JPH06301933A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH06301933A JPH06301933A JP5092788A JP9278893A JPH06301933A JP H06301933 A JPH06301933 A JP H06301933A JP 5092788 A JP5092788 A JP 5092788A JP 9278893 A JP9278893 A JP 9278893A JP H06301933 A JPH06301933 A JP H06301933A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- thin film
- layer
- magnetic head
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁
気ヘッドに関するもので、検出電流およびバイアス電流
等による磁気抵抗効果素子の温度上昇を抑制し、故に熱
摺動ノイズを抑制し、結果としてノイズの抑制、デジタ
ル記録においては誤り率の増加を抑制することを目的と
する。 【構成】 磁気媒体との対接面に所要の磁気ギャップを
有する磁気回路と、該磁気回路に設けられた上記磁気ギ
ャップとは別の不連続部に磁気的に結合されて配された
ＭＲ素子３と、該ＭＲ素子３にバイアス磁場を与える電
流手段７とを有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにお
いて、該上記ＭＲ素子３の近傍に絶縁層２を介して非磁
性の熱良導体１３の薄膜を設ける。
気ヘッドに関するもので、検出電流およびバイアス電流
等による磁気抵抗効果素子の温度上昇を抑制し、故に熱
摺動ノイズを抑制し、結果としてノイズの抑制、デジタ
ル記録においては誤り率の増加を抑制することを目的と
する。 【構成】 磁気媒体との対接面に所要の磁気ギャップを
有する磁気回路と、該磁気回路に設けられた上記磁気ギ
ャップとは別の不連続部に磁気的に結合されて配された
ＭＲ素子３と、該ＭＲ素子３にバイアス磁場を与える電
流手段７とを有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにお
いて、該上記ＭＲ素子３の近傍に絶縁層２を介して非磁
性の熱良導体１３の薄膜を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果（以下Ｍ
Ｒという）素子が用いられて成る磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッド（ＭＲ型薄膜磁気ヘッド）に関する。
Ｒという）素子が用いられて成る磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッド（ＭＲ型薄膜磁気ヘッド）に関する。
【０００２】
【従来の技術】（図２）は、ＭＲ型薄膜磁気ヘッドの要
部の拡大断面図を示す。図示のＭＲ型薄膜磁気ヘッド
は、ＭＲ素子が磁気媒体との対接面より後退した位置に
あるリア型のＭＲ型薄膜磁気ヘッドである。このリア型
薄膜磁気ヘッドは、例えばＺｎフェライトやチタン酸バ
リウムなどの非磁性基板を用いる場合にはＳｉＯ2等か
らなる絶縁層を介して設けられている。基板１の表面に
成膜したＳｉＯ2等の絶縁層２の表面をラッピングによ
り表面を平滑にし、その上に例えばＮｉ−Ｆｅ系合金、
Ｎｉ−Ｃｏ系合金薄膜等より成るＭＲ素子３が被着され
る。このＭＲ素子の上に同様の絶縁層４が被着され、こ
の絶縁層を介してＭＲ素子を横切る方向に延長して磁気
回路を構成する対の磁気コアとなる下部磁性層５１、５
２が、例えばＮｉ−Ｆｅ系合金層やＣｏ系アモルファス
合金によって形成される。
部の拡大断面図を示す。図示のＭＲ型薄膜磁気ヘッド
は、ＭＲ素子が磁気媒体との対接面より後退した位置に
あるリア型のＭＲ型薄膜磁気ヘッドである。このリア型
薄膜磁気ヘッドは、例えばＺｎフェライトやチタン酸バ
リウムなどの非磁性基板を用いる場合にはＳｉＯ2等か
らなる絶縁層を介して設けられている。基板１の表面に
成膜したＳｉＯ2等の絶縁層２の表面をラッピングによ
り表面を平滑にし、その上に例えばＮｉ−Ｆｅ系合金、
Ｎｉ−Ｃｏ系合金薄膜等より成るＭＲ素子３が被着され
る。このＭＲ素子の上に同様の絶縁層４が被着され、こ
の絶縁層を介してＭＲ素子を横切る方向に延長して磁気
回路を構成する対の磁気コアとなる下部磁性層５１、５
２が、例えばＮｉ−Ｆｅ系合金層やＣｏ系アモルファス
合金によって形成される。
【０００３】さらにその上に同様の絶縁層６が被着さ
れ、この絶縁層を介して、被着された例えば帯状導電層
より成り、前述したＭＲ素子に対してバイアス磁界を供
給するための通電によって磁界を発生するバイアス磁界
発生用の電流手段７が設けられる。さらにこの電流手段
の上に同様の絶縁層８が被着され、この絶縁層８を介し
て、磁気回路を構成する磁気コアとなる上部磁性層９
が、下部磁性層５１、５２と同様に例えばＮｉ−Ｆｅ系
合金層やＣｏ系アモルファス合金によって形成される。
れ、この絶縁層を介して、被着された例えば帯状導電層
より成り、前述したＭＲ素子に対してバイアス磁界を供
給するための通電によって磁界を発生するバイアス磁界
発生用の電流手段７が設けられる。さらにこの電流手段
の上に同様の絶縁層８が被着され、この絶縁層８を介し
て、磁気回路を構成する磁気コアとなる上部磁性層９
が、下部磁性層５１、５２と同様に例えばＮｉ−Ｆｅ系
合金層やＣｏ系アモルファス合金によって形成される。
【０００４】この場合上部磁性層の前方端は、下部磁性
層５１の前方端と、所要の厚さを有する非磁性のギャッ
プスペーサ層１０を介して延在し、この上部磁性層９と
下部磁性層５１との間にギャップスペーサ層１０の厚さ
によってそのギャップ長が規制される磁気ギャップｇが
形成され、この磁気ギャップｇが磁気媒体との対接面に
臨むように構成される。他方、上部磁性層９の後端は、
もう下部磁性層５２の後端と、例えば直接的に接触する
ようにして両者が磁気的に密に結合するようになされ
る。また、ＭＲ素子３と磁気的に結合する下部磁性層の
前部層５１と後部層５２とは所要の間隔Ｗを保持して対
向するようになされ、両者間に磁気回路の不連続部が構
成するようになされる。この場合、この不連続部内に磁
気的にＭＲ素子３が配置され、この素子によって磁気的
に不連続部が連結するようにする。
層５１の前方端と、所要の厚さを有する非磁性のギャッ
プスペーサ層１０を介して延在し、この上部磁性層９と
下部磁性層５１との間にギャップスペーサ層１０の厚さ
によってそのギャップ長が規制される磁気ギャップｇが
形成され、この磁気ギャップｇが磁気媒体との対接面に
臨むように構成される。他方、上部磁性層９の後端は、
もう下部磁性層５２の後端と、例えば直接的に接触する
ようにして両者が磁気的に密に結合するようになされ
る。また、ＭＲ素子３と磁気的に結合する下部磁性層の
前部層５１と後部層５２とは所要の間隔Ｗを保持して対
向するようになされ、両者間に磁気回路の不連続部が構
成するようになされる。この場合、この不連続部内に磁
気的にＭＲ素子３が配置され、この素子によって磁気的
に不連続部が連結するようにする。
【０００５】このため、下部磁性層の前部磁性層５１と
後部磁性層５２は、ＭＲ素子３上に絶縁層４を介してま
たがるようになされ、絶縁層４の厚さが薄くされること
によって、下部磁性層５１、５２のそれぞれがＭＲ素子
３と磁気的に結合するようにする。このようにして、下
部磁性層（前部磁性層）５１−磁気ギャップｇ−上部磁
性層９−下部磁性層（後部磁性層）５２−ＭＲ素子３−
下部磁性層（前部磁性層）５１の閉回路が構成される。
後部磁性層５２は、ＭＲ素子３上に絶縁層４を介してま
たがるようになされ、絶縁層４の厚さが薄くされること
によって、下部磁性層５１、５２のそれぞれがＭＲ素子
３と磁気的に結合するようにする。このようにして、下
部磁性層（前部磁性層）５１−磁気ギャップｇ−上部磁
性層９−下部磁性層（後部磁性層）５２−ＭＲ素子３−
下部磁性層（前部磁性層）５１の閉回路が構成される。
【０００６】このようにして、磁気ギャップｇと、ＭＲ
素子３とが磁路中に設けられた磁気回路が構成された磁
気ヘッド素子が形成される。
素子３とが磁路中に設けられた磁気回路が構成された磁
気ヘッド素子が形成される。
【０００７】なお、実際上はこの上部磁性層９の上に、
磁気ヘッド全体を覆うような形で非磁性の絶縁性保護層
１１が設けられ、これの上に接着剤層によって保護基板
１２が接合されてＭＲ型の薄膜磁気ヘッドが構成され
る。
磁気ヘッド全体を覆うような形で非磁性の絶縁性保護層
１１が設けられ、これの上に接着剤層によって保護基板
１２が接合されてＭＲ型の薄膜磁気ヘッドが構成され
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このような構成による
ＭＲ型磁気ヘッドは、その対接面に対接する磁気媒体か
らの信号磁界が磁気ギャップｇより、磁気回路中のＭＲ
素子３中を通ずることによってその抵抗変化によって媒
体上の記録が検出される。この場合、ＭＲ素子３には、
その抵抗変化を検出するために、すなわち出力を取り出
すための電流（以下検出電流という）を通ずるととも
に、この場合、ＭＲ素子３において高い感度と直線性が
得られるようにＭＲ素子３に所要のバイアス磁場を与え
るために、電流手段７に所要の電流（以下バイアス電流
という）を通ずる。
ＭＲ型磁気ヘッドは、その対接面に対接する磁気媒体か
らの信号磁界が磁気ギャップｇより、磁気回路中のＭＲ
素子３中を通ずることによってその抵抗変化によって媒
体上の記録が検出される。この場合、ＭＲ素子３には、
その抵抗変化を検出するために、すなわち出力を取り出
すための電流（以下検出電流という）を通ずるととも
に、この場合、ＭＲ素子３において高い感度と直線性が
得られるようにＭＲ素子３に所要のバイアス磁場を与え
るために、電流手段７に所要の電流（以下バイアス電流
という）を通ずる。
【０００９】このような構成によるＭＲ型薄膜磁気ヘッ
ドにおいては、検出電流が大きいほど出力は大きくな
る。また、出力は、所定の検出電流においては、バイア
ス電流がある電流値になるまでは、バイアス電流ととも
に増加する特性を持つ。
ドにおいては、検出電流が大きいほど出力は大きくな
る。また、出力は、所定の検出電流においては、バイア
ス電流がある電流値になるまでは、バイアス電流ととも
に増加する特性を持つ。
【００１０】しかし、出力を大きく得るために、検出電
流やバイアス電流を増加させた場合、ＭＲ素子３や電流
手段７の有する電気抵抗のため発熱量も大きくなり、Ｍ
Ｒ素子３の温度が高くなる。
流やバイアス電流を増加させた場合、ＭＲ素子３や電流
手段７の有する電気抵抗のため発熱量も大きくなり、Ｍ
Ｒ素子３の温度が高くなる。
【００１１】ＭＲ素子３の温度上昇は、ＭＲ素子３の熱
摺動ノイズを発生させ、Ｓ／Ｎを低下させる結果とな
る。その結果、アナログ用ヘッドではノイズが多くな
り、デジタル用ヘッドにおいてもジッタ成分が大きくな
り誤り率が大きくなる。
摺動ノイズを発生させ、Ｓ／Ｎを低下させる結果とな
る。その結果、アナログ用ヘッドではノイズが多くな
り、デジタル用ヘッドにおいてもジッタ成分が大きくな
り誤り率が大きくなる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】このようなＭＲ素子の温
度上昇による熱摺動ノイズの発生を防ぐために、ＭＲ素
子近傍に絶縁層を介して非磁性の熱良導体薄膜を設け
る。
度上昇による熱摺動ノイズの発生を防ぐために、ＭＲ素
子近傍に絶縁層を介して非磁性の熱良導体薄膜を設け
る。
【００１３】
【作用】ＭＲ素子近傍に絶縁層を介して非磁性の熱良導
体の薄膜を設けることにより、検出電流及びバイアス電
流により発生した熱量、特に検出電流によってＭＲ素子
で発生した熱量が該熱良導体を通して発散させられ、Ｍ
Ｒ素子の温度上昇を抑制する。それによって、熱摺動ノ
イズの発生も抑制され、ノイズの増加及び誤り率の増加
が抑制される。
体の薄膜を設けることにより、検出電流及びバイアス電
流により発生した熱量、特に検出電流によってＭＲ素子
で発生した熱量が該熱良導体を通して発散させられ、Ｍ
Ｒ素子の温度上昇を抑制する。それによって、熱摺動ノ
イズの発生も抑制され、ノイズの増加及び誤り率の増加
が抑制される。
【００１４】
【実施例】以下、実施例について図を用いて説明する。
【００１５】（図１）は本発明のＭＲ型薄膜磁気ヘッド
の一実施例の断面図である。（図２）に示し、さらに上
述したような従来のＭＲ型薄膜磁気ヘッドのＭＲ素子の
基板側に絶縁層２を介して非磁性の熱良導体として銅の
薄膜１３をスパッタすることによって３μｍの厚みに成
膜したものである。
の一実施例の断面図である。（図２）に示し、さらに上
述したような従来のＭＲ型薄膜磁気ヘッドのＭＲ素子の
基板側に絶縁層２を介して非磁性の熱良導体として銅の
薄膜１３をスパッタすることによって３μｍの厚みに成
膜したものである。
【００１６】（図２）に示した従来例と比較して、実施
例による効果について示す。非磁性の熱良導体以外の形
状及び寸法はまったく同様に作製しその特性を比較し
た。
例による効果について示す。非磁性の熱良導体以外の形
状及び寸法はまったく同様に作製しその特性を比較し
た。
【００１７】評価は薄膜磁気ヘッドの磁気媒体との対接
面側から熱電対で測定したヘッド温度、さらに所定の検
出電流、バイアス電流におけるＳ／Ｎ及び誤り率を測定
することにより行った（Ｓ／Ｎは従来例を０ｄＢとして
相対値で表した）。
面側から熱電対で測定したヘッド温度、さらに所定の検
出電流、バイアス電流におけるＳ／Ｎ及び誤り率を測定
することにより行った（Ｓ／Ｎは従来例を０ｄＢとして
相対値で表した）。
【００１８】結果は（表１）に示した。
【００１９】
【表１】
【００２０】明らかに、本発明による実施例の方がヘッ
ド温度が低く、さらにＳ／Ｎ、誤り率のいずれをとって
も優れた結果が得られている。
ド温度が低く、さらにＳ／Ｎ、誤り率のいずれをとって
も優れた結果が得られている。
【００２１】また、この温度比較は所定の検出電流及び
バイアス電流を流した時の磁気媒体との対接面で測定し
たものであり、ＭＲ素子近傍の温度はさらに高いものと
推察する。
バイアス電流を流した時の磁気媒体との対接面で測定し
たものであり、ＭＲ素子近傍の温度はさらに高いものと
推察する。
【００２２】これは、磁気コアの一方が磁性基板である
ような構造を有する薄膜磁気ヘッドにおいても同様の効
果が期待できる。ただし、この場合、上部磁気コアの後
端で下部コア（磁性基板）と接触する部分などには非磁
性の熱良導体が存在しないようにミリングなどで予め熱
良導体を除去しておく必要がある。
ような構造を有する薄膜磁気ヘッドにおいても同様の効
果が期待できる。ただし、この場合、上部磁気コアの後
端で下部コア（磁性基板）と接触する部分などには非磁
性の熱良導体が存在しないようにミリングなどで予め熱
良導体を除去しておく必要がある。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明によればＭＲ素子
等で発生した熱を効果的に発散させ、熱摺動ノイズを抑
制し、その結果Ｓ／Ｎの向上、誤り率の改善を実現する
ものである。
等で発生した熱を効果的に発散させ、熱摺動ノイズを抑
制し、その結果Ｓ／Ｎの向上、誤り率の改善を実現する
ものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＭＲ型薄膜磁気ヘッドの一実施例の略
線的拡大断面図
線的拡大断面図
【図２】従来のＭＲ型薄膜磁気ヘッドの一例の略線的拡
大断面図
大断面図
１ 非磁性基板 ２ 絶縁層 ３ ＭＲ素子 ４ 絶縁層 ５１ 下部磁性層（前部層） ５２ 下部磁性層（後部層） ６ 絶縁層 ７ 電流手段 ８ 絶縁層 ９ 上部磁性層 １０ ギャップスペーサ層 １１ 絶縁層 １２ カバー １３ 熱良導体
Claims (1)
- 【請求項１】磁気媒体との対接面に所要の磁気ギャップ
を有する磁気回路と、該磁気回路に設けられた上記磁気
ギャップとは別の不連続部に磁気的に結合されて配され
た磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子にバイアス
磁場を与える電流手段とを有する磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドにおいて、該上記磁気抵抗効果素子の近傍に絶
縁層を介して非磁性の熱良導体の薄膜を有することを特
徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5092788A JPH06301933A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5092788A JPH06301933A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06301933A true JPH06301933A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=14064164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5092788A Pending JPH06301933A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06301933A (ja) |
-
1993
- 1993-04-20 JP JP5092788A patent/JPH06301933A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3921217A (en) | Three-legged magnetic recording head using a magnetorestive element | |
| US3813692A (en) | Internally biased magnetoresistive magnetic transducer | |
| US4734644A (en) | Flux cancelling yoke type magnetic transducer head | |
| JPH0473201B2 (ja) | ||
| JPH0660330A (ja) | 高密度信号増幅を示すシールドされた２素子磁気抵抗再生ヘッド | |
| US5600518A (en) | Magnetoresistive head having a stepped magnetoresistive film element | |
| JP2505465B2 (ja) | ヨ−ク型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH064832A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド | |
| EP0482642B1 (en) | Composite magnetoresistive thin-film magnetic head | |
| JPH06301933A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JP2718242B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH04137212A (ja) | 磁気抵抗効果磁気ヘッド | |
| JP3285094B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの研磨方法 | |
| JP3521553B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH05151533A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘツド | |
| JPH10228610A (ja) | シールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド | |
| Giusti et al. | Design of high density dual stripe MR heads using a thermal transmission line model | |
| JP2747034B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP4010702B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| EP1184844A2 (en) | Shielded magnetic head and magnetic reproducing apparatus | |
| JP3578777B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 | |
| JPS5857810B2 (ja) | ジキヘツド | |
| JPH05182146A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0572642B2 (ja) | ||
| JPH0757221A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |