JPH1078568A - 光変調器モジュール - Google Patents
光変調器モジュールInfo
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- JPH1078568A JPH1078568A JP8235451A JP23545196A JPH1078568A JP H1078568 A JPH1078568 A JP H1078568A JP 8235451 A JP8235451 A JP 8235451A JP 23545196 A JP23545196 A JP 23545196A JP H1078568 A JPH1078568 A JP H1078568A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/0123—Circuits for the control or stabilisation of the bias voltage, e.g. automatic bias control [ABC] feedback loops
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/58—Arrangements comprising a monitoring photodetector
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は光源からの光を変調するための光変
調器モジュールに関し、漏洩ビームによる光パワーのモ
ニタリングを可能にする製造性に優れた上記モジュール
の提供を課題とする。 【解決手段】 マッハツェンダ型の光導波構造２２と、
光導波構造２２から出力ビームＯＢが得られる結合モー
ドと漏洩ビームＬＢが光導波構造２２からそれる漏洩モ
ードとを切り換えるための手段と、漏洩ビームＬＢを受
ける受光面４８Ａを有するフォトディテクタ４８と、受
光面４８Ａが光導波構造２２に密着しないように漏洩ビ
ームＬＢのビームパラメータを変換する手段（４２）と
から構成する。
調器モジュールに関し、漏洩ビームによる光パワーのモ
ニタリングを可能にする製造性に優れた上記モジュール
の提供を課題とする。 【解決手段】 マッハツェンダ型の光導波構造２２と、
光導波構造２２から出力ビームＯＢが得られる結合モー
ドと漏洩ビームＬＢが光導波構造２２からそれる漏洩モ
ードとを切り換えるための手段と、漏洩ビームＬＢを受
ける受光面４８Ａを有するフォトディテクタ４８と、受
光面４８Ａが光導波構造２２に密着しないように漏洩ビ
ームＬＢのビームパラメータを変換する手段（４２）と
から構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に、光源か
らの光を変調するための光変調器モジュールに関し、更
に詳しくは、光パワーのモニタリングを行なうための上
記モジュールの構造に関する。
らの光を変調するための光変調器モジュールに関し、更
に詳しくは、光パワーのモニタリングを行なうための上
記モジュールの構造に関する。
【０００２】光ファイバ通信システムにおいては、変調
速度が増大してきた。レーザダイオードの直接強度変調
では、波長チャーピングが問題である。チャーピング
は、信号光が色分散（波長分散）のある光ファイバを通
過するときに波形の歪みを引き起こす。ファイバ損失の
観点からは、シリカファイバに適用されるのに最も望ま
しい波長は１．５５μｍである。この波長では、ノーマ
ルなファイバは大体１８ｐｓ／ｋｍ／ｎｍの色分散を持
っている。これは伝送距離を制限する。この問題をさけ
るために、外部変調器として使用される光変調器モジュ
ールに対する期待が高まっている。
速度が増大してきた。レーザダイオードの直接強度変調
では、波長チャーピングが問題である。チャーピング
は、信号光が色分散（波長分散）のある光ファイバを通
過するときに波形の歪みを引き起こす。ファイバ損失の
観点からは、シリカファイバに適用されるのに最も望ま
しい波長は１．５５μｍである。この波長では、ノーマ
ルなファイバは大体１８ｐｓ／ｋｍ／ｎｍの色分散を持
っている。これは伝送距離を制限する。この問題をさけ
るために、外部変調器として使用される光変調器モジュ
ールに対する期待が高まっている。
【０００３】
【従来の技術】実用的な外部変調器として、ＬｉＮｂＯ
3 基板を用いたマッハツェンダ型の光変調器（ＬＮ変調
器）が開発された。光源からの一定強度のキャリア光が
ＬＮ変調器に供給され、光の干渉を用いたスイッチング
動作によって、強度変調された光信号が得られる。
3 基板を用いたマッハツェンダ型の光変調器（ＬＮ変調
器）が開発された。光源からの一定強度のキャリア光が
ＬＮ変調器に供給され、光の干渉を用いたスイッチング
動作によって、強度変調された光信号が得られる。
【０００４】しばしば指摘されるＬＮ変調器の欠点は、
動作点ドリフトを生じさせることである。動作点ドリフ
トに対処するために、ＬＮ変調器から出力される光のパ
ワーがモニタリングされ、その結果得られる電気信号に
基づいて動作点安定化のための制御が行なわれる。
動作点ドリフトを生じさせることである。動作点ドリフ
トに対処するために、ＬＮ変調器から出力される光のパ
ワーがモニタリングされ、その結果得られる電気信号に
基づいて動作点安定化のための制御が行なわれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】光変調器が出力する光
のパワーをモニタリングするためには、その一部をビー
ムスプリッタにより分岐し、その分岐ビームをフォトデ
ィテクタで受ければよい。しかし、この場合、光変調器
から出力される光信号のパワーが小さくなり、また、部
品点数が多くなって装置が大型化するという問題があ
る。
のパワーをモニタリングするためには、その一部をビー
ムスプリッタにより分岐し、その分岐ビームをフォトデ
ィテクタで受ければよい。しかし、この場合、光変調器
から出力される光信号のパワーが小さくなり、また、部
品点数が多くなって装置が大型化するという問題があ
る。
【０００６】このような点に鑑み、干渉に際して生じる
漏洩ビームを用いて光パワーをモニタリングすることが
試みられている（特開平３−１４５６２３号公報）。し
かし、漏洩ビームを用いた従来のモニタリング技術にお
いては、漏洩ビームを受けるための受光面或いはファイ
バ端面を光変調器チップの端面に直接実装しているの
で、チップが破損しやすく、光変調器モジュールの製造
が容易でないという問題がある。
漏洩ビームを用いて光パワーをモニタリングすることが
試みられている（特開平３−１４５６２３号公報）。し
かし、漏洩ビームを用いた従来のモニタリング技術にお
いては、漏洩ビームを受けるための受光面或いはファイ
バ端面を光変調器チップの端面に直接実装しているの
で、チップが破損しやすく、光変調器モジュールの製造
が容易でないという問題がある。
【０００７】よって、本発明の目的は、漏洩ビームによ
る光パワーのモニタリングを可能にする製造性に優れた
光変調器モジュールを提供することにある。
る光パワーのモニタリングを可能にする製造性に優れた
光変調器モジュールを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のある側面による
と、入力ポートが受けた光を変調して変調された光を出
力ポートから出力する光変調器モジュールが提供され
る。
と、入力ポートが受けた光を変調して変調された光を出
力ポートから出力する光変調器モジュールが提供され
る。
【０００９】光変調器モジュールは、例えば誘電体チッ
プにより提供される光導波構造を有している。光導波構
造は、入力ポート及び出力ポートにそれぞれ動作的に接
続される第１端及び第２端と、第１端及び第２端にそれ
ぞれ接続される第１Ｙ部及び第２Ｙ部と、第１Ｙ部及び
第２Ｙ部の間に接続される第１パス及び第２パスとを有
している。
プにより提供される光導波構造を有している。光導波構
造は、入力ポート及び出力ポートにそれぞれ動作的に接
続される第１端及び第２端と、第１端及び第２端にそれ
ぞれ接続される第１Ｙ部及び第２Ｙ部と、第１Ｙ部及び
第２Ｙ部の間に接続される第１パス及び第２パスとを有
している。
【００１０】結合モードと漏洩モードとを切り換えてそ
れにより変調された光が第２端から出力されるようにす
るために、駆動手段が第１パス及び第２パスの少なくと
もいずれか一方に電界を印加する。
れにより変調された光が第２端から出力されるようにす
るために、駆動手段が第１パス及び第２パスの少なくと
もいずれか一方に電界を印加する。
【００１１】結合モードでは、第２Ｙ部を通過する光が
第２端に供給され、これにより光変調器モジュールが出
力する光がオンになる。漏洩モードでは第２Ｙ部を通過
する光が光導波構造からそれて漏洩ビームを生じさせ、
これにより光変調器モジュールが出力する光がオフにな
る。このようにして、入力ポートが受けた光についての
強度変調がなされる。
第２端に供給され、これにより光変調器モジュールが出
力する光がオンになる。漏洩モードでは第２Ｙ部を通過
する光が光導波構造からそれて漏洩ビームを生じさせ、
これにより光変調器モジュールが出力する光がオフにな
る。このようにして、入力ポートが受けた光についての
強度変調がなされる。
【００１２】光変調器モジュールは、更に、漏洩ビーム
を受ける受光面を有するフォトディテクタと、受光面が
光導波構造に密着しないように漏洩ビームのビームパラ
メータを変換する手段とを有する。ビームパラメータ
は、例えば、漏洩ビームの方向、偏光状態又は開口数で
ある。
を受ける受光面を有するフォトディテクタと、受光面が
光導波構造に密着しないように漏洩ビームのビームパラ
メータを変換する手段とを有する。ビームパラメータ
は、例えば、漏洩ビームの方向、偏光状態又は開口数で
ある。
【００１３】このように本発明の光変調器モジュール
は、漏洩ビームのビームパラメータを変換する手段によ
りフォトディテクタの受光面が光導波構造に密着しない
ようにしているので、光変調器モジュールの製造性が改
善される。また、結合モードと漏洩モードは互いに相補
の関係にあるので、漏洩ビームを用いて光パワーのモニ
タリングが可能になる。
は、漏洩ビームのビームパラメータを変換する手段によ
りフォトディテクタの受光面が光導波構造に密着しない
ようにしているので、光変調器モジュールの製造性が改
善される。また、結合モードと漏洩モードは互いに相補
の関係にあるので、漏洩ビームを用いて光パワーのモニ
タリングが可能になる。
【００１４】光導波構造が誘電体チップにより提供され
ている場合には、駆動手段は、誘電体チップ上で第１及
び第２パスにそれぞれ並設される第１及び第２の電極を
含むことができる。望ましくは、結合モードと漏洩モー
ドの有効な切換がなされるように、フォトディテクタの
出力信号に基づき動作点を制御する回路が第１及び第２
の電極に動作的に接続される。
ている場合には、駆動手段は、誘電体チップ上で第１及
び第２パスにそれぞれ並設される第１及び第２の電極を
含むことができる。望ましくは、結合モードと漏洩モー
ドの有効な切換がなされるように、フォトディテクタの
出力信号に基づき動作点を制御する回路が第１及び第２
の電極に動作的に接続される。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の望ましい実施の形態を詳細に説明する。図１を参照す
ると、本発明が適用される光変調器モジュールの外観が
示されている。このモジュールは、入力ポート２が受け
た光を変調して変調された光を出力ポート４から出力す
る。この実施形態では、ポート２及び４はそれぞれ光コ
ネクタである。
の望ましい実施の形態を詳細に説明する。図１を参照す
ると、本発明が適用される光変調器モジュールの外観が
示されている。このモジュールは、入力ポート２が受け
た光を変調して変調された光を出力ポート４から出力す
る。この実施形態では、ポート２及び４はそれぞれ光コ
ネクタである。
【００１６】このモジュールは、後述する変調器チップ
が内蔵されるパッケージ６を有している。パッケージ６
の両端には、ポート２及び４をそれぞれパッケージ６と
接続するためのピグテール型のファイバアセンブリ８及
び１０が設けられている。
が内蔵されるパッケージ６を有している。パッケージ６
の両端には、ポート２及び４をそれぞれパッケージ６と
接続するためのピグテール型のファイバアセンブリ８及
び１０が設けられている。
【００１７】パッケージ６の一方の側面には、高速信号
用のコネクタ１２及び１４が設けられており、他方の側
面には低速信号用のコネクタ１６が設けられている。パ
ッケージ６を図示しないケース等に固定するために、パ
ッケージ６の底部には金具１８が固定されている。
用のコネクタ１２及び１４が設けられており、他方の側
面には低速信号用のコネクタ１６が設けられている。パ
ッケージ６を図示しないケース等に固定するために、パ
ッケージ６の底部には金具１８が固定されている。
【００１８】図２を参照すると、パッケージ６（図１参
照）内に内蔵される変調器チップが示されている。この
変調器チップは、誘電体チップ２０により提供される光
導波構造２２を有している。誘電体チップ２０は例えば
ＬｉＮｂＯ3 （リチウムナイオベート）からなり、この
場合Ｔｉ（チタン）の熱拡散によって光導波構造２２が
得られる。
照）内に内蔵される変調器チップが示されている。この
変調器チップは、誘電体チップ２０により提供される光
導波構造２２を有している。誘電体チップ２０は例えば
ＬｉＮｂＯ3 （リチウムナイオベート）からなり、この
場合Ｔｉ（チタン）の熱拡散によって光導波構造２２が
得られる。
【００１９】光導波構造２２は、図１の入力ポート２及
び出力ポート４にそれぞれ動作的に接続される第１端２
４及び第２端２６を有している。本出願において、ある
要素と他の要素とが動作的に接続されるというのは、こ
れらの要素が直接接続される場合を含み、更に、これら
の要素の間で電気信号又は光信号の受渡しができる程度
の関連性を持ってこれらの要素が設けられている場合を
含む。
び出力ポート４にそれぞれ動作的に接続される第１端２
４及び第２端２６を有している。本出願において、ある
要素と他の要素とが動作的に接続されるというのは、こ
れらの要素が直接接続される場合を含み、更に、これら
の要素の間で電気信号又は光信号の受渡しができる程度
の関連性を持ってこれらの要素が設けられている場合を
含む。
【００２０】光導波構造２２は、更に、第１端２４及び
第２端２６にそれぞれ接続される第１Ｙ部２８及び第２
Ｙ部３０と、Ｙ部２８及び３０の間に接続される第１パ
ス３２及び第２パス３４とを有している。
第２端２６にそれぞれ接続される第１Ｙ部２８及び第２
Ｙ部３０と、Ｙ部２８及び３０の間に接続される第１パ
ス３２及び第２パス３４とを有している。
【００２１】第１端２４に供給された光は、第１Ｙ部２
８で光パワーが実質的に２等分される第１及び第２のビ
ームに分岐される。第１及び第２のビームはそれぞれパ
ス３２及び３４により導波され、第２Ｙ部３０で干渉す
る。
８で光パワーが実質的に２等分される第１及び第２のビ
ームに分岐される。第１及び第２のビームはそれぞれパ
ス３２及び３４により導波され、第２Ｙ部３０で干渉す
る。
【００２２】第２Ｙ部３０における第１及び第２のビー
ム間の位相差に応じて、第２端２６において出力ビーム
が得られる結合モードと、第２Ｙ部３０から誘電体チッ
プ２０内に漏洩ビームが放射される漏洩モードとが切り
換えられる。
ム間の位相差に応じて、第２端２６において出力ビーム
が得られる結合モードと、第２Ｙ部３０から誘電体チッ
プ２０内に漏洩ビームが放射される漏洩モードとが切り
換えられる。
【００２３】第１及び第２のビーム間の位相差を変化さ
せるために、第１パス３２上には接地電極３８が設けら
れており、第２パス３４上には信号電極３６が設けられ
ている。
せるために、第１パス３２上には接地電極３８が設けら
れており、第２パス３４上には信号電極３６が設けられ
ている。
【００２４】信号電極３６は、進行波型に構成されてお
り、その入力端３６Ａはコネクタ１２の内部導体に接続
され、出力端３６Ｂはコネクタ１４の内部導体に接続さ
れている。また、コネクタ１２及び１４のシールド並び
に接地電極３８は例えばパッケージ６（図１参照）を介
して接地されている。
り、その入力端３６Ａはコネクタ１２の内部導体に接続
され、出力端３６Ｂはコネクタ１４の内部導体に接続さ
れている。また、コネクタ１２及び１４のシールド並び
に接地電極３８は例えばパッケージ６（図１参照）を介
して接地されている。
【００２５】電極３６及び３８は例えばＡｕ（金）の蒸
着により形成される。図示はしないが、誘電体チップ２
０と電極３６及び３８との間にＳｉ及び／又はＳｉＯ2
からなる安定化用の単一又は複数のバッファ層が設けら
れていてもよい。
着により形成される。図示はしないが、誘電体チップ２
０と電極３６及び３８との間にＳｉ及び／又はＳｉＯ2
からなる安定化用の単一又は複数のバッファ層が設けら
れていてもよい。
【００２６】図３を参照すると漏洩ビームを更に詳細に
説明するために、変調器チップの破断斜視図が示されて
いる。チップ２０は、第２端２６と実質的に同一平面上
の端面２０Ａを有している。
説明するために、変調器チップの破断斜視図が示されて
いる。チップ２０は、第２端２６と実質的に同一平面上
の端面２０Ａを有している。
【００２７】第２Ｙ部３０からチップ２０内に放射され
た漏洩ビームは、ＬＢで示されるように、更に端面２０
Ａから空気中に放射される。また、Ｙ部３０における干
渉の結果生じた出力ビームＯＢは、第２端２６から空気
中に放射される。
た漏洩ビームは、ＬＢで示されるように、更に端面２０
Ａから空気中に放射される。また、Ｙ部３０における干
渉の結果生じた出力ビームＯＢは、第２端２６から空気
中に放射される。
【００２８】図４を参照すると、漏洩ビームＬＢをモニ
タリングするための第１実施形態が示されている。誘電
体チップ２０は、パッケージ６の内面に固着されてい
る。パッケージ６は、出力ビームＯＢを放射する第２端
２６に対向する開口６Ａを有している。
タリングするための第１実施形態が示されている。誘電
体チップ２０は、パッケージ６の内面に固着されてい
る。パッケージ６は、出力ビームＯＢを放射する第２端
２６に対向する開口６Ａを有している。
【００２９】開口６Ａには、パッケージ６の内部を気密
に封止するためのサファイア等からなる窓部材４０が設
けられている。パッケージ６の蓋の図示は省略されてい
る。チップ２０の端面２０Ａから放射される漏洩ビーム
ＬＢのビームパラメータを変換するために、チップ２０
と開口６Ａの間にコモンレンズ４２が設けられている。
ここではコモンレンズ４２は球レンズでありパッケージ
６の内面に接着剤４４により固定されている。
に封止するためのサファイア等からなる窓部材４０が設
けられている。パッケージ６の蓋の図示は省略されてい
る。チップ２０の端面２０Ａから放射される漏洩ビーム
ＬＢのビームパラメータを変換するために、チップ２０
と開口６Ａの間にコモンレンズ４２が設けられている。
ここではコモンレンズ４２は球レンズでありパッケージ
６の内面に接着剤４４により固定されている。
【００３０】第２端２６から放射された出力ビームＯＢ
は、コモンレンズ４２により集束されて窓部材４０を透
過し、出力ポート４（図１参照）に導かれる。パッケー
ジ６の内面の開口６Ａの上方には、セラミック基板４６
を介してフォトディテクタ（例えばフォトダイオード）
４８が設けられている。
は、コモンレンズ４２により集束されて窓部材４０を透
過し、出力ポート４（図１参照）に導かれる。パッケー
ジ６の内面の開口６Ａの上方には、セラミック基板４６
を介してフォトディテクタ（例えばフォトダイオード）
４８が設けられている。
【００３１】セラミック基板４６の底面４６Ａはパッケ
ージ６の内面に固着され、セラミック基板４６の頂面４
６Ｂ上にはフォトディテクタ４８の底部が固着されてい
る。フォトディテクタ４８はその頂部に受光面４８Ａを
有している。
ージ６の内面に固着され、セラミック基板４６の頂面４
６Ｂ上にはフォトディテクタ４８の底部が固着されてい
る。フォトディテクタ４８はその頂部に受光面４８Ａを
有している。
【００３２】チップ２０の端面２０Ａから放射された漏
洩ビームＬＢは、コモンレンズ４２により集束されてフ
ォトディテクタ４８の受光面４８Ａに入射する。このよ
うに一つのコモンレンズ４２を用いて、出力ビームＯＢ
の邪魔をせずに漏洩ビームＬＢのモニタリングが可能な
のは、出力ビームＯＢ及び漏洩ビームＬＢがチップ２０
の異なる点から放射されているからである。
洩ビームＬＢは、コモンレンズ４２により集束されてフ
ォトディテクタ４８の受光面４８Ａに入射する。このよ
うに一つのコモンレンズ４２を用いて、出力ビームＯＢ
の邪魔をせずに漏洩ビームＬＢのモニタリングが可能な
のは、出力ビームＯＢ及び漏洩ビームＬＢがチップ２０
の異なる点から放射されているからである。
【００３３】尚、コモンレンズ４２の大きさは、出力ビ
ームＯＢの光軸がコモンレンズ４２の中心に実質的に一
致するように設定されている。これにより、漏洩ビーム
ＬＢはコモンレンズ４２にその中心よりも下の位置から
斜めに入射するので、開口６Ａの上部に位置するフォト
ディテクタ４８により漏洩ビームＬＢの一部又は全部を
受けることができる。
ームＯＢの光軸がコモンレンズ４２の中心に実質的に一
致するように設定されている。これにより、漏洩ビーム
ＬＢはコモンレンズ４２にその中心よりも下の位置から
斜めに入射するので、開口６Ａの上部に位置するフォト
ディテクタ４８により漏洩ビームＬＢの一部又は全部を
受けることができる。
【００３４】この実施形態では、漏洩ビームＬＢのうち
の一部でもフォトディテクタ４８の受光面４８Ａに重な
っていれば光パワーのモニタリングが可能になるので、
フォトディテクタ４８の位置合わせ等が容易であり、モ
ジュールを簡単に製造することができる。また、チップ
２０の端面２０Ａには何も固着する必要がないのでチッ
プ２０の破損が防止され、製造歩留りが向上する。
の一部でもフォトディテクタ４８の受光面４８Ａに重な
っていれば光パワーのモニタリングが可能になるので、
フォトディテクタ４８の位置合わせ等が容易であり、モ
ジュールを簡単に製造することができる。また、チップ
２０の端面２０Ａには何も固着する必要がないのでチッ
プ２０の破損が防止され、製造歩留りが向上する。
【００３５】フォトディテクタ４８は電気的には図１の
低速用のコネクタ１６に接続されている。この接続は例
えば次のようにしてなされる。セラミック基板４６の頂
面４６Ｂ上に導体パターンを形成し、この導体パターン
とフォトディテクタ４８の出力端子とをボンディングワ
イヤで接続し、導体パターンとコネクタ１６とを適当な
リード線により接続するのである。
低速用のコネクタ１６に接続されている。この接続は例
えば次のようにしてなされる。セラミック基板４６の頂
面４６Ｂ上に導体パターンを形成し、この導体パターン
とフォトディテクタ４８の出力端子とをボンディングワ
イヤで接続し、導体パターンとコネクタ１６とを適当な
リード線により接続するのである。
【００３６】このような接続形態によると、フォトディ
テクタ４８のセラミック基板４６に対する機械的な固定
と電気的な接続とを予め行なってフォトディテクタアセ
ンブリを構成しておき、このアセンブリをパッケージ６
の内面に固着することができるので、モジュールの組立
が容易になる。
テクタ４８のセラミック基板４６に対する機械的な固定
と電気的な接続とを予め行なってフォトディテクタアセ
ンブリを構成しておき、このアセンブリをパッケージ６
の内面に固着することができるので、モジュールの組立
が容易になる。
【００３７】次に図５を参照して動作点ドリフトについ
て説明する。一般に誘電体チップを用いてなるマッハツ
ェンダ型の光変調器においては、温度変化や経時変化に
より動作特性曲線がドリフトする（動作点ドリフト）。
て説明する。一般に誘電体チップを用いてなるマッハツ
ェンダ型の光変調器においては、温度変化や経時変化に
より動作特性曲線がドリフトする（動作点ドリフト）。
【００３８】図５において、符号５０及び５２はそれぞ
れ動作点ドリフトが生じていない場合における動作特性
曲線及び出力光信号波形を表しており、符号５４及び５
６はそれぞれ動作点ドリフトが生じた場合における動作
特性曲線及び出力光信号波形を表している。符号５８は
入力信号（駆動電圧）の波形である。
れ動作点ドリフトが生じていない場合における動作特性
曲線及び出力光信号波形を表しており、符号５４及び５
６はそれぞれ動作点ドリフトが生じた場合における動作
特性曲線及び出力光信号波形を表している。符号５８は
入力信号（駆動電圧）の波形である。
【００３９】動作特性曲線は、光パワー（例えば図３の
出力ビームＯＢのトータルパワー）が電圧の増加に対し
て周期的に増減するものとして表される。従って、入力
信号の各論理値に対応して光パワーの極小値及び極大値
がそれぞれ得られる電圧Ｖ0及びＶ1 を用いて前述の結
合モードと漏洩モードの有効な切り換えを行なうことに
よって、効率的な２値変調を行なうことができる。
出力ビームＯＢのトータルパワー）が電圧の増加に対し
て周期的に増減するものとして表される。従って、入力
信号の各論理値に対応して光パワーの極小値及び極大値
がそれぞれ得られる電圧Ｖ0及びＶ1 を用いて前述の結
合モードと漏洩モードの有効な切り換えを行なうことに
よって、効率的な２値変調を行なうことができる。
【００４０】動作点ドリフトが生じたときに、電圧Ｖ0
及びＶ1 が一定であると、動作特性曲線の周期性により
符号５６で示されるように出力光信号の消光比が劣化す
る。従って、動作点ドリフトが生じたときにそのドリフ
ト量をｄＶとすると、電圧Ｖ 0 及びＶ1 をそれぞれ（Ｖ
0 ＋ｄＶ）及び（Ｖ1 ＋ｄＶ）として動作点ドリフトを
補償することが要求される。
及びＶ1 が一定であると、動作特性曲線の周期性により
符号５６で示されるように出力光信号の消光比が劣化す
る。従って、動作点ドリフトが生じたときにそのドリフ
ト量をｄＶとすると、電圧Ｖ 0 及びＶ1 をそれぞれ（Ｖ
0 ＋ｄＶ）及び（Ｖ1 ＋ｄＶ）として動作点ドリフトを
補償することが要求される。
【００４１】本発明では、動作点ドリフトの安定化制御
に漏洩ビームのモニタリングを適用することができる。
図６を参照すると図２の変調器チップの動作特性が示さ
れている。与えられた任意の電圧に対して出力ビームＯ
Ｂの光パワーと漏洩ビームＬＢの光パワーの和は一定で
ある。即ち、出力ビームＯＢと漏洩ビームＬＢは互いに
相補の関係にある。
に漏洩ビームのモニタリングを適用することができる。
図６を参照すると図２の変調器チップの動作特性が示さ
れている。与えられた任意の電圧に対して出力ビームＯ
Ｂの光パワーと漏洩ビームＬＢの光パワーの和は一定で
ある。即ち、出力ビームＯＢと漏洩ビームＬＢは互いに
相補の関係にある。
【００４２】従って、図２の変調器チップが動作してい
る状態においては、出力ビームＯＢの平均光パワーは漏
洩ビームＬＢの平均光パワーに反映されるのである。図
７を参照すると、本発明の光変調器モジュール６０を有
する光送信機が示されている。レーザダイオードモジュ
ール等の光源６０からの一定強度のキャリア光が入力ポ
ート２に供給される。
る状態においては、出力ビームＯＢの平均光パワーは漏
洩ビームＬＢの平均光パワーに反映されるのである。図
７を参照すると、本発明の光変調器モジュール６０を有
する光送信機が示されている。レーザダイオードモジュ
ール等の光源６０からの一定強度のキャリア光が入力ポ
ート２に供給される。
【００４３】変調回路６２は、入力信号の論理レベルに
対応して出力ポート４から出力する光がオン／オフする
ような位相変化が光パス３２及び３４（図２参照）の導
波光に与えられるように、高速の駆動電圧信号（変調信
号）をキャパシタ６４を介してコネクタ１２に供給す
る。
対応して出力ポート４から出力する光がオン／オフする
ような位相変化が光パス３２及び３４（図２参照）の導
波光に与えられるように、高速の駆動電圧信号（変調信
号）をキャパシタ６４を介してコネクタ１２に供給す
る。
【００４４】動作点制御回路６６は、漏洩ビームのパワ
ーに対応するコネクタ１６の出力信号を受け、この出力
信号に基づき動作点ドリフトを検出して、図５により説
明した原理に従って動作点が動作特性曲線に対して一定
の関係を有するような位相変化がパス３２及び３４の導
波光に与えられるように、制御された直流のバイアス電
圧を発生する。バイアス電圧はインダクタ６８を介して
コネクタ１４に与えられる。コネクタ１４を高周波的に
終端するために、キャパシタ７０及び終端抵抗７２が直
列でコネクタ１４に接続される。
ーに対応するコネクタ１６の出力信号を受け、この出力
信号に基づき動作点ドリフトを検出して、図５により説
明した原理に従って動作点が動作特性曲線に対して一定
の関係を有するような位相変化がパス３２及び３４の導
波光に与えられるように、制御された直流のバイアス電
圧を発生する。バイアス電圧はインダクタ６８を介して
コネクタ１４に与えられる。コネクタ１４を高周波的に
終端するために、キャパシタ７０及び終端抵抗７２が直
列でコネクタ１４に接続される。
【００４５】この光送信機においては、光変調器６０の
動作点が常に最適に安定化されるので、動作点ドリフト
に起因する出力波形の劣化或いは出力波形の反転を防止
して伝送品質を向上させることができる。
動作点が常に最適に安定化されるので、動作点ドリフト
に起因する出力波形の劣化或いは出力波形の反転を防止
して伝送品質を向上させることができる。
【００４６】尚、動作点制御回路６６は、例えば、発振
器からの低周波信号を高速の変調信号に重畳する手段
と、低周波信号を参照信号としてコネクタ１６の出力信
号を同期検波する手段と、同期検波の結果得られたＤＣ
信号が一定になるようにバイアス電圧を制御する手段と
から構成することができる。
器からの低周波信号を高速の変調信号に重畳する手段
と、低周波信号を参照信号としてコネクタ１６の出力信
号を同期検波する手段と、同期検波の結果得られたＤＣ
信号が一定になるようにバイアス電圧を制御する手段と
から構成することができる。
【００４７】図８を参照すると、本発明による漏洩ビー
ムのモニタリングの第２実施形態が示されている。この
実施形態は、図４の第１実施形態と対比して、コモンレ
ンズ４２に代えてアレイレンズ７４が用いられている点
で特徴づけられる。
ムのモニタリングの第２実施形態が示されている。この
実施形態は、図４の第１実施形態と対比して、コモンレ
ンズ４２に代えてアレイレンズ７４が用いられている点
で特徴づけられる。
【００４８】アレイレンズ７４はパッケージの開口６Ａ
と誘電体チップ２０との間に設けられており、その上部
及び下部にそれぞれレンズエレメント７６及び７８を一
体に有している。
と誘電体チップ２０との間に設けられており、その上部
及び下部にそれぞれレンズエレメント７６及び７８を一
体に有している。
【００４９】出力ビームＯＢはレンズエレメント７６に
より集束されて窓部材４０を透過し、漏洩ビームＬＢは
レンズエレメント７８により集束されてフォトディテク
タ４８の受光面４８Ａに入射する。
より集束されて窓部材４０を透過し、漏洩ビームＬＢは
レンズエレメント７８により集束されてフォトディテク
タ４８の受光面４８Ａに入射する。
【００５０】フォトディテクタ４８は、パッケージ６の
内面の開口６Ａの下方にセラミック基板４６を介して固
定されている。このようなアレイレンズ７４の採用によ
り、図４の第１実施形態と対比して、出力ビームＯＢの
光軸と漏洩ビームＬＢの光軸とが開口６Ａと誘電体チッ
プ２０との間で交差しなくなり光軸同士ほぼ平行になる
ので、開口６Ａの下方に位置するフォトディテクタ４８
により漏洩ビームＬＢの一部又は全部を受けることがで
きる。
内面の開口６Ａの下方にセラミック基板４６を介して固
定されている。このようなアレイレンズ７４の採用によ
り、図４の第１実施形態と対比して、出力ビームＯＢの
光軸と漏洩ビームＬＢの光軸とが開口６Ａと誘電体チッ
プ２０との間で交差しなくなり光軸同士ほぼ平行になる
ので、開口６Ａの下方に位置するフォトディテクタ４８
により漏洩ビームＬＢの一部又は全部を受けることがで
きる。
【００５１】尚、アレイレンズ７４は例えばプレスによ
り作製される複数の非球面レンズを有している。図９を
参照すると、本発明による漏洩ビームのモニタリングの
第３実施形態が示されている。ここでは、パッケージの
開口６Ａは第１及び第２実施形態と異なる形状の窓部材
８０により密閉されている。即ち、窓部材８０は漏洩ビ
ームＬＢの一部又は全部を反射させるための傾斜した反
射面８０Ａを有している。
り作製される複数の非球面レンズを有している。図９を
参照すると、本発明による漏洩ビームのモニタリングの
第３実施形態が示されている。ここでは、パッケージの
開口６Ａは第１及び第２実施形態と異なる形状の窓部材
８０により密閉されている。即ち、窓部材８０は漏洩ビ
ームＬＢの一部又は全部を反射させるための傾斜した反
射面８０Ａを有している。
【００５２】図示された例では、反射面８０Ａは窓部材
８０の外側に形成されているが、内側に形成されていて
もよい。フォトディテクタ４８は受光面４８Ａが誘電体
チップ２０の端面２０Ａと反対側を向くように端面２０
Ａ上にセラミック基板４６を介して固定されている。
８０の外側に形成されているが、内側に形成されていて
もよい。フォトディテクタ４８は受光面４８Ａが誘電体
チップ２０の端面２０Ａと反対側を向くように端面２０
Ａ上にセラミック基板４６を介して固定されている。
【００５３】この実施形態では、漏洩ビームＬＢを集束
させるためのレンズが用いられていない。しかし、一般
にフォトディテクタ４８の受光面４８Ａは例えば数百μ
ｍの直径を有しているので、Ｙ部３０（図２及び図３参
照）と誘電体チップ２０の端面２０Ａとの相対的な位置
関係を調整して漏洩ビームＬＢの開口（放射の立体角）
を小さくすることによって、漏洩ビームＬＢの大部分を
フォトディテクタ４８で受けることができる。
させるためのレンズが用いられていない。しかし、一般
にフォトディテクタ４８の受光面４８Ａは例えば数百μ
ｍの直径を有しているので、Ｙ部３０（図２及び図３参
照）と誘電体チップ２０の端面２０Ａとの相対的な位置
関係を調整して漏洩ビームＬＢの開口（放射の立体角）
を小さくすることによって、漏洩ビームＬＢの大部分を
フォトディテクタ４８で受けることができる。
【００５４】また、フォトディテクタ４８は受光面４８
Ａが誘電体チップ２０の端面２０Ａと反対側を向くよう
に設けられているので、フォトディテクタ４８及びセラ
ミック基板４６を誘電体チップ２０に固着するに際して
端面２０Ａの傷等を考慮する必要がないので、製造歩留
りが向上する。
Ａが誘電体チップ２０の端面２０Ａと反対側を向くよう
に設けられているので、フォトディテクタ４８及びセラ
ミック基板４６を誘電体チップ２０に固着するに際して
端面２０Ａの傷等を考慮する必要がないので、製造歩留
りが向上する。
【００５５】この実施形態では、出力ビームＯＢを集束
させるためのレンズがハウジング６の内部に設けられて
いないので、そのレンズは図１のファイバアセンブリ１
０内に設けることができる。
させるためのレンズがハウジング６の内部に設けられて
いないので、そのレンズは図１のファイバアセンブリ１
０内に設けることができる。
【００５６】図１０を参照すると、本発明による漏洩ビ
ームのモニタリングの第４実施形態が示されている。窓
部材４０は第１及び第２実施形態におけるものと同じで
ある。
ームのモニタリングの第４実施形態が示されている。窓
部材４０は第１及び第２実施形態におけるものと同じで
ある。
【００５７】漏洩ビームＬＢの一部又は全部を反射させ
るために、開口６Ａに沿ってパッケージ６の内面にリン
グ部材８２が固着されている。リング部材８２は概略円
錐形の一部をなす反射面８２Ａを誘電体チップ２０の側
に有している。
るために、開口６Ａに沿ってパッケージ６の内面にリン
グ部材８２が固着されている。リング部材８２は概略円
錐形の一部をなす反射面８２Ａを誘電体チップ２０の側
に有している。
【００５８】出力ビームＯＢはリング部材８２の内側を
通って窓部材４０を透過し、漏洩ビームＬＢの一部又は
全部は反射面８２Ａで反射してフォトディテクタ４８の
受光面４８Ａに入射する。フォトディテクタ４８の配置
形態は第３実施形態と同じである。
通って窓部材４０を透過し、漏洩ビームＬＢの一部又は
全部は反射面８２Ａで反射してフォトディテクタ４８の
受光面４８Ａに入射する。フォトディテクタ４８の配置
形態は第３実施形態と同じである。
【００５９】この実施形態によっても誘電体チップ２０
の端面２０Ａと反対側を向く受光面４８Ａにより漏洩ビ
ームＬＢの一部又は全部を受けることができるので、製
造歩留りが向上する。また、リング部材８２は金属に対
する通常の加工方法により高精度に作製することがで
き、リング部材８２のパッケージ６への固着も容易に行
なうことができるので、このモジュールの製造は極めて
容易である。
の端面２０Ａと反対側を向く受光面４８Ａにより漏洩ビ
ームＬＢの一部又は全部を受けることができるので、製
造歩留りが向上する。また、リング部材８２は金属に対
する通常の加工方法により高精度に作製することがで
き、リング部材８２のパッケージ６への固着も容易に行
なうことができるので、このモジュールの製造は極めて
容易である。
【００６０】反射面８２Ａはリング部材８２の表面の研
磨によって得ることもできるが、全反射膜の蒸着によっ
て得てもよい。図１１を参照すると、本発明による漏洩
ビームのモニタリングの第５実施形態が示されている。
ここでは、パッケージの開口６Ａには、上部がパッケー
ジ６の内部に傾斜した窓部材８４が設けられている。
磨によって得ることもできるが、全反射膜の蒸着によっ
て得てもよい。図１１を参照すると、本発明による漏洩
ビームのモニタリングの第５実施形態が示されている。
ここでは、パッケージの開口６Ａには、上部がパッケー
ジ６の内部に傾斜した窓部材８４が設けられている。
【００６１】窓部材８４には特定の偏光面を有するビー
ムを反射させるための光学膜８６が積層されている。光
学膜８６は図示された例では窓部材８４の内側に積層さ
れているが、外側に積層されていてもよい。
ムを反射させるための光学膜８６が積層されている。光
学膜８６は図示された例では窓部材８４の内側に積層さ
れているが、外側に積層されていてもよい。
【００６２】一般に、誘電体チップ２０の上面に電極３
６及び３８（図２参照）を形成して、光導波構造２２に
図１１の上下方向に電界を印加する場合、出力ビームＯ
Ｂ及び漏洩ビームＬＢの各々は、図１１の紙面に平行な
偏光面を有するＴＭ偏光となっている。
６及び３８（図２参照）を形成して、光導波構造２２に
図１１の上下方向に電界を印加する場合、出力ビームＯ
Ｂ及び漏洩ビームＬＢの各々は、図１１の紙面に平行な
偏光面を有するＴＭ偏光となっている。
【００６３】この実施形態では、漏洩ビームＬＢだけを
紙面に垂直な偏光面を有するＴＥ偏光に変換するため
に、誘電体チップ２０の端面２０Ａ上に１／２波長板８
８を固着している。
紙面に垂直な偏光面を有するＴＥ偏光に変換するため
に、誘電体チップ２０の端面２０Ａ上に１／２波長板８
８を固着している。
【００６４】そして、光学膜８６はＴＭ偏光を透過さ
せ、ＴＥ偏光を反射させる特性を有している。従って、
出力ビームＯＢは光学膜８６及び窓部材８４を透過し、
漏洩ビームＬＢは光学膜８６で反射する。反射した漏洩
ビームＬＢの一部又は全部はフォトディテクタ４８の受
光面４８Ａに入射する。
せ、ＴＥ偏光を反射させる特性を有している。従って、
出力ビームＯＢは光学膜８６及び窓部材８４を透過し、
漏洩ビームＬＢは光学膜８６で反射する。反射した漏洩
ビームＬＢの一部又は全部はフォトディテクタ４８の受
光面４８Ａに入射する。
【００６５】フォトディテクタ４８は、受光面４８Ａが
誘電体チップ２０の端面２０Ａと反対側を向くようにセ
ラミック基板４６を介して端面２０Ａに固定されてい
る。この実施形態においても、フォトディテクタ４８の
受光面４８Ａが誘電体チップ２０の端面２０Ａと反対側
を向くようにされているので、製造歩留りが向上する。
誘電体チップ２０の端面２０Ａと反対側を向くようにセ
ラミック基板４６を介して端面２０Ａに固定されてい
る。この実施形態においても、フォトディテクタ４８の
受光面４８Ａが誘電体チップ２０の端面２０Ａと反対側
を向くようにされているので、製造歩留りが向上する。
【００６６】図１２を参照すると、本発明による漏洩ビ
ームのモニタリングの第６実施形態が示されている。こ
こでは、漏洩ビームＬＢのビームパラメータを変換する
手段は、出力ビームＯＢ及び漏洩ビームＬＢのいずれか
一方の偏光面を９０°回転させる旋光手段と、漏洩ビー
ムＬＢの光路を出力ビームＯＢの光路から分離するため
の複屈折結晶９２とを含む。
ームのモニタリングの第６実施形態が示されている。こ
こでは、漏洩ビームＬＢのビームパラメータを変換する
手段は、出力ビームＯＢ及び漏洩ビームＬＢのいずれか
一方の偏光面を９０°回転させる旋光手段と、漏洩ビー
ムＬＢの光路を出力ビームＯＢの光路から分離するため
の複屈折結晶９２とを含む。
【００６７】具体的には、旋光手段は誘電体チップ２０
の端面２０Ａに固着される１／２波長板９０からなり、
複屈折結晶９２は、１／２波長板９０を通過した漏洩ビ
ームＬＢが常光線及び異常光線のいずれか一方になるよ
うに配置される。
の端面２０Ａに固着される１／２波長板９０からなり、
複屈折結晶９２は、１／２波長板９０を通過した漏洩ビ
ームＬＢが常光線及び異常光線のいずれか一方になるよ
うに配置される。
【００６８】この実施形態では、複屈折結晶９２の材質
はルチルであり、漏洩ビームＬＢは１／２波長板９０に
よりＴＥ偏光に変換され、複屈折結晶９２において異常
光線として出力ビームＯＢから下方向に分離される。こ
の実施形態によると、出力ビームＯＢと漏洩ビームＬＢ
との間の距離を拡大することができるので、容易に漏洩
ビームＬＢのモニタリングを行なうことができる。
はルチルであり、漏洩ビームＬＢは１／２波長板９０に
よりＴＥ偏光に変換され、複屈折結晶９２において異常
光線として出力ビームＯＢから下方向に分離される。こ
の実施形態によると、出力ビームＯＢと漏洩ビームＬＢ
との間の距離を拡大することができるので、容易に漏洩
ビームＬＢのモニタリングを行なうことができる。
【００６９】各ビームの偏光方向等の適切な設定によっ
て出力ビームＯＢと漏洩ビームＬＢとが水平方向に分離
されるようにしてもよい。
て出力ビームＯＢと漏洩ビームＬＢとが水平方向に分離
されるようにしてもよい。
【００７０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
漏洩ビームによる光パワーのモニタリングを可能にする
製造性に優れた光変調器モジュールの提供が可能になる
という効果が生じる。
漏洩ビームによる光パワーのモニタリングを可能にする
製造性に優れた光変調器モジュールの提供が可能になる
という効果が生じる。
【００７１】また、本発明の特定の実施形態によると、
漏洩ビームのモニタリングにより光変調器の動作点の安
定化が可能になるという効果もある。
漏洩ビームのモニタリングにより光変調器の動作点の安
定化が可能になるという効果もある。
【図１】本発明が適用される光変調器モジュールの外観
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】図１のモジュールに内蔵される変調器チップの
平面図である。
平面図である。
【図３】漏洩ビームを説明するための変調器チップの破
断斜視図である。
断斜視図である。
【図４】本発明による漏洩ビームのモニタリングの第１
実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図であ
る。
実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図であ
る。
【図５】動作点ドリフトの説明図である。
【図６】変調器チップの動作特性を示す図である。
【図７】本発明の光変調器モジュールが適用される光送
信機のブロック図である。
信機のブロック図である。
【図８】本発明による漏洩ビームのモニタリングの第２
実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図であ
る。
実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図であ
る。
【図９】本発明による漏洩ビームのモニタリングの第３
実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図であ
る。
実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図であ
る。
【図１０】本発明による漏洩ビームのモニタリングの第
４実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図であ
る。
４実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図であ
る。
【図１１】本発明による漏洩ビームのモニタリングの第
５実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図であ
る。
５実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図であ
る。
【図１２】本発明による漏洩ビームのモニタリングの第
６実施形態を示す光変調器モジュールの主要部の部分斜
視図である。
６実施形態を示す光変調器モジュールの主要部の部分斜
視図である。
２ 入力ポート ４ 出力ポート ６ パッケージ １２，１４，１６ コネクタ ２０ 誘電体チップ ２２ 光導波構造 ２８ 第１Ｙ部 ３０ 第２Ｙ部 ３２ 第１パス ３４ 第２パス ３６ 信号電極 ３８ 接地電極 ４２ コモンレンズ ７４ アレイレンズ ８２ リング部材 ８８，９０ １／２波長板 ９２ 複屈折結晶 ＯＢ 出力ビーム ＬＢ 漏洩ビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大谷 俊博 北海道札幌市中央区北一条西２丁目１番地 富士通北海道ディジタル・テクノロジ株 式会社内 (72)発明者 久保田 嘉伸 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 大森 康弘 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内
Claims (18)
- 【請求項１】 入力ポートが受けた光を変調して変調さ
れた光を出力ポートから出力する光変調器モジュールで
あって、 上記入力ポート及び出力ポートにそれぞれ動作的に接続
される第１端及び第２端と該第１端及び第２端にそれぞ
れ接続される第１Ｙ部及び第２Ｙ部と該第１Ｙ部及び第
２Ｙ部の間に接続される第１パス及び第２パスとを有す
る光導波構造と、 上記第２Ｙ部を通過する光が上記第２端に供給される結
合モードと上記通過する光が上記光導波構造からそれて
漏洩ビームを生じさせる漏洩モードとを切り換えてそれ
により上記変調された光が上記第２端から出力されるよ
うに上記第１パス及び第２パスの少なくともいずれか一
方に電界を印加するための駆動手段と、 上記漏洩ビームを受ける受光面を有するフォトディテク
タと、 上記受光面が上記光導波構造に密着しないように上記漏
洩ビームのビームパラメータを変換する手段とを備えた
光変調器モジュール。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光変調器モジュールで
あって、 上記光導波構造は誘電体チップにより提供され、 上記駆動手段は上記誘電体チップ上で上記第１及び第２
パスにそれぞれ並設される第１及び第２の電極を含む光
変調器モジュール。 - 【請求項３】 請求項２に記載の光変調器モジュールで
あって、 上記第１及び第２の電極に動作的に接続され上記結合モ
ードと上記漏洩モードの有効な切換がなされるように上
記フォトディテクタの出力信号に基づき動作点を制御す
る手段を更に備えた光変調器モジュール。 - 【請求項４】 請求項２に記載の光変調器モジュールで
あって、 上記誘電体チップはリチウムナイオベートからなる光変
調器モジュール。 - 【請求項５】 請求項２に記載の光変調器モジュールで
あって、 上記誘電体チップは上記第２端と実質的に同一平面上の
端面を有し、上記漏洩ビームは上記端面から放射され、 上記第２端に対向する開口を有し上記誘電体チップがそ
の内部に収容されるパッケージを更に備えた光変調器モ
ジュール。 - 【請求項６】 請求項５に記載の光変調器モジュールで
あって、 上記変換する手段は上記誘電体チップと上記開口の間に
設けられるコモンレンズを含み、 上記第２端からの上記変調された光は上記コモンレンズ
により集束されて上記開口を通過し、 上記漏洩ビームは上記コモンレンズにより集束されて上
記受光面に入射する光変調器モジュール。 - 【請求項７】 請求項６に記載の光変調器モジュールで
あって、 上記フォトディテクタは上記受光面が上記開口の上部に
位置するように設けられる光変調器モジュール。 - 【請求項８】 請求項５に記載の光変調器モジュールで
あって、 上記変換する手段は上記誘電体チップと上記開口の間に
設けられ第１及び第２のレンズエレメントを有するアレ
イレンズを含み、 上記第２端からの上記変調された光は上記第１のレンズ
エレメントにより集束されて上記開口を通過し、 上記漏洩ビームは上記第２のレンズエレメントにより集
束されて上記受光面に入射する光変調器モジュール。 - 【請求項９】 請求項８に記載の光変調器モジュールで
あって、 上記フォトディテクタは上記受光面が上記開口の下部に
位置するように設けられる光変調器モジュール。 - 【請求項１０】 請求項５に記載の光変調器モジュール
であって、 上記フォトディテクタが固着される第１面及び上記パッ
ケージ又は上記誘電体チップに固着される第２面を有す
るセラミック基板を更に備えた光変調器モジュール。 - 【請求項１１】 請求項５に記載の光変調器モジュール
であって、 上記変換する手段は上記開口を封止するための窓部材を
含み、 該窓部材は上記第２端からの上記変調された光を透過さ
せる第１面と上記漏洩ビームを反射させる第２面とを有
している光変調器モジュール。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の光変調器モジュー
ルであって、 上記フォトディテクタは上記受光面が上記誘電体チップ
の端面と反対側を向くように設けられる光変調器モジュ
ール。 - 【請求項１３】 請求項５に記載の光変調器モジュール
であって、 上記変換する手段は上記開口に沿って上記パッケージに
固着されるリング部材を含み、 該リング部材は概略円錐形の一部をなす反射面を有して
おり、 上記第２端からの上記変調された光は上記リング部材の
内側及び上記開口を通過し、 上記漏洩ビームは上記反射面で反射して上記受光面に入
射する光変調器モジュール。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の光変調器モジュー
ルであって、 上記フォトディテクタは上記受光面が上記誘電体チップ
の端面と反対側を向くように設けられる光変調器モジュ
ール。 - 【請求項１５】 請求項５に記載の光変調器モジュール
であって、 上記開口を封止するための窓部材を更に備え、 上記変換する手段は、上記誘電体チップの端面に固着さ
れ上記漏洩ビームの偏光面を９０°回転させる１／２波
長板と、上記窓部材に積層された光学膜とを含み、 上記漏洩ビームは上記光学膜で反射して上記受光面に入
射する光変調器モジュール。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載の光変調器モジュー
ルであって、 上記フォトディテクタは上記受光面が上記誘電体チップ
の端面と反対側を向くように設けられる光変調器モジュ
ール。 - 【請求項１７】 請求項１に記載の光変調器モジュール
であって、 上記変換する手段は、上記変調された光及び上記漏洩ビ
ームのいずれか一方の偏光面を９０°回転させる旋光手
段と、上記漏洩ビームの光路を上記変調された光の光路
から分離するための複屈折結晶とを含む光変調器モジュ
ール。 - 【請求項１８】 請求項１７に記載の光変調器モジュー
ルであって、 上記光導波構造は上記第２端と実質的に同一平面上の端
面を有する誘電体チップにより提供され、 上記漏洩ビームは上記端面から放射され、 上記旋光手段は上記端面に固着される１／２波長板から
なり、 上記複屈折結晶は上記１／２波長板を通過した上記漏洩
ビームが常光線及び異常光線のいずれか一方になるよう
に配置される光変調器モジュール。
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