JPH0572642B2 - - Google Patents
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- JPH0572642B2 JPH0572642B2 JP9040084A JP9040084A JPH0572642B2 JP H0572642 B2 JPH0572642 B2 JP H0572642B2 JP 9040084 A JP9040084 A JP 9040084A JP 9040084 A JP9040084 A JP 9040084A JP H0572642 B2 JPH0572642 B2 JP H0572642B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気記憶媒体に書き込まれた磁気的情
報を、いわゆる磁気抵抗効果を利用して、読み出
しを行う強磁性磁気抵抗効果素子（以下、MR素
子と称す）を備えた磁気抵抗効果ヘツド（以下、
MRヘツドと称す）に関する。
報を、いわゆる磁気抵抗効果を利用して、読み出
しを行う強磁性磁気抵抗効果素子（以下、MR素
子と称す）を備えた磁気抵抗効果ヘツド（以下、
MRヘツドと称す）に関する。
（従来技術とその問題点）
近年、MRヘツドは、磁気記録における記録密
度の向上に大きく貢献するものとして注目されて
いる。
度の向上に大きく貢献するものとして注目されて
いる。
周知の如く、MR素子を磁気記憶媒体からの信
号磁界に対して、線形応答を呈する高効率の再生
ヘツドとして用いる場合には、MR素子に流すセ
ンス電流ＩとMR素子の磁化Ｍの成す角度を所定
の値に設定するバイアス手段が必要である。又、
記録密度の増大に対して、その最成分解能を高め
る手段も必要とされ種々の検討がなされている。
特に、高記録密度における再生分解能の低下は次
の様に説明されている。今、第１図に示すMR素
子１（長さＬ、幅ｈ、厚みtMのストライプ状に形
成され、長さＬ方向にセンス電流Ｉが供給され適
当なバイアス磁界によつて磁化ＭとΘbの角度を
成す）と磁気記憶媒体２の相対的位置関係におい
て、磁気記憶媒体２からの信号磁界HSは低記録
密度時においては、MR素子１の幅ｈ方向に充分
に印加され、MR素子１全体が抵抗変化に寄与し
大きい再生出力が得られる。しかし高記録密度時
には、MR素子１に充分な信号磁界HSが到達しえ
ず、抵抗変化に寄与するのは、磁気記憶媒体２に
最近接する領域のみとなり、大きく再生出力が低
下するとされている。更に、MR素子１の磁化Ｍ
のバイアス状態は一般に、幅ｈの中央部で最適と
なるように設定され（即ちΘb45度となる様に
設定されている）ているが、高記録密度時に最も
抵抗変化に寄与する、磁気記憶媒体２に最近接す
る領域では、MR素子１の幅ｈ方向の反磁界のた
め、理想的バイアス状態は実現されておらず（即
ちΘb≪45度）、再生感度を低下させていた。
号磁界に対して、線形応答を呈する高効率の再生
ヘツドとして用いる場合には、MR素子に流すセ
ンス電流ＩとMR素子の磁化Ｍの成す角度を所定
の値に設定するバイアス手段が必要である。又、
記録密度の増大に対して、その最成分解能を高め
る手段も必要とされ種々の検討がなされている。
特に、高記録密度における再生分解能の低下は次
の様に説明されている。今、第１図に示すMR素
子１（長さＬ、幅ｈ、厚みtMのストライプ状に形
成され、長さＬ方向にセンス電流Ｉが供給され適
当なバイアス磁界によつて磁化ＭとΘbの角度を
成す）と磁気記憶媒体２の相対的位置関係におい
て、磁気記憶媒体２からの信号磁界HSは低記録
密度時においては、MR素子１の幅ｈ方向に充分
に印加され、MR素子１全体が抵抗変化に寄与し
大きい再生出力が得られる。しかし高記録密度時
には、MR素子１に充分な信号磁界HSが到達しえ
ず、抵抗変化に寄与するのは、磁気記憶媒体２に
最近接する領域のみとなり、大きく再生出力が低
下するとされている。更に、MR素子１の磁化Ｍ
のバイアス状態は一般に、幅ｈの中央部で最適と
なるように設定され（即ちΘb45度となる様に
設定されている）ているが、高記録密度時に最も
抵抗変化に寄与する、磁気記憶媒体２に最近接す
る領域では、MR素子１の幅ｈ方向の反磁界のた
め、理想的バイアス状態は実現されておらず（即
ちΘb≪45度）、再生感度を低下させていた。
上述したMRヘツドの欠点を解決するため、特
開昭57−109121に、MR素子１の幅ｈ中央部で磁
化Ｍを飽和させ（即ち、Θb90度に設定）磁気
記憶媒体２に最近接する領域のバイアス状態を最
高に設定（即ちΘb45度）する方法が開示され
ている。この手法によれば、低記録密度から高記
録密度にわたつて、抵抗変化に寄与するのは、磁
気記憶媒体２に最近接する領域のみであるので、
比較的良好な記録密度特性が得られる。
開昭57−109121に、MR素子１の幅ｈ中央部で磁
化Ｍを飽和させ（即ち、Θb90度に設定）磁気
記憶媒体２に最近接する領域のバイアス状態を最
高に設定（即ちΘb45度）する方法が開示され
ている。この手法によれば、低記録密度から高記
録密度にわたつて、抵抗変化に寄与するのは、磁
気記憶媒体２に最近接する領域のみであるので、
比較的良好な記録密度特性が得られる。
しかし、この様なバイアス状態を実現するため
には、MR素子１に印加されるバイアス磁界は少
なくともMR素子１の幅ｈ方向の反磁界以上に設
定しなかればならない。例えば、MR素子１とし
て飽和磁化Ｍ＝800emu／c.c.のパーマロイを用い、
その寸法をtM＝0.05μｍ、ｈ＝5μｍに設定した場
合、反磁界（4πMtM／ｈ）は100程度となり、バイ アス磁界は、100〜200が必要となる。この様な
大きなバイアス磁界は、結果として磁気記憶媒体
２の磁化情報Mrを消磁してしまい、磁気記憶シ
ステムとして、信頼性にとぼしいものとなつてい
た。
には、MR素子１に印加されるバイアス磁界は少
なくともMR素子１の幅ｈ方向の反磁界以上に設
定しなかればならない。例えば、MR素子１とし
て飽和磁化Ｍ＝800emu／c.c.のパーマロイを用い、
その寸法をtM＝0.05μｍ、ｈ＝5μｍに設定した場
合、反磁界（4πMtM／ｈ）は100程度となり、バイ アス磁界は、100〜200が必要となる。この様な
大きなバイアス磁界は、結果として磁気記憶媒体
２の磁化情報Mrを消磁してしまい、磁気記憶シ
ステムとして、信頼性にとぼしいものとなつてい
た。
（発明の目的）
本発明は、このような欠点を招来することなく
高記録密度側の特性を向上することのできる磁気
抵抗効果ヘツドを提供することにある。
高記録密度側の特性を向上することのできる磁気
抵抗効果ヘツドを提供することにある。
（発明の構成）
本発明によれば、強磁性薄膜を含む磁気抵抗効
果素子と前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供
給するための二つの電極が接続された構造を有す
る磁気抵抗効果ヘツドにおいてこの二つの電極の
間隔は、磁気記憶媒体に最も近い部分が磁気記憶
媒体に最も遠い部分よりも小さいことを特徴とす
る磁気抵抗効果ヘツドが得られる。
果素子と前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供
給するための二つの電極が接続された構造を有す
る磁気抵抗効果ヘツドにおいてこの二つの電極の
間隔は、磁気記憶媒体に最も近い部分が磁気記憶
媒体に最も遠い部分よりも小さいことを特徴とす
る磁気抵抗効果ヘツドが得られる。
（構成の詳細な説明）
本発明は、上述の構成をとることにより従来技
術の問題点を解決した。即ち、本発明では、MR
素子に接続された二つの電極の間隔を磁気記憶媒
体に最近接する領域で小さく設定しているため、
二つの電極を径由してMR素子に流れるセンス電
流は、MR素子の幅方向で不均一に流れ、特に磁
気記憶媒体に最近接する領域に集中することにな
る。従つて、磁気記憶媒体に最近接する領域にお
ける抵抗変化が最も再生出力に寄与することにな
る。即ち、MR素子の高記録密度時に最も抵抗変
化に寄与する領域を常に再生出力として得ている
ため、広範囲にわたる記録密度に対し、ほぼ均一
な再生出力を得ることが可能となる。
術の問題点を解決した。即ち、本発明では、MR
素子に接続された二つの電極の間隔を磁気記憶媒
体に最近接する領域で小さく設定しているため、
二つの電極を径由してMR素子に流れるセンス電
流は、MR素子の幅方向で不均一に流れ、特に磁
気記憶媒体に最近接する領域に集中することにな
る。従つて、磁気記憶媒体に最近接する領域にお
ける抵抗変化が最も再生出力に寄与することにな
る。即ち、MR素子の高記録密度時に最も抵抗変
化に寄与する領域を常に再生出力として得ている
ため、広範囲にわたる記録密度に対し、ほぼ均一
な再生出力を得ることが可能となる。
更に、センス電流によつて発生する磁界を直
接、又は他の磁性体を径由して間接的に利用して
MR素子のバイアス状態を実現するMRヘツドに
おいては、センス電流に比例したバイアス磁界を
得ることができるため、MR素子の磁気記憶媒体
に最近接する領域を最大感度とするバイアス状態
が実現される。これは、高記録密度時の再生出力
の低下を補正し、良好な記録密度特性が得られ
る。
接、又は他の磁性体を径由して間接的に利用して
MR素子のバイアス状態を実現するMRヘツドに
おいては、センス電流に比例したバイアス磁界を
得ることができるため、MR素子の磁気記憶媒体
に最近接する領域を最大感度とするバイアス状態
が実現される。これは、高記録密度時の再生出力
の低下を補正し、良好な記録密度特性が得られ
る。
以下、本発明の構成例について図面を参照して
さらに詳細に説明する。
さらに詳細に説明する。
第２図は、本発明の第１の例を示す概略斜視図
で、短柵状MR素子１の長さ方向の両側に、セン
ス電流Ｉを供給するための電極３及び４がMR素
子１の幅ｈ方向に対し、傾斜をもつて接続されて
いる。電極３及び４の間隔は、MR素子１が磁気
記憶媒体２に近接する領域でW2、最も離れた領
域でW1の値を有し、W1＞W2の関係を満す様に
設定されている。
で、短柵状MR素子１の長さ方向の両側に、セン
ス電流Ｉを供給するための電極３及び４がMR素
子１の幅ｈ方向に対し、傾斜をもつて接続されて
いる。電極３及び４の間隔は、MR素子１が磁気
記憶媒体２に近接する領域でW2、最も離れた領
域でW1の値を有し、W1＞W2の関係を満す様に
設定されている。
MR素子１は例えばNiCo系合金、NiFe系合金
（パーマロイ）等が選定され、その寸法は厚みを
数百Å乃至数千Å、幅ｈを数μｍ乃至数十μｍに
選定される。又、電極３及び４はMR素子１より
も固有抵抗の小さい、例えばAn、Al、Cu等が選
定される。
（パーマロイ）等が選定され、その寸法は厚みを
数百Å乃至数千Å、幅ｈを数μｍ乃至数十μｍに
選定される。又、電極３及び４はMR素子１より
も固有抵抗の小さい、例えばAn、Al、Cu等が選
定される。
MR素子１の磁化Ｍは、永久磁石等の適当な手
段（図示せず）により、センス電流Ｉに対して、
所定の角度Θbに設定されている。
段（図示せず）により、センス電流Ｉに対して、
所定の角度Θbに設定されている。
かかる構成により、電極３及び４を経由して、
MR素子１に供給されるセンス電流Ｉは電極間隔
が最も小さな領域、即ち、磁気記憶媒体２に最近
接する領域に集中することになる。
MR素子１に供給されるセンス電流Ｉは電極間隔
が最も小さな領域、即ち、磁気記憶媒体２に最近
接する領域に集中することになる。
第３図はこのMR素子１の幅方向における電流
分布を示す。第３図において、横軸の零目盛は、
MR素子１が磁気記憶媒体２に最近接する側、ｈ
は最も遠い側を示し、縦軸の電流密度は、磁気記
憶媒体２に最近接する側の電流密度で規格化した
値で示している。又、パラメータとして
2h／W1−W2を取つている。
分布を示す。第３図において、横軸の零目盛は、
MR素子１が磁気記憶媒体２に最近接する側、ｈ
は最も遠い側を示し、縦軸の電流密度は、磁気記
憶媒体２に最近接する側の電流密度で規格化した
値で示している。又、パラメータとして
2h／W1−W2を取つている。
第３図より、MR素子１の幅ｈを一定とした場
合、W1−W2の値が大きくなるほど、センス電流
Ｉは、磁気記憶媒体２に最近接する側に大きく集
中することが理解される。
合、W1−W2の値が大きくなるほど、センス電流
Ｉは、磁気記憶媒体２に最近接する側に大きく集
中することが理解される。
この結果、MR素子１の磁気記憶媒体２に最近
接する領域における抵抗変化が最も再生出力に寄
与することになる。即ち、MR素子１の高記録密
度時に最も抵抗変化が大きい領域を常に再生出力
として得ているため、広範囲にわたる記録密度に
対し、良好な再生出力を得ることができる。
接する領域における抵抗変化が最も再生出力に寄
与することになる。即ち、MR素子１の高記録密
度時に最も抵抗変化が大きい領域を常に再生出力
として得ているため、広範囲にわたる記録密度に
対し、良好な再生出力を得ることができる。
第１の実施例では、MR素子のバイアス状態は
外部からの磁界によつて一意的に決定されていた
が、本発明では、センス電流を利用して、MR素
子のバイアス状態を決定する構成のMRヘツドに
対して最も効果的である。
外部からの磁界によつて一意的に決定されていた
が、本発明では、センス電流を利用して、MR素
子のバイアス状態を決定する構成のMRヘツドに
対して最も効果的である。
以下、この様な構成を有するMRヘツドの例に
ついて説明する。
ついて説明する。
第４図は、本発明の第２の例を示す概略斜視図
である。
である。
図においては、第２図及び第３図を用いて説明
した第１の例のMR素子に対して、非磁性導体導
膜（例えば、Ti、Mo、Ta、Cr等）から成るバ
イアス導体５が数百Å乃至数千Åの厚みをもつて
積層された構成を有する。
した第１の例のMR素子に対して、非磁性導体導
膜（例えば、Ti、Mo、Ta、Cr等）から成るバ
イアス導体５が数百Å乃至数千Åの厚みをもつて
積層された構成を有する。
かかる構成において、電極３及び４の間隔が、
MR素子１及びバイアス導体５の膜厚より充分大
きければ、電極３及び４から供給されるセンス電
流ＩはMR素子１とバイアス導体５とにその固有
抵抗及び膜厚に応じて、分流する。バイアス導体
５に分流したセンス電流はMR素子１の膜面内を
通り幅ｈの方向にバイアス磁界Hbを発生し、
MR素子１の磁化Ｍをセンス電流に対して、角度
Θbだけ回転させる。又、バイアス導体５に分流
したセンス電流は、MR素子１と同様、第３図に
示した如く、幅ｈ方向に分布するため、磁気記憶
媒体２に最近接する領域に大きなバイアス磁界
Hbを発生し、それに応じて、Θbも大きくなる。
第５図に、ΘbのMR素子１の幅ｈ方向の分布を示
す。又、参考のため、センス電流が幅ｈ方向に均
一に分布する従来例におけるΘbの分布も破線で
示す。
MR素子１及びバイアス導体５の膜厚より充分大
きければ、電極３及び４から供給されるセンス電
流ＩはMR素子１とバイアス導体５とにその固有
抵抗及び膜厚に応じて、分流する。バイアス導体
５に分流したセンス電流はMR素子１の膜面内を
通り幅ｈの方向にバイアス磁界Hbを発生し、
MR素子１の磁化Ｍをセンス電流に対して、角度
Θbだけ回転させる。又、バイアス導体５に分流
したセンス電流は、MR素子１と同様、第３図に
示した如く、幅ｈ方向に分布するため、磁気記憶
媒体２に最近接する領域に大きなバイアス磁界
Hbを発生し、それに応じて、Θbも大きくなる。
第５図に、ΘbのMR素子１の幅ｈ方向の分布を示
す。又、参考のため、センス電流が幅ｈ方向に均
一に分布する従来例におけるΘbの分布も破線で
示す。
第５図から明らかな如く、従来例では幅ｈの中
央部で最大のΘbが得られるのに対し、本実施例
では磁気記憶媒体２に近接する側にΘbの最大値
がシフトしている。即ち、この例では、高記録密
度時に最も再生出力として寄与する領域のバイア
ス状態を最適に設定（望ましくはΘb＝45°）する
ことができる。
央部で最大のΘbが得られるのに対し、本実施例
では磁気記憶媒体２に近接する側にΘbの最大値
がシフトしている。即ち、この例では、高記録密
度時に最も再生出力として寄与する領域のバイア
ス状態を最適に設定（望ましくはΘb＝45°）する
ことができる。
従つて、この構成では、高記録密度時において
MR素子１の磁気記憶媒体２に最近接する領域に
おける抵抗変化が最も再生出力寄与するととも
に、その抵抗変化が信号磁界HSに対して最大感
度と成る様に制定でき、第１の実施例に比較して
更に、良好な記録密度特性が得られる。
MR素子１の磁気記憶媒体２に最近接する領域に
おける抵抗変化が最も再生出力寄与するととも
に、その抵抗変化が信号磁界HSに対して最大感
度と成る様に制定でき、第１の実施例に比較して
更に、良好な記録密度特性が得られる。
第４図ではバイアス導体５に分流するセンス電
流でMR素子１にバイアス磁界HBを印加してい
たが、第６図の断面図に示す如く、バイアス導体
５に更に導電性強磁性薄膜６を積層しても良い。
かかる構成では、センス電流ＩはMR素子１、バ
イアス導体５及び導電性強磁性薄膜６に、磁気記
憶媒体２に近接する側を最大電流密度となる分布
を有して分流することになる。バイアス導体５及
び導電性強磁性薄膜６に分流したセンス電流I2及
びI3は、第４図で示したと同様なバイアス磁界を
与え、又、導電性強磁性薄膜はMR素子１の幅ｈ
方向の反磁界を大きく軽減する効果がある。従つ
て、第４図に示した構成のMRヘツドよりも小さ
なセンス電流で第５図に示したバイアス状態を実
現できる。
流でMR素子１にバイアス磁界HBを印加してい
たが、第６図の断面図に示す如く、バイアス導体
５に更に導電性強磁性薄膜６を積層しても良い。
かかる構成では、センス電流ＩはMR素子１、バ
イアス導体５及び導電性強磁性薄膜６に、磁気記
憶媒体２に近接する側を最大電流密度となる分布
を有して分流することになる。バイアス導体５及
び導電性強磁性薄膜６に分流したセンス電流I2及
びI3は、第４図で示したと同様なバイアス磁界を
与え、又、導電性強磁性薄膜はMR素子１の幅ｈ
方向の反磁界を大きく軽減する効果がある。従つ
て、第４図に示した構成のMRヘツドよりも小さ
なセンス電流で第５図に示したバイアス状態を実
現できる。
導電性強磁性薄膜６には、磁気抵抗効果が小さ
く、固有抵抗の大きい非晶質軟磁性体が望まし
い。又、導電性強磁性薄膜６として特開昭51−
26510号に開始された如く、MR素子１と全く特
性が同一なパーマロイ膜などを用いても良い。こ
の場合は導電性強磁性薄膜６も、信号磁界HSに
対し抵抗変化を生じ信号再生に寄与する。
く、固有抵抗の大きい非晶質軟磁性体が望まし
い。又、導電性強磁性薄膜６として特開昭51−
26510号に開始された如く、MR素子１と全く特
性が同一なパーマロイ膜などを用いても良い。こ
の場合は導電性強磁性薄膜６も、信号磁界HSに
対し抵抗変化を生じ信号再生に寄与する。
更に、第４図、第６図を用いて説明した例と同
様、MR素子の磁気記憶媒体に最近接する領域を
最大感度とするバイアス状態を実現するには、第
７図に示した構成を有するMRヘツドであつても
良い。
様、MR素子の磁気記憶媒体に最近接する領域を
最大感度とするバイアス状態を実現するには、第
７図に示した構成を有するMRヘツドであつても
良い。
第７図は、特開昭50−59023号に開示された高
透磁率磁性体からなる磁気シールドを具備し、
MR素子部分に第２図で示した本発明を適用した
磁気シールド付MRヘツドの断面図である。
透磁率磁性体からなる磁気シールドを具備し、
MR素子部分に第２図で示した本発明を適用した
磁気シールド付MRヘツドの断面図である。
図において、MR素子１の両側にSiO2、Al2O3
等の絶縁層を介して、磁気シールド７及び８が
MR素子１とG1及びG2の間隔をもつて並設され
ている。かかる構成で、MR素子１の幅ｈ方向に
第３図に示した如き分布をもつて流れるセンス電
流Ｉは、MR素子１の周囲に磁界を発生し、その
磁界は磁気シールド７及び８を着磁する。着磁さ
れた磁気シールド７及び８の内、最もMR素子１
に近接する磁気シールド（例えば、第７図では
G2＞G1であるため、磁気シールド７）が、最も
強いバイアス磁界をMR素子１に与えMR素子１
の磁化Ｍをバイアスする。前記バイアス磁界の
MR素子１内での分布は、センス電流Ｉの分布に
対応するため、第５図に示したと同様なバイアス
状態が実現される。上述した様な作用を更に顕著
するためには、G2とG1の差が大きい方が望まし
い。極端な場合、G2又はG1の一方が無限大の大
きさ、即ち、MR素子１の一方の側のみに磁気シ
ールドが具備された構成であつても良い。
等の絶縁層を介して、磁気シールド７及び８が
MR素子１とG1及びG2の間隔をもつて並設され
ている。かかる構成で、MR素子１の幅ｈ方向に
第３図に示した如き分布をもつて流れるセンス電
流Ｉは、MR素子１の周囲に磁界を発生し、その
磁界は磁気シールド７及び８を着磁する。着磁さ
れた磁気シールド７及び８の内、最もMR素子１
に近接する磁気シールド（例えば、第７図では
G2＞G1であるため、磁気シールド７）が、最も
強いバイアス磁界をMR素子１に与えMR素子１
の磁化Ｍをバイアスする。前記バイアス磁界の
MR素子１内での分布は、センス電流Ｉの分布に
対応するため、第５図に示したと同様なバイアス
状態が実現される。上述した様な作用を更に顕著
するためには、G2とG1の差が大きい方が望まし
い。極端な場合、G2又はG1の一方が無限大の大
きさ、即ち、MR素子１の一方の側のみに磁気シ
ールドが具備された構成であつても良い。
以上、本発明の構成例について述べたが、本発
明で示した電極は第２図、及び第４図に示した如
く、MR素子の幅方向に直線的に広がつた構造に
限るものではなく、曲線状に広がつた構成であつ
ても良く、本発明の主旨を逸脱しない限り種々の
変形変更をなし得る。
明で示した電極は第２図、及び第４図に示した如
く、MR素子の幅方向に直線的に広がつた構造に
限るものではなく、曲線状に広がつた構成であつ
ても良く、本発明の主旨を逸脱しない限り種々の
変形変更をなし得る。
尚、本発明では、磁気記憶媒体上のトラツク幅
（MR素子の長さ方向に対して、磁気的情報が書
き込まれている領域幅）はMR素子の磁気記憶媒
体に最近接する側の電極間隔より小さいことが望
ましい。これは、低記録密度時に磁気記憶媒体か
ら最も離れたMR素子上の領域の抵抗変化を最小
にするのに有効である。
（MR素子の長さ方向に対して、磁気的情報が書
き込まれている領域幅）はMR素子の磁気記憶媒
体に最近接する側の電極間隔より小さいことが望
ましい。これは、低記録密度時に磁気記憶媒体か
ら最も離れたMR素子上の領域の抵抗変化を最小
にするのに有効である。
（発明の効果）
以上説明した様に、本発明はMR素子に接続さ
れる電極の間隔を磁気記憶媒体に近接する側で小
さく設定しているため、MR素子の高記録密度時
に最も抵抗変化として寄与する領域を再生出力と
して得ることができ、更にこの領域が最大感度と
なる様なバイアス状態も実現でき、極めて簡単に
かつ、磁気記憶媒体を消磁させることなく、広範
囲にわたる記録密度に対し、ほぼ均一な再生出力
を得ることができる。
れる電極の間隔を磁気記憶媒体に近接する側で小
さく設定しているため、MR素子の高記録密度時
に最も抵抗変化として寄与する領域を再生出力と
して得ることができ、更にこの領域が最大感度と
なる様なバイアス状態も実現でき、極めて簡単に
かつ、磁気記憶媒体を消磁させることなく、広範
囲にわたる記録密度に対し、ほぼ均一な再生出力
を得ることができる。
第１図は従来の磁気抵抗効果ヘツドの概略斜視
図、第２図は本発明の第１の構成例を示す概略斜
視図、第３図は磁気抵抗効果ヘツドに流れるセン
ス電流の分布を示すグラフ、第４図は本発明の第
２の構成例を示す概略斜視図、第５図は磁気抵抗
効果ヘツドのバイアス状態を示すグラフ、第６図
は本発明の第３の構成例を示す断面図、第７図は
本発明の第４の構成例を示す断面図である。 図において、１……磁気抵抗効果素子（MR素
子）、２……磁気記憶媒体、３，４……電極、５
……バイアス導体、６……導電性強磁性薄膜、
７，８……磁気シールドをそれぞれ示す。
図、第２図は本発明の第１の構成例を示す概略斜
視図、第３図は磁気抵抗効果ヘツドに流れるセン
ス電流の分布を示すグラフ、第４図は本発明の第
２の構成例を示す概略斜視図、第５図は磁気抵抗
効果ヘツドのバイアス状態を示すグラフ、第６図
は本発明の第３の構成例を示す断面図、第７図は
本発明の第４の構成例を示す断面図である。 図において、１……磁気抵抗効果素子（MR素
子）、２……磁気記憶媒体、３，４……電極、５
……バイアス導体、６……導電性強磁性薄膜、
７，８……磁気シールドをそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 強磁性薄膜を含む磁気抵抗効果素子と前記磁
気抵抗効果素子にセンス電流を供給する二つの電
極が接続された構造を有する磁気抵抗効果ヘツド
において、該二つの電極の間隔は磁気記憶媒体に
最も近い部分が磁気記憶媒体に最も遠い部分より
も小さいことを特徴とする磁気抵抗効果ヘツド。 ２ 磁気抵抗効果素子は非磁性導体薄膜と強磁性
薄膜が積層されている構造である特許請求の範囲
第１項記載の磁気抵抗効果ヘツド。 ３ 磁気抵抗効果素子は強磁性薄膜と非磁性導体
薄膜と導電性強磁性薄膜とがこの順で積層されて
いる構造である特許請求の範囲第１項記載の磁気
抵抗効果ヘツド。 ４ 非磁性導体薄膜をはさむ強磁性薄膜は同一材
料である特許請求の範囲第３項記載の磁気抵抗効
果ヘツド。 ５ 導電性強磁性薄膜が非晶質軟磁性体である特
許請求の範囲第３項記載の磁気抵抗効果ヘツド。 ６ 磁気抵抗効果素子には絶縁層を介して、高透
磁率磁性体からなる磁気シールドが形成されてい
る特許請求の範囲第１項又は第２項又は第３項に
記載の磁気抵抗効果ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9040084A JPS60234213A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9040084A JPS60234213A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60234213A JPS60234213A (ja) | 1985-11-20 |
| JPH0572642B2 true JPH0572642B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=13997534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9040084A Granted JPS60234213A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60234213A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63177069U (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-16 | ||
| JP3388944B2 (ja) * | 1995-06-06 | 2003-03-24 | 富士通株式会社 | 磁気ディスク装置及びその再生方法 |
-
1984
- 1984-05-07 JP JP9040084A patent/JPS60234213A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60234213A (ja) | 1985-11-20 |
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