JPH0629810A - 電圧制御半導体スイッチ駆動回路 - Google Patents
電圧制御半導体スイッチ駆動回路Info
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- JPH0629810A JPH0629810A JP5060555A JP6055593A JPH0629810A JP H0629810 A JPH0629810 A JP H0629810A JP 5060555 A JP5060555 A JP 5060555A JP 6055593 A JP6055593 A JP 6055593A JP H0629810 A JPH0629810 A JP H0629810A
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- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
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- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/689—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
- H03K17/691—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling
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- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/0406—Modifications for accelerating switching in composite switches
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- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04123—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
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Abstract
(57)【要約】
【目的】電圧制御半導体スイッチ（Ｓ１）を駆動するダ
イナミックで低損失回路を提供する。 【構成】スイッチ（Ｓ１）のゲートはブリッジ整流器
（Ｄ１／Ｄ２／Ｄ３／Ｄ４）のプラス直流電圧端子に接
続される。この整流器はトランス（Ｔ）の二次巻線に接
続され、トランス（Ｔ）の一次巻線には前記スイッチを
駆動するための電圧が発生する。予備スイッチ（Ｓ２）
と第１抵抗（Ｒ４）の直列回路は、前記ブリッジ整流器
の直流電圧端子間に設けられる。トランス（Ｔ）の第２
巻線にはセンタータップが設けられ、このセンタータッ
プは半導体スイッチ（Ｓ１）、第１コンデンサ（Ｃ２）
及び第２抵抗（Ｒ３）に接続される。第１コンデンサ
（Ｃ２）の他方の端子はブリッジ整流器（Ｄ１／Ｄ２／
Ｄ３／Ｄ４）のマイナス直流電圧端子に接続される。第
２抵抗（Ｒ３）の他の端子は２つのダイオード（Ｄ６、
Ｄ７）に接続される。
イナミックで低損失回路を提供する。 【構成】スイッチ（Ｓ１）のゲートはブリッジ整流器
（Ｄ１／Ｄ２／Ｄ３／Ｄ４）のプラス直流電圧端子に接
続される。この整流器はトランス（Ｔ）の二次巻線に接
続され、トランス（Ｔ）の一次巻線には前記スイッチを
駆動するための電圧が発生する。予備スイッチ（Ｓ２）
と第１抵抗（Ｒ４）の直列回路は、前記ブリッジ整流器
の直流電圧端子間に設けられる。トランス（Ｔ）の第２
巻線にはセンタータップが設けられ、このセンタータッ
プは半導体スイッチ（Ｓ１）、第１コンデンサ（Ｃ２）
及び第２抵抗（Ｒ３）に接続される。第１コンデンサ
（Ｃ２）の他方の端子はブリッジ整流器（Ｄ１／Ｄ２／
Ｄ３／Ｄ４）のマイナス直流電圧端子に接続される。第
２抵抗（Ｒ３）の他の端子は２つのダイオード（Ｄ６、
Ｄ７）に接続される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は特許請求項１の前文に示
されるような電圧制御半導体スイッチの駆動回路に関す
る。
されるような電圧制御半導体スイッチの駆動回路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】本回路は全てのタイプの半導体スイッ
チ、特に回路遮断器に使用できる。このような回路遮断
器は電界によって無電圧に制御され、例えばＭＯＳＦＥ
Ｔ(metaloxide semiconductor field effect transisto
rs)及びＩＧＢＴ(insulated-gate bipolar transistor
s)などにおけるような運動力学的理由により、受動的タ
ーンオフは不十分である。本発明の用途は、例えば開始
抵抗のバイパス又は遮断抵抗のスイッチングである。
チ、特に回路遮断器に使用できる。このような回路遮断
器は電界によって無電圧に制御され、例えばＭＯＳＦＥ
Ｔ(metaloxide semiconductor field effect transisto
rs)及びＩＧＢＴ(insulated-gate bipolar transistor
s)などにおけるような運動力学的理由により、受動的タ
ーンオフは不十分である。本発明の用途は、例えば開始
抵抗のバイパス又は遮断抵抗のスイッチングである。
【０００３】図３は電圧制御半導体スイッチＳ１を駆動
する回路の概略図である。トランスＴが図示され、一次
巻線にはスイッチＳ１に対する駆動電圧が印加されてい
る。スイッチＳ１は一次巻線に駆動電圧が圧制している
限り、ターンオンして導通状態である。一次巻線の駆動
電圧を切ることにより、スイッチＳ１はある遅延時間の
後ターンオフし、オフ状態となる。トランスＴは二次巻
線を有し、その端子はブリッジ整流器Ｄ１／Ｄ２／Ｄ３
／Ｄ４の交流電圧端子に接続される。ブリッジ整流器の
プラス直流電圧端子は低抵抗値のバイアス抵抗Ｒ１（ゲ
ート抵抗）を介してスイッチＳ１のゲートに導かれてい
る。ブリッジ整流器のマイナス直流電圧端子は、スイッ
チＳ１がＩＧＢＴであるかＭＯＳＦＥＴであるかに依存
して、スイッチＳ１のエミッタ又はソースに接続され
る。ブリッジ整流器のプラス及びマイナス直流電圧端子
は抵抗Ｒ２を介して互いに接続される。
する回路の概略図である。トランスＴが図示され、一次
巻線にはスイッチＳ１に対する駆動電圧が印加されてい
る。スイッチＳ１は一次巻線に駆動電圧が圧制している
限り、ターンオンして導通状態である。一次巻線の駆動
電圧を切ることにより、スイッチＳ１はある遅延時間の
後ターンオフし、オフ状態となる。トランスＴは二次巻
線を有し、その端子はブリッジ整流器Ｄ１／Ｄ２／Ｄ３
／Ｄ４の交流電圧端子に接続される。ブリッジ整流器の
プラス直流電圧端子は低抵抗値のバイアス抵抗Ｒ１（ゲ
ート抵抗）を介してスイッチＳ１のゲートに導かれてい
る。ブリッジ整流器のマイナス直流電圧端子は、スイッ
チＳ１がＩＧＢＴであるかＭＯＳＦＥＴであるかに依存
して、スイッチＳ１のエミッタ又はソースに接続され
る。ブリッジ整流器のプラス及びマイナス直流電圧端子
は抵抗Ｒ２を介して互いに接続される。
【０００４】前述したように、スイッチＳ１はトランス
Ｔによって結合される電圧によりターンオンする。スイ
ッチＳ１のゲートとソース間、及びゲートとエミッタ間
は、オンの期間中に充電される。スイッチＳ１はトラン
スＴの駆動電圧が０電位に落ちた後、抵抗Ｒ１及びＲ２
を介して入力容量が放電することにより受動的にオフす
る。スイッチＳ１のオフ期間中、相反する２つの要求事
項が満足されなければならない。１つは、ブリッジ整流
器の直流電圧端子を介して流れる直流電流がスイッチＳ
１がオン状態のとき、過大にならないように抵抗Ｒ２の
抵抗値は小さすぎてはならない。過大な直流電流は、特
に駆動電圧を送る制御電圧源に過大な負荷（比較的大き
な電圧損失）を与える。他の１つは、スイッチＳ１には
高速なターンオフが望まれ、この目的のためスイッチＳ
１の入力容量が高速に放電するように、抵抗Ｒ２はでき
る限り小さい値でなければならない。
Ｔによって結合される電圧によりターンオンする。スイ
ッチＳ１のゲートとソース間、及びゲートとエミッタ間
は、オンの期間中に充電される。スイッチＳ１はトラン
スＴの駆動電圧が０電位に落ちた後、抵抗Ｒ１及びＲ２
を介して入力容量が放電することにより受動的にオフす
る。スイッチＳ１のオフ期間中、相反する２つの要求事
項が満足されなければならない。１つは、ブリッジ整流
器の直流電圧端子を介して流れる直流電流がスイッチＳ
１がオン状態のとき、過大にならないように抵抗Ｒ２の
抵抗値は小さすぎてはならない。過大な直流電流は、特
に駆動電圧を送る制御電圧源に過大な負荷（比較的大き
な電圧損失）を与える。他の１つは、スイッチＳ１には
高速なターンオフが望まれ、この目的のためスイッチＳ
１の入力容量が高速に放電するように、抵抗Ｒ２はでき
る限り小さい値でなければならない。
【０００５】本発明は前述したようなタイプの電圧制御
半導体スイッチを駆動する回路の実現に基づいており、
この回路は制御電圧源に過大な付加を与えない一方で、
スイッチを高速にターンオフする。
半導体スイッチを駆動する回路の実現に基づいており、
この回路は制御電圧源に過大な付加を与えない一方で、
スイッチを高速にターンオフする。
【０００６】本発明によれば、前述の目的は請求項１の
前文に結び付いて説明される請求項１の特徴説明部分に
示される特徴により達成される。
前文に結び付いて説明される請求項１の特徴説明部分に
示される特徴により達成される。
【０００７】本発明の特徴により達成できる利点は特
に、提案される回路が非常に安価で、僅かな出費のみが
必要となる。付加的に必要となるダイオードは安価な信
号ダイオードで、付加的スイッチは安価な小信号トラン
ジスタ（例えば小信号ＩＧＢＴ）である。本回路の利点
は第２のトランスやプラス及びマイナスの駆動パルスか
ら発生する複雑な駆動電圧は必要ないことである。更に
予備エネルギの追加供給は必要ない。回路の電力消費は
比較的低い。
に、提案される回路が非常に安価で、僅かな出費のみが
必要となる。付加的に必要となるダイオードは安価な信
号ダイオードで、付加的スイッチは安価な小信号トラン
ジスタ（例えば小信号ＩＧＢＴ）である。本回路の利点
は第２のトランスやプラス及びマイナスの駆動パルスか
ら発生する複雑な駆動電圧は必要ないことである。更に
予備エネルギの追加供給は必要ない。回路の電力消費は
比較的低い。
【０００８】本発明の利点はサブクレームに説明される
特徴に発展する。
特徴に発展する。
【０００９】
【実施例】図１はＩＧＢＴを駆動する回路を示す。トラ
ンスＴはセンタータップを有する第２巻線を含み、第２
巻線の１／２外部端子はブリッジ整流器Ｄ１／Ｄ２／Ｄ
３／Ｄ４に接続され、センタータップ端子はダイオード
Ｄ５を介して高抵抗Ｒ３、バックアップコンデンサＣ２
の第１端子、及びいわゆるＩＧＢＴスイッチＳ１のエミ
ッタに接続される。ダイオードＤ５のアノードはセンタ
ータップに接続される。トランスＴの一次巻線は制御電
圧源に接続され、この電圧源はスイッチＳ１をオン・オ
フする駆動電圧を発生する。
ンスＴはセンタータップを有する第２巻線を含み、第２
巻線の１／２外部端子はブリッジ整流器Ｄ１／Ｄ２／Ｄ
３／Ｄ４に接続され、センタータップ端子はダイオード
Ｄ５を介して高抵抗Ｒ３、バックアップコンデンサＣ２
の第１端子、及びいわゆるＩＧＢＴスイッチＳ１のエミ
ッタに接続される。ダイオードＤ５のアノードはセンタ
ータップに接続される。トランスＴの一次巻線は制御電
圧源に接続され、この電圧源はスイッチＳ１をオン・オ
フする駆動電圧を発生する。
【００１０】抵抗Ｒ３の第２端子は、２つのダイオード
Ｄ６、Ｄ７を介して第２巻線の１／２外部端子に接続さ
れる。ダイオードＤ６、Ｄ７のアノードは抵抗Ｒ３に接
続される。コンデンサＣ２の第２端子はブリッジ整流器
のマイナスの直流電圧端子に接続される。
Ｄ６、Ｄ７を介して第２巻線の１／２外部端子に接続さ
れる。ダイオードＤ６、Ｄ７のアノードは抵抗Ｒ３に接
続される。コンデンサＣ２の第２端子はブリッジ整流器
のマイナスの直流電圧端子に接続される。
【００１１】スイッチＳ１のゲートは抵抗Ｒ１を介して
ブリッジ整流器のプラスの直流電圧端子に接続される。
予備スイッチＳ２のコレクタ又はドレインもプラス直流
電圧端子に接続される。このスイッチＳ２のエミッタ又
はソースは低抵抗値放電抵抗Ｒ４を介してブリッジ整流
器のマイナスの直流電圧端子に接続される。スイッチＳ
２のゲートはＲ３／Ｄ６／Ｄ７の接合点に接続される。
ＭＯＳＦＥＴ又は小信号ＩＧＢＴを予備スイッチＳ２と
して使用できる。
ブリッジ整流器のプラスの直流電圧端子に接続される。
予備スイッチＳ２のコレクタ又はドレインもプラス直流
電圧端子に接続される。このスイッチＳ２のエミッタ又
はソースは低抵抗値放電抵抗Ｒ４を介してブリッジ整流
器のマイナスの直流電圧端子に接続される。スイッチＳ
２のゲートはＲ３／Ｄ６／Ｄ７の接合点に接続される。
ＭＯＳＦＥＴ又は小信号ＩＧＢＴを予備スイッチＳ２と
して使用できる。
【００１２】バックアップコンデンサＣ１を抵抗Ｒ３と
並列に接続して電圧を安定化してもより。
並列に接続して電圧を安定化してもより。
【００１３】高抵抗値の抵抗Ｒ２をブリッジ整流器の直
流電圧端子間に接続して参照点を形成してもよい。
流電圧端子間に接続して参照点を形成してもよい。
【００１４】図２はＭＳＯＦＥＴの駆動回路を示す。こ
の回路は図１の回路に対応し、違いはＩＧＢＴの変わり
にＭＯＳＦＥＴがスイッチＳ１として使用されているこ
とである。
の回路は図１の回路に対応し、違いはＩＧＢＴの変わり
にＭＯＳＦＥＴがスイッチＳ１として使用されているこ
とである。
【００１５】次に図１及び図２の動作を説明する。スイ
ッチＳ１をオンするために、交流電圧（駆動電圧）がト
ランスＴの一次巻線に供給される。高周波数バースト(b
urst) 電圧が好適に使用される。プラスの電圧がダイオ
ードＤ１、Ｄ２のカソードに発生し、マイナスの電圧が
Ｄ３、Ｄ４のアノードに発生するように、トランスの二
次巻線に誘導された交流電圧はブリッジ整流器Ｄ１／Ｄ
２／Ｄ３／Ｄ４を介して整流される。プラスの電圧は、
スイッチＳ１のコレクタ・エミッタ経路又はドレイン・
ソース経路が導通するように、低抵抗値の抵抗Ｒ１を介
して、比較的高速にスイッチＳ１の入力容量を充電す
る。
ッチＳ１をオンするために、交流電圧（駆動電圧）がト
ランスＴの一次巻線に供給される。高周波数バースト(b
urst) 電圧が好適に使用される。プラスの電圧がダイオ
ードＤ１、Ｄ２のカソードに発生し、マイナスの電圧が
Ｄ３、Ｄ４のアノードに発生するように、トランスの二
次巻線に誘導された交流電圧はブリッジ整流器Ｄ１／Ｄ
２／Ｄ３／Ｄ４を介して整流される。プラスの電圧は、
スイッチＳ１のコレクタ・エミッタ経路又はドレイン・
ソース経路が導通するように、低抵抗値の抵抗Ｒ１を介
して、比較的高速にスイッチＳ１の入力容量を充電す
る。
【００１６】ダイオードＤ６、Ｄ７のアノードにはマイ
ナスの電圧が発生している。このマイナス電圧は予備ス
イッチＳ２のゲートに供給されるので、予備スイッチＳ
２のコレクタ・エミッタ経路及びドレイン・ソース経路
はオフ状態を維持する。トランスＴの二次巻線のセンタ
ータップ、ダイオードＤ５、抵抗Ｒ３、ダイオードＤ
６、Ｄ７及びトランスの１／２二次巻線を流れる電流は
比較的少ない。なぜなら、抵抗Ｒ３は前述したように高
抵抗であるからである。同様に、ダイオードＤ１、Ｄ
２、Ｄ３、Ｄ４、必要に応じて挿入できる抵抗Ｒ２、及
び１／２二次巻線を流れる電流は、抵抗Ｒ２が大きいた
めに比較的小さい。コンデンサＣ２はスイッチＳ１の入
力容量の電圧に対してマイナスに充電される。
ナスの電圧が発生している。このマイナス電圧は予備ス
イッチＳ２のゲートに供給されるので、予備スイッチＳ
２のコレクタ・エミッタ経路及びドレイン・ソース経路
はオフ状態を維持する。トランスＴの二次巻線のセンタ
ータップ、ダイオードＤ５、抵抗Ｒ３、ダイオードＤ
６、Ｄ７及びトランスの１／２二次巻線を流れる電流は
比較的少ない。なぜなら、抵抗Ｒ３は前述したように高
抵抗であるからである。同様に、ダイオードＤ１、Ｄ
２、Ｄ３、Ｄ４、必要に応じて挿入できる抵抗Ｒ２、及
び１／２二次巻線を流れる電流は、抵抗Ｒ２が大きいた
めに比較的小さい。コンデンサＣ２はスイッチＳ１の入
力容量の電圧に対してマイナスに充電される。
【００１７】スイッチＳ１をターンオフするために、ト
ランスＴの一次巻線を介して発生している交流電圧は切
り離される。その結果、抵抗を介したコンデンサによる
短い時定数の後、ダイオードＤ６、Ｄ７はターンオフ
し、予備スイッチＳ２のエミッタ又はソース電圧に比べ
て、予備スイッチＳ２のゲートにプラスの電圧が供給さ
れる。コンデンサＣ１が使用されなければ、時定数は存
在しない。そして、予備スイッチＳ２のコレクタ・エミ
ッタ経路及びドレインソース経路は導通し、スイッチＳ
１のゲートと、ソース又はエミッタ間の入力容量は低抵
抗値の抵抗Ｒ１、スイッチＳ２のコレクタ・エミッタ経
路とドレイン・ソース経路、及び低抵抗の抵抗Ｒ４を介
して、コンデンサＣ２のマイナス電位に結合される。こ
れにより、スイッチＳ１の入力容量の高速放電が可能と
なり、従ってスイッチＳ１のコレクタ・エミッタ経路及
びドレイン・ソース経路をターンオフする（スイッチＳ
１のエミッタ・ゲート経路及びソース・ゲート経路、抵
抗Ｒ１、予備スイッチＳ２のコレクタ・エミッタ経路及
びドレインソース経路、抵抗Ｒ４、及びコンデンサＣ２
を介して回路を参照のこと）。従ってトランスを介した
交流電圧（駆動電圧）が切り離されても、コンデンサＣ
２によりマイナスの電圧がスイッチＳ１を高速にターン
オフするために利用できることになる。これはＳ１のタ
ーンオフ過程を著しく加速させる。コンデンサＣ２はダ
イオードＤ５がターンオフされるため、その放電が防止
される。
ランスＴの一次巻線を介して発生している交流電圧は切
り離される。その結果、抵抗を介したコンデンサによる
短い時定数の後、ダイオードＤ６、Ｄ７はターンオフ
し、予備スイッチＳ２のエミッタ又はソース電圧に比べ
て、予備スイッチＳ２のゲートにプラスの電圧が供給さ
れる。コンデンサＣ１が使用されなければ、時定数は存
在しない。そして、予備スイッチＳ２のコレクタ・エミ
ッタ経路及びドレインソース経路は導通し、スイッチＳ
１のゲートと、ソース又はエミッタ間の入力容量は低抵
抗値の抵抗Ｒ１、スイッチＳ２のコレクタ・エミッタ経
路とドレイン・ソース経路、及び低抵抗の抵抗Ｒ４を介
して、コンデンサＣ２のマイナス電位に結合される。こ
れにより、スイッチＳ１の入力容量の高速放電が可能と
なり、従ってスイッチＳ１のコレクタ・エミッタ経路及
びドレイン・ソース経路をターンオフする（スイッチＳ
１のエミッタ・ゲート経路及びソース・ゲート経路、抵
抗Ｒ１、予備スイッチＳ２のコレクタ・エミッタ経路及
びドレインソース経路、抵抗Ｒ４、及びコンデンサＣ２
を介して回路を参照のこと）。従ってトランスを介した
交流電圧（駆動電圧）が切り離されても、コンデンサＣ
２によりマイナスの電圧がスイッチＳ１を高速にターン
オフするために利用できることになる。これはＳ１のタ
ーンオフ過程を著しく加速させる。コンデンサＣ２はダ
イオードＤ５がターンオフされるため、その放電が防止
される。
【図１】ＩＧＢＴを駆動する回路を示す。
【図２】ＭＯＳＦＥＴを駆動する回路を示す。
【図３】電圧制御半導体スイッチＳ１を駆動する回路の
概略図。
概略図。
Ｔ…トランス、Ｓ１・Ｓ２…半導体スイッチ、Ｄ１／Ｄ
２／Ｄ３／Ｄ４…ブリッジ整流器、Ｄ５・Ｄ６・Ｄ７…
ダイオード、Ｃ１・Ｃ２…コンデンサ、Ｒ１〜Ｒ４…抵
抗。
２／Ｄ３／Ｄ４…ブリッジ整流器、Ｄ５・Ｄ６・Ｄ７…
ダイオード、Ｃ１・Ｃ２…コンデンサ、Ｒ１〜Ｒ４…抵
抗。
Claims (4)
- 【請求項１】電圧制御半導体スイッチを駆動する回路に
おいて、前記スイッチのゲートはゲート抵抗（Ｒ１）を
介してブリッジ整流器のプラス直流電圧端子に接続さ
れ、前記整流器はトランスの二次巻線に接続され、前記
トランスの一次巻線を介して前記スイッチを駆動するた
めの電圧が発生し、 予備スイッチ（Ｓ２）と第１抵抗（Ｒ４）の直列回路を
具備し、この直列回路は前記ブリッジ整流器の直流電圧
端子間に配置され、 前記トランス（Ｔ）の二次巻線はセンタータップを有
し、このタップは半導体スイッチ（Ｓ１）のエミッタ又
はソース、第１コンデンサ（Ｃ２）及び第２抵抗（Ｒ
３）に接続され、 前記第１コンデンサ（Ｃ２）の他の端子は、前記ブリッ
ジ整流器（Ｄ１／Ｄ２／Ｄ３／Ｄ４）のマイナスの直流
電圧端子の接続され、 前記第２抵抗（Ｒ３）の他の端子は、、前記トランス
（Ｔ）の二次巻線の１／２外部端子に接続される前記２
つのダイオード（Ｄ６、Ｄ７）のアノードの接続され、
及び予備スイッチ（Ｓ２）のゲートに接続されることを
特徴とする電圧制御半導体スイッチ駆動回路。 - 【請求項２】ダイオード（Ｄ５）が前記センタータップ
及び第１コンデンサ（Ｃ２）間に接続され、そのカソー
ドは前記第２コンデンサに接続されることを特徴とする
請求項１記載の回路。 - 【請求項３】第２コンデンサ（Ｃ１）が前記第２抵抗
（Ｒ３）と並列に接続されることを特徴とする請求項１
記載の回路。 - 【請求項４】第３抵抗（Ｒ２）が前記ブリッジ整流器
（Ｄ１／Ｄ２／Ｄ３／Ｄ４）の直流電圧端子間に接続さ
れることを特徴とする請求項１記載の回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4208894:1 | 1992-03-19 | ||
| DE4208894A DE4208894A1 (de) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | Schaltung zur ansteuerung eines spannungsgesteuerten halbleiterschalters |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629810A true JPH0629810A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=6454502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5060555A Pending JPH0629810A (ja) | 1992-03-19 | 1993-03-19 | 電圧制御半導体スイッチ駆動回路 |
Country Status (4)
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