JPH06295936A - 半導体装置の装着方法 - Google Patents
半導体装置の装着方法Info
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- JPH06295936A JPH06295936A JP5082293A JP8229393A JPH06295936A JP H06295936 A JPH06295936 A JP H06295936A JP 5082293 A JP5082293 A JP 5082293A JP 8229393 A JP8229393 A JP 8229393A JP H06295936 A JPH06295936 A JP H06295936A
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- JP
- Japan
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- chip
- adhesive
- circuit board
- resin liquid
- mounting
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フリップチップタイプＩＣの回路基板への装
着方法に関し、信頼性の向上を目的とする。 【構成】 フリップチップタイプＩＣのそれぞれのバン
プをＩＣチップ搭載用に回路基板上にパターン形成して
あるそれぞれのパッドに位置合わせして仮り止めする工
程と、ＩＣチップの上に接着用樹脂液を供給し、ＩＣチ
ップの仮り止め位置を接着用樹脂液で包む工程と、ＩＣ
チップの上にこのＩＣチップよりも一回り大きな接着プ
レートを当接する工程と、加圧治具を用いて接着プレー
トを加圧しながら、熱エネルギまたは光エネルギを供給
してＩＣチップのバンプをパッドに接合すると共に接着
用樹脂液を硬化させることを特徴として半導体装置の装
着方法を構成する。
着方法に関し、信頼性の向上を目的とする。 【構成】 フリップチップタイプＩＣのそれぞれのバン
プをＩＣチップ搭載用に回路基板上にパターン形成して
あるそれぞれのパッドに位置合わせして仮り止めする工
程と、ＩＣチップの上に接着用樹脂液を供給し、ＩＣチ
ップの仮り止め位置を接着用樹脂液で包む工程と、ＩＣ
チップの上にこのＩＣチップよりも一回り大きな接着プ
レートを当接する工程と、加圧治具を用いて接着プレー
トを加圧しながら、熱エネルギまたは光エネルギを供給
してＩＣチップのバンプをパッドに接合すると共に接着
用樹脂液を硬化させることを特徴として半導体装置の装
着方法を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフリップチップタイプＩ
Ｃの回路基板への装着方法に関する。半導体集積回路
（ＩＣ）は集積度が進んでＬＳＩやＶＬＳＩが実用化さ
れており、更に集積度が進んでＵＬＳＩの実用化が進ん
でいるが、これらの半導体素子を回路基板へ装着するに
は多くの場合、フリップチップタイプの装着法が採られ
ている。
Ｃの回路基板への装着方法に関する。半導体集積回路
（ＩＣ）は集積度が進んでＬＳＩやＶＬＳＩが実用化さ
れており、更に集積度が進んでＵＬＳＩの実用化が進ん
でいるが、これらの半導体素子を回路基板へ装着するに
は多くの場合、フリップチップタイプの装着法が採られ
ている。
【０００２】すなわち、当初は半導体素子の裏面を金・
錫（Au-Sn)共晶合金などの金属鑞や接着剤を用いて回路
基板に接着した後、半導体素子の周辺部にパターン形成
してあるボンディング・パッドと薄膜形成技術と写真蝕
刻技術( フォトリソグラフィ) などを用いて回路基板に
パターン形成してあるボンディング・パッドとを金線な
どを用いてワイヤボンディングする回路接続法が採られ
ていたが、半導体素子の集積度の向上と共に、集積回路
が形成してある半導体基板（チップ）の裏面に半田ボー
ルなどのバンプを多数形成し、これを取り出し端子とし
て回路接続するフリップチップタイプの装着法が主流と
なっている。
錫（Au-Sn)共晶合金などの金属鑞や接着剤を用いて回路
基板に接着した後、半導体素子の周辺部にパターン形成
してあるボンディング・パッドと薄膜形成技術と写真蝕
刻技術( フォトリソグラフィ) などを用いて回路基板に
パターン形成してあるボンディング・パッドとを金線な
どを用いてワイヤボンディングする回路接続法が採られ
ていたが、半導体素子の集積度の向上と共に、集積回路
が形成してある半導体基板（チップ）の裏面に半田ボー
ルなどのバンプを多数形成し、これを取り出し端子とし
て回路接続するフリップチップタイプの装着法が主流と
なっている。
【０００３】
【従来の技術】フリップチップタイプＩＣは仕様により
異なるものゝ、多くの場合、厚さが約20μm の金(Au)製
のバンプが半導体素子の裏面にメッキ法などにより形成
してあり、これを回路基板上にパターン形成してあるパ
ッドに位置合わせした後、圧接治具を用いて加圧し、両
者を圧接することにより固定しているが、それだけでは
接着強度が不充分なので、樹脂を用いて半導体チップを
回路基板に接着し、樹脂の収縮力により接着固定すると
共に、更にその上を耐湿性樹脂で覆うことにより信頼性
を確保している。
異なるものゝ、多くの場合、厚さが約20μm の金(Au)製
のバンプが半導体素子の裏面にメッキ法などにより形成
してあり、これを回路基板上にパターン形成してあるパ
ッドに位置合わせした後、圧接治具を用いて加圧し、両
者を圧接することにより固定しているが、それだけでは
接着強度が不充分なので、樹脂を用いて半導体チップを
回路基板に接着し、樹脂の収縮力により接着固定すると
共に、更にその上を耐湿性樹脂で覆うことにより信頼性
を確保している。
【０００４】具体的には、装着を行なう回路基板のパッ
ド上にディスペンサ(Dispenser) などの滴下装置を用い
てエポキシ樹脂などの接着樹脂を滴下した後、回路基板
のパッド上に半導体チップを位置合わせし、圧接治具を
用いて半導体チップのバンプをパッドに圧接すると共に
加熱または紫外線照射を行なって樹脂を硬化させる。次
に、回路基板に装着した半導体チップを覆うようにシリ
コーン樹脂など耐湿性の優れた樹脂を供給し、これを加
熱硬化することにより耐湿性を確保する手段が採られて
いる。
ド上にディスペンサ(Dispenser) などの滴下装置を用い
てエポキシ樹脂などの接着樹脂を滴下した後、回路基板
のパッド上に半導体チップを位置合わせし、圧接治具を
用いて半導体チップのバンプをパッドに圧接すると共に
加熱または紫外線照射を行なって樹脂を硬化させる。次
に、回路基板に装着した半導体チップを覆うようにシリ
コーン樹脂など耐湿性の優れた樹脂を供給し、これを加
熱硬化することにより耐湿性を確保する手段が採られて
いる。
【０００５】然し、このような接着法を採る場合は、バ
ンプとパッドとが接着剤を押し退けて圧接が行なわれて
いるために接触抵抗の増加が認められる場合が多く、ま
た、耐湿性を確保するために行なう樹脂の収縮力により
半導体チップが変形する場合があり、改良が必要であっ
た。
ンプとパッドとが接着剤を押し退けて圧接が行なわれて
いるために接触抵抗の増加が認められる場合が多く、ま
た、耐湿性を確保するために行なう樹脂の収縮力により
半導体チップが変形する場合があり、改良が必要であっ
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】先に記したようにフリ
ップチップタイプＩＣの回路基板への従来の装着法は回
路基板のパッド位置に予め接着樹脂液を供給しておき、
このパッドに半導体チップのバンプを位置合わせし、こ
の状態で圧接し、同時に樹脂を硬化させているために、
バンプとパッドとの間の接触抵抗の増加が避けられず、
また、半導体チップの上に塗布する耐湿性樹脂の収縮に
より半導体チップが凹型に変形し易いことが問題であ
る。
ップチップタイプＩＣの回路基板への従来の装着法は回
路基板のパッド位置に予め接着樹脂液を供給しておき、
このパッドに半導体チップのバンプを位置合わせし、こ
の状態で圧接し、同時に樹脂を硬化させているために、
バンプとパッドとの間の接触抵抗の増加が避けられず、
また、半導体チップの上に塗布する耐湿性樹脂の収縮に
より半導体チップが凹型に変形し易いことが問題であ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、フリップ
チップタイプＩＣのそれぞれのバンプをＩＣチップ搭載
用に回路基板上にパターン形成してあるそれぞれのパッ
ドに位置合わせして仮り止めする工程と、このＩＣチッ
プの上に接着用樹脂液を供給し、ＩＣチップの仮り止め
位置を接着用樹脂液で包む工程と、このＩＣチップの上
にＩＣチップよりも一回り大きな接着プレートを当接す
る工程と、加圧治具を用いて接着プレートを加圧しなが
ら、熱エネルギまたは光エネルギを供給してＩＣチップ
のバンプをパッドに接合すると共に接着用樹脂液を硬化
させ、回路基板と接着プレートとを接着する半導体装置
の装着方法をとることにより解決することができる。
チップタイプＩＣのそれぞれのバンプをＩＣチップ搭載
用に回路基板上にパターン形成してあるそれぞれのパッ
ドに位置合わせして仮り止めする工程と、このＩＣチッ
プの上に接着用樹脂液を供給し、ＩＣチップの仮り止め
位置を接着用樹脂液で包む工程と、このＩＣチップの上
にＩＣチップよりも一回り大きな接着プレートを当接す
る工程と、加圧治具を用いて接着プレートを加圧しなが
ら、熱エネルギまたは光エネルギを供給してＩＣチップ
のバンプをパッドに接合すると共に接着用樹脂液を硬化
させ、回路基板と接着プレートとを接着する半導体装置
の装着方法をとることにより解決することができる。
【０００８】
【作用】本発明は半導体チップのバンプと回路基板のパ
ッドとの完全接着を行なうために樹脂液の介在を無く
し、また、耐湿性樹脂の硬化収縮による応力により半導
体チップが変形するのを防ぐために耐湿性樹脂を用い
ず、その代わりに接着プレートを用いるものである。
ッドとの完全接着を行なうために樹脂液の介在を無く
し、また、耐湿性樹脂の硬化収縮による応力により半導
体チップが変形するのを防ぐために耐湿性樹脂を用い
ず、その代わりに接着プレートを用いるものである。
【０００９】図１は本発明に係る装着方法を示す断面図
であり、先ず、回路基板１の上にパターン形成されてお
り、これより半導体チップ２を装着せんとする複数のパ
ッドの中央部に接着剤３を塗布し、この状態で半導体チ
ップ２のバンプ４を回路基板１のパッドに位置合わせし
て半導体チップ２を仮り止めする。（以上図１Ａ） 次に、ディスペンサ５より接着用樹脂液６を滴下して半
導体チップ２を覆うと共に、回路基板１の装着部も濡れ
るようにする。（以上同図Ｂ） 次に、接着用樹脂液６が乾かない状態で接着プレート８
を半導体チップ２に当接する。
であり、先ず、回路基板１の上にパターン形成されてお
り、これより半導体チップ２を装着せんとする複数のパ
ッドの中央部に接着剤３を塗布し、この状態で半導体チ
ップ２のバンプ４を回路基板１のパッドに位置合わせし
て半導体チップ２を仮り止めする。（以上図１Ａ） 次に、ディスペンサ５より接着用樹脂液６を滴下して半
導体チップ２を覆うと共に、回路基板１の装着部も濡れ
るようにする。（以上同図Ｂ） 次に、接着用樹脂液６が乾かない状態で接着プレート８
を半導体チップ２に当接する。
【００１０】こゝで、接着プレート８は半導体チップ２
より一回り大きな面積のセラミック，金属あるいはガラ
ス板などで構成されており、この接着プレート８の当接
により半導体チップ２の上にある接着用樹脂液６は押し
出されて半導体チップ２を包み、接着プレート８と半導
体チップ２との庇部をほぼ満たす。次に、加圧治具９を
接着プレート８に当接し、加圧してバンプ４とパッドと
を圧着すると同時に、接着用樹脂液が紫外線硬化型の場
合は紫外線を照射し、また通常の加熱硬化型の場合は加
熱することにより接着用樹脂液６を硬化させる。（以上
同図Ｃ） 次に、加圧治具９を除くと半導体チップ２の上部は接着
プレート８で、また、側面は樹脂10により包まれた実装
が完成する。( 以上同図Ｄ） このようにすると、半導体チップ２は接着プレート８に
より一様に加圧され固定しているために変形することは
無く、また、バンプ４とパッドとの間に樹脂が介在する
こともないので、接触抵抗を最小とすることができ、こ
れにより従来の問題点を解決することができる。
より一回り大きな面積のセラミック，金属あるいはガラ
ス板などで構成されており、この接着プレート８の当接
により半導体チップ２の上にある接着用樹脂液６は押し
出されて半導体チップ２を包み、接着プレート８と半導
体チップ２との庇部をほぼ満たす。次に、加圧治具９を
接着プレート８に当接し、加圧してバンプ４とパッドと
を圧着すると同時に、接着用樹脂液が紫外線硬化型の場
合は紫外線を照射し、また通常の加熱硬化型の場合は加
熱することにより接着用樹脂液６を硬化させる。（以上
同図Ｃ） 次に、加圧治具９を除くと半導体チップ２の上部は接着
プレート８で、また、側面は樹脂10により包まれた実装
が完成する。( 以上同図Ｄ） このようにすると、半導体チップ２は接着プレート８に
より一様に加圧され固定しているために変形することは
無く、また、バンプ４とパッドとの間に樹脂が介在する
こともないので、接触抵抗を最小とすることができ、こ
れにより従来の問題点を解決することができる。
【００１１】
実施例１：（請求項１，図１対応） 導体線路が銅（Cu) よりなるガラス・エポキシ回路基板
上に面積が３×３ mmで厚さが0.4mm の半導体チップを
装着した。
上に面積が３×３ mmで厚さが0.4mm の半導体チップを
装着した。
【００１２】先ず、多数のパッドが方形にパターン形成
されている回路基板の半導体チップ搭載位置の中央に接
着剤を塗布し、これに従来と同じ方法で半導体チップ２
のバンプ４を位置合わせし、仮り止めした。
されている回路基板の半導体チップ搭載位置の中央に接
着剤を塗布し、これに従来と同じ方法で半導体チップ２
のバンプ４を位置合わせし、仮り止めした。
【００１３】次に、ディスペンサよりエポキシ樹脂液６
を滴下した後、この半導体チップ２の上に５×５ mm で
厚さが0.5mm のガラス板よりなる接着プレート８を中心
を一致させて当接した後、加圧治具９を用いて５Kg・f
の圧力で接着プレート８を加圧すると共に150 ℃で20秒
間に亙って加熱して接着用樹脂液６を硬化させた。
を滴下した後、この半導体チップ２の上に５×５ mm で
厚さが0.5mm のガラス板よりなる接着プレート８を中心
を一致させて当接した後、加圧治具９を用いて５Kg・f
の圧力で接着プレート８を加圧すると共に150 ℃で20秒
間に亙って加熱して接着用樹脂液６を硬化させた。
【００１４】このようにしてできた半導体装置は樹脂10
が接着プレート８と回路基板１とを接着しているので、
バンプ４とパッドとの接合を補強している以外に樹脂10
が半導体チップ２の周囲を包んでいるので充分な防湿構
造を備えており、また、接着プレート８により一様に半
導体チップ２を加圧しているので、半導体チップ２の変
形は生じなかった。 実施例２：（請求項２，図２対応） 電子回路は多くの場合、回路基板１の上に多数の半導体
チップ２がマトリックス状に配列して搭載されるのが常
である。かゝる場合、個々の半導体チップは微小である
ことから、個々に接着プレート８を当接して加圧するよ
りも一括して行なうほうが、工数的に有利である。
が接着プレート８と回路基板１とを接着しているので、
バンプ４とパッドとの接合を補強している以外に樹脂10
が半導体チップ２の周囲を包んでいるので充分な防湿構
造を備えており、また、接着プレート８により一様に半
導体チップ２を加圧しているので、半導体チップ２の変
形は生じなかった。 実施例２：（請求項２，図２対応） 電子回路は多くの場合、回路基板１の上に多数の半導体
チップ２がマトリックス状に配列して搭載されるのが常
である。かゝる場合、個々の半導体チップは微小である
ことから、個々に接着プレート８を当接して加圧するよ
りも一括して行なうほうが、工数的に有利である。
【００１５】図２は二個の半導体チップ２を単一の接着
プレート８で圧接固定した例であり、実施例１の場合と
同様に半導体チップ２を接着剤３で仮り止めし、ディス
ペンサでエポキシ樹脂液６を滴下し、回路基板１の半導
体チップ２の周囲まで濡らした状態で半導体チップ２に
当接する位置が部分的に窪んでいるガラス板よりなる接
着プレート８を当接した。
プレート８で圧接固定した例であり、実施例１の場合と
同様に半導体チップ２を接着剤３で仮り止めし、ディス
ペンサでエポキシ樹脂液６を滴下し、回路基板１の半導
体チップ２の周囲まで濡らした状態で半導体チップ２に
当接する位置が部分的に窪んでいるガラス板よりなる接
着プレート８を当接した。
【００１６】こゝで、ガラス板に設けられている窪みは
半導体チップ２の面積が３×３ mmであることから、3.2
×3.2 mm の大きさとし、また、深さは半導体チップ
２の高さが約0.4mm であることから0.1mm とした。そし
て、加圧治具を用いて５Kg・f ／チップの圧力で接着プ
レート８を加圧すると共に150 ℃で20秒間に亙って加熱
して接着用樹脂液６を硬化させた。このようにすると、
半導体チップ２の回路基板１への接合補強は充分であ
り、また、充分な耐湿構造をもつことになる。 実施例３：（請求項３，図３対応） この実施例の特徴は半導体チップ２と接着プレート８と
の間に弾性体膜12を介在させ、これにより加圧力を均等
化することで、この場合、厚さが0.3mm のネオプレンを
用いた。こゝで弾性体膜の必要条件は半導体チップ２と
大きさが等しいことで、半導体チップ２よりも大きい場
合は接着プレート８と接着用樹脂液６との接触面積が減
少し、半導体チップ２の回路基板１への接合補強が不充
分となることである。 実施例４：（請求項４，図４対応） この実施例の特徴は半導体チップ２のバンプ４を回路基
板１のパッドに位置合わせし、仮り止めする際に、チッ
プ２の周りに枠体13を設けて接着用樹脂液６の半導体チ
ップ２の下への流れ込みを防ぎ、これによりバンプ４と
パッドとの接合に際して接合部に樹脂が介在する可能性
を無くするもので、枠体の材料としては耐熱性絶縁物で
あれば何れでも良く、この場合は肉圧0.1 mm , 高さ0.
3 mm で3.2mm 角のポリカーボネート製の枠体を用い、
半導体チップ２を回路基板１に仮り止めした後に挿入し
た。以後の工程は実施例１と同様である。
半導体チップ２の面積が３×３ mmであることから、3.2
×3.2 mm の大きさとし、また、深さは半導体チップ
２の高さが約0.4mm であることから0.1mm とした。そし
て、加圧治具を用いて５Kg・f ／チップの圧力で接着プ
レート８を加圧すると共に150 ℃で20秒間に亙って加熱
して接着用樹脂液６を硬化させた。このようにすると、
半導体チップ２の回路基板１への接合補強は充分であ
り、また、充分な耐湿構造をもつことになる。 実施例３：（請求項３，図３対応） この実施例の特徴は半導体チップ２と接着プレート８と
の間に弾性体膜12を介在させ、これにより加圧力を均等
化することで、この場合、厚さが0.3mm のネオプレンを
用いた。こゝで弾性体膜の必要条件は半導体チップ２と
大きさが等しいことで、半導体チップ２よりも大きい場
合は接着プレート８と接着用樹脂液６との接触面積が減
少し、半導体チップ２の回路基板１への接合補強が不充
分となることである。 実施例４：（請求項４，図４対応） この実施例の特徴は半導体チップ２のバンプ４を回路基
板１のパッドに位置合わせし、仮り止めする際に、チッ
プ２の周りに枠体13を設けて接着用樹脂液６の半導体チ
ップ２の下への流れ込みを防ぎ、これによりバンプ４と
パッドとの接合に際して接合部に樹脂が介在する可能性
を無くするもので、枠体の材料としては耐熱性絶縁物で
あれば何れでも良く、この場合は肉圧0.1 mm , 高さ0.
3 mm で3.2mm 角のポリカーボネート製の枠体を用い、
半導体チップ２を回路基板１に仮り止めした後に挿入し
た。以後の工程は実施例１と同様である。
【００１７】
【発明の効果】本発明の実施により、フリップチップタ
イプＩＣチップの回路基板への装着に際して、半導体チ
ップの変形やバンプとパッドとの接触抵抗の増加などの
問題点を無くすることができ、また、接着プレートの使
用により従来の封止樹脂の使用を無くすることができ
る。
イプＩＣチップの回路基板への装着に際して、半導体チ
ップの変形やバンプとパッドとの接触抵抗の増加などの
問題点を無くすることができ、また、接着プレートの使
用により従来の封止樹脂の使用を無くすることができ
る。
【図１】本発明に係る装着方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例を示す断面図である。
【図３】本発明の別の実施例を示す断面図である。
【図４】本発明の更に別の実施例を示す断面図である。
１ 回路基板 ２ 半導体チップ ３ 接着剤 ４ バンプ ６ 接着用樹脂液 ８ 接着プレート ９ 加圧治具 10 樹脂 12 弾性体膜 13 枠体
Claims (4)
- 【請求項１】 フリップチップタイプＩＣのそれぞれの
バンプをＩＣチップ搭載用に回路基板上にパターン形成
してあるそれぞれのパッドに位置合わせして仮り止めす
る工程と、該ＩＣチップの上に接着用樹脂液を供給し、
該ＩＣチップの仮り止め位置を接着用樹脂液で包む工程
と、該ＩＣチップの上に該ＩＣチップよりも一回り大き
な接着プレートを当接する工程と、加圧治具を用いて該
接着プレートを加圧しながら、熱エネルギまたは光エネ
ルギを供給して前記ＩＣチップのバンプをパッドに接合
すると共に接着用樹脂液を硬化させ、前記回路基板と前
記接着プレートとを接着する工程を含むことを特徴とす
る半導体装置の装着方法。 - 【請求項２】 回路基板上に仮り止めしてある複数のＩ
Ｃチップの上に接着プレートを当接する際に、該複数の
ＩＣチップの位置に対応する複数の窪みを含む一枚の接
着プレートを該複数のＩＣチップに位置合わせして当接
することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の装着
方法。 - 【請求項３】 回路基板上に仮り止めしてあるＩＣチッ
プの上に接着プレートを当接する際に、該ＩＣチップと
同一形状の弾性体膜を介して行なうことを特徴とする請
求項１および２記載の半導体装置の装着方法。 - 【請求項４】 回路基板上に仮り止めしてあるＩＣチッ
プの上に接着用樹脂液を供給し、該ＩＣチップの仮り止
め位置を接着用樹脂液で包む際にＩＣチップよりも高さ
の低い枠体により該ＩＣチップを囲って行なうことを特
徴とする請求項１記載の半導体装置の装着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5082293A JPH06295936A (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 半導体装置の装着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5082293A JPH06295936A (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 半導体装置の装着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06295936A true JPH06295936A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=13770503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5082293A Withdrawn JPH06295936A (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 半導体装置の装着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06295936A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100278760B1 (ko) * | 1997-10-23 | 2001-02-01 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지의인캡슐레이션된액상봉지재의상부표면을평평하게하는방법및그장치 |
| KR100552095B1 (ko) * | 2000-02-18 | 2006-02-13 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 범프 부품 실장체의 제조방법 및 그 제조장치 |
-
1993
- 1993-04-09 JP JP5082293A patent/JPH06295936A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100278760B1 (ko) * | 1997-10-23 | 2001-02-01 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지의인캡슐레이션된액상봉지재의상부표면을평평하게하는방법및그장치 |
| KR100552095B1 (ko) * | 2000-02-18 | 2006-02-13 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 범프 부품 실장체의 제조방법 및 그 제조장치 |
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