JPH0629633A - 回路用絶縁基板 - Google Patents
回路用絶縁基板Info
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- JPH0629633A JPH0629633A JP4203124A JP20312492A JPH0629633A JP H0629633 A JPH0629633 A JP H0629633A JP 4203124 A JP4203124 A JP 4203124A JP 20312492 A JP20312492 A JP 20312492A JP H0629633 A JPH0629633 A JP H0629633A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon nitride
- thermal expansion
- silicon
- aluminum
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Ceramic Products (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】アルミニウムＡｌ成分を含有する窒化珪素Ｓｉ
3Ｎ4系セラミックスよりなるものにおいて、前記アルミ
ニウムＡｌ成分のうち少なくとも一部をＡｌ2Ｏ3結晶形
態で存在させたことを特徴とする回路用絶縁基板。 【効果】熱膨張係数がシリコンのそれに近いことから、
シリコンチップ搭載時の接続不良やチップ剥離を防止す
ることができる。機械的強度が高いことから、金属リー
ドの接合時や回路用基板の搬送時の割れ、カケを防止す
ることができる。しかも主成分が窒化珪素であって誘電
率が小さいものであるから、信号伝播の高速化を図るこ
とができる。
3Ｎ4系セラミックスよりなるものにおいて、前記アルミ
ニウムＡｌ成分のうち少なくとも一部をＡｌ2Ｏ3結晶形
態で存在させたことを特徴とする回路用絶縁基板。 【効果】熱膨張係数がシリコンのそれに近いことから、
シリコンチップ搭載時の接続不良やチップ剥離を防止す
ることができる。機械的強度が高いことから、金属リー
ドの接合時や回路用基板の搬送時の割れ、カケを防止す
ることができる。しかも主成分が窒化珪素であって誘電
率が小さいものであるから、信号伝播の高速化を図るこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回路用絶縁基板に関す
るもので、特に半導体パッケージなどの絶縁容器に好適
に利用され得る。
るもので、特に半導体パッケージなどの絶縁容器に好適
に利用され得る。
【０００２】
【従来の技術】回路用絶縁基板においては、信号伝播速
度の高速化、回路の高集積化が要求される。信号伝搬速
度の高速化を図るためには、電気信号の伝播遅延時間ｔ
と比誘電率εの平方根との間に比例関係があることか
ら、比誘電率の小さい絶縁材料を用いる必要がある。ま
た、高集積化のためにシリコンチップをセラミック多層
基板に直接搭載する構造のものがあるが、その場合チッ
プの接続不良や剥離を未然に防止するため、絶縁材料の
熱膨張係数は、シリコンチップのそれ（３．５×１０-7
／℃）に近いものが望ましい。加えて絶縁基板には、Ｉ
／Ｏピンや外部金属リードとの接合（通常、鑞付け）に
耐える機械的強度も必要である。
度の高速化、回路の高集積化が要求される。信号伝搬速
度の高速化を図るためには、電気信号の伝播遅延時間ｔ
と比誘電率εの平方根との間に比例関係があることか
ら、比誘電率の小さい絶縁材料を用いる必要がある。ま
た、高集積化のためにシリコンチップをセラミック多層
基板に直接搭載する構造のものがあるが、その場合チッ
プの接続不良や剥離を未然に防止するため、絶縁材料の
熱膨張係数は、シリコンチップのそれ（３．５×１０-7
／℃）に近いものが望ましい。加えて絶縁基板には、Ｉ
／Ｏピンや外部金属リードとの接合（通常、鑞付け）に
耐える機械的強度も必要である。
【０００３】一方、従来より、比誘電率の小さい絶縁材
料として、窒化珪素系セラミックスがあり、Ｓｉ3Ｎ4に
焼結助剤としてガラスを５〜３０％添加した焼結体（特
開昭５７−１６２３９３号公報）やＳｉ3Ｎ4にアルミ
ナ、窒化アルミニウムを固溶させたサイアロンと称する
焼結体（特開昭６２−３０６６３号公報）が知られてい
る。
料として、窒化珪素系セラミックスがあり、Ｓｉ3Ｎ4に
焼結助剤としてガラスを５〜３０％添加した焼結体（特
開昭５７−１６２３９３号公報）やＳｉ3Ｎ4にアルミ
ナ、窒化アルミニウムを固溶させたサイアロンと称する
焼結体（特開昭６２−３０６６３号公報）が知られてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開昭５７−
１６２３９３号公報に記載された焼結体は、同公報の最
終行に記載されているように曲げ強度が１７ｋｇ／ｍｍ
2と低く、金属リード等を鑞付けする必要のある回路用
基板としての実用には適さない。この原因は定かでない
が、おそらく焼結体の強度がガラスの強度に依存したも
のと考えられる。
１６２３９３号公報に記載された焼結体は、同公報の最
終行に記載されているように曲げ強度が１７ｋｇ／ｍｍ
2と低く、金属リード等を鑞付けする必要のある回路用
基板としての実用には適さない。この原因は定かでない
が、おそらく焼結体の強度がガラスの強度に依存したも
のと考えられる。
【０００５】また、特開昭６２−３０６６３号公報に記
載された焼結体は、もともと熱膨張係数がシリコンのそ
れよりも小さい窒化珪素を主成分とするところ、その窒
化珪素が更に低膨張のサイアロンに変化している。従っ
て、同公報には、測定温度範囲を無視して、同焼結体の
熱膨張係数が２．９〜３．３×１０-6／℃と記載されて
いるものの、実際に常温〜４００℃の範囲で測定してみ
ると２．５×１０-6／℃以下であり、これも回路用基板
としての実用には適さない。
載された焼結体は、もともと熱膨張係数がシリコンのそ
れよりも小さい窒化珪素を主成分とするところ、その窒
化珪素が更に低膨張のサイアロンに変化している。従っ
て、同公報には、測定温度範囲を無視して、同焼結体の
熱膨張係数が２．９〜３．３×１０-6／℃と記載されて
いるものの、実際に常温〜４００℃の範囲で測定してみ
ると２．５×１０-6／℃以下であり、これも回路用基板
としての実用には適さない。
【０００６】本発明の目的は、このような従来技術の課
題を解決し、機械的強度、誘電率及び熱膨張係数の３特
性を兼備した回路用絶縁基板を提供することにある。
題を解決し、機械的強度、誘電率及び熱膨張係数の３特
性を兼備した回路用絶縁基板を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】その手段は、アルミニウ
ムＡｌ成分を含有する窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミックス
よりなるものにおいて、前記アルミニウムＡｌ成分のう
ち少なくとも一部をＡｌ2Ｏ3結晶形態で存在させたこと
を特徴とする回路用絶縁基板にある。
ムＡｌ成分を含有する窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミックス
よりなるものにおいて、前記アルミニウムＡｌ成分のう
ち少なくとも一部をＡｌ2Ｏ3結晶形態で存在させたこと
を特徴とする回路用絶縁基板にある。
【０００８】望ましい手段は、上記回路用基板におい
て、アルミニウム成分の総量が、Ａｌ2Ｏ3に換算したと
きに重量基準で、０．５≦Ａｌ2Ｏ3／Ｓｉ3Ｎ4≦１．６
を充足するように定めたところにある。
て、アルミニウム成分の総量が、Ａｌ2Ｏ3に換算したと
きに重量基準で、０．５≦Ａｌ2Ｏ3／Ｓｉ3Ｎ4≦１．６
を充足するように定めたところにある。
【０００９】別の望ましい手段は、アルミニウム成分の
総量が、Ａｌ2Ｏ3に換算したときに重量基準で、Ｓｉ3
Ｎ4との合計量で７０％以上９０％以下であるように定
めたところにある。
総量が、Ａｌ2Ｏ3に換算したときに重量基準で、Ｓｉ3
Ｎ4との合計量で７０％以上９０％以下であるように定
めたところにある。
【００１０】ここで、窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミックス
とは、イットリア、マグネシア、アルミナ等の公知の焼
結助剤を含んで焼結されたものである。これら焼結助剤
の一部は、ガラス化したり、窒化珪素に固溶してもよい
が、その量は、前記Ａｌ2Ｏ3結晶の量よりも少なくする
必要がある。また、上記各手段において、Ｓｉ3Ｎ4の含
有量としては、Ｓｉ成分をＳｉ3Ｎ4に換算したときの重
量を用いた。
とは、イットリア、マグネシア、アルミナ等の公知の焼
結助剤を含んで焼結されたものである。これら焼結助剤
の一部は、ガラス化したり、窒化珪素に固溶してもよい
が、その量は、前記Ａｌ2Ｏ3結晶の量よりも少なくする
必要がある。また、上記各手段において、Ｓｉ3Ｎ4の含
有量としては、Ｓｉ成分をＳｉ3Ｎ4に換算したときの重
量を用いた。
【００１１】
【作用】アルミニウム成分は、例えばＡｌ2Ｏ3結晶粉末
の形態または焼成後にＡｌ2Ｏ3結晶となる化合物の形態
で原料の窒化珪素に添加されて焼結助剤として作用し、
セラミックスの機械的強度を高めるほか、一部はＳｉ3
Ｎ4に固溶するが、他部は焼結後にＡｌ2Ｏ3結晶の形態
で析出するか叉は残ることにより、熱膨張係数の大きい
Ａｌ2Ｏ3結晶が低膨張の窒化珪素あるいはサイアロン
（Ａｌ2Ｏ3が固溶したもの）と相殺し合って基板全体の
熱膨張係数をシリコンのそれと近いものにする。しかも
主成分は窒化珪素であるから、誘電率は依然として低
い。そして、アルミニウム成分の総量が、前記範囲内の
とき、析出叉は残存するＡｌ2Ｏ3結晶の量が、かかる作
用を生ずるのに最適となる。
の形態または焼成後にＡｌ2Ｏ3結晶となる化合物の形態
で原料の窒化珪素に添加されて焼結助剤として作用し、
セラミックスの機械的強度を高めるほか、一部はＳｉ3
Ｎ4に固溶するが、他部は焼結後にＡｌ2Ｏ3結晶の形態
で析出するか叉は残ることにより、熱膨張係数の大きい
Ａｌ2Ｏ3結晶が低膨張の窒化珪素あるいはサイアロン
（Ａｌ2Ｏ3が固溶したもの）と相殺し合って基板全体の
熱膨張係数をシリコンのそれと近いものにする。しかも
主成分は窒化珪素であるから、誘電率は依然として低
い。そして、アルミニウム成分の総量が、前記範囲内の
とき、析出叉は残存するＡｌ2Ｏ3結晶の量が、かかる作
用を生ずるのに最適となる。
【００１２】
【実施例】純度９９．９％、平均粒径０．９μｍのβ型
窒化珪素、純度９９．９％、平均粒径２．１μｍの酸化
イットリウム及び純度９９．９％、平均粒径０．７μｍ
の酸化アルミニウムを表１に示す組成割合で秤量し、ボ
ールミルを用いてアセトン中で混合し、ドクターブレー
ドにて厚さ０．４ｍｍのグリーンシートに成形した。こ
のグリーンシートを１８枚積層し熱圧着後、温度１７０
０℃、圧力２００ｋｇ／ｃｍ2、保持時間３０分の条件
でホットプレスすることによって、大きさ３５×３５×
３．５ｍｍのセラミックス焼結体Ｎｏ．１〜９を製造し
た。
窒化珪素、純度９９．９％、平均粒径２．１μｍの酸化
イットリウム及び純度９９．９％、平均粒径０．７μｍ
の酸化アルミニウムを表１に示す組成割合で秤量し、ボ
ールミルを用いてアセトン中で混合し、ドクターブレー
ドにて厚さ０．４ｍｍのグリーンシートに成形した。こ
のグリーンシートを１８枚積層し熱圧着後、温度１７０
０℃、圧力２００ｋｇ／ｃｍ2、保持時間３０分の条件
でホットプレスすることによって、大きさ３５×３５×
３．５ｍｍのセラミックス焼結体Ｎｏ．１〜９を製造し
た。
【００１３】
【表１】 これら焼結体の熱膨張係数（室温〜４００℃平均）及び
抗折強度を測定した結果を表２に示す。また、抗折強度
及び熱膨張係数と酸化アルミニウム添加量との関係をそ
れぞれ図１及び図２に示す。尚、抗折強度は、ＪＩＳ
Ｒ１６０１に準拠し、３点曲げ強度により測定した。
抗折強度を測定した結果を表２に示す。また、抗折強度
及び熱膨張係数と酸化アルミニウム添加量との関係をそ
れぞれ図１及び図２に示す。尚、抗折強度は、ＪＩＳ
Ｒ１６０１に準拠し、３点曲げ強度により測定した。
【００１４】
【表２】 表２にみられるように、本発明に係わるセラミックスＮ
ｏ．１〜９は、熱膨張係数が２．７〜５．０×１０-6／
℃とシリコンのそれに近いものであった。また、抗折強
度がいずれも３０ｋｇ／ｍｍ2以上であり、シリコンチ
ップを支持したり、金属リードを取り付けるのに十分な
値であった。特に請求項２及び３の範囲内のものは、熱
膨張係数が３〜４×-6／℃、抗折強度が３８ｋｇ／ｍｍ
2以上となり、優れていた。尚、セラミックスＮｏ．１
〜９は、いずれも窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系結晶のほかにアル
ミナＡｌ2Ｏ3結晶を含んでいることがＸ線回折によって
確認された。
ｏ．１〜９は、熱膨張係数が２．７〜５．０×１０-6／
℃とシリコンのそれに近いものであった。また、抗折強
度がいずれも３０ｋｇ／ｍｍ2以上であり、シリコンチ
ップを支持したり、金属リードを取り付けるのに十分な
値であった。特に請求項２及び３の範囲内のものは、熱
膨張係数が３〜４×-6／℃、抗折強度が３８ｋｇ／ｍｍ
2以上となり、優れていた。尚、セラミックスＮｏ．１
〜９は、いずれも窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系結晶のほかにアル
ミナＡｌ2Ｏ3結晶を含んでいることがＸ線回折によって
確認された。
【００１５】比較のために、原料の組成割合が、窒化珪
素９１％、酸化アルミニウム１％、窒化アルミニウムＡ
ｌＮ３％及び酸化イットリウム５％であるほかは、上記
セラミックスＮｏ．１〜９と同じ条件で比較用セラミッ
クスＮｏ．１０を製造したところ、抗折強度は９８．５
ｋｇ／ｍｍ2で高かったが、その熱膨張係数は２．２×
-6／℃と低かった。そしてＸ線回折にて分析したとこ
ろ、Ｓｉ3Ｎ4系結晶のピークのみが確認された。更に比
較のために、原料の組成割合が、窒化珪素８０％及びガ
ラス（ＳｉＯ2：４０，Ａｌ2Ｏ3：４０，ＭｇＯ：１
３，ＣａＯ：７）２０％であるほかは、上記セラミック
スＮｏ．１〜９と同じ条件で比較用セラミックスＮｏ．
１１を製造したところ、抗折強度が１８．１ｋｇ／ｍｍ
2と低く、その熱膨張係数も２．６×-6／℃と低かっ
た。そしてＸ線回折にて分析したところ、主結晶が窒化
珪素Ｓｉ3Ｎ4となっていたものの、アルミナＡｌ2Ｏ3結
晶は確認されなかった。
素９１％、酸化アルミニウム１％、窒化アルミニウムＡ
ｌＮ３％及び酸化イットリウム５％であるほかは、上記
セラミックスＮｏ．１〜９と同じ条件で比較用セラミッ
クスＮｏ．１０を製造したところ、抗折強度は９８．５
ｋｇ／ｍｍ2で高かったが、その熱膨張係数は２．２×
-6／℃と低かった。そしてＸ線回折にて分析したとこ
ろ、Ｓｉ3Ｎ4系結晶のピークのみが確認された。更に比
較のために、原料の組成割合が、窒化珪素８０％及びガ
ラス（ＳｉＯ2：４０，Ａｌ2Ｏ3：４０，ＭｇＯ：１
３，ＣａＯ：７）２０％であるほかは、上記セラミック
スＮｏ．１〜９と同じ条件で比較用セラミックスＮｏ．
１１を製造したところ、抗折強度が１８．１ｋｇ／ｍｍ
2と低く、その熱膨張係数も２．６×-6／℃と低かっ
た。そしてＸ線回折にて分析したところ、主結晶が窒化
珪素Ｓｉ3Ｎ4となっていたものの、アルミナＡｌ2Ｏ3結
晶は確認されなかった。
【００１６】シリコン、セラミックスＮｏ．３、セラミ
ックスＮｏ．１０及びアルミナセラミックスについて、
室温から各温度までの平均線熱膨張係数を測定した結果
を図３に示す。本発明に係わるセラミックスＮｏ．３が
シリコンに最も近い挙動を示すことが判る。
ックスＮｏ．１０及びアルミナセラミックスについて、
室温から各温度までの平均線熱膨張係数を測定した結果
を図３に示す。本発明に係わるセラミックスＮｏ．３が
シリコンに最も近い挙動を示すことが判る。
【００１７】
【発明の効果】本発明回路用絶縁基板は、その熱膨張係
数がシリコンのそれに近いことから、シリコンチップ搭
載時の接続不良やチップ剥離を防止することができる。
また、機械的強度が高いことから、金属リードの接合時
や回路用基板の搬送時の割れ、カケを防止することがで
きる。しかも主成分が窒化珪素であって誘電率が小さい
ものであるから、信号伝播の高速化を図ることができ
る。
数がシリコンのそれに近いことから、シリコンチップ搭
載時の接続不良やチップ剥離を防止することができる。
また、機械的強度が高いことから、金属リードの接合時
や回路用基板の搬送時の割れ、カケを防止することがで
きる。しかも主成分が窒化珪素であって誘電率が小さい
ものであるから、信号伝播の高速化を図ることができ
る。
【図１】抗折強度と酸化アルミニウム添加量との関係を
示す図である。
示す図である。
【図２】熱膨張係数と酸化アルミニウム添加量との関係
を示す図である。
を示す図である。
【図３】シリコン、セラミックスＮｏ．３、セラミック
スＮｏ．１０及びアルミナセラミックスについて、室温
から各温度までの平均線熱膨張係数を測定した結果を示
す図である。
スＮｏ．１０及びアルミナセラミックスについて、室温
から各温度までの平均線熱膨張係数を測定した結果を示
す図である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年８月２１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】回路用絶縁基板においては、信号伝播速
度の高速化、回路の高集積化が要求される。信号伝搬速
度の高速化を図るためには、電気信号の伝播遅延時間ｔ
と比誘電率εの平方根との間に比例関係があることか
ら、比誘電率の小さい絶縁材料を用いる必要がある。ま
た、高集積化のためにシリコンチップをセラミック多層
基板に直接搭載する構造のものがあるが、その場合チッ
プの接続不良や剥離を未然に防止するため、絶縁材料の
熱膨張係数は、シリコンチップのそれ（３．４×１０-6
／℃）に近いものが望ましい。加えて絶縁基板には、Ｉ
／Ｏピンや外部金属リードとの接合（通常、鑞付け）に
耐える機械的強度も必要である。
度の高速化、回路の高集積化が要求される。信号伝搬速
度の高速化を図るためには、電気信号の伝播遅延時間ｔ
と比誘電率εの平方根との間に比例関係があることか
ら、比誘電率の小さい絶縁材料を用いる必要がある。ま
た、高集積化のためにシリコンチップをセラミック多層
基板に直接搭載する構造のものがあるが、その場合チッ
プの接続不良や剥離を未然に防止するため、絶縁材料の
熱膨張係数は、シリコンチップのそれ（３．４×１０-6
／℃）に近いものが望ましい。加えて絶縁基板には、Ｉ
／Ｏピンや外部金属リードとの接合（通常、鑞付け）に
耐える機械的強度も必要である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】
【表２】表２にみられるように、本発明に係わるセラミ
ックスＮｏ．１〜９は、熱膨張係数が２．７〜５．０×
１０-6／℃とシリコンのそれに近いものであった。ま
た、抗折強度がいずれも３０ｋｇ／ｍｍ2以上であり、
シリコンチップを支持したり、金属リードを取り付ける
のに十分な値であった。特に請求項２及び３の範囲内の
ものは、熱膨張係数が３〜４×１０-6／℃、抗折強度が
３８ｋｇ／ｍｍ2以上となり、優れていた。尚、セラミ
ックスＮｏ．１〜９は、いずれも窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系結
晶のほかにアルミナＡｌ2Ｏ3結晶を含んでいることがＸ
線回折によって確認された。
ックスＮｏ．１〜９は、熱膨張係数が２．７〜５．０×
１０-6／℃とシリコンのそれに近いものであった。ま
た、抗折強度がいずれも３０ｋｇ／ｍｍ2以上であり、
シリコンチップを支持したり、金属リードを取り付ける
のに十分な値であった。特に請求項２及び３の範囲内の
ものは、熱膨張係数が３〜４×１０-6／℃、抗折強度が
３８ｋｇ／ｍｍ2以上となり、優れていた。尚、セラミ
ックスＮｏ．１〜９は、いずれも窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系結
晶のほかにアルミナＡｌ2Ｏ3結晶を含んでいることがＸ
線回折によって確認された。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】比較のために、原料の組成割合が、窒化珪
素９１％、酸化アルミニウム１％、窒化アルミニウムＡ
ｌＮ３％及び酸化イットリウム５％であるほかは、上記
セラミックスＮｏ．１〜９と同じ条件で比較用セラミッ
クスＮｏ．１０を製造したところ、抗折強度は９８．５
ｋｇ／ｍｍ2で高かったが、その熱膨張係数は２．２×
１０-6／℃と低かった。そしてＸ線回折にて分析したと
ころ、Ｓｉ3Ｎ4系結晶のピークのみが確認された。更に
比較のために、原料の組成割合が、窒化珪素８０％及び
ガラス（ＳｉＯ2：４０，Ａｌ2Ｏ3：４０，ＭｇＯ：１
３，ＣａＯ：７）２０％であるほかは、上記セラミック
スＮｏ．１〜９と同じ条件で比較用セラミックスＮｏ．
１１を製造したところ、抗折強度が１８．１ｋｇ／ｍｍ
2と低く、その熱膨張係数も２．６×１０-6／℃と低か
った。そしてＸ線回折にて分析したところ、主結晶が窒
化珪素Ｓｉ3Ｎ4となっていたものの、アルミナＡｌ2Ｏ3
結晶は確認されなかった。 ─────────────────────────────────────────────────────
素９１％、酸化アルミニウム１％、窒化アルミニウムＡ
ｌＮ３％及び酸化イットリウム５％であるほかは、上記
セラミックスＮｏ．１〜９と同じ条件で比較用セラミッ
クスＮｏ．１０を製造したところ、抗折強度は９８．５
ｋｇ／ｍｍ2で高かったが、その熱膨張係数は２．２×
１０-6／℃と低かった。そしてＸ線回折にて分析したと
ころ、Ｓｉ3Ｎ4系結晶のピークのみが確認された。更に
比較のために、原料の組成割合が、窒化珪素８０％及び
ガラス（ＳｉＯ2：４０，Ａｌ2Ｏ3：４０，ＭｇＯ：１
３，ＣａＯ：７）２０％であるほかは、上記セラミック
スＮｏ．１〜９と同じ条件で比較用セラミックスＮｏ．
１１を製造したところ、抗折強度が１８．１ｋｇ／ｍｍ
2と低く、その熱膨張係数も２．６×１０-6／℃と低か
った。そしてＸ線回折にて分析したところ、主結晶が窒
化珪素Ｓｉ3Ｎ4となっていたものの、アルミナＡｌ2Ｏ3
結晶は確認されなかった。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年９月２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】
【表２】 表２にみられるように、本発明に係わるセラミックスＮ
ｏ．１〜９は、熱膨張係数が２．７〜５．０×１０−６
／℃とシリコンのそれに近いものであった。また、抗折
強度がいずれも３０ｋｇ／ｍｍ２以上であり、シリコン
チップを支持したり、金属リードを取り付けるのに十分
な値であった。特に請求項２及び３の範囲内のものは、
熱膨張係数が３〜４×１０−６／℃、抗折強度が３８ｋ
ｇ／ｍｍ２以上となり、優れていた。尚、セラミックス
Ｎｏ．１〜９は、いずれも窒化珪素Ｓｉ３Ｎ４系結晶の
ほかにアルミナＡｌ２Ｏ３結晶を含んでいることがＸ線
回折によって確認された。
ｏ．１〜９は、熱膨張係数が２．７〜５．０×１０−６
／℃とシリコンのそれに近いものであった。また、抗折
強度がいずれも３０ｋｇ／ｍｍ２以上であり、シリコン
チップを支持したり、金属リードを取り付けるのに十分
な値であった。特に請求項２及び３の範囲内のものは、
熱膨張係数が３〜４×１０−６／℃、抗折強度が３８ｋ
ｇ／ｍｍ２以上となり、優れていた。尚、セラミックス
Ｎｏ．１〜９は、いずれも窒化珪素Ｓｉ３Ｎ４系結晶の
ほかにアルミナＡｌ２Ｏ３結晶を含んでいることがＸ線
回折によって確認された。
Claims (3)
- 【請求項１】 アルミニウムＡｌ成分を含有する窒化珪
素Ｓｉ3Ｎ4系セラミックスよりなるものにおいて、前記
アルミニウムＡｌ成分のうち少なくとも一部をＡｌ2Ｏ3
結晶形態で存在させたことを特徴とする回路用絶縁基
板。 - 【請求項２】 アルミニウム成分の総量が、Ａｌ2Ｏ3に
換算したときに重量基準で、０．５≦Ａｌ2Ｏ3／Ｓｉ3
Ｎ4≦１．６を充足していることを特徴とする請求項１
の回路用絶縁基板。 - 【請求項３】 アルミニウム成分の総量が、Ａｌ2Ｏ3に
換算したときに重量基準で、Ｓｉ3Ｎ4との合計量で７０
％以上９０％以下であることを特徴とする請求項１の回
路用絶縁基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203124A JPH0629633A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 回路用絶縁基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203124A JPH0629633A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 回路用絶縁基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629633A true JPH0629633A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16468805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4203124A Pending JPH0629633A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 回路用絶縁基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629633A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103420678A (zh) * | 2013-07-23 | 2013-12-04 | 株洲钻石切削刀具股份有限公司 | 采用非均相沉淀法制备SiAlON陶瓷材料的方法 |
-
1992
- 1992-07-06 JP JP4203124A patent/JPH0629633A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103420678A (zh) * | 2013-07-23 | 2013-12-04 | 株洲钻石切削刀具股份有限公司 | 采用非均相沉淀法制备SiAlON陶瓷材料的方法 |
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