JPH06301072A - 画像伝送装置 - Google Patents
画像伝送装置Info
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- JPH06301072A JPH06301072A JP8450293A JP8450293A JPH06301072A JP H06301072 A JPH06301072 A JP H06301072A JP 8450293 A JP8450293 A JP 8450293A JP 8450293 A JP8450293 A JP 8450293A JP H06301072 A JPH06301072 A JP H06301072A
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- JP
- Japan
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- light
- image
- prc
- ray
- phase conjugate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 画像パターンや2次元の光データを光のまま
直接、並列に効率良く伝送でき、アライメントも容易
で、また従来のように同一特性の光ファイバを用いる必
要もなく、かつ伝送光強度も十分な強さの画像パターン
を得ることができるようにすること。 【構成】 この直接画像伝送装置は、セルフポンピング
により位相共役波を発生せしめるフォトリフラクティブ
結晶(以下、PRC)2bと、PRC2bに画像信号を
書き込む空間光変調器12および送信側光学系3g,1
0と、PRC2bを駆動するレーザ光源1bと、画像信
号を伝送する伝送媒体3f,9aと、位相共役波を結像
する受信側光学系7b,3e,6bとを有する。上記空
間光変調器12の代りにEARS(エキシトン吸収反射
スイッチ)13を用いることができ、送信側光学系に面
発光レーザアレイ17を用いることができる。
直接、並列に効率良く伝送でき、アライメントも容易
で、また従来のように同一特性の光ファイバを用いる必
要もなく、かつ伝送光強度も十分な強さの画像パターン
を得ることができるようにすること。 【構成】 この直接画像伝送装置は、セルフポンピング
により位相共役波を発生せしめるフォトリフラクティブ
結晶(以下、PRC)2bと、PRC2bに画像信号を
書き込む空間光変調器12および送信側光学系3g,1
0と、PRC2bを駆動するレーザ光源1bと、画像信
号を伝送する伝送媒体3f,9aと、位相共役波を結像
する受信側光学系7b,3e,6bとを有する。上記空
間光変調器12の代りにEARS(エキシトン吸収反射
スイッチ)13を用いることができ、送信側光学系に面
発光レーザアレイ17を用いることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、画像パターンもしくは
光パターンで表現された2次元データを直接光学的に、
かつ並列に伝送する画像伝送装置に関する。
光パターンで表現された2次元データを直接光学的に、
かつ並列に伝送する画像伝送装置に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、画像信号は通常NTSC方式など
により2次元のデータを時間に置き換えて、フレーム信
号としての電気信号として伝送されている。したがっ
て、この場合、伝送可能な分解能とフレームレートが電
気信号の帯域で制限され、もっぱら分解能とフレームレ
ートはそれぞれ画素数10万程度、フレームレート30
ms程度であった。
により2次元のデータを時間に置き換えて、フレーム信
号としての電気信号として伝送されている。したがっ
て、この場合、伝送可能な分解能とフレームレートが電
気信号の帯域で制限され、もっぱら分解能とフレームレ
ートはそれぞれ画素数10万程度、フレームレート30
ms程度であった。
【0003】これを改善するため、画像信号を光ファイ
バや光導波路で直接光のまま、並列に伝送しようとする
技術がある。この技術についてはたとえば、文献(B.
Fischer and S.Sternklar,
‘Image tranmission and in
terferometry with multimo
de fibers using self−pump
ed phase conjugation,’ Ap
plied Physics Letters,vo
l.46,no.2,pp.113−114(198
5))が知られている。図1にこの文献等に開示されて
いる従来例の構成を示す。図中、1cはレーザ光源(例
えばクリプトンレーザ、波長647nm)、2cはフォ
トリフラクティブ結晶(以下、PRCと略す)(例え
ば、BaTiO3 またはBTO)、3h,3iおよび3
jはレンズ、5bは画像パターン、6cはスクリーン、
7cはハーフミラー、9bはマルチモード光ファイバ、
23はコリメータ、および24は凹面鏡である。
バや光導波路で直接光のまま、並列に伝送しようとする
技術がある。この技術についてはたとえば、文献(B.
Fischer and S.Sternklar,
‘Image tranmission and in
terferometry with multimo
de fibers using self−pump
ed phase conjugation,’ Ap
plied Physics Letters,vo
l.46,no.2,pp.113−114(198
5))が知られている。図1にこの文献等に開示されて
いる従来例の構成を示す。図中、1cはレーザ光源(例
えばクリプトンレーザ、波長647nm)、2cはフォ
トリフラクティブ結晶(以下、PRCと略す)(例え
ば、BaTiO3 またはBTO)、3h,3iおよび3
jはレンズ、5bは画像パターン、6cはスクリーン、
7cはハーフミラー、9bはマルチモード光ファイバ、
23はコリメータ、および24は凹面鏡である。
【0004】図1の装置を光線の流れに沿って動作を説
明する。レーザ光源1cから出射したレーザ光はコリメ
ータ23でビーム径を広げられ、画像パターン5bに入
射する。この画像パターン5bを透過した光線は、ハー
フミラー7c,レンズ3h,マルチモード光ファイバ9
b、およびレンズ3iを経て、PRC2cに入射する。
この入射光線をE1と呼ぶ。上記レンズ3hはレーザ光
を光ファイバ9bに入射するために、またレンズ3iは
光ファイバ9bから出射する光をほぼ平行光にするため
に、配置されている。さて、PRC2c内で入射光の一
部は散乱され、図1のE2に示すように、凹面鏡24へ
向かう。この凹面鏡24は散乱光が丁度PRC2cに戻
るように配置されており、凹面鏡24からの反射光E3
は入射光線E2と丁度逆向きに進む。このとき、PRC
2c内の2本の光線(E2,E3)は互いに干渉し、P
RC内部に干渉縞強度に比例した屈折率分布をつくる。
この屈折率分布に基づき反射光線E3は光線E4として
入射光線E1が来た方向へと戻っていく。このとき、光
線E1と光線E4は共役である。共役光E4はE1と全
く同一の経路を逆向きに伝搬していく。すなわち、光線
E4はレンズ3i,光ファイバ9b,レンズ3h,ハー
フミラー7cへと戻る。ハーフミラー7cで反射された
光線E4はレンズ3jを経て、スクリーン6cへ入射す
る。光ファイバ9bから戻ってきた光E4は、元々入射
した光E1と共役なため、ハーフミラー7cを除いて考
えると、丁度画像パターン5bへと戻る。ここでは、そ
の画像パターン5bを観測するためにハーフミラー7c
が使われている。なお、レンズ3jの働きは画像パター
ン5bの再生像をスクリーン6cに拡大投影することで
ある。この構成によれば画像パターン5bは光ファイバ
9bにより図面右側では再生することはできないが、ス
クリーン6c上ではふたたび再生される。
明する。レーザ光源1cから出射したレーザ光はコリメ
ータ23でビーム径を広げられ、画像パターン5bに入
射する。この画像パターン5bを透過した光線は、ハー
フミラー7c,レンズ3h,マルチモード光ファイバ9
b、およびレンズ3iを経て、PRC2cに入射する。
この入射光線をE1と呼ぶ。上記レンズ3hはレーザ光
を光ファイバ9bに入射するために、またレンズ3iは
光ファイバ9bから出射する光をほぼ平行光にするため
に、配置されている。さて、PRC2c内で入射光の一
部は散乱され、図1のE2に示すように、凹面鏡24へ
向かう。この凹面鏡24は散乱光が丁度PRC2cに戻
るように配置されており、凹面鏡24からの反射光E3
は入射光線E2と丁度逆向きに進む。このとき、PRC
2c内の2本の光線(E2,E3)は互いに干渉し、P
RC内部に干渉縞強度に比例した屈折率分布をつくる。
この屈折率分布に基づき反射光線E3は光線E4として
入射光線E1が来た方向へと戻っていく。このとき、光
線E1と光線E4は共役である。共役光E4はE1と全
く同一の経路を逆向きに伝搬していく。すなわち、光線
E4はレンズ3i,光ファイバ9b,レンズ3h,ハー
フミラー7cへと戻る。ハーフミラー7cで反射された
光線E4はレンズ3jを経て、スクリーン6cへ入射す
る。光ファイバ9bから戻ってきた光E4は、元々入射
した光E1と共役なため、ハーフミラー7cを除いて考
えると、丁度画像パターン5bへと戻る。ここでは、そ
の画像パターン5bを観測するためにハーフミラー7c
が使われている。なお、レンズ3jの働きは画像パター
ン5bの再生像をスクリーン6cに拡大投影することで
ある。この構成によれば画像パターン5bは光ファイバ
9bにより図面右側では再生することはできないが、ス
クリーン6c上ではふたたび再生される。
【0005】ところが、この従来方法は光ファイバの位
相ゆらぎで生じた画像歪を、まったく同一の経路で光を
往復させることで補償していたため、画像が正しく再生
されるのは送信画像のある場所に限定されていた。従っ
て、このようなものは実質的な伝送とは言えない。ま
た、全く同一の光ファイバを用いることで画像伝送しよ
うとする提案もあるが、システムとして現実的ではな
く、これまでには実現されていない。
相ゆらぎで生じた画像歪を、まったく同一の経路で光を
往復させることで補償していたため、画像が正しく再生
されるのは送信画像のある場所に限定されていた。従っ
て、このようなものは実質的な伝送とは言えない。ま
た、全く同一の光ファイバを用いることで画像伝送しよ
うとする提案もあるが、システムとして現実的ではな
く、これまでには実現されていない。
【0006】さて、位相共役鏡を用いて1ウェイの画像
伝送する方法としては、他にも本出願人提案の「画像伝
送装置」特願平4−36626号がある。これはまだ未
公開技術であるが、画像信号を空間光変調器(以下、S
LMと略す)の位相共役鏡に書き込むことで上記の欠点
を克服し、1ウェイの伝送を可能にしたものである。し
かしながら、この方法においては位相共役鏡として用い
られたSLMに増幅作用がないため、伝送光が微弱で画
像の鮮明さを欠いていた。さらにこの方法には次のよう
なもうひとつ問題があった。すなわち、位相共役波を発
生させるために参照光と参照光の位相共役波が必要であ
るが、通常参照光の位相共役波は参照光を2分し、ミラ
ーなどによりそのうちの1本の光線を他方と丁度逆向き
に進行させることで位相共役波とみなしていた。ところ
が、2本の光線が丁度重なるような光学系をアライメン
トし、長時間にわたって安定に動作させ続けることは非
常に困難であった。
伝送する方法としては、他にも本出願人提案の「画像伝
送装置」特願平4−36626号がある。これはまだ未
公開技術であるが、画像信号を空間光変調器(以下、S
LMと略す)の位相共役鏡に書き込むことで上記の欠点
を克服し、1ウェイの伝送を可能にしたものである。し
かしながら、この方法においては位相共役鏡として用い
られたSLMに増幅作用がないため、伝送光が微弱で画
像の鮮明さを欠いていた。さらにこの方法には次のよう
なもうひとつ問題があった。すなわち、位相共役波を発
生させるために参照光と参照光の位相共役波が必要であ
るが、通常参照光の位相共役波は参照光を2分し、ミラ
ーなどによりそのうちの1本の光線を他方と丁度逆向き
に進行させることで位相共役波とみなしていた。ところ
が、2本の光線が丁度重なるような光学系をアライメン
トし、長時間にわたって安定に動作させ続けることは非
常に困難であった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来の光による直接画像伝送技術では、それぞれ、全く
同一の光ファイバを準備しなければならないこと、伝送
光強度が小さく画像が鮮明でないこと、光学系のアライ
メントが困難であるなどの欠点があった。
従来の光による直接画像伝送技術では、それぞれ、全く
同一の光ファイバを準備しなければならないこと、伝送
光強度が小さく画像が鮮明でないこと、光学系のアライ
メントが困難であるなどの欠点があった。
【0008】本発明は、このような背景の下になされた
もので、画像パターンや2次元の光データを光のまま直
接、並列に効率よく伝送できる、アライメントの容易な
画像伝送装置を提供することを目的とする。
もので、画像パターンや2次元の光データを光のまま直
接、並列に効率よく伝送できる、アライメントの容易な
画像伝送装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、セルフポンピングにより位相共役波を発
生せしめるフォトリフラクティブ結晶と、前記フォトリ
フラクティブ結晶に画像信号を書き込む光変調器および
送信側光学系と、前記フォトリフラクティブ結晶を駆動
するレーザ光源と、前記フォトリフラクティブ結晶から
発生する前記画像信号の前記位相共役波を伝送する伝送
媒体と、前記伝送媒体により伝送される前記位相共役波
を結像する受信側光学系とを具備したことを特徴とす
る。
め、本発明は、セルフポンピングにより位相共役波を発
生せしめるフォトリフラクティブ結晶と、前記フォトリ
フラクティブ結晶に画像信号を書き込む光変調器および
送信側光学系と、前記フォトリフラクティブ結晶を駆動
するレーザ光源と、前記フォトリフラクティブ結晶から
発生する前記画像信号の前記位相共役波を伝送する伝送
媒体と、前記伝送媒体により伝送される前記位相共役波
を結像する受信側光学系とを具備したことを特徴とす
る。
【0010】また、本発明は好ましくはその一態様とし
て、前記光変調器は、空間光変調器、エキシトン吸収反
射スイッチ、および自己電気光学効果デバイスのいずれ
か1つであることを特徴とするものである。
て、前記光変調器は、空間光変調器、エキシトン吸収反
射スイッチ、および自己電気光学効果デバイスのいずれ
か1つであることを特徴とするものである。
【0011】
【作用】本発明では、位相共役鏡としてセルフポンピン
グ可能なPRC(フォトリフラクティブ結晶)を用い、
画像入力の手段としてSLM(空間光変調器)の如き光
変調器を用いて、画像パターンや2次元の光データの並
列の直接画像伝送を効率よく実現することができる。特
に、本発明では従来のように同一特性の光ファイバを用
いる必要性もなく、かつ伝送光強度も十分な強さの画像
パターンを得ることができる。
グ可能なPRC(フォトリフラクティブ結晶)を用い、
画像入力の手段としてSLM(空間光変調器)の如き光
変調器を用いて、画像パターンや2次元の光データの並
列の直接画像伝送を効率よく実現することができる。特
に、本発明では従来のように同一特性の光ファイバを用
いる必要性もなく、かつ伝送光強度も十分な強さの画像
パターンを得ることができる。
【0012】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【0013】(第1の実施例)本発明の第1の実施例は
画像パターンをすりガラス越しに見えるようにする構成
例である。図2を参照して、本発明の第1の実施例を説
明する。図中、1aはレーザ光源、2aはBTO結晶の
PRC(フォトリフラクティブ結晶)、3a,3bおよ
び3cはレンズ、4はひずみ物体としてのすりガラス、
5aは画像パターン、6aはスクリーン、および7aは
ハーフミラーである。さらに詳しくは、レーザ光源1a
は発振波長647nm、出力300mW、コヒーレント
長10m以上のクリプトン(Kr)イオンレーザであ
る。レーザ光源1aからPRC2aまでの光線の軌跡は
次の通りである。レーザ光線はレーザ光源1aから出射
し、順にレンズ3a,ハーフミラー7a,すりガラス
4,レンズ3bを通過し、PRC2aに入射する。レン
ズ3aは光線のビーム径を広げるコリメータとして作用
する。光線はすりガラス4で散乱されるが、レンズ3b
により再度径が縮小されてPRC2aに入射する。
画像パターンをすりガラス越しに見えるようにする構成
例である。図2を参照して、本発明の第1の実施例を説
明する。図中、1aはレーザ光源、2aはBTO結晶の
PRC(フォトリフラクティブ結晶)、3a,3bおよ
び3cはレンズ、4はひずみ物体としてのすりガラス、
5aは画像パターン、6aはスクリーン、および7aは
ハーフミラーである。さらに詳しくは、レーザ光源1a
は発振波長647nm、出力300mW、コヒーレント
長10m以上のクリプトン(Kr)イオンレーザであ
る。レーザ光源1aからPRC2aまでの光線の軌跡は
次の通りである。レーザ光線はレーザ光源1aから出射
し、順にレンズ3a,ハーフミラー7a,すりガラス
4,レンズ3bを通過し、PRC2aに入射する。レン
ズ3aは光線のビーム径を広げるコリメータとして作用
する。光線はすりガラス4で散乱されるが、レンズ3b
により再度径が縮小されてPRC2aに入射する。
【0014】画像再生の説明に先立ち、この構成でのセ
ルフポンピングに基づく位相共役波発生の原理を述べ
る。レンズ3bから入射してくる光線E1はPRC2a
に入射してその結晶内を伝搬する。ここでxで示された
点に散乱中心があれば、光線は直進する成分(破線)と
散乱された成分(E2)とに分離する。画像パターン5
aがまだ取り付けられていないとき、全反射条件が満た
されていれば光線E2はPRC2a内で2度反射し、光
線E3′としてyの点に向かって進行する。すなわち、
yの点において光線E1と光線E3′とが干渉し、この
干渉縞に対応してPRC2a内に屈折率分布が生じる。
これにより、光線E1は光線E2以外に新たな進路もと
るようになる。この新たな進路はE2′,E3,E4の
進路である。このときに生ずる、以下の光線の組み合わ
せ(E1,E4)、(E2,E3)、(E2′,E
3′)はすべて共役な波である。つまり、入射した光線
E1と共役な出射した光線E4が再びレンズ3b,すり
ガラス4へと戻っていく。この光線のプロファイルはハ
ーフミラー7a,レンズ3cを通って、スクリーン6a
上で観測される。
ルフポンピングに基づく位相共役波発生の原理を述べ
る。レンズ3bから入射してくる光線E1はPRC2a
に入射してその結晶内を伝搬する。ここでxで示された
点に散乱中心があれば、光線は直進する成分(破線)と
散乱された成分(E2)とに分離する。画像パターン5
aがまだ取り付けられていないとき、全反射条件が満た
されていれば光線E2はPRC2a内で2度反射し、光
線E3′としてyの点に向かって進行する。すなわち、
yの点において光線E1と光線E3′とが干渉し、この
干渉縞に対応してPRC2a内に屈折率分布が生じる。
これにより、光線E1は光線E2以外に新たな進路もと
るようになる。この新たな進路はE2′,E3,E4の
進路である。このときに生ずる、以下の光線の組み合わ
せ(E1,E4)、(E2,E3)、(E2′,E
3′)はすべて共役な波である。つまり、入射した光線
E1と共役な出射した光線E4が再びレンズ3b,すり
ガラス4へと戻っていく。この光線のプロファイルはハ
ーフミラー7a,レンズ3cを通って、スクリーン6a
上で観測される。
【0015】さて、この位相共役波の発生条件下で画像
パターン5aをPRC2aに取り付けたときの光線の振
る舞いは以下の通りである。画像パターン5aはガラス
基板上に適当なアルミニウム・パターンを蒸着したもの
である。マッチングオイルを用いてこの画像パターン5
aとPRC2aとを貼り付けることにより、画像パター
ン5aのアルミニウム部分は光線を全反射し、それ以外
の部分はPRC2aから外部へ出ていくようにする。こ
のとき、PRC2aから戻ってくる光線E4には画像パ
ターンが重畳されるので、スクリーン6aでその画像が
再生される。
パターン5aをPRC2aに取り付けたときの光線の振
る舞いは以下の通りである。画像パターン5aはガラス
基板上に適当なアルミニウム・パターンを蒸着したもの
である。マッチングオイルを用いてこの画像パターン5
aとPRC2aとを貼り付けることにより、画像パター
ン5aのアルミニウム部分は光線を全反射し、それ以外
の部分はPRC2aから外部へ出ていくようにする。こ
のとき、PRC2aから戻ってくる光線E4には画像パ
ターンが重畳されるので、スクリーン6aでその画像が
再生される。
【0016】以上の構成により、画像パターンがすりガ
ラス越しにでも十分に観測されることを確認した。
ラス越しにでも十分に観測されることを確認した。
【0017】(第2の実施例)本発明の第2の実施例は
実際の物体像を光ファイバで実時間で伝送する構成例で
ある。図3にその構成を示す。図中、1bはレーザ光
源、2bはPRC、3d〜3gはレンズ、6bはスクリ
ーン、7bはハーフミラー、9aはマルチモード光ファ
イバ、10はハロゲンランプ、11はパルス電源、12
は空間光変調器(以下、SLMと略す)、および25は
物体である。本例と上述した本発明の第1の実施例との
相違点は、ひずみ物体がすりガラス4から光ファイバ9
aに変わったことと、画像パターンを光アドレス型SL
M12による画像入力に置き換えたことである。使用さ
れる部品,装置類を以下に示す。レーザ光源1bはKr
イオンレーザで、第1の実施例のものと同様である。P
RC2bも同様にBTO結晶である。光ファイバ9aは
ステップインデックス・マルチモード光ファイバで、長
さ2m、コア径600ミクロンのものである。
実際の物体像を光ファイバで実時間で伝送する構成例で
ある。図3にその構成を示す。図中、1bはレーザ光
源、2bはPRC、3d〜3gはレンズ、6bはスクリ
ーン、7bはハーフミラー、9aはマルチモード光ファ
イバ、10はハロゲンランプ、11はパルス電源、12
は空間光変調器(以下、SLMと略す)、および25は
物体である。本例と上述した本発明の第1の実施例との
相違点は、ひずみ物体がすりガラス4から光ファイバ9
aに変わったことと、画像パターンを光アドレス型SL
M12による画像入力に置き換えたことである。使用さ
れる部品,装置類を以下に示す。レーザ光源1bはKr
イオンレーザで、第1の実施例のものと同様である。P
RC2bも同様にBTO結晶である。光ファイバ9aは
ステップインデックス・マルチモード光ファイバで、長
さ2m、コア径600ミクロンのものである。
【0018】SLM12は強誘電性液晶と光伝導膜とを
組み合わせた光アドレス型SLMである。図4,図5は
そのSLM12の構造を示す図で、図4は上面図、図5
は図4に示す切断線C−C′における断面図である。図
中、101aおよび101bは石英のガラス基板、10
2は強誘電性液晶層(メルク社製ZLI−4003使
用)、103a〜103cはインジウム錫の酸化物(I
TO)からなる透明電極、104aおよび104bはポ
リビニルアルコールのラビング処理による配向膜、10
5はTiO2 とSiO2 の7ペアの交互膜で構成された
誘電体ミラー(波長647nmにて反射率99%)、1
06はプラズマCVD法で成膜した水素化アモルファス
・シリコン光伝導膜、107は銀ペースト、108はエ
ポキシの封止材、109aおよび109bはリード電
極、および110はセラミック・スペーサである。パル
ス電源11とSLM12とはリード電極109a,10
9bを介して接続されている。また、強誘電性液晶層1
02は厚さ1.1ミクロンで、表面安定化状態である。
また、強誘電性液晶層102の厚さは、次式
組み合わせた光アドレス型SLMである。図4,図5は
そのSLM12の構造を示す図で、図4は上面図、図5
は図4に示す切断線C−C′における断面図である。図
中、101aおよび101bは石英のガラス基板、10
2は強誘電性液晶層(メルク社製ZLI−4003使
用)、103a〜103cはインジウム錫の酸化物(I
TO)からなる透明電極、104aおよび104bはポ
リビニルアルコールのラビング処理による配向膜、10
5はTiO2 とSiO2 の7ペアの交互膜で構成された
誘電体ミラー(波長647nmにて反射率99%)、1
06はプラズマCVD法で成膜した水素化アモルファス
・シリコン光伝導膜、107は銀ペースト、108はエ
ポキシの封止材、109aおよび109bはリード電
極、および110はセラミック・スペーサである。パル
ス電源11とSLM12とはリード電極109a,10
9bを介して接続されている。また、強誘電性液晶層1
02は厚さ1.1ミクロンで、表面安定化状態である。
また、強誘電性液晶層102の厚さは、次式
【0019】
【数1】Δn・d=λ/4 (Δnは液晶の複屈折、dは液晶の厚さ、λは読み出し
光の波長)を満たしており、さらにその液晶のチルト角
は22.5°である。各定数は室温で、Δn=0.1
5、d=1.1ミクロン、λ=647nmである。この
とき、液晶は印加電圧の正負によって入射光の偏光をそ
のまま、あるいは丁度90°回転させる。
光の波長)を満たしており、さらにその液晶のチルト角
は22.5°である。各定数は室温で、Δn=0.1
5、d=1.1ミクロン、λ=647nmである。この
とき、液晶は印加電圧の正負によって入射光の偏光をそ
のまま、あるいは丁度90°回転させる。
【0020】SLM12は電気的には光伝導膜、誘電体
ミラー、強誘電性液晶の直列回路である。図5を基準に
すれば電流は縦に流れ、横への電流の漏れは非常に少な
い。光伝導膜106は書き込み光が照射されるとその導
電率が非常に大きくなるため、書き込み光の強度によっ
て強誘電性液晶層102への印加電圧を制御することが
できる。したがって、画像書き込みの前に正電圧(+1
5V、2ms)で初期化し、書き込み時には負電圧パル
ス(−15V、500μs)を印加すれば、書き込み光
が照射されなかった部分は偏光が90°回転し、書き込
み光が照射された部分は偏光が変わらない。
ミラー、強誘電性液晶の直列回路である。図5を基準に
すれば電流は縦に流れ、横への電流の漏れは非常に少な
い。光伝導膜106は書き込み光が照射されるとその導
電率が非常に大きくなるため、書き込み光の強度によっ
て強誘電性液晶層102への印加電圧を制御することが
できる。したがって、画像書き込みの前に正電圧(+1
5V、2ms)で初期化し、書き込み時には負電圧パル
ス(−15V、500μs)を印加すれば、書き込み光
が照射されなかった部分は偏光が90°回転し、書き込
み光が照射された部分は偏光が変わらない。
【0021】図3の画像伝送装置に戻って説明する。レ
ーザ光源1bからの出射光はレンズ3dで光ファイバ9
aのコア径600μmに絞られて、光ファイバ9aへ入
射する。光ファイバ9aを出射した光線はレンズ3fに
よりコリメートされ、PRC2bへと入射する。これ以
後も動作原理は基本的には前述の第1の実施例と同じで
あるが、実時間で画像入力できるように配置されたSL
M12と位相共役波の発生原理についてさらに詳細に述
べる。図6はPRC2bとSLM12の付近の詳細な図
である。本図において、書き込み光学系のレンズ3gや
ハロゲンランプ10は省略し、物体25は簡単に白黒の
パターン25′で代用した。また、SLM自身は相当複
雑な構造であり詳細はすでに説明したので、配向膜など
いくつかの構成物を省略して描いた。また、光ファイバ
9aからの入射光は水平偏光であると仮定する。図中、
光線に重なったハッチングした波線は偏光方向を示す。
さて、PRC2b内の光線はxの点において散乱され、
E21の光線として進行し、PRC2b表面での全反射
によりSLM12のzの点へと入射する。さて、既に説
明したように、SLM12は書き込み光が照射された部
分では読み出し光の偏光を変化させないため、zの点に
おける反射光は水平偏光のままPRC2b内のyの点へ
と進む。このとき、yの点では入射光線E1と反射光線
E3′との干渉により、PRC2b内ではその強度に応
じた屈折率分布が生じる。このため、光線E1の一部は
光線E2′または光線E3として、光線E21と光線E
3′とは全く逆向きに進み、最後に光線E4としてPR
C2bから出ていく。一方、SLM12上で書き込み光
が照射されなかった部分は以下のようして、位相共役波
は発生しない。xの点で散乱された光線E22はPRC
2b表面での全反射によりSLM12上のz′の点へ入
射する。強誘電性液晶層102の液晶分子はこの部分
(書き込み光が照射されなかった部分)では偏光面から
22.5°傾いて配向しているため、反射光の偏光面は
丁度90°回転し、垂直偏光となる。この垂直偏光の光
線はPRC2b内のy′の点で光線E1と交わるが、偏
光方向が互いに合っていないので、干渉を引き起こさな
い。よって、位相共役波は発生せず、この部分の画像か
らはもはや光線は戻らない。
ーザ光源1bからの出射光はレンズ3dで光ファイバ9
aのコア径600μmに絞られて、光ファイバ9aへ入
射する。光ファイバ9aを出射した光線はレンズ3fに
よりコリメートされ、PRC2bへと入射する。これ以
後も動作原理は基本的には前述の第1の実施例と同じで
あるが、実時間で画像入力できるように配置されたSL
M12と位相共役波の発生原理についてさらに詳細に述
べる。図6はPRC2bとSLM12の付近の詳細な図
である。本図において、書き込み光学系のレンズ3gや
ハロゲンランプ10は省略し、物体25は簡単に白黒の
パターン25′で代用した。また、SLM自身は相当複
雑な構造であり詳細はすでに説明したので、配向膜など
いくつかの構成物を省略して描いた。また、光ファイバ
9aからの入射光は水平偏光であると仮定する。図中、
光線に重なったハッチングした波線は偏光方向を示す。
さて、PRC2b内の光線はxの点において散乱され、
E21の光線として進行し、PRC2b表面での全反射
によりSLM12のzの点へと入射する。さて、既に説
明したように、SLM12は書き込み光が照射された部
分では読み出し光の偏光を変化させないため、zの点に
おける反射光は水平偏光のままPRC2b内のyの点へ
と進む。このとき、yの点では入射光線E1と反射光線
E3′との干渉により、PRC2b内ではその強度に応
じた屈折率分布が生じる。このため、光線E1の一部は
光線E2′または光線E3として、光線E21と光線E
3′とは全く逆向きに進み、最後に光線E4としてPR
C2bから出ていく。一方、SLM12上で書き込み光
が照射されなかった部分は以下のようして、位相共役波
は発生しない。xの点で散乱された光線E22はPRC
2b表面での全反射によりSLM12上のz′の点へ入
射する。強誘電性液晶層102の液晶分子はこの部分
(書き込み光が照射されなかった部分)では偏光面から
22.5°傾いて配向しているため、反射光の偏光面は
丁度90°回転し、垂直偏光となる。この垂直偏光の光
線はPRC2b内のy′の点で光線E1と交わるが、偏
光方向が互いに合っていないので、干渉を引き起こさな
い。よって、位相共役波は発生せず、この部分の画像か
らはもはや光線は戻らない。
【0022】第1の実施例と同様に、本例のE4の光線
は図3中でレンズ3f,光ファイバ9a,ハーフミラー
7b,レンズ3eを通過し、スクリーン6bに結像す
る。
は図3中でレンズ3f,光ファイバ9a,ハーフミラー
7b,レンズ3eを通過し、スクリーン6bに結像す
る。
【0023】この構成により、m長の直接画像伝送装置
を組み立てたところ、物体25を動かしながら伝送した
が、十分高速に画像を伝送することができ、物体25の
移動にも十分追随した。さらに、レーザ光源1bとして
波長670nm、出力30mWの可視光レーザダイオー
ドを用いた小型装置も試作したが、同様に明瞭な画像を
伝送することができた。なお、画像の入力手段として上
記のSLMのほかに、後述の超格子量子井戸構造の光変
調器およびそのアレイ素子などの適用も可能である。
を組み立てたところ、物体25を動かしながら伝送した
が、十分高速に画像を伝送することができ、物体25の
移動にも十分追随した。さらに、レーザ光源1bとして
波長670nm、出力30mWの可視光レーザダイオー
ドを用いた小型装置も試作したが、同様に明瞭な画像を
伝送することができた。なお、画像の入力手段として上
記のSLMのほかに、後述の超格子量子井戸構造の光変
調器およびそのアレイ素子などの適用も可能である。
【0024】(第3の実施例)本発明の画像伝送装置に
あっては単に画像を伝送するのみではなく、2次元の光
パターンでデータを並列に伝送することもできる。その
データ入出力の手段として、超格子量子井戸構造の光変
調器およびそのアレイ素子(たとえば、EARS(C.
Amanoら、‘Novel photonic sw
itch arrays consisting of
vertically integrated mu
ltiple−quantum reflrectio
n modulators and phototra
nsistors: exciton absorpt
ive reflection switch,’ I
EEE Photonics Technology
Letters.Vol.3,No.8,pp.736
−738(1991)やSEED(D.A.B.Mil
ler,‘Quantum−well self−el
ector−optic effect device
s,’ Optical and Quantum E
lectronics Vol.22,pp.S61−
S98(1990))などを用いることができる。上記
EARSを用いた本発明の第3の実施例を図7に示す。
なお、本実施例では伝送路としてプレーナ石英導波路を
用いている。図中、2dはPRC、3jおよび3kはレ
ンズ、7dはハーフミラー、13はEARS(エキシト
ン吸収反射スイッチ)、14はレーザダイオード、15
はプレーナ石英導波路、16は制御電源、17は面発光
レーザアレイ、18はフォトデテクタアレイである。こ
の例では、制御電源16で制御される面発光レーザアレ
イ17で表示される光パターンが、PRC2d,レンズ
3k,プレーナ石英導波路15,ハーフミラー7d,レ
ンズ3l,フォトディテクタアレイ18へと光パターン
のまま直接伝送される。EARS13については後で詳
細に説明する。レーザダイオード14は発振波長850
nm、出力50mWのレーザ光源として用いられる。ま
た、面発光レーザアレイ17も発振波長850nmのレ
ーザダイオードアレイである。
あっては単に画像を伝送するのみではなく、2次元の光
パターンでデータを並列に伝送することもできる。その
データ入出力の手段として、超格子量子井戸構造の光変
調器およびそのアレイ素子(たとえば、EARS(C.
Amanoら、‘Novel photonic sw
itch arrays consisting of
vertically integrated mu
ltiple−quantum reflrectio
n modulators and phototra
nsistors: exciton absorpt
ive reflection switch,’ I
EEE Photonics Technology
Letters.Vol.3,No.8,pp.736
−738(1991)やSEED(D.A.B.Mil
ler,‘Quantum−well self−el
ector−optic effect device
s,’ Optical and Quantum E
lectronics Vol.22,pp.S61−
S98(1990))などを用いることができる。上記
EARSを用いた本発明の第3の実施例を図7に示す。
なお、本実施例では伝送路としてプレーナ石英導波路を
用いている。図中、2dはPRC、3jおよび3kはレ
ンズ、7dはハーフミラー、13はEARS(エキシト
ン吸収反射スイッチ)、14はレーザダイオード、15
はプレーナ石英導波路、16は制御電源、17は面発光
レーザアレイ、18はフォトデテクタアレイである。こ
の例では、制御電源16で制御される面発光レーザアレ
イ17で表示される光パターンが、PRC2d,レンズ
3k,プレーナ石英導波路15,ハーフミラー7d,レ
ンズ3l,フォトディテクタアレイ18へと光パターン
のまま直接伝送される。EARS13については後で詳
細に説明する。レーザダイオード14は発振波長850
nm、出力50mWのレーザ光源として用いられる。ま
た、面発光レーザアレイ17も発振波長850nmのレ
ーザダイオードアレイである。
【0025】本発明の第3の実施例はレーザ光源、光導
波路および光変調器の差異を除けば、基本的には本発明
の第2の実施例と同様である。その動作原理を図8を参
照して説明する。PRC2dは前の第1,第2の実施例
と同様にBTO結晶がこの波長でも動作するのでBTO
結晶を用いた。先に、EARS13の詳細な構造(1ビ
ット分)を図9を用いて説明する。まず、その概要とし
ては201が素子の基板、202,203および204
がヘテロ接合フォトトランジスタ、210,211およ
び212がpinダイオードであり、このうち210が
ミラー、211および212が光変調器である。電気的
には抵抗207を介して、電圧VBが並列構造のヘテロ
接合フォトトランジスタ202〜204とpinダイオ
ード210〜212に印加されている。その詳細は以下
の通りである。基板201はn型AlGaAs(厚さ3
00μm)、202はn型Al0.3 Ga0.7 As(厚さ
0.5μm)エミッタ層、203はp型GaAs(厚さ
0.75μm)ベース層、204はn型GaAs(厚さ
4μm)コレクタ層、210はn型Al0.3 Ga0.7 A
s(1層あたり629オングストローム)とn型AlA
s(1層あたり715オングストローム)を交互に25
周期積層した分布ブラッグ反射鏡、211はGaAs
(1層あたり100オングストローム)とAl0.3 Ga
0.7 As(1層あたり80オングストローム)を交互に
220周期積層した半導体量子井戸構造、212はp型
AlGaAs(厚さ0.5μm)であり、上記の層は2
01以外すべて分子線エピタキシ法で成膜した。また、
206aおよび206bはAuGeNiのオーミック電
極、207は負荷抵抗、213はCr/Auのオーミッ
ク電極である。オーミック電極のうち206bと213
は接地した。
波路および光変調器の差異を除けば、基本的には本発明
の第2の実施例と同様である。その動作原理を図8を参
照して説明する。PRC2dは前の第1,第2の実施例
と同様にBTO結晶がこの波長でも動作するのでBTO
結晶を用いた。先に、EARS13の詳細な構造(1ビ
ット分)を図9を用いて説明する。まず、その概要とし
ては201が素子の基板、202,203および204
がヘテロ接合フォトトランジスタ、210,211およ
び212がpinダイオードであり、このうち210が
ミラー、211および212が光変調器である。電気的
には抵抗207を介して、電圧VBが並列構造のヘテロ
接合フォトトランジスタ202〜204とpinダイオ
ード210〜212に印加されている。その詳細は以下
の通りである。基板201はn型AlGaAs(厚さ3
00μm)、202はn型Al0.3 Ga0.7 As(厚さ
0.5μm)エミッタ層、203はp型GaAs(厚さ
0.75μm)ベース層、204はn型GaAs(厚さ
4μm)コレクタ層、210はn型Al0.3 Ga0.7 A
s(1層あたり629オングストローム)とn型AlA
s(1層あたり715オングストローム)を交互に25
周期積層した分布ブラッグ反射鏡、211はGaAs
(1層あたり100オングストローム)とAl0.3 Ga
0.7 As(1層あたり80オングストローム)を交互に
220周期積層した半導体量子井戸構造、212はp型
AlGaAs(厚さ0.5μm)であり、上記の層は2
01以外すべて分子線エピタキシ法で成膜した。また、
206aおよび206bはAuGeNiのオーミック電
極、207は負荷抵抗、213はCr/Auのオーミッ
ク電極である。オーミック電極のうち206bと213
は接地した。
【0026】EARS13にはヘテロ接合フォトトラン
ジスタ202〜204に書き込み光Pinが入射し、光変
調器211,212に読み出し光Pbiasが入射する。こ
のとき、書き込み光Pinに応じて光変調器211,21
2の吸収が変化するため、読み出し光Pbiasの反射光P
out が変調されて出射する。211と212から構成さ
れる光変調器は波長850nmにおいて電圧が印加され
ないときは光透過状態であり、10V以上の逆バイアス
電圧が印加されれば透過率が減少する。EARS13で
は負荷抵抗207と直列にヘテロ接合フォトトランジス
タ202〜204と光変調器211,212の並列構造
が接続されているので、その光変調器の吸収を書き込み
光Pinで制御可能である。書き込み光Pinがヘテロ接合
フォトトランジスタ202〜204に照射されていると
きは、このトランジスタに増幅された光電流が流れて等
価的に低抵抗状態となるので、光変調器211,212
にはほとんど電圧が印加されず透過状態である。すなわ
ち反射光Pout はEARS13から出力される。一方、
書き込み光Pinが照射されないとき、ヘテロ接合フォト
トランジスタ202〜204には電流が流れず、すなわ
ち高抵抗状態で光変調器211,212に大きな逆バイ
アス電圧が印加されるので、光吸収状態で反射光Pout
はほとんどEARS13から出力されない。要約すれ
ば、EARS13では書き込み光Pinが照射されれば、
読み出し光Pbiasの反射光Pout が出力され、書き込み
光Pinが照射されなければ反射光Pout は出力されな
い。
ジスタ202〜204に書き込み光Pinが入射し、光変
調器211,212に読み出し光Pbiasが入射する。こ
のとき、書き込み光Pinに応じて光変調器211,21
2の吸収が変化するため、読み出し光Pbiasの反射光P
out が変調されて出射する。211と212から構成さ
れる光変調器は波長850nmにおいて電圧が印加され
ないときは光透過状態であり、10V以上の逆バイアス
電圧が印加されれば透過率が減少する。EARS13で
は負荷抵抗207と直列にヘテロ接合フォトトランジス
タ202〜204と光変調器211,212の並列構造
が接続されているので、その光変調器の吸収を書き込み
光Pinで制御可能である。書き込み光Pinがヘテロ接合
フォトトランジスタ202〜204に照射されていると
きは、このトランジスタに増幅された光電流が流れて等
価的に低抵抗状態となるので、光変調器211,212
にはほとんど電圧が印加されず透過状態である。すなわ
ち反射光Pout はEARS13から出力される。一方、
書き込み光Pinが照射されないとき、ヘテロ接合フォト
トランジスタ202〜204には電流が流れず、すなわ
ち高抵抗状態で光変調器211,212に大きな逆バイ
アス電圧が印加されるので、光吸収状態で反射光Pout
はほとんどEARS13から出力されない。要約すれ
ば、EARS13では書き込み光Pinが照射されれば、
読み出し光Pbiasの反射光Pout が出力され、書き込み
光Pinが照射されなければ反射光Pout は出力されな
い。
【0027】図8に戻って本実施例の画像伝送装置の動
作を説明する。前述の第2の実施例ではPRC内の干渉
性を偏光方向で制御したが、第3の実施例では光の有無
(強弱)で制御する。この制御を行うのがEARS13
であり、PRC2dにヘテロ接合フォトトランジスタ2
02〜204が図面の手前向きに、光変調器211,2
12がPRC2d向きに配置されている。EARS13
は30μm径の素子が縦横32ずつマトリックスに配置
されており、合計1024ビット分が集積されている
が、図8では4個の素子のみを描いた。このうち右の2
個の素子には書き込み光Pinが照射されており、左の2
個の素子には書き込み光は照射されていない。書き込み
光Pinの波長も850nmである。散乱光E21,E2
2はPRC2dの右側面で全反射し、E21の光線は右
上の光変調器に入射し、E22の光線は左上の光変調器
に入射する。4個の光変調器にはその状態を示すため、
書き込み光パターンに対応して左側を黒く、右側を白く
表示した。データ伝送のための波長850nmのレーザ
光はE1の入射光線としてPRC2dに入射する。この
光線はxの点においてE21,E22の光線として散乱
されていく。このうちE22の光線は左側の吸収状態の
光変調器に入射するため、これ以後何ら作用をしない。
ところがE21の光線は反射状態の光変調器で反射した
後、光線E31′としてPRC2d内を進行し、もとの
光線E1とyの点で干渉する。E1とE31′の光線の
干渉により生じた屈折率分布により、yの点では新たな
回折光E21′を生む。回折光E21′はE21とE3
1′の光線と丁度反対向きに進み、EARS13におけ
る反射の後はE31の光線としてx,yの点を通り光線
E4としてPRC2dから出射していく。このとき、E
4の光線は前述の第1の実施例および第2の実施例と同
様に、EARS13上の光パターンを搬送する。すなわ
ち、本実施例の画像伝送装置は画像信号以外にも光パタ
ーンで表現される2次元データも全く同様に並列に伝送
することができる。
作を説明する。前述の第2の実施例ではPRC内の干渉
性を偏光方向で制御したが、第3の実施例では光の有無
(強弱)で制御する。この制御を行うのがEARS13
であり、PRC2dにヘテロ接合フォトトランジスタ2
02〜204が図面の手前向きに、光変調器211,2
12がPRC2d向きに配置されている。EARS13
は30μm径の素子が縦横32ずつマトリックスに配置
されており、合計1024ビット分が集積されている
が、図8では4個の素子のみを描いた。このうち右の2
個の素子には書き込み光Pinが照射されており、左の2
個の素子には書き込み光は照射されていない。書き込み
光Pinの波長も850nmである。散乱光E21,E2
2はPRC2dの右側面で全反射し、E21の光線は右
上の光変調器に入射し、E22の光線は左上の光変調器
に入射する。4個の光変調器にはその状態を示すため、
書き込み光パターンに対応して左側を黒く、右側を白く
表示した。データ伝送のための波長850nmのレーザ
光はE1の入射光線としてPRC2dに入射する。この
光線はxの点においてE21,E22の光線として散乱
されていく。このうちE22の光線は左側の吸収状態の
光変調器に入射するため、これ以後何ら作用をしない。
ところがE21の光線は反射状態の光変調器で反射した
後、光線E31′としてPRC2d内を進行し、もとの
光線E1とyの点で干渉する。E1とE31′の光線の
干渉により生じた屈折率分布により、yの点では新たな
回折光E21′を生む。回折光E21′はE21とE3
1′の光線と丁度反対向きに進み、EARS13におけ
る反射の後はE31の光線としてx,yの点を通り光線
E4としてPRC2dから出射していく。このとき、E
4の光線は前述の第1の実施例および第2の実施例と同
様に、EARS13上の光パターンを搬送する。すなわ
ち、本実施例の画像伝送装置は画像信号以外にも光パタ
ーンで表現される2次元データも全く同様に並列に伝送
することができる。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
画像パターンや2次元の光データを光のまま直接、並列
に効率良く伝送でき、アライメントも容易で、また従来
のように同一特性の光ファイバを用いる必要もなく、か
つ伝送光強度も十分な強さの画像パターンを得ることが
できる。すなわち、本発明の直接画像伝送装置によれ
ば、画像信号の時系列処理を伴わないので、高速に高分
解能に画像パターンを伝送することができる。また、本
発明によれば、画像伝送のほか、コンピュータや交換機
内の2次元データ転送も高速に実行することができる。
このように、本発明の直接画像伝送装置は画像伝送、光
インターコネクション、高速データ転送などの幅広い分
野に応用できる。
画像パターンや2次元の光データを光のまま直接、並列
に効率良く伝送でき、アライメントも容易で、また従来
のように同一特性の光ファイバを用いる必要もなく、か
つ伝送光強度も十分な強さの画像パターンを得ることが
できる。すなわち、本発明の直接画像伝送装置によれ
ば、画像信号の時系列処理を伴わないので、高速に高分
解能に画像パターンを伝送することができる。また、本
発明によれば、画像伝送のほか、コンピュータや交換機
内の2次元データ転送も高速に実行することができる。
このように、本発明の直接画像伝送装置は画像伝送、光
インターコネクション、高速データ転送などの幅広い分
野に応用できる。
【図1】従来の直接画像伝送装置の構成例を示す光路図
である。
である。
【図2】本発明の第1の実施例の直接画像伝送装置の構
成を示す光路図である。
成を示す光路図である。
【図3】本発明の第2の実施例の直接画像伝送装置の構
成を示す光路図である。
成を示す光路図である。
【図4】図3のSLM(空間光変調器)12の構造を示
す上面図である。
す上面図である。
【図5】図4の切断線C−C′に沿う縦断面図である。
【図6】図3のPRC2bとSLM12の付近の詳細な
光路と動作原理を示す斜視図である。
光路と動作原理を示す斜視図である。
【図7】本発明の第3の実施例の直接画像伝送装置の構
成を示す光路図である。
成を示す光路図である。
【図8】図7のPRC2dとEARS13の付近の詳細
な光路と動作原理を示す斜視図である。
な光路と動作原理を示す斜視図である。
【図9】図7のEARS13の詳細な構造(1ビット
分)を示す縦断面図である。
分)を示す縦断面図である。
1a,1b,1c レーザ光源 2a,2b,2c,2d フォトリフラクティブ結晶
(PRC) 3a〜3k レンズ 4 すりガラス 5a,5b 画像パターン 6a,6b,6c スクリーン 7a,7b,7c,7d ハーフミラー 9a,9b マルチモード光ファイバ 10 ハロゲンランプ 11 パルス電源 12 空間光変調器(SLM) 13 EARS(エキシトン吸収反射スイッチ) 14 レーザダイオード 15 プレーナ石英導波管 16 制御電極 17 面発光レーザアレイ 18 フォトデテクタアレイ 23 コリメータ 24 凹面鏡 25 物体 101a,101b 石英ガラス基板 102 強誘電性液晶層 103a,103b,103c 透明電極 104a,104b 配向膜 105 誘電体ミラー 106 伝導膜 107 銀ペースト 108 封止材 109a,109b リード電極 110 セラミックスペーサ 201 素子の基板 202 フォトトランジスタのエミッタ層 203 フォトトランジスタのベース層 204 フォトトランジスタのコレクタ層 206a,206b オーミック電極 207 負荷抵抗 210 分布ブラッグ反射鏡 211,212 光変調器 213 オーミック電極
(PRC) 3a〜3k レンズ 4 すりガラス 5a,5b 画像パターン 6a,6b,6c スクリーン 7a,7b,7c,7d ハーフミラー 9a,9b マルチモード光ファイバ 10 ハロゲンランプ 11 パルス電源 12 空間光変調器(SLM) 13 EARS(エキシトン吸収反射スイッチ) 14 レーザダイオード 15 プレーナ石英導波管 16 制御電極 17 面発光レーザアレイ 18 フォトデテクタアレイ 23 コリメータ 24 凹面鏡 25 物体 101a,101b 石英ガラス基板 102 強誘電性液晶層 103a,103b,103c 透明電極 104a,104b 配向膜 105 誘電体ミラー 106 伝導膜 107 銀ペースト 108 封止材 109a,109b リード電極 110 セラミックスペーサ 201 素子の基板 202 フォトトランジスタのエミッタ層 203 フォトトランジスタのベース層 204 フォトトランジスタのコレクタ層 206a,206b オーミック電極 207 負荷抵抗 210 分布ブラッグ反射鏡 211,212 光変調器 213 オーミック電極
Claims (2)
- 【請求項1】 セルフポンピングにより位相共役波を発
生せしめるフォトリフラクティブ結晶と、 前記フォトリフラクティブ結晶に画像信号を書き込む光
変調器および送信側光学系と、 前記フォトリフラクティブ結晶を駆動するレーザ光源
と、 前記フォトリフラクティブ結晶から発生する前記画像信
号の前記位相共役波を伝送する伝送媒体と、 前記伝送媒体により伝送される前記位相共役波を結像す
る受信側光学系とを具備したことを特徴とする画像伝送
装置。 - 【請求項2】 前記光変調器は、空間光変調器、エキシ
トン吸収反射スイッチ、および自己電気光学効果デバイ
スのいずれか1つであることを特徴とする請求項1に記
載の画像伝送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8450293A JPH06301072A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 画像伝送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8450293A JPH06301072A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 画像伝送装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06301072A true JPH06301072A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=13832426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8450293A Pending JPH06301072A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 画像伝送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06301072A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003531515A (ja) * | 2000-04-07 | 2003-10-21 | ザ・リージェンツ・オブ・ジ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア | 遠隔呼掛け高データ転送速度自由空間レーザ通信リンク |
-
1993
- 1993-04-12 JP JP8450293A patent/JPH06301072A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003531515A (ja) * | 2000-04-07 | 2003-10-21 | ザ・リージェンツ・オブ・ジ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア | 遠隔呼掛け高データ転送速度自由空間レーザ通信リンク |
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