JPH0630029A - 光ａｔｍ交換通話路 - Google Patents
光ａｔｍ交換通話路Info
- Publication number
- JPH0630029A JPH0630029A JP18104392A JP18104392A JPH0630029A JP H0630029 A JPH0630029 A JP H0630029A JP 18104392 A JP18104392 A JP 18104392A JP 18104392 A JP18104392 A JP 18104392A JP H0630029 A JPH0630029 A JP H0630029A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- cells
- multiplexed
- atm
- cell
- Prior art date
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- Withdrawn
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- Data Exchanges In Wide-Area Networks (AREA)
- Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は光ＡＴＭ交換通話路に関し、大容量
化が可能なＡＴＭ交換通話路を提供することを目的とし
ている。 【構成】 セル情報が時間多重かつ波長多重された光伝
送路を入出力側にそれぞれ複数本ずつ収容した光ＡＴＭ
交換システムにおいて、光ＡＴＭスイッチ１０内に、各
出線対応に時間多重かつ波長多重されたセルを蓄積する
バッファメモリ２０を設けて構成する。
化が可能なＡＴＭ交換通話路を提供することを目的とし
ている。 【構成】 セル情報が時間多重かつ波長多重された光伝
送路を入出力側にそれぞれ複数本ずつ収容した光ＡＴＭ
交換システムにおいて、光ＡＴＭスイッチ１０内に、各
出線対応に時間多重かつ波長多重されたセルを蓄積する
バッファメモリ２０を設けて構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ＡＴＭ交換通話路に関
する。近年の情報の高速化／大容量化により光伝送路で
は、情報（セル）を時間多重かつ波長多重されることが
予想されている。
する。近年の情報の高速化／大容量化により光伝送路で
は、情報（セル）を時間多重かつ波長多重されることが
予想されている。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来の光ＡＴＭ交換システムの概
念図である。複数のマルチプレクサ（ＭＵＸ）１には１
からｍまでの光ＡＴＭセルが入力される。マルチプレク
サ（ＭＵＸ）１は、これら多入力の光ＡＴＭセルを波長
λ１のセルに変換して時分割多重化し、送り出す。
念図である。複数のマルチプレクサ（ＭＵＸ）１には１
からｍまでの光ＡＴＭセルが入力される。マルチプレク
サ（ＭＵＸ）１は、これら多入力の光ＡＴＭセルを波長
λ１のセルに変換して時分割多重化し、送り出す。
【０００３】時分割多重化されたＡＴＭセルは、続く変
換装置（ＶＣＣ）２により、入ＶＣＩが出ＶＣＩに変換
され出力される。この光セルは交換機としての光ＡＴＭ
スイッチ３に入る。該光ＡＴＭスイッチ３は、入力され
たセルの持つＶＣＩに基づいて方路を決定する。そし
て、決定された方路から波長λ１の各ＡＴＭセルが出力
される。出力された波長λ１のＡＴＭセルは、各分離装
置（ＤＭＵＸ）４により１からｍまでの方路に出力され
る。
換装置（ＶＣＣ）２により、入ＶＣＩが出ＶＣＩに変換
され出力される。この光セルは交換機としての光ＡＴＭ
スイッチ３に入る。該光ＡＴＭスイッチ３は、入力され
たセルの持つＶＣＩに基づいて方路を決定する。そし
て、決定された方路から波長λ１の各ＡＴＭセルが出力
される。出力された波長λ１のＡＴＭセルは、各分離装
置（ＤＭＵＸ）４により１からｍまでの方路に出力され
る。
【０００４】従来の方式では、時分割多重された光ＡＴ
Ｍセルの交換をする方法、つまり電気ＡＴＭ交換方式を
単に光交換方式に転用したにすぎない方法で交換を行っ
ていた。
Ｍセルの交換をする方法、つまり電気ＡＴＭ交換方式を
単に光交換方式に転用したにすぎない方法で交換を行っ
ていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この種のＡＴＭ交換方
式では、バッファの構成がキーポイントになる。従来の
方式では、チャネル数を増加させる場合には、速度を
上げる、ハイウェイ数を増やすことで対応していた。
しかしながら、前者の方式では高速なスイッチング動作
が要求され、後者の方式ではハードウェアが増大すると
いう問題があった。
式では、バッファの構成がキーポイントになる。従来の
方式では、チャネル数を増加させる場合には、速度を
上げる、ハイウェイ数を増やすことで対応していた。
しかしながら、前者の方式では高速なスイッチング動作
が要求され、後者の方式ではハードウェアが増大すると
いう問題があった。
【０００６】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであって、大容量化が可能なＡＴＭ交換通話路を提
供することを目的としている。
ものであって、大容量化が可能なＡＴＭ交換通話路を提
供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理ブロ
ック図である。図において、１１は波長λ１〜λｎまで
の波長を含む時分割多重されたＡＴＭセルを受ける入力
インタフェース回路、１２は入力インタフェース回路１
の出力を受けて、方路毎にスイッチングするセルセレク
タ、２０はこれら各セルセレクタ１２からのＫ個の出力
を受けるバッファメモリである。この内、セルセレクタ
１２とバッファメモリ２０とは光ＡＴＭスイッチ１０内
に含まれる。
ック図である。図において、１１は波長λ１〜λｎまで
の波長を含む時分割多重されたＡＴＭセルを受ける入力
インタフェース回路、１２は入力インタフェース回路１
の出力を受けて、方路毎にスイッチングするセルセレク
タ、２０はこれら各セルセレクタ１２からのＫ個の出力
を受けるバッファメモリである。この内、セルセレクタ
１２とバッファメモリ２０とは光ＡＴＭスイッチ１０内
に含まれる。
【０００８】
【作用】光ＡＴＭスイッチ１０内に、各出線対応に時間
多重かつ波長多重されたセルを蓄積するバッファメモリ
２０を設けた。これにより、このバッファメモリ２０を
用いて時分割多重かつ波長多重された光セルの書込みと
読出しが行えるようになり、大容量化が可能なＡＴＭ交
換通話路を提供することができる。
多重かつ波長多重されたセルを蓄積するバッファメモリ
２０を設けた。これにより、このバッファメモリ２０を
用いて時分割多重かつ波長多重された光セルの書込みと
読出しが行えるようになり、大容量化が可能なＡＴＭ交
換通話路を提供することができる。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図２は入力インタフェース回路１１の具体
的構成例を示すブロック図である。入力インタフェース
回路１１は、分波器３１，ＶＣＩ変換回路３２及び合波
器３３とで構成されている。
に説明する。図２は入力インタフェース回路１１の具体
的構成例を示すブロック図である。入力インタフェース
回路１１は、分波器３１，ＶＣＩ変換回路３２及び合波
器３３とで構成されている。
【００１０】入力されたλ１〜λｎまでの波長のＡＴＭ
セルは、分波器３１に入って、各波長毎に分離される。
そして、各波長毎のＡＴＭセルは、ＶＣＩ変換回路３２
に入り、入ＶＣＩが出ＶＣＩに変換される。このように
してＶＣＩ変換されたＡＴＭセルは、合波器３３に入っ
て合波され、λ１〜λｎのセルとして出ていく。このセ
ルは、図１に示す光ＡＴＭスイッチ１０に入る。
セルは、分波器３１に入って、各波長毎に分離される。
そして、各波長毎のＡＴＭセルは、ＶＣＩ変換回路３２
に入り、入ＶＣＩが出ＶＣＩに変換される。このように
してＶＣＩ変換されたＡＴＭセルは、合波器３３に入っ
て合波され、λ１〜λｎのセルとして出ていく。このセ
ルは、図１に示す光ＡＴＭスイッチ１０に入る。
【００１１】図３はセルセレクタ１２の構成例を示すブ
ロック図である。セルセレクタ１２は、分波器４１，１
×Ｋ光スイッチ４２及び合波器４３より構成されてい
る。λ１〜λｎまでの波長多重されたＡＴＭセルは、分
波器４１により、λ１からλｎまでの波長に分波され
る。それぞれの波長のＡＴＭセルは、続く１×Ｋ光スイ
ッチ４２に入り、Ｋ方向に分波され出力される。
ロック図である。セルセレクタ１２は、分波器４１，１
×Ｋ光スイッチ４２及び合波器４３より構成されてい
る。λ１〜λｎまでの波長多重されたＡＴＭセルは、分
波器４１により、λ１からλｎまでの波長に分波され
る。それぞれの波長のＡＴＭセルは、続く１×Ｋ光スイ
ッチ４２に入り、Ｋ方向に分波され出力される。
【００１２】そして、これら１×Ｋの光スイッチ４２は
全ての合波器４３に入る。これら合波器４３は、それぞ
れλ１〜λｎまでの波長多重されたＡＴＭセル信号を出
力する。この出力は図１に示すＫ個のバッファメモリ２
０に入る。
全ての合波器４３に入る。これら合波器４３は、それぞ
れλ１〜λｎまでの波長多重されたＡＴＭセル信号を出
力する。この出力は図１に示すＫ個のバッファメモリ２
０に入る。
【００１３】図４はバッファメモリ２０の一実施例を示
す構成ブロック図である。図において、５１はλ１〜λ
ｎまでの各波長毎のＡＴＭセルを受けて、波長毎に分波
する分波器、５２はこれら分波器５１の出力（個数Ｋ）
を受けて１個のＡＴＭセルを出力するＫ入力１出力バッ
ファメモリである。
す構成ブロック図である。図において、５１はλ１〜λ
ｎまでの各波長毎のＡＴＭセルを受けて、波長毎に分波
する分波器、５２はこれら分波器５１の出力（個数Ｋ）
を受けて１個のＡＴＭセルを出力するＫ入力１出力バッ
ファメモリである。
【００１４】このＫ入力１出力バッファメモリ５２の具
体的構成は、図５に示すようなものになっている。図５
において、６１はＫ個の入力を受けてｍ個の出力に振り
分けるＫ×ｍ光スイッチ（セル振り分けスイッチ）、６
２は該光スイッチ６１のｍ個の出力線に設けられたセル
入出力切替えスイッチ、６３は該セル入出力切替えスイ
ッチ６２に接続された光ファイバ遅延線である。６４は
各セル入出力切替えスイッチ６２からの出力を受けて、
１本の出リンクに結合する結合器である。
体的構成は、図５に示すようなものになっている。図５
において、６１はＫ個の入力を受けてｍ個の出力に振り
分けるＫ×ｍ光スイッチ（セル振り分けスイッチ）、６
２は該光スイッチ６１のｍ個の出力線に設けられたセル
入出力切替えスイッチ、６３は該セル入出力切替えスイ
ッチ６２に接続された光ファイバ遅延線である。６４は
各セル入出力切替えスイッチ６２からの出力を受けて、
１本の出リンクに結合する結合器である。
【００１５】光ファイバ遅延線６３は、セル入出力切替
えスイッチ６２の入出力間に接続されている。ここで、
ｍの値はリンクの使用効率とセル廃棄率から求まるもの
である。
えスイッチ６２の入出力間に接続されている。ここで、
ｍの値はリンクの使用効率とセル廃棄率から求まるもの
である。
【００１６】このように構成された装置において、各入
力光セルは、セル振り分けスイッチ６１により、空いて
いる光ファイバ遅延線６３につながる出力にスイッチさ
れる。そして、セル入出力切替えスイッチ６２又は結合
器６４のどちらかにスイッチされる。例えば、１０セル
分遅らせる場合は、光ファイバ遅延線６３の中を１０回
通らせることになる。本装置によれば、セル入出力切替
えスイッチ６２によりセルを任意の時間だけ遅らせるこ
とができる。そして、遅らせたセルは今度はセル入出力
切替えスイッチ６２を通過させて結合器６４に入れるよ
うにする。
力光セルは、セル振り分けスイッチ６１により、空いて
いる光ファイバ遅延線６３につながる出力にスイッチさ
れる。そして、セル入出力切替えスイッチ６２又は結合
器６４のどちらかにスイッチされる。例えば、１０セル
分遅らせる場合は、光ファイバ遅延線６３の中を１０回
通らせることになる。本装置によれば、セル入出力切替
えスイッチ６２によりセルを任意の時間だけ遅らせるこ
とができる。そして、遅らせたセルは今度はセル入出力
切替えスイッチ６２を通過させて結合器６４に入れるよ
うにする。
【００１７】以上説明したようなＫ入力１出力バッファ
メモリ５２をｎ個設けることにより、セルの蓄積（競合
回避）がなされ、結合器５３により再度波長多重されて
出力されることになる。
メモリ５２をｎ個設けることにより、セルの蓄積（競合
回避）がなされ、結合器５３により再度波長多重されて
出力されることになる。
【００１８】図６は、バッファメモリ２０の他の実施例
を示す構成ブロック図で、波長多重してバッファメモリ
に蓄積する構成である。図に示すように、このバッファ
メモリ２０は分波器７１，波長対応に設けられたＫ×ｍ
光スイッチ７２及びｍ個のメモリセル８０及び結合器７
３から構成されている。メモリセル８０は、結合器８
１，光スイッチ８２及びファイバ遅延線８３より構成さ
れており、図５に示すメモリセルとは異なっている。７
３は各メモリセル８０の出力を受ける結合器である。
を示す構成ブロック図で、波長多重してバッファメモリ
に蓄積する構成である。図に示すように、このバッファ
メモリ２０は分波器７１，波長対応に設けられたＫ×ｍ
光スイッチ７２及びｍ個のメモリセル８０及び結合器７
３から構成されている。メモリセル８０は、結合器８
１，光スイッチ８２及びファイバ遅延線８３より構成さ
れており、図５に示すメモリセルとは異なっている。７
３は各メモリセル８０の出力を受ける結合器である。
【００１９】このように構成された装置において、各入
ハイウェイからのＡＴＭセルは、分波器７１に入って各
波長毎に分離され出力される。そして、これら分波器７
１の出力は、波長毎に設けられたＫ×ｍ光スイッチ７２
によりｍ個のメモリセル８０に振り分けられる。メモリ
セル８０において、波長多重されたＡＴＭセルは、光フ
ァイバ遅延線８３の中をぐるぐる回っている。そして、
光スイッチ８２は、入力されたＡＴＭセルを指定のタイ
ミングで結合器７３に転送する。結合器７３からは、再
度波長多重されたＡＴＭセル信号が出力される。
ハイウェイからのＡＴＭセルは、分波器７１に入って各
波長毎に分離され出力される。そして、これら分波器７
１の出力は、波長毎に設けられたＫ×ｍ光スイッチ７２
によりｍ個のメモリセル８０に振り分けられる。メモリ
セル８０において、波長多重されたＡＴＭセルは、光フ
ァイバ遅延線８３の中をぐるぐる回っている。そして、
光スイッチ８２は、入力されたＡＴＭセルを指定のタイ
ミングで結合器７３に転送する。結合器７３からは、再
度波長多重されたＡＴＭセル信号が出力される。
【００２０】図７は図６に示すバッファメモリ２０の動
作説明図である。（ａ）は入力光セル、（ｂ）はバッフ
ァメモリの動作をそれぞれ示している。そして、この例
では、ｎ＝２，ｍ＝５，Ｋ＝３の場合を示している。つ
まり、入力波長はλ１とλ２の２種類、分波器７１の数
が３個、メモリセル８０の数が５個の場合をそれぞれ示
している。
作説明図である。（ａ）は入力光セル、（ｂ）はバッフ
ァメモリの動作をそれぞれ示している。そして、この例
では、ｎ＝２，ｍ＝５，Ｋ＝３の場合を示している。つ
まり、入力波長はλ１とλ２の２種類、分波器７１の数
が３個、メモリセル８０の数が５個の場合をそれぞれ示
している。
【００２１】今、時刻ｔ１において、波長λ１のＡＴＭ
セルが１−１，１−２，１−３の３個、波長λ２のＡＴ
Ｍセルが２−１だけ同時に到達したものとする。＃１〜
＃５までのメモリセル８０のうち、１−１と２−１が＃
１に書き込まれる。１−１と２−１は波長が異なるの
で、同一のメモリセル８０に保持させることができる。
＃２のメモリセルには１−２のセルが、＃３のメモリセ
ルには１−３のセルがそれぞれ保持される。
セルが１−１，１−２，１−３の３個、波長λ２のＡＴ
Ｍセルが２−１だけ同時に到達したものとする。＃１〜
＃５までのメモリセル８０のうち、１−１と２−１が＃
１に書き込まれる。１−１と２−１は波長が異なるの
で、同一のメモリセル８０に保持させることができる。
＃２のメモリセルには１−２のセルが、＃３のメモリセ
ルには１−３のセルがそれぞれ保持される。
【００２２】次に、時刻ｔ２において、ＡＴＭセル２−
２が到着したものとする。２−２のセルは、＃１のメモ
リセルには入れることができない（２−１と区別できな
くなるから）ので、波長が異なる＃２のメモリセルに書
き込まれる。この時刻で、＃１のメモリセルからは、１
−１と２−１のＡＴＭセルが読み出される。
２が到着したものとする。２−２のセルは、＃１のメモ
リセルには入れることができない（２−１と区別できな
くなるから）ので、波長が異なる＃２のメモリセルに書
き込まれる。この時刻で、＃１のメモリセルからは、１
−１と２−１のＡＴＭセルが読み出される。
【００２３】次に、時刻ｔ３において、波長λ１のセル
１−４が到着したものとする。この１−４セルは空いて
いる＃４のメモリセルに保持される。時刻ｔ３におい
て、＃２のメモリセルから１−２と２−２のセルが読み
出される。時刻ｔ４には＃３のメモリセルから１−３セ
ルが読み出される。時刻ｔ５では＃４のメモリセルから
１−４セルが読み出される。時刻ｔ６で読出しストップ
となる。読出しストップとなると、今度はその次のメモ
リセルからセルが書き込まれるようになる。
１−４が到着したものとする。この１−４セルは空いて
いる＃４のメモリセルに保持される。時刻ｔ３におい
て、＃２のメモリセルから１−２と２−２のセルが読み
出される。時刻ｔ４には＃３のメモリセルから１−３セ
ルが読み出される。時刻ｔ５では＃４のメモリセルから
１−４セルが読み出される。時刻ｔ６で読出しストップ
となる。読出しストップとなると、今度はその次のメモ
リセルからセルが書き込まれるようになる。
【００２４】時刻ｔ７で２−３，２−４，２−５セルが
到着すると、ストップした＃４の次のメモリセル＃５に
２−３セルが書き込まれ、２−４セルと２−５セルはそ
れぞれ＃５の次のメモリセルである＃１，＃２のメモリ
セルに順次書き込まれる。次に、時刻ｔ８に１−５，２
−６，２−７，２−８セルが到着すると、１−５セルは
波長が重ならない＃１のメモリセルに書き込まれ、＃３
のメモリセルに２−６のセルが、＃４のメモリセルに２
−７セルが書き込まれる。２−８セルは書き込めるメモ
リセルがないので、廃棄される。
到着すると、ストップした＃４の次のメモリセル＃５に
２−３セルが書き込まれ、２−４セルと２−５セルはそ
れぞれ＃５の次のメモリセルである＃１，＃２のメモリ
セルに順次書き込まれる。次に、時刻ｔ８に１−５，２
−６，２−７，２−８セルが到着すると、１−５セルは
波長が重ならない＃１のメモリセルに書き込まれ、＃３
のメモリセルに２−６のセルが、＃４のメモリセルに２
−７セルが書き込まれる。２−８セルは書き込めるメモ
リセルがないので、廃棄される。
【００２５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よればバッファメモリ２０の構成に改良を加えることに
より、大容量化が可能なＡＴＭ交換通話路を提供するこ
とができる。
よればバッファメモリ２０の構成に改良を加えることに
より、大容量化が可能なＡＴＭ交換通話路を提供するこ
とができる。
【図１】本発明の原理ブロック図である。
【図２】入力インタフェース回路の構成例を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図３】セルセレクタの構成例を示すブロック図であ
る。
る。
【図４】バッファメモリの一実施例を示す構成ブロック
図である。
図である。
【図５】Ｋ入力１出力バッファメモリの構成例を示す図
である。
である。
【図６】バッファメモリの他の実施例を示す構成ブロッ
ク図である。
ク図である。
【図７】本発明の動作説明図である。
【図８】従来の光ＡＴＭ交換システムの概念図である。
１０ 光ＡＴＭスイッチ １１ 入力インタフェース回路 １２ セルセレクタ ２０ バッファメモリ
Claims (5)
- 【請求項１】 セル情報が時間多重かつ波長多重された
光伝送路を入出力側にそれぞれ複数本ずつ収容した光Ａ
ＴＭ交換システムにおいて、 光ＡＴＭスイッチ（１０）内に、各出線対応に時間多重
かつ波長多重されたセルを蓄積するバッファメモリ（２
０）を設けたことを特徴とする光ＡＴＭ交換通話路。 - 【請求項２】 前記バッファメモリ（２０）を波長毎に
具備したことを特徴とする請求項１記載の光ＡＴＭ交換
通話路。 - 【請求項３】 前記バッファメモリ（２０）は、 複数の波長のＡＴＭセルを受けるＫ個の分波器（５１）
と、 これら分波器（５１）の出力を受けるＫ入力１出力バッ
ファメモリ（５２）と、 これらバッファメモリ（５２）の出力を受ける結合器
（５３）とを具備したことを特徴とする請求項２記載の
光ＡＴＭ交換通話路。 - 【請求項４】 前記バッファメモリ（２０）を波長多重
して蓄積するようにしたことを特徴とする請求項１記載
の光ＡＴＭ交換通話路。 - 【請求項５】 前記バッファメモリ（２０）は、 複数の波長のＡＴＭセルを受ける分波器（７１）と、 これら分波器（７１）の出力を受けるＫ×ｍの光スイッ
チ（７２）と、 これら光スイッチ（７２）の出力を受けるｍ個のメモリ
セル（８０）とを具備したことを特徴とする請求項４記
載の光ＡＴＭ交換通話路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18104392A JPH0630029A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 光ａｔｍ交換通話路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18104392A JPH0630029A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 光ａｔｍ交換通話路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0630029A true JPH0630029A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16093768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18104392A Withdrawn JPH0630029A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 光ａｔｍ交換通話路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630029A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100227342B1 (ko) * | 1996-10-04 | 1999-11-01 | 서평원 | Atm 광교환기 |
-
1992
- 1992-07-08 JP JP18104392A patent/JPH0630029A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100227342B1 (ko) * | 1996-10-04 | 1999-11-01 | 서평원 | Atm 광교환기 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |