磁気記録媒体20で反射される各ビーム
の戻り光は、対物レンズ19を経てホログラム素子18
に入射し、そのホログラム18aで回折される各ビーム
のそれぞれの+1次回折光を第1の光検出部12で、−
1次回折光を第2の光検出部13でそれぞれ受光し、ホ
ログラム18bで回折されるメインビームの+1次回折
光を偏光ビームスプリッタ17を経て第3の光検出部1
4で受光するようにしている。
の戻り光は、対物レンズ19を経てホログラム素子18
に入射し、そのホログラム18aで回折される各ビーム
のそれぞれの+1次回折光を第1の光検出部12で、−
1次回折光を第2の光検出部13でそれぞれ受光し、ホ
ログラム18bで回折されるメインビームの+1次回折
光を偏光ビームスプリッタ17を経て第3の光検出部1
4で受光するようにしている。
【0011】ここで、第1の光検出部12は、3ビーム
の各+1次回折光を受光するように3つの光検出器12
a,12b,12cをもって構成されていると共に、中
央のメインビームを受光する光検出器12bは、ホログ
ラム18aでの回折方向に分割線を有する3分割した受
光領域12d,12e,12fをもって構成されてい
る。同様に、第2の光検出部13は、3ビームの各−1
次回折光を受光するように3つの光検出器13a,13
b,13cをもって構成されていると共に、中央のメイ
ンビームを受光する光検出器13bは、ホログラム18
aでの回折方向に分割線を有する3分割した受光領域1
3d,13e,13fをもって構成されている。第3の
光検出部14は、XおよびY方向に対して45°傾いた
2つの受光領域14a,14bをもって構成され、この
第3の光検出部14上に、偏光ビームスプリッタ17
が、その誘電体多層膜をコーティングした面17aの法
線がY方向に対して45°となるようにマウントされて
いる。
の各+1次回折光を受光するように3つの光検出器12
a,12b,12cをもって構成されていると共に、中
央のメインビームを受光する光検出器12bは、ホログ
ラム18aでの回折方向に分割線を有する3分割した受
光領域12d,12e,12fをもって構成されてい
る。同様に、第2の光検出部13は、3ビームの各−1
次回折光を受光するように3つの光検出器13a,13
b,13cをもって構成されていると共に、中央のメイ
ンビームを受光する光検出器13bは、ホログラム18
aでの回折方向に分割線を有する3分割した受光領域1
3d,13e,13fをもって構成されている。第3の
光検出部14は、XおよびY方向に対して45°傾いた
2つの受光領域14a,14bをもって構成され、この
第3の光検出部14上に、偏光ビームスプリッタ17
が、その誘電体多層膜をコーティングした面17aの法
線がY方向に対して45°となるようにマウントされて
いる。
【0012】このようにして、メインビームの+1次回
折光を受光する光検出器12bの受光領域12d,12
e,12fの出力と、−1次回折光を受光する光検出器
13bの受光領域13d,13e,13fの出力とに基
づいて、ビームサイズ法によりフォーカスエラー信号を
検出し、2本のサブビームの+1次回折光を受光する光
検出器12a,12cの出力と、−1次回折光を受光す
る光検出器13a,13cの出力とに基づいて、3ビー
ム法によりトラッキングエラー信号を検出するようにし
ている。
折光を受光する光検出器12bの受光領域12d,12
e,12fの出力と、−1次回折光を受光する光検出器
13bの受光領域13d,13e,13fの出力とに基
づいて、ビームサイズ法によりフォーカスエラー信号を
検出し、2本のサブビームの+1次回折光を受光する光
検出器12a,12cの出力と、−1次回折光を受光す
る光検出器13a,13cの出力とに基づいて、3ビー
ム法によりトラッキングエラー信号を検出するようにし
ている。
【0013】また、ホログラム18bで分離されて偏光
ビームスプリッター17に入射するメインビームの+1
次回折光のうち、面17aを透過するP偏光を受光領域
14aで受光し、面17aで反射されるS偏光を受光領
域14bで受光して、受光領域14aの出力をIa、受
光領域14bの出力をIbとするとき、
ビームスプリッター17に入射するメインビームの+1
次回折光のうち、面17aを透過するP偏光を受光領域
14aで受光し、面17aで反射されるS偏光を受光領
域14bで受光して、受光領域14aの出力をIa、受
光領域14bの出力をIbとするとき、
【数1】S=Ia−Ib より、光磁気信号Sを得るようにしている。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
特開平4−248134号公報において提案した光ヘッ
ドにおいては、コンパクトに構成でき、コンパクトディ
スクや追記型のディスクを用いる装置に適用することが
できるが、偏光分離手段を有しないために光磁気信号を
検出することができず、これがため書換え型の光磁気デ
ィスクには対応できないという改良すべき点がある。
特開平4−248134号公報において提案した光ヘッ
ドにおいては、コンパクトに構成でき、コンパクトディ
スクや追記型のディスクを用いる装置に適用することが
できるが、偏光分離手段を有しないために光磁気信号を
検出することができず、これがため書換え型の光磁気デ
ィスクには対応できないという改良すべき点がある。
【0015】また、特願平3−279614号において
提案した光ヘッドにおいては、偏光ビームスプリッタ1
7を有しているので、書換え型の光磁気ディスクに対応
させることができるが、形状が複雑で小形な偏光ビーム
スプリッタ17を、光検出器14上で位置調整をしなが
らマウントしなければならないという困難な作業が必要
になり、コストアップになるという改良すべき点があ
る。
提案した光ヘッドにおいては、偏光ビームスプリッタ1
7を有しているので、書換え型の光磁気ディスクに対応
させることができるが、形状が複雑で小形な偏光ビーム
スプリッタ17を、光検出器14上で位置調整をしなが
らマウントしなければならないという困難な作業が必要
になり、コストアップになるという改良すべき点があ
る。
【0016】この発明は、上述した点を改良し、書換え
型の光磁気ディスクに対応できると共に、小形にでき、
しかも位置調整が容易にでき、安価にできるよう適切に
構成した光ヘッドを提供することを目的とする。
型の光磁気ディスクに対応できると共に、小形にでき、
しかも位置調整が容易にでき、安価にできるよう適切に
構成した光ヘッドを提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明では、半導体レーザからの光を集光手段を
経て光磁気記録媒体に集光し、前記光磁気記録媒体で反
射される戻り光を前記集光手段を経て光検出手段で受光
するようにした光ヘッドにおいて、前記戻り光を回折す
るように前記半導体レーザと前記集光手段との間に配置
した回折素子と、この回折素子での前記戻り光の0次光
の光軸とほぼ平行な偏光分離面を有し、前記回折素子で
回折される光をその偏光方向に応じて分離して前記光検
出手段に入射させる偏光分離素子とを設ける。
め、この発明では、半導体レーザからの光を集光手段を
経て光磁気記録媒体に集光し、前記光磁気記録媒体で反
射される戻り光を前記集光手段を経て光検出手段で受光
するようにした光ヘッドにおいて、前記戻り光を回折す
るように前記半導体レーザと前記集光手段との間に配置
した回折素子と、この回折素子での前記戻り光の0次光
の光軸とほぼ平行な偏光分離面を有し、前記回折素子で
回折される光をその偏光方向に応じて分離して前記光検
出手段に入射させる偏光分離素子とを設ける。
【0018】
【作用】このように、偏光分離素子の偏光分離面を、回
折素子からの戻り光の0次光の光軸とほぼ平行にする
と、偏光分離面に入射する光線の入射角を大きくとるこ
とができる。したがって、偏光分離面の作成が容易にな
ると共に、光検出手段と偏光分離素子との位置調整が従
来のものより簡素化でき、さらに回折素子と偏光分離素
子とを容易に一体化することができ、これによりコスト
ダウンが可能になると共に、コンパクト化が可能にな
る。
折素子からの戻り光の0次光の光軸とほぼ平行にする
と、偏光分離面に入射する光線の入射角を大きくとるこ
とができる。したがって、偏光分離面の作成が容易にな
ると共に、光検出手段と偏光分離素子との位置調整が従
来のものより簡素化でき、さらに回折素子と偏光分離素
子とを容易に一体化することができ、これによりコスト
ダウンが可能になると共に、コンパクト化が可能にな
る。
【0019】
【実施例】以下、この図面に基づき、この発明の実施例
について説明する。図1、図2および図3は、この発明
の第1実施例を示すものである。この実施例では、シリ
コン等の半導体基板21に半導体レーザ22をマウント
すると共に、第1〜第4の光検出部23〜26を形成す
る。半導体レーザ22からは、半導体基板21と平行な
方向に光を出射させ、これを半導体基板21に設けた立
ち上げミラー27で基板垂直方向に反射させた後、ブロ
ック状の光分岐素子28および対物レンズ29を経て光
磁気記録媒体30に照射する。なお、図1〜図3では、
光磁気記録媒体30の情報トラックと平行な方向をX、
それと直交するトラッキング方向をY方向とする。
について説明する。図1、図2および図3は、この発明
の第1実施例を示すものである。この実施例では、シリ
コン等の半導体基板21に半導体レーザ22をマウント
すると共に、第1〜第4の光検出部23〜26を形成す
る。半導体レーザ22からは、半導体基板21と平行な
方向に光を出射させ、これを半導体基板21に設けた立
ち上げミラー27で基板垂直方向に反射させた後、ブロ
ック状の光分岐素子28および対物レンズ29を経て光
磁気記録媒体30に照射する。なお、図1〜図3では、
光磁気記録媒体30の情報トラックと平行な方向をX、
それと直交するトラッキング方向をY方向とする。
【0020】光磁気記録媒体30での反射光(戻り光)
は、対物レンズ29および光分岐素子28を経て第1〜
第4の光検出部23〜26で受光する。
は、対物レンズ29および光分岐素子28を経て第1〜
第4の光検出部23〜26で受光する。
【0021】光分岐素子28には、平行平板状のホログ
ラム素子28aと、その対向する側面にそれぞれ貼着し
て平行平板28b,28cとを設ける。ホログラム素子
28aには、その半導体基板21に面する表面にグレー
ティング28dをエッチング法や2P法等により形成
し、反対側の表面には±1次回折光に互いに逆方向のパ
ワーを与えるレンズ作用を有するホログラム28eを、
同様にエッチング法や2P法等により形成する。また、
平行平板28b,28cは、ホログラム素子28aとの
それぞれの接合面が、ホログラム28eからの0次光の
光軸とほぼ平行となるように貼着すると共に、これら接
合面に誘電体多層膜をコーティングして偏光分離面28
f,28gを形成する。この光分岐素子28は、偏光分
離面28f,28gの法線が、X・Y平面上でXおよび
Y軸に対してほぼ45°となるように配置する。なお、
この実施例では、ホログラム28eの格子方向をX方向
(情報トラック)と平行とする。
ラム素子28aと、その対向する側面にそれぞれ貼着し
て平行平板28b,28cとを設ける。ホログラム素子
28aには、その半導体基板21に面する表面にグレー
ティング28dをエッチング法や2P法等により形成
し、反対側の表面には±1次回折光に互いに逆方向のパ
ワーを与えるレンズ作用を有するホログラム28eを、
同様にエッチング法や2P法等により形成する。また、
平行平板28b,28cは、ホログラム素子28aとの
それぞれの接合面が、ホログラム28eからの0次光の
光軸とほぼ平行となるように貼着すると共に、これら接
合面に誘電体多層膜をコーティングして偏光分離面28
f,28gを形成する。この光分岐素子28は、偏光分
離面28f,28gの法線が、X・Y平面上でXおよび
Y軸に対してほぼ45°となるように配置する。なお、
この実施例では、ホログラム28eの格子方向をX方向
(情報トラック)と平行とする。
【0022】このようにして、半導体レーザ22から出
射される光を、立ち上げミラー27を経て光分岐素子2
8のホログラム素子28aに入射させて、グレーティン
グ28dで1本のメインビーム(0次回折光)と2本の
サブビーム(±1次回折光)とに分離した後、ホログラ
ム28eを0次回折光で透過させて、3本のビームを対
物レンズ29を経て光磁気記録媒体30に、その情報ト
ラックに対してわずかな角度をもって集光させるように
する。ここで、半導体レーザ22からの出射光は、Y方
向に直線偏光しているが、光磁気記録倍体30での反射
光は、カー効果により光磁気記録媒体30に記録された
磁化の方向に応じて偏光方向がY方向よりカー回転角だ
け回転することになる。
射される光を、立ち上げミラー27を経て光分岐素子2
8のホログラム素子28aに入射させて、グレーティン
グ28dで1本のメインビーム(0次回折光)と2本の
サブビーム(±1次回折光)とに分離した後、ホログラ
ム28eを0次回折光で透過させて、3本のビームを対
物レンズ29を経て光磁気記録媒体30に、その情報ト
ラックに対してわずかな角度をもって集光させるように
する。ここで、半導体レーザ22からの出射光は、Y方
向に直線偏光しているが、光磁気記録倍体30での反射
光は、カー効果により光磁気記録媒体30に記録された
磁化の方向に応じて偏光方向がY方向よりカー回転角だ
け回転することになる。
【0023】また、光磁気記録媒体30での各ビームの
戻り光は、光分岐素子28のホログラム素子28aに入
射させて、ホログラム28eで互いに逆方向のパワーを
有する±1次回折光にそれぞれ分離する。このホログラ
ム28eで分離されるメインビームの+1次回折光は、
偏光分離面28fに入射させ、この偏光分離面28fを
透過するP偏光を第1の光検出部23で受光し、偏光分
離面28fで反射されるS偏光を第4の光検出部26で
受光する。同様に、メインビームの−1次回折光は、偏
光分離面28gに入射させて、そのP偏光を第2の光検
出部24で受光し、S偏光を第3の光検出部25で受光
する。
戻り光は、光分岐素子28のホログラム素子28aに入
射させて、ホログラム28eで互いに逆方向のパワーを
有する±1次回折光にそれぞれ分離する。このホログラ
ム28eで分離されるメインビームの+1次回折光は、
偏光分離面28fに入射させ、この偏光分離面28fを
透過するP偏光を第1の光検出部23で受光し、偏光分
離面28fで反射されるS偏光を第4の光検出部26で
受光する。同様に、メインビームの−1次回折光は、偏
光分離面28gに入射させて、そのP偏光を第2の光検
出部24で受光し、S偏光を第3の光検出部25で受光
する。
【0024】また、2本のサブビームについては、それ
らの+1次回折光を、偏光分離面28fを透過させて第
1の光検出部23で受光し、−1次回折光は偏光分離面
28gを透過させて第2の光検出部24で受光する。
らの+1次回折光を、偏光分離面28fを透過させて第
1の光検出部23で受光し、−1次回折光は偏光分離面
28gを透過させて第2の光検出部24で受光する。
【0025】ここで、第1の光検出部23は、3ビーム
の各+1次回折光を受光するように3つの光検出器23
a,23b,23cをもって構成すると共に、中央のメ
インビームの+1次回折光を受光する光検出器23b
は、ホログラム28eでの回折方向に分割線を有する3
分割した受光領域23d,23e,23fをもって構成
する。同様に、第2の光検出部24は、3ビームの各−
1次回折光を受光するように3つの光検出器24a,2
4b,24cをもって構成すると共に、中央のメインビ
ームの−1次回折光を受光する光検出器24bは、ホロ
グラム28eでの回折方向に分割線を有する3分割した
受光領域24d,24e,24fをもって構成する。ま
た、第4,第3の光検出部26,25は、メインビーム
の±1次回折光の偏光分離面28f,28gでのS偏光
を受光するように、それぞれ1つの受光領域をもって構
成する。
の各+1次回折光を受光するように3つの光検出器23
a,23b,23cをもって構成すると共に、中央のメ
インビームの+1次回折光を受光する光検出器23b
は、ホログラム28eでの回折方向に分割線を有する3
分割した受光領域23d,23e,23fをもって構成
する。同様に、第2の光検出部24は、3ビームの各−
1次回折光を受光するように3つの光検出器24a,2
4b,24cをもって構成すると共に、中央のメインビ
ームの−1次回折光を受光する光検出器24bは、ホロ
グラム28eでの回折方向に分割線を有する3分割した
受光領域24d,24e,24fをもって構成する。ま
た、第4,第3の光検出部26,25は、メインビーム
の±1次回折光の偏光分離面28f,28gでのS偏光
を受光するように、それぞれ1つの受光領域をもって構
成する。
【0026】上記構成において、第1の検出部23の光
検出器23bの3分割された受光領域23d,23e,
23fの出力をそれぞれId1 ,Ie1 ,If1 、第2
の光検出部24の光検出器24bの3分割された受光領
域24d,24e,24fの出力をそれぞれId2 ,I
e2 ,If2 とし、また、第1の光検出部23の光検出
器23a,23cの出力をそれぞれIa1 ,Ic1 、第
2の光検出部24の光検出器24a,24cの出力をそ
れぞれIa2 ,Ic2 とし、さらに第3の光検出部25
の出力をI25、第4の光検出部26の出力をI26とする
と、光磁気信号Sは、
検出器23bの3分割された受光領域23d,23e,
23fの出力をそれぞれId1 ,Ie1 ,If1 、第2
の光検出部24の光検出器24bの3分割された受光領
域24d,24e,24fの出力をそれぞれId2 ,I
e2 ,If2 とし、また、第1の光検出部23の光検出
器23a,23cの出力をそれぞれIa1 ,Ic1 、第
2の光検出部24の光検出器24a,24cの出力をそ
れぞれIa2 ,Ic2 とし、さらに第3の光検出部25
の出力をI25、第4の光検出部26の出力をI26とする
と、光磁気信号Sは、
【数2】 S=(Id1 +Ie1 +If1 +Id2 +Ie2 +If2 ) −(I25+I26) により得ることができる。
【0027】また、ホログラム28eでの+1次回折光
は、ホログラム28eでのレンズ作用により第1の光検
出部23の手前で焦点を結び、−1次回折光は第2の光
検出部24の後側で焦点を結ぶことになり、これら第1
の光検出部23および第2の光検出部24上に形成され
る±1次回折光のスポットの大きさは、対物レンズ29
が光磁気記録媒体30に対して合焦位置にあるとき等し
くなり、対物レンズ29が光磁気記録媒体30に対して
近づいたり、遠ざかると、その大きさが逆方向に変化す
ることになる。したがって、フォーカスエラー信号FE
は、ビームサイズ法により、
は、ホログラム28eでのレンズ作用により第1の光検
出部23の手前で焦点を結び、−1次回折光は第2の光
検出部24の後側で焦点を結ぶことになり、これら第1
の光検出部23および第2の光検出部24上に形成され
る±1次回折光のスポットの大きさは、対物レンズ29
が光磁気記録媒体30に対して合焦位置にあるとき等し
くなり、対物レンズ29が光磁気記録媒体30に対して
近づいたり、遠ざかると、その大きさが逆方向に変化す
ることになる。したがって、フォーカスエラー信号FE
は、ビームサイズ法により、
【数3】 FE=(Id1 +Ie2 +If2 )−(Id2 +Ie1 +If1 ) から得ることができる。
【0028】また、トラッキングエラー信号TEは、3
ビーム法により、
ビーム法により、
【数4】 TE=(Ia1 −Ic1 )+(Ia2 −Ic2 ) から得ることができる。
【0029】図4および図5は、この発明の第2実施例
の要部の構成を示すものである。この実施例は、ホログ
ラム28eの格子方向を偏光分離面28f,28gとほ
ぼ平行にすると共に、それに応じて第1〜第4の光検出
部23〜26の配置を変更したもので、その他の構成は
第1実施例と同様である。この実施例においても、第1
実施例と同様にして、光磁気信号、フォーカスエラー信
号およびトラッキングエラー信号を検出することができ
る。
の要部の構成を示すものである。この実施例は、ホログ
ラム28eの格子方向を偏光分離面28f,28gとほ
ぼ平行にすると共に、それに応じて第1〜第4の光検出
部23〜26の配置を変更したもので、その他の構成は
第1実施例と同様である。この実施例においても、第1
実施例と同様にして、光磁気信号、フォーカスエラー信
号およびトラッキングエラー信号を検出することができ
る。
【0030】図6および図7は、この発明の第3実施例
を示すものである。この実施例は、偏光分離面28f,
28gとホログラム素子28aとのそれぞれの間に、1
/2波長板31a,31bを設けて、ホログラム28e
で回折される戻り光の±1次回折光の偏光方向をそれぞ
れ45°回転させるようにすると共に、それに応じて第
1〜第4の光検出部23〜26の配置を変更したもの
で、その他の構成は第1実施例と同様である。
を示すものである。この実施例は、偏光分離面28f,
28gとホログラム素子28aとのそれぞれの間に、1
/2波長板31a,31bを設けて、ホログラム28e
で回折される戻り光の±1次回折光の偏光方向をそれぞ
れ45°回転させるようにすると共に、それに応じて第
1〜第4の光検出部23〜26の配置を変更したもの
で、その他の構成は第1実施例と同様である。
【0031】このように構成すれば、偏光分離面28
f,28gの法線をY方向と平行にすることができ、第
1,第2実施例と同様にして、光磁気信号、フォーカス
エラー信号およびトラッキングエラー信号を検出するこ
とができる。
f,28gの法線をY方向と平行にすることができ、第
1,第2実施例と同様にして、光磁気信号、フォーカス
エラー信号およびトラッキングエラー信号を検出するこ
とができる。
【0032】以上の第1〜第3実施例においては、3ビ
ーム法によってトラッキングエラー信号を検出するよう
にしたが、この発明の他の実施例では、プッシュプル法
によりトラッキングエラー信号を検出することもでき
る。以下、プッシュプル法によりトラッキングエラー信
号を検出するようにした実施例について説明をする。
ーム法によってトラッキングエラー信号を検出するよう
にしたが、この発明の他の実施例では、プッシュプル法
によりトラッキングエラー信号を検出することもでき
る。以下、プッシュプル法によりトラッキングエラー信
号を検出するようにした実施例について説明をする。
【0033】図8および図9は、この発明の第4実施例
を示すものである。この実施例では、第3実施例におい
てホログラム素子28aの半導体基板21に面する側
に、グレーティング28dに代えてホログラム28hを
形成し、半導体レーザ22から立ち上げミラー27を経
てホログラム素子28aに入射する光を、ホログラム2
8hおよびホログラム28eを0次光で透過させて、対
物レンズ29により光磁気記録媒体30に集光させる。
を示すものである。この実施例では、第3実施例におい
てホログラム素子28aの半導体基板21に面する側
に、グレーティング28dに代えてホログラム28hを
形成し、半導体レーザ22から立ち上げミラー27を経
てホログラム素子28aに入射する光を、ホログラム2
8hおよびホログラム28eを0次光で透過させて、対
物レンズ29により光磁気記録媒体30に集光させる。
【0034】光磁気記録媒体30からの戻り光は、対物
レンズ29を経てホログラム28eに入射させ、ここで
0次光とY方向に回折する±1次回折光とに分離する。
この分離された±1次回折光は、それぞれ1/2波長板
31a,31bを経て偏光分離面28f,28gに入射
させ、偏光分離面28fを透過する+1次回折光のP偏
光を第1の光検出部23で受光し、偏光分離面28fで
反射される+1次回折光のS偏光を第4の光検出部26
でそれぞれ受光し、偏光分離面28gを透過する−1次
回折光のP偏光を第2の光検出部24で、偏光分離面2
8gで反射される−1次回折光のS偏光を第3の光検出
部25でそれぞれ受光する。また、ホログラム28eを
0次光で透過する戻り光は、ホログラム28hで回折さ
せ、その+1次回折光または−1次回折光を第5の光検
出部32で受光する。
レンズ29を経てホログラム28eに入射させ、ここで
0次光とY方向に回折する±1次回折光とに分離する。
この分離された±1次回折光は、それぞれ1/2波長板
31a,31bを経て偏光分離面28f,28gに入射
させ、偏光分離面28fを透過する+1次回折光のP偏
光を第1の光検出部23で受光し、偏光分離面28fで
反射される+1次回折光のS偏光を第4の光検出部26
でそれぞれ受光し、偏光分離面28gを透過する−1次
回折光のP偏光を第2の光検出部24で、偏光分離面2
8gで反射される−1次回折光のS偏光を第3の光検出
部25でそれぞれ受光する。また、ホログラム28eを
0次光で透過する戻り光は、ホログラム28hで回折さ
せ、その+1次回折光または−1次回折光を第5の光検
出部32で受光する。
【0035】ここで、第1,第2の光検出部23,24
は、ホログラム28eの回折方向と平行な分割線で分割
されたそれぞれ3つの受光領域23d,23e,23
f;24d,24e,24fを有する光検出器23b,
24bをもって構成し、第3,第4の光検出部25,2
6は、それぞれ1つの受光領域を有する光検出器をもっ
て構成する。また、第5の光検出部32は、ホログラム
28hの回折方向と平行な分割線で分割された2つの受
光領域32a,32bを有する光検出器をもって構成す
る。
は、ホログラム28eの回折方向と平行な分割線で分割
されたそれぞれ3つの受光領域23d,23e,23
f;24d,24e,24fを有する光検出器23b,
24bをもって構成し、第3,第4の光検出部25,2
6は、それぞれ1つの受光領域を有する光検出器をもっ
て構成する。また、第5の光検出部32は、ホログラム
28hの回折方向と平行な分割線で分割された2つの受
光領域32a,32bを有する光検出器をもって構成す
る。
【0036】この実施例においては、光磁気信号および
フォーカスエラー信号を第1〜3実施例と同様にして得
ることができ、またトラッキングエラー信号TEは、光
検出器32の2つの受光領域32a,32bの出力をI
32a ,I32b とすると、プッシュプル法により、
フォーカスエラー信号を第1〜3実施例と同様にして得
ることができ、またトラッキングエラー信号TEは、光
検出器32の2つの受光領域32a,32bの出力をI
32a ,I32b とすると、プッシュプル法により、
【数5】TE=I32a −I32b で得ることができる。
【0037】図10および図11は、この発明の第5実
施例を示すものである。この実施例は、第4実施例にお
いてホログラム素子28aの半導体基板21に面する側
に形成したホログラム28hを、反対側の面、すなわち
対物レンズ29側の面に、ホログラム28eに重畳して
形成したもので、その他の構成は第4実施例と同様であ
る。
施例を示すものである。この実施例は、第4実施例にお
いてホログラム素子28aの半導体基板21に面する側
に形成したホログラム28hを、反対側の面、すなわち
対物レンズ29側の面に、ホログラム28eに重畳して
形成したもので、その他の構成は第4実施例と同様であ
る。
【0038】この実施例においては、第4実施例と同様
にして、光磁気信号、フォーカスエラー信号およびトラ
ッキングエラー信号を得ることができるほか、ホログラ
ム28hを対物レンズ29側の面に形成しているので、
光分岐素子28を半導体基板21上に密着して設けるこ
ともできる。
にして、光磁気信号、フォーカスエラー信号およびトラ
ッキングエラー信号を得ることができるほか、ホログラ
ム28hを対物レンズ29側の面に形成しているので、
光分岐素子28を半導体基板21上に密着して設けるこ
ともできる。
【0039】図12および図13は、この発明の第6実
施例を示すものである。この実施例は、第3実施例にお
いて、ホログラム素子28aの半導体基板21に面する
表面に、3枚の平行平板28i,28j,28kをY方
向に積層するように設け、これら平行平板28i,28
jの間および、平行平板28j,28kの間にそれぞれ
1/2波長板31a,31bを設けると共に、1/2波
長板31aと平行平板28iとの接合面および1/2波
長板31bと平行平板28kとの接合面に、それぞれ誘
電体多層膜をコーティングして偏光分離面28f,28
gを形成したもので、その他の構成は第3実施例と同様
である。したがって、この実施例においても、第3実施
例と同様にして、光磁気信号、フォーカスエラー信号お
よびトラッキングエラー信号を得ることができる。
施例を示すものである。この実施例は、第3実施例にお
いて、ホログラム素子28aの半導体基板21に面する
表面に、3枚の平行平板28i,28j,28kをY方
向に積層するように設け、これら平行平板28i,28
jの間および、平行平板28j,28kの間にそれぞれ
1/2波長板31a,31bを設けると共に、1/2波
長板31aと平行平板28iとの接合面および1/2波
長板31bと平行平板28kとの接合面に、それぞれ誘
電体多層膜をコーティングして偏光分離面28f,28
gを形成したもので、その他の構成は第3実施例と同様
である。したがって、この実施例においても、第3実施
例と同様にして、光磁気信号、フォーカスエラー信号お
よびトラッキングエラー信号を得ることができる。
【0040】以上の各実施例においては、光磁気記録媒
体30からの戻り光を偏光方向に応じて分離する偏光分
離面28f,28gを、戻り光を回折するホログラム2
8eでの0次光の光軸に対してほぼ平行としたので、偏
光分離面28f,28gに入射する光線の入射角を大き
くとることができる。したがって、偏光分離面28f,
28gを容易に作成することができると共に、各光検出
器を形成した半導体基板21と偏光分離面28f,28
gを形成した光分岐素子28との位置調整を簡素化でき
るので、安価にできる。
体30からの戻り光を偏光方向に応じて分離する偏光分
離面28f,28gを、戻り光を回折するホログラム2
8eでの0次光の光軸に対してほぼ平行としたので、偏
光分離面28f,28gに入射する光線の入射角を大き
くとることができる。したがって、偏光分離面28f,
28gを容易に作成することができると共に、各光検出
器を形成した半導体基板21と偏光分離面28f,28
gを形成した光分岐素子28との位置調整を簡素化でき
るので、安価にできる。
【0041】また、光磁気記録媒体30からの戻り光を
回折するホログラム28eと、偏光分離面28f,28
gとを、光分岐素子28として一体化したので、全体を
コンパクトにできると共に、これらホログラム28eお
よび偏光分離面28f,28gを平行平板を用いて形成
したので、量産性を向上でき、さらにコストダウンする
ことができる。
回折するホログラム28eと、偏光分離面28f,28
gとを、光分岐素子28として一体化したので、全体を
コンパクトにできると共に、これらホログラム28eお
よび偏光分離面28f,28gを平行平板を用いて形成
したので、量産性を向上でき、さらにコストダウンする
ことができる。
【0042】なお、この発明は、上述した実施例にのみ
限定されるものではなく、幾多の変形または変更が可能
である。例えば、第6実施例においては、グレーティン
グ28dを第4実施例と同様にホログラム28hに代え
たり、またこのホログラム28hを対物レンズ29側の
表面にホログラム28eと重畳して形成して、トラッキ
ングエラー信号をプッシュプル法により得るよう構成す
ることもできる。
限定されるものではなく、幾多の変形または変更が可能
である。例えば、第6実施例においては、グレーティン
グ28dを第4実施例と同様にホログラム28hに代え
たり、またこのホログラム28hを対物レンズ29側の
表面にホログラム28eと重畳して形成して、トラッキ
ングエラー信号をプッシュプル法により得るよう構成す
ることもできる。
【0043】また、第3〜第6実施例では、光磁気記録
媒体30からの反射光を偏光分離するために、1/2波
長板31a,31bをそれぞれ偏光分離面28f,28
gの前に配置したが、第1実施例と同様に、偏光分離面
28f,28gの法線が、X・Y平面上でY方向に対し
てほぼ45°になるように光分岐素子28を配置するこ
とにより、1/2波長板を省略して光磁気記録媒体30
からの戻り光を偏光分離するよう構成することもでき
る。
媒体30からの反射光を偏光分離するために、1/2波
長板31a,31bをそれぞれ偏光分離面28f,28
gの前に配置したが、第1実施例と同様に、偏光分離面
28f,28gの法線が、X・Y平面上でY方向に対し
てほぼ45°になるように光分岐素子28を配置するこ
とにより、1/2波長板を省略して光磁気記録媒体30
からの戻り光を偏光分離するよう構成することもでき
る。
【0044】さらに、上述した実施例では光学系を有限
光学系としたが、対物レンズ29と光分岐素子28との
間にコリメータレンズを配置して無限光学系とすること
もできる。
光学系としたが、対物レンズ29と光分岐素子28との
間にコリメータレンズを配置して無限光学系とすること
もできる。
【0045】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体レーザと集光手段との間に光磁気記録媒体からの戻り
光を回折する回折素子を設けると共に、この回折素子で
の戻り光の0次光の光軸とほぼ平行な偏光分離面を有す
る偏光分離素子を設けて、回折素子で回折される光をそ
の偏光方向に応じて分離して光検出手段に入射させるよ
うにしたので、偏光分離面に入射する光線の入射角を大
きくすることができる。したがって、偏光分離面を容易
に作成できると共に、光検出手段と偏光分離素子との位
置調整を簡素化でき、さらに回折素子と偏光分離素子と
を容易に一体化することができるので、小形かつ安価な
構成で、書換え型の光磁気ディスクに対応できる光ヘッ
ドを得ることができる。
体レーザと集光手段との間に光磁気記録媒体からの戻り
光を回折する回折素子を設けると共に、この回折素子で
の戻り光の0次光の光軸とほぼ平行な偏光分離面を有す
る偏光分離素子を設けて、回折素子で回折される光をそ
の偏光方向に応じて分離して光検出手段に入射させるよ
うにしたので、偏光分離面に入射する光線の入射角を大
きくすることができる。したがって、偏光分離面を容易
に作成できると共に、光検出手段と偏光分離素子との位
置調整を簡素化でき、さらに回折素子と偏光分離素子と
を容易に一体化することができるので、小形かつ安価な
構成で、書換え型の光磁気ディスクに対応できる光ヘッ
ドを得ることができる。
【図1】この発明の第1実施例を示す図である。
【図2】図1に示す光分岐素子の平面図である。
【図3】同じく半導体基板の平面図である。
【図4】この発明の第2実施例における光分岐素子の平
面図である。
面図である。
【図5】同じく半導体基板の平面図である。
【図6】この発明の第3実施例を示す図である。
【図7】図6に示す半導体基板の平面図である。
【図8】この発明の第4実施例を示す図である。
【図9】図8に示す半導体基板の平面図である。
【図10】この発明の第5実施例を示す図である。
【図11】図10に示す半導体基板の平面図である。
【図12】この発明の第6実施例を示す図である。
【図13】図12に示す半導体基板の平面図である。
【図14】従来の光ヘッドの一例を示す図である。
【図15】図14に示す半導体基板の平面図である。
【図16】本願人が提案している光ヘッドの構成を示す
図である。
図である。
【図17】図16に示す半導体基板の平面図である。
21 半導体基板 22 半導体レーザ 23 第1の光検出部 24 第2の光検出部 25 第3の光検出部 26 第4の光検出部 27 立ち上げミラー 28 光分岐素子 28a ホログラム素子 28b,28c 平行平板 28d グレーティング 28e,28h ホログラム 28f,28g 偏光分離面 29 対物レンズ 30 光磁気記録媒体 31a,31b 1/2波長板 32 第5の光検出部
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体レーザからの光を集光手段を経て
光磁気記録媒体に集光し、前記光磁気記録媒体で反射さ
れる戻り光を前記集光手段を経て光検出手段で受光する
ようにした光ヘッドにおいて、前記戻り光を回折するよ
うに前記半導体レーザと前記集光手段との間に配置した
回折素子と、この回折素子での前記戻り光の0次光の光
軸とほぼ平行な偏光分離面を有し、前記回折素子で回折
される光をその偏光方向に応じて分離して前記光検出手
段に入射させる偏光分離素子とを具えることを特徴とす
る光ヘッド。 - 【請求項2】 前記回折素子と前記偏光分離素子とを一
体化したことを特徴とする請求項1記載の光ヘッド。 - 【請求項3】 前記光磁気記録媒体のトラックと平行な
方向をX、それと交差するトラッキング方向をYとする
とき、前記偏光分離素子の偏光分離面を、その法線が前
記X・Y平面上でY方向に対してほぼ45°になるよう
に配置したことを特徴とする請求項1または2記載の光
ヘッド。 - 【請求項4】 前記偏光分離素子の偏光分離面を、その
法線が前記Y方向に対して平行になるように、前記回折
素子と前記偏光分離素子との間に1/2波長板を配置し
たことを特徴とする請求項3記載の光ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08063993A JP3335212B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 光ヘッド |
| US08/224,009 US5406543A (en) | 1993-04-07 | 1994-04-06 | Optical head with semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08063993A JP3335212B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 光ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06295480A true JPH06295480A (ja) | 1994-10-21 |
| JP3335212B2 JP3335212B2 (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=13723942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08063993A Expired - Fee Related JP3335212B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 光ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3335212B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0860818A3 (en) * | 1997-02-25 | 1998-11-25 | SHARP Corporation | Optical pickup integrated with optical system |
-
1993
- 1993-04-07 JP JP08063993A patent/JP3335212B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0860818A3 (en) * | 1997-02-25 | 1998-11-25 | SHARP Corporation | Optical pickup integrated with optical system |
| US6201228B1 (en) | 1997-02-25 | 2001-03-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical pickup integrated with optical system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3335212B2 (ja) | 2002-10-15 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011211 |
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