JPH06302002A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ビームスプリッタなどの高価な光学部品を使
用しないで、スクープ法を用いてトラッキングサーボや
フォーカスサーボを確実にできる光ピックアップ用の半
導体レーザ装置を提供する。 【構成】 同一方向にレーザ光を出射する発光部ＬＤ１
〜ＬＤ３が１個のチップに少なくとも３個形成され、該
発光部のうち少なくとも２個ＬＤ１とＬＤ３はレーザ光
の出射方向に沿って段差を有するように形成され、前記
発光部のうち前記２個の組合せと異なる少なくとも２個
ＬＤ１とＬＤ２は前記段差が形成された２個の発光部と
出射方向とで形成される平面と垂直方向に偏位すると共
に前記レーザ光の出射方向と垂直平面内に形成されてい
る。
用しないで、スクープ法を用いてトラッキングサーボや
フォーカスサーボを確実にできる光ピックアップ用の半
導体レーザ装置を提供する。 【構成】 同一方向にレーザ光を出射する発光部ＬＤ１
〜ＬＤ３が１個のチップに少なくとも３個形成され、該
発光部のうち少なくとも２個ＬＤ１とＬＤ３はレーザ光
の出射方向に沿って段差を有するように形成され、前記
発光部のうち前記２個の組合せと異なる少なくとも２個
ＬＤ１とＬＤ２は前記段差が形成された２個の発光部と
出射方向とで形成される平面と垂直方向に偏位すると共
に前記レーザ光の出射方向と垂直平面内に形成されてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ピックアップ用半導体
レーザ装置に関する。さらに詳しくは、高価な光学部品
を使用せず、小型でトラッキングエラーやフォーカスエ
ラーを精度よく補正できる光ピックアップ用半導体レー
ザ装置に関する。
レーザ装置に関する。さらに詳しくは、高価な光学部品
を使用せず、小型でトラッキングエラーやフォーカスエ
ラーを精度よく補正できる光ピックアップ用半導体レー
ザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光による書込み、読出しは原理的
には波長程度のスポット上に集光して行え、高密度記録
が可能である。そのため、情報の記録媒体として光ディ
スク（以下、ＯＤという）が用いられ、そのＯＤへの書
込みおよび読出し方法として半導体レーザ装置を用いた
光ピックアップが用いられている。
には波長程度のスポット上に集光して行え、高密度記録
が可能である。そのため、情報の記録媒体として光ディ
スク（以下、ＯＤという）が用いられ、そのＯＤへの書
込みおよび読出し方法として半導体レーザ装置を用いた
光ピックアップが用いられている。
【０００３】ＯＤの信号を記録したピットは0.9 μｍ程
度の大きさであり、そのピットの列（トラック）は1.6
μｍ程度の狭いピッチで並んでいるため、実際の光ピッ
クアップにおいてはトラックと垂直方向の変位やＯＤの
回転ブレによるフォーカスのずれを補正しながらピット
の検出を行わなければならない。
度の大きさであり、そのピットの列（トラック）は1.6
μｍ程度の狭いピッチで並んでいるため、実際の光ピッ
クアップにおいてはトラックと垂直方向の変位やＯＤの
回転ブレによるフォーカスのずれを補正しながらピット
の検出を行わなければならない。
【０００４】従来用いられている光ピックアップは、ハ
ーフミラーやホログラムなどの光学素子をビームスプリ
ッタとして用い、光ディスクからの反射光を分離し、検
出している。このばあい、光ディスクのトラックとディ
スク面上で垂直方向の変位は、たとえば光源として１個
のレーザダイオード（以下、ＬＤという）の光を回折格
子により３分割した光を用いる３ビーム法などにより補
正し、フォーカスエラーの検出はシリンドリカルレンズ
を用いた非点収差法などが用いられている。
ーフミラーやホログラムなどの光学素子をビームスプリ
ッタとして用い、光ディスクからの反射光を分離し、検
出している。このばあい、光ディスクのトラックとディ
スク面上で垂直方向の変位は、たとえば光源として１個
のレーザダイオード（以下、ＬＤという）の光を回折格
子により３分割した光を用いる３ビーム法などにより補
正し、フォーカスエラーの検出はシリンドリカルレンズ
を用いた非点収差法などが用いられている。
【０００５】一方、上述の検出方法において用いられる
ビームスプリッタやシリンドリカルレンズなどの光学部
品を削減し、コストを低く抑え、また精密な位置調整を
簡易化することを目的として、たとえば特開平3-72688
号公報に開示されているように、光ディスクからの反射
光をＬＤに戻らせ（以下、この光を戻り光という）、そ
の戻り光によるＬＤの発振状態の変化を利用して信号検
出を行うスクープ（SCOOP:Self Coupled Optical Picku
p ）法が考えられている。
ビームスプリッタやシリンドリカルレンズなどの光学部
品を削減し、コストを低く抑え、また精密な位置調整を
簡易化することを目的として、たとえば特開平3-72688
号公報に開示されているように、光ディスクからの反射
光をＬＤに戻らせ（以下、この光を戻り光という）、そ
の戻り光によるＬＤの発振状態の変化を利用して信号検
出を行うスクープ（SCOOP:Self Coupled Optical Picku
p ）法が考えられている。
【０００６】このスクープ法による検出は、たとえば図
８に示すように５個のＬＤ41〜45が直線状に配置され、
中央のＲＦ信号検出用ＬＤ43の両側にトラッキングエラ
ー信号用のＬＤ42、44が１個ずつ、さらにその両側に１
個ずつのフォーカスエラー信号用ＬＤ41、45が配置さ
れ、フォーカスエラー信号用ＬＤ41、45はそれぞれ光軸
方向に沿って逆方向にずらせて配置されている。これら
のエラー信号用ＬＤにより、トラッキングエラー信号、
フォーカスエラー信号を検出している。トラッキングエ
ラー信号用ＬＤ42、44は図９に示されるように、トラッ
キング方向と垂直方向の記録信号トラック51の側縁部を
検出する必要があるため、レーザ光の列46〜50がトラッ
ク方向と斜めに交わるように半導体レーザ装置が配置さ
れることによりトラックずれが検出される。
８に示すように５個のＬＤ41〜45が直線状に配置され、
中央のＲＦ信号検出用ＬＤ43の両側にトラッキングエラ
ー信号用のＬＤ42、44が１個ずつ、さらにその両側に１
個ずつのフォーカスエラー信号用ＬＤ41、45が配置さ
れ、フォーカスエラー信号用ＬＤ41、45はそれぞれ光軸
方向に沿って逆方向にずらせて配置されている。これら
のエラー信号用ＬＤにより、トラッキングエラー信号、
フォーカスエラー信号を検出している。トラッキングエ
ラー信号用ＬＤ42、44は図９に示されるように、トラッ
キング方向と垂直方向の記録信号トラック51の側縁部を
検出する必要があるため、レーザ光の列46〜50がトラッ
ク方向と斜めに交わるように半導体レーザ装置が配置さ
れることによりトラックずれが検出される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述のスクープ型光ピ
ックアップ用半導体レーザ装置は信号測定用のＬＤの他
にトラッキングエラー信号用およびフォーカスエラー信
号用のＬＤを一定の位置関係で具備する必要がある。こ
れを別個のチップを三次元的にミクロンオーダー以下の
精度に配置することは、実作業上極めて困難であり、一
体化されたコンパクトな構造の半導体レーザ装置が望ま
れている。
ックアップ用半導体レーザ装置は信号測定用のＬＤの他
にトラッキングエラー信号用およびフォーカスエラー信
号用のＬＤを一定の位置関係で具備する必要がある。こ
れを別個のチップを三次元的にミクロンオーダー以下の
精度に配置することは、実作業上極めて困難であり、一
体化されたコンパクトな構造の半導体レーザ装置が望ま
れている。
【０００８】また、フォーカスエラー信号用ＬＤ41と45
は、あいだに信号測定用のＬＤ43とトラッキングエラー
信号用のＬＤ42、44を挟んで配置されているため、離れ
た位置での検出信号により補正することになり、正確に
フォーカスエラーを補正することができないという問題
がある。
は、あいだに信号測定用のＬＤ43とトラッキングエラー
信号用のＬＤ42、44を挟んで配置されているため、離れ
た位置での検出信号により補正することになり、正確に
フォーカスエラーを補正することができないという問題
がある。
【０００９】また、前述の半導体レーザ装置では、戻り
光によるレーザ発振の変化の状態を検出する受光部につ
いては何ら開示されていないが、狭い領域内で複数個の
ＬＤが発振しているばあいに、各々のＬＤの光を受光素
子でそれぞれ検出するには、相互にＬＤの光が混入しな
いようにする必要がある。そのため、たとえば実開昭63
-89273号公報に示されるように、各々のＬＤと受光素子
間に導波溝を形成しなければならず、部品点数が増え大
型になり、正確なエラー検出とコンパクト化を達成でき
ないという問題がある。
光によるレーザ発振の変化の状態を検出する受光部につ
いては何ら開示されていないが、狭い領域内で複数個の
ＬＤが発振しているばあいに、各々のＬＤの光を受光素
子でそれぞれ検出するには、相互にＬＤの光が混入しな
いようにする必要がある。そのため、たとえば実開昭63
-89273号公報に示されるように、各々のＬＤと受光素子
間に導波溝を形成しなければならず、部品点数が増え大
型になり、正確なエラー検出とコンパクト化を達成でき
ないという問題がある。
【００１０】本発明は、かかる問題を解消するためにな
されたものであり、スクープ法により正確にＯＤの信号
を検出できる光ピックアップ用の、低コスト化、小型化
を図った半導体レーザ装置を提供することを目的とす
る。
されたものであり、スクープ法により正確にＯＤの信号
を検出できる光ピックアップ用の、低コスト化、小型化
を図った半導体レーザ装置を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザ装置は、同一方向にレーザ光を出射する発光部が１個
のチップに少なくとも３個形成され、該発光部のうち少
なくとも２個の発光面はレーザ光の出射方向に段差を有
するように形成され、前記発光部のうち前記２個の組合
せと異なる少なくとも２個は前記段差が形成された２個
の発光部と出射方向とで形成される平面と垂直方向に偏
位すると共に前記レーザ光の出射方向と垂直平面内に形
成されていることを特徴とする。
ザ装置は、同一方向にレーザ光を出射する発光部が１個
のチップに少なくとも３個形成され、該発光部のうち少
なくとも２個の発光面はレーザ光の出射方向に段差を有
するように形成され、前記発光部のうち前記２個の組合
せと異なる少なくとも２個は前記段差が形成された２個
の発光部と出射方向とで形成される平面と垂直方向に偏
位すると共に前記レーザ光の出射方向と垂直平面内に形
成されていることを特徴とする。
【００１２】前記半導体レーザ装置においては、前記各
々の発光部の前記レーザ光の出射方向と反対側にそれぞ
れ光検出部が設けられて該発光部と光検出部間に導光路
が形成されると共に、隣りあう少なくとも導光路間に光
遮断部が形成されていることが好ましい。
々の発光部の前記レーザ光の出射方向と反対側にそれぞ
れ光検出部が設けられて該発光部と光検出部間に導光路
が形成されると共に、隣りあう少なくとも導光路間に光
遮断部が形成されていることが好ましい。
【００１３】また、本発明の半導体レーザ装置において
はトラッキングエラー信号、フォーカスエラー信号およ
びＲＦ信号検出用の少なくとも３個の発光部が設けられ
ると共に、該発光部の他に書込み専用および／または消
去専用のレーザダイオードが同一チップ内に形成される
ことにより、付加的機能を具備することができる。
はトラッキングエラー信号、フォーカスエラー信号およ
びＲＦ信号検出用の少なくとも３個の発光部が設けられ
ると共に、該発光部の他に書込み専用および／または消
去専用のレーザダイオードが同一チップ内に形成される
ことにより、付加的機能を具備することができる。
【００１４】さらに、本発明の半導体レーザ装置におい
てはトラッキングエラー信号、フォーカスエラー信号お
よびＲＦ信号を検出するための少なくとも３個の発光部
が設けられると共に、該ＲＦ信号検出用の発光部とトラ
ック幅だけトラック方向と垂直方向に離れた位置に第２
のＲＦ信号検出用の発光部が設けられることにより、さ
らに付加的機能を具備することができる。
てはトラッキングエラー信号、フォーカスエラー信号お
よびＲＦ信号を検出するための少なくとも３個の発光部
が設けられると共に、該ＲＦ信号検出用の発光部とトラ
ック幅だけトラック方向と垂直方向に離れた位置に第２
のＲＦ信号検出用の発光部が設けられることにより、さ
らに付加的機能を具備することができる。
【００１５】
【作用】本発明によれば、ピット状態を検出するＬＤ
と、トラッキングエラー信号およびフォーカスエラー信
号を検出するＬＤが同一チップに一体に集積化されてい
るため、本発明の半導体レーザ装置を対物レンズと一定
距離の位置に配置するだけで、ピット状態を正確に検出
できる光ピックアップになる。
と、トラッキングエラー信号およびフォーカスエラー信
号を検出するＬＤが同一チップに一体に集積化されてい
るため、本発明の半導体レーザ装置を対物レンズと一定
距離の位置に配置するだけで、ピット状態を正確に検出
できる光ピックアップになる。
【００１６】しかも各発光部や光検出部がモノリシック
に一体化されているため、各ＬＤや導光路、光検出部な
どの間隙に、水素イオンやボロンイオンなどのイオン打
込みをしたり、メサ分離などをすることにより電気的に
分離することができ、また光学的には、適切な光吸収層
を設けることにより相互に光の漏れによる検出誤差を防
止できる。
に一体化されているため、各ＬＤや導光路、光検出部な
どの間隙に、水素イオンやボロンイオンなどのイオン打
込みをしたり、メサ分離などをすることにより電気的に
分離することができ、また光学的には、適切な光吸収層
を設けることにより相互に光の漏れによる検出誤差を防
止できる。
【００１７】また、書込み専用、消去専用、異なるトラ
ックのＲＦ信号検出用などのダイオードも同一チップに
一体化して作り込むことにより、読出しと書込みを同時
にすることができたり、２つのトラックを同時に読み出
すことなどもでき高機能な光ピックアップとなる。
ックのＲＦ信号検出用などのダイオードも同一チップに
一体化して作り込むことにより、読出しと書込みを同時
にすることができたり、２つのトラックを同時に読み出
すことなどもでき高機能な光ピックアップとなる。
【００１８】
【実施例】つぎに図面を参照しながら本発明の半導体レ
ーザ装置について説明する。図１は本発明の半導体レー
ザ装置の一実施例のチップを示す平面説明図、図２
（ａ）は図１のチップの発光部および光検出部の部分の
概略斜視図、図２（ｂ）は発光部の断面説明図、図３は
戻り光によりＬＤ部分で受ける変化の様子を説明する概
念図、図４はフォトダイオード（以下、ＰＤという）で
検出される一般的な信号を表す図、図５はＰＤにより検
出された信号を処理する回路の一例を示すブロック図、
図６はトラッキングエラー信号用に独立して２個のＬＤ
を設けたばあいの説明図、図７は５個のＬＤを設けたば
あいの半導体チップの構造例を示す図である。
ーザ装置について説明する。図１は本発明の半導体レー
ザ装置の一実施例のチップを示す平面説明図、図２
（ａ）は図１のチップの発光部および光検出部の部分の
概略斜視図、図２（ｂ）は発光部の断面説明図、図３は
戻り光によりＬＤ部分で受ける変化の様子を説明する概
念図、図４はフォトダイオード（以下、ＰＤという）で
検出される一般的な信号を表す図、図５はＰＤにより検
出された信号を処理する回路の一例を示すブロック図、
図６はトラッキングエラー信号用に独立して２個のＬＤ
を設けたばあいの説明図、図７は５個のＬＤを設けたば
あいの半導体チップの構造例を示す図である。
【００１９】図１は本発明の半導体レーザ装置の一実施
例を示す平面説明図である。１はたとえばＧａＡｓなど
からなる半導体基板で、ＬＤ１〜ＬＤ３はそれぞれＬＤ
などからなる発光部で本実施例では紙面に垂直方向にｐ
ｎ接合部が形成され、紙面内の上方に向けてレーザビー
ムが発射され、ＬＤ１はＯＤのピット状態を検出するＲ
Ｆ検出用のＬＤである。ＬＤ１とＬＤ２は図２にその斜
視図および断面図を示すように、紙面に垂直方向に段差
が設けられ、両者の検出信号によりトラッキングエラー
信号を検出できるようにされている。さらにＬＤ３は図
１に示されるように発光面ＢがＬＤ１やＬＤ２の発光面
Ａよりレーザビームの方向より下げて形成され、ＬＤ１
と共にフォーカスエラー信号検出用に用いられる。ＬＤ
３は図２に示すように、ＬＤ１と同一高さ（トラック方
向と垂直方向のずれがない位置）にある。
例を示す平面説明図である。１はたとえばＧａＡｓなど
からなる半導体基板で、ＬＤ１〜ＬＤ３はそれぞれＬＤ
などからなる発光部で本実施例では紙面に垂直方向にｐ
ｎ接合部が形成され、紙面内の上方に向けてレーザビー
ムが発射され、ＬＤ１はＯＤのピット状態を検出するＲ
Ｆ検出用のＬＤである。ＬＤ１とＬＤ２は図２にその斜
視図および断面図を示すように、紙面に垂直方向に段差
が設けられ、両者の検出信号によりトラッキングエラー
信号を検出できるようにされている。さらにＬＤ３は図
１に示されるように発光面ＢがＬＤ１やＬＤ２の発光面
Ａよりレーザビームの方向より下げて形成され、ＬＤ１
と共にフォーカスエラー信号検出用に用いられる。ＬＤ
３は図２に示すように、ＬＤ１と同一高さ（トラック方
向と垂直方向のずれがない位置）にある。
【００２０】各ＬＤのビーム発射面Ａ、Ｂと反対側には
導光路４ａ、４ｂ、４ｃを経て光検出部としてのＰＤ
１、ＰＤ２、ＰＤ３がそれぞれ設けられ、それぞれのＬ
Ｄのビーム発射面と反対側に漏れる光を検出できるよう
にされている。このＰＤはＬＤのプロセスで形成された
ｐｎ接合を利用することにより形成され、導光路はエッ
チングにより凹部を形成することにより設けられてい
る。５ａ、５ｂ、５ｃはそれぞれＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ
３に電圧を印加するための電極に配線８で接続された電
極パッド、６ａ、６ｂ、６ｃは同じくＰＤ１、ＰＤ２、
ＰＤ３の電極パッドで、７は共通電極用の電極パッドで
ある。このダイオードの関係を等価回路図で表わすと図
１（ｂ）のようになる。また図２において、９は各ＬＤ
間や導光路４間、ＰＤ間を絶縁して電気的な分離を行う
部分で、モノリシック化された各ＬＤやＰＤのあいだを
電気的に分離している。この分離部はボロンや水素イオ
ンなどのイオン注入により形成されてもよいし、メサ形
状にしてもよい。また導光路間の分離部９には凹部側に
レーザ光を吸収する色素を混入したポリイミド樹脂など
からなる光吸収層を設けることにより、各ＰＤ間で光の
相互混入を防止できる。図１に示す構造のチップで、レ
ーザビーム発振部は４μｍ程度の幅で、外周の１辺は、
たとえば250 μｍ程度に形成されている。
導光路４ａ、４ｂ、４ｃを経て光検出部としてのＰＤ
１、ＰＤ２、ＰＤ３がそれぞれ設けられ、それぞれのＬ
Ｄのビーム発射面と反対側に漏れる光を検出できるよう
にされている。このＰＤはＬＤのプロセスで形成された
ｐｎ接合を利用することにより形成され、導光路はエッ
チングにより凹部を形成することにより設けられてい
る。５ａ、５ｂ、５ｃはそれぞれＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ
３に電圧を印加するための電極に配線８で接続された電
極パッド、６ａ、６ｂ、６ｃは同じくＰＤ１、ＰＤ２、
ＰＤ３の電極パッドで、７は共通電極用の電極パッドで
ある。このダイオードの関係を等価回路図で表わすと図
１（ｂ）のようになる。また図２において、９は各ＬＤ
間や導光路４間、ＰＤ間を絶縁して電気的な分離を行う
部分で、モノリシック化された各ＬＤやＰＤのあいだを
電気的に分離している。この分離部はボロンや水素イオ
ンなどのイオン注入により形成されてもよいし、メサ形
状にしてもよい。また導光路間の分離部９には凹部側に
レーザ光を吸収する色素を混入したポリイミド樹脂など
からなる光吸収層を設けることにより、各ＰＤ間で光の
相互混入を防止できる。図１に示す構造のチップで、レ
ーザビーム発振部は４μｍ程度の幅で、外周の１辺は、
たとえば250 μｍ程度に形成されている。
【００２１】ＬＤはストライプ周辺に吸収層を設ける
か、または、横方向に光が閉じ込められる構造を有する
ものであれば、光分離が可能であるため、このような構
造であれば、通常の半導体レーザダイオードのチップと
して用いられる種々の構造のものを使用できる。しか
し、ビーム発射面およびその反対面のミラー面の形成は
各ＬＤについてのビーム発射面が同一面でないため、従
来のようなへき開の方法では形成できなくて、異方性エ
ッチングなどによりミラー面を形成する。
か、または、横方向に光が閉じ込められる構造を有する
ものであれば、光分離が可能であるため、このような構
造であれば、通常の半導体レーザダイオードのチップと
して用いられる種々の構造のものを使用できる。しか
し、ビーム発射面およびその反対面のミラー面の形成は
各ＬＤについてのビーム発射面が同一面でないため、従
来のようなへき開の方法では形成できなくて、異方性エ
ッチングなどによりミラー面を形成する。
【００２２】つぎに、本発明の半導体レーザ装置の一実
施例である図２の構造のチップの製法の一例について説
明する。まず半導体基板１のＬＤ２を形成する部分を１
〜60μｍ程度エッチングして段差を設ける。ついでＭＢ
Ｅ装置の成長室内にｎ型のＧａＡｓ基板１を導入し、つ
いで該基板１を550 〜720 ℃に加熱しつつ、基板１上に
ｎ型のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ドープ剤Ｓｉ）（ｘ＝0.3
〜0.8 ）からなる下部クラッド層13、Ａｌy Ｇａ1-y Ａ
ｓ（ドープ剤Ｓｉ）（ｙ＝０〜0.25）からなる活性層1
4、ｐ型のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ドープ剤Ｂｅ）（ｘ＝
0.3 〜0.8 ）からなる第１の上部クラッド層15、ｎ型の
ＧａＡｓからなるストップ層17、Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓ
（ｚ＝0.1 〜0.25）からなる蒸発防止用の保護層18およ
びＧａＡｓからなる酸化防止層（図示せず）を順に積層
する。
施例である図２の構造のチップの製法の一例について説
明する。まず半導体基板１のＬＤ２を形成する部分を１
〜60μｍ程度エッチングして段差を設ける。ついでＭＢ
Ｅ装置の成長室内にｎ型のＧａＡｓ基板１を導入し、つ
いで該基板１を550 〜720 ℃に加熱しつつ、基板１上に
ｎ型のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ドープ剤Ｓｉ）（ｘ＝0.3
〜0.8 ）からなる下部クラッド層13、Ａｌy Ｇａ1-y Ａ
ｓ（ドープ剤Ｓｉ）（ｙ＝０〜0.25）からなる活性層1
4、ｐ型のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ドープ剤Ｂｅ）（ｘ＝
0.3 〜0.8 ）からなる第１の上部クラッド層15、ｎ型の
ＧａＡｓからなるストップ層17、Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓ
（ｚ＝0.1 〜0.25）からなる蒸発防止用の保護層18およ
びＧａＡｓからなる酸化防止層（図示せず）を順に積層
する。
【００２３】つぎに、前記積層されたＧａＡｓ基板１を
ＭＢＥ装置の成長室内より外部に取り出したのち、スト
ライプ溝22ａ、22ｂ、22ｃが形成されるべき部分以外の
酸化防止層をホトレジストで覆う。そして、Ｈ2 Ｓ
Ｏ4 、Ｈ2 Ｏ2 系のエッチング液を用いて、ストップ層
17がわずかに（たとえば1000Å程度）残るように、酸化
防止層、保護層18およびストップ層17をそれぞれエッチ
ングしてストライプ溝22ａ、22ｂ、22ｃを形成する。
ＭＢＥ装置の成長室内より外部に取り出したのち、スト
ライプ溝22ａ、22ｂ、22ｃが形成されるべき部分以外の
酸化防止層をホトレジストで覆う。そして、Ｈ2 Ｓ
Ｏ4 、Ｈ2 Ｏ2 系のエッチング液を用いて、ストップ層
17がわずかに（たとえば1000Å程度）残るように、酸化
防止層、保護層18およびストップ層17をそれぞれエッチ
ングしてストライプ溝22ａ、22ｂ、22ｃを形成する。
【００２４】つぎに、ホトレジスト膜を除去したのち、
再びＧａＡｓ基板をＭＢＥ装置の成長室内に導入し、Ａ
ｓ分子線を当てつつ、ＧａＡｓ基板を710 〜790 ℃で約
20分間加熱して、残されたストップ層17を蒸発させる。
この際、ＧａＡｓとＡｌＧａＡｓの蒸発温度が異なるた
め、ストップ層17は蒸発するが、第１の上部クラッド層
15は蒸発せず、選択的にストップ層17のみを蒸発でき
る。これにより、第１の上部クラッド層15がストライプ
溝の底部に露出する。
再びＧａＡｓ基板をＭＢＥ装置の成長室内に導入し、Ａ
ｓ分子線を当てつつ、ＧａＡｓ基板を710 〜790 ℃で約
20分間加熱して、残されたストップ層17を蒸発させる。
この際、ＧａＡｓとＡｌＧａＡｓの蒸発温度が異なるた
め、ストップ層17は蒸発するが、第１の上部クラッド層
15は蒸発せず、選択的にストップ層17のみを蒸発でき
る。これにより、第１の上部クラッド層15がストライプ
溝の底部に露出する。
【００２５】また、残ったＧａＡｓからなるストップ層
17は、吸収層として働き、素子間の光の漏れを防止する
ことができる。
17は、吸収層として働き、素子間の光の漏れを防止する
ことができる。
【００２６】つぎに、ＧａＡｓ基板１の表面上に第２の
上部クラッド層20を成長させる。この第２の上部クラッ
ド層20は、ｐ型のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ドープ剤Ｂｅ）
（たとえばＡｌ組成ｘ＝0.3 〜0.8 ）からなり、第１の
上部クラッド層15よりもキャリア濃度が１桁高くされて
いる。たとえば、第１の上部クラッド層５のキャリア濃
度が３×1017cm-3ならば、第２の上部クラッド層のキャ
リア濃度は３×1018cm-3程度とされる。
上部クラッド層20を成長させる。この第２の上部クラッ
ド層20は、ｐ型のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ドープ剤Ｂｅ）
（たとえばＡｌ組成ｘ＝0.3 〜0.8 ）からなり、第１の
上部クラッド層15よりもキャリア濃度が１桁高くされて
いる。たとえば、第１の上部クラッド層５のキャリア濃
度が３×1017cm-3ならば、第２の上部クラッド層のキャ
リア濃度は３×1018cm-3程度とされる。
【００２７】第２の上部クラッド層20の成長が終了すれ
ば、再びＧａＡｓ基板１の温度を700 〜760 ℃、好まし
くは約730 ℃まで上昇させ、そのまま５〜60分間保持
し、電流領域を形成するため、第２の上部クラッド層20
から高濃度のドーパントを第１の上部クラッド層15へ拡
散させる。
ば、再びＧａＡｓ基板１の温度を700 〜760 ℃、好まし
くは約730 ℃まで上昇させ、そのまま５〜60分間保持
し、電流領域を形成するため、第２の上部クラッド層20
から高濃度のドーパントを第１の上部クラッド層15へ拡
散させる。
【００２８】最後に第２の上部クラッド層の上にｐ型の
ＧａＡｓからなるキャップ層21を形成する。
ＧａＡｓからなるキャップ層21を形成する。
【００２９】ついで、各ＬＤ間および各ＰＤ間にプロト
ンやボロンなどをドーズ量が、たとえば1011〜1014c
m-2、打込みエネルギーをたとえば20〜200 keV でイオ
ン打込みして各ダイオード間を電気的に分離する。
ンやボロンなどをドーズ量が、たとえば1011〜1014c
m-2、打込みエネルギーをたとえば20〜200 keV でイオ
ン打込みして各ダイオード間を電気的に分離する。
【００３０】つぎに、ＬＤ３の発光面を後方に下げるた
め、およびＬＤと分離して光検出用のＰＤを形成し、か
つ、各々のＬＤとＰＤのあいだに導光路が形成されるよ
うに、ＬＤ３の先端部および各ＬＤとＰＤのあいだの導
光路部分のみが露出するようにマスキングし、たとえば
塩素ガス雰囲気のケミカルアシステッドイオンビームエ
ッチング法により、アルゴンイオンで異方性エッチング
することによりＬＤ３の発光面のみを後方に位置させる
ことができる。このばあい、マスキングのレジスト膜と
してホトレジスト、チッ化ケイ素などの誘電体膜、金属
膜などを使用することにより、開口部のマスクのエッチ
ングがなされず、エッチング面を鏡面に仕上げることが
できる。
め、およびＬＤと分離して光検出用のＰＤを形成し、か
つ、各々のＬＤとＰＤのあいだに導光路が形成されるよ
うに、ＬＤ３の先端部および各ＬＤとＰＤのあいだの導
光路部分のみが露出するようにマスキングし、たとえば
塩素ガス雰囲気のケミカルアシステッドイオンビームエ
ッチング法により、アルゴンイオンで異方性エッチング
することによりＬＤ３の発光面のみを後方に位置させる
ことができる。このばあい、マスキングのレジスト膜と
してホトレジスト、チッ化ケイ素などの誘電体膜、金属
膜などを使用することにより、開口部のマスクのエッチ
ングがなされず、エッチング面を鏡面に仕上げることが
できる。
【００３１】そののち、上下の電極23および24をＡｕの
蒸着などで形成したのち、半導体ウエハをスクライブす
ることにより、各チップに分離する。
蒸着などで形成したのち、半導体ウエハをスクライブす
ることにより、各チップに分離する。
【００３２】前述の例で、ストップ層17を形成したの
ち、保護層18および酸化防止層を形成する例で説明した
が、保護層18はＧａＡｓを選択的に蒸発させるため、酸
化防止層19は半導体ウエハ取出し後の表面酸化を防ぐた
め形成したもので、レーザとしての動作には必らずしも
不可欠のものではない。また、ｎ型にするためのドーパ
ント材料としてＳｉの例で説明したが、その他にＳｎ、
Ｇｅなどを使用することができ、さらにｐ型のドーパン
ト材料としてはＢｅ以外にもＺｎ、Ｍｎなどを使用する
ことができる。さらにｎ型とｐ型はすべて逆にしても同
様にレーザ装置を形成することができる（一方を第１導
電型、他方を第２導電型とする）また、ＧａＡｓ基板以
外にＧａＰ、ＩｎＰなどの半導体基板を使用することが
でき、さらにＡｌＧａＡｓ系以外のＡｌＧａＩｎＰ、Ａ
ｌＧａＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰのような化合物半導体
を使用したレーザ装置でも本発明を適用できることはい
うまでもない。
ち、保護層18および酸化防止層を形成する例で説明した
が、保護層18はＧａＡｓを選択的に蒸発させるため、酸
化防止層19は半導体ウエハ取出し後の表面酸化を防ぐた
め形成したもので、レーザとしての動作には必らずしも
不可欠のものではない。また、ｎ型にするためのドーパ
ント材料としてＳｉの例で説明したが、その他にＳｎ、
Ｇｅなどを使用することができ、さらにｐ型のドーパン
ト材料としてはＢｅ以外にもＺｎ、Ｍｎなどを使用する
ことができる。さらにｎ型とｐ型はすべて逆にしても同
様にレーザ装置を形成することができる（一方を第１導
電型、他方を第２導電型とする）また、ＧａＡｓ基板以
外にＧａＰ、ＩｎＰなどの半導体基板を使用することが
でき、さらにＡｌＧａＡｓ系以外のＡｌＧａＩｎＰ、Ａ
ｌＧａＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰのような化合物半導体
を使用したレーザ装置でも本発明を適用できることはい
うまでもない。
【００３３】つぎに、本発明の半導体レーザ装置を用い
たときのトラックエラー信号の検出、フォーカスエラー
信号の検出およびピット状態のＲＦ信号の検出法につい
て説明する。
たときのトラックエラー信号の検出、フォーカスエラー
信号の検出およびピット状態のＲＦ信号の検出法につい
て説明する。
【００３４】まずトラックエラー信号の検出法について
説明する。図１に示されるような３個のＬＤが形成され
た半導体レーザ装置のばあいには、ＬＤ１とＬＤ２の２
個を用いてトラックエラー信号を検出する。戻り光によ
るＬＤの発振状態の変化を検出するには、ＬＤの端子電
圧などの変化を検出するＥ−ＳＣＯＯＰ法とＬＤから後
方に放射される光をＰＤなどの光検出器により検出する
Ｌ−ＳＣＯＯＰ法とがあるが、いずれのばあいでもＤＣ
成分に重畳したＲＦ成分を利用するもので考え方は同じ
てある。ここではＰＤを使用した光検出器により検出す
るＬ−ＳＣＯＯＰ法の例について説明する。
説明する。図１に示されるような３個のＬＤが形成され
た半導体レーザ装置のばあいには、ＬＤ１とＬＤ２の２
個を用いてトラックエラー信号を検出する。戻り光によ
るＬＤの発振状態の変化を検出するには、ＬＤの端子電
圧などの変化を検出するＥ−ＳＣＯＯＰ法とＬＤから後
方に放射される光をＰＤなどの光検出器により検出する
Ｌ−ＳＣＯＯＰ法とがあるが、いずれのばあいでもＤＣ
成分に重畳したＲＦ成分を利用するもので考え方は同じ
てある。ここではＰＤを使用した光検出器により検出す
るＬ−ＳＣＯＯＰ法の例について説明する。
【００３５】ＬＤからの光がＯＤにスポットを形成する
とき、図３（ａ）においてａで示すように、ＯＤに記録
されたピットＰ上にスポットが当るときは反射率が小さ
く戻り光も小さいが、図３（ａ）においてｄで示すよう
にピットＰ上にＬＤビームのスポットが形成されないと
きは、反射率は大きく戻り光も大きい。図３（ａ）にお
いてｂ、ｃで示すように、一部がピットＰ上にかかり、
一部がピットＰ上にないときは、ビームスポットがピッ
トＰ上にない面積に応じて戻り光の量が変化する。戻り
光が多いとＬＤキャビティ内の光密度が増加し、発光出
力が増加する。そのため、ＬＤの発光量をモニタするＰ
Ｄの出力を見ると、図３（ｂ）〜（ｄ）にトラック方向
と垂直方向にビームスポットの中心が偏位したときのＰ
Ｄの出力を示すように、ビームスポットの位置に応じて
ＰＤの出力が変わる。
とき、図３（ａ）においてａで示すように、ＯＤに記録
されたピットＰ上にスポットが当るときは反射率が小さ
く戻り光も小さいが、図３（ａ）においてｄで示すよう
にピットＰ上にＬＤビームのスポットが形成されないと
きは、反射率は大きく戻り光も大きい。図３（ａ）にお
いてｂ、ｃで示すように、一部がピットＰ上にかかり、
一部がピットＰ上にないときは、ビームスポットがピッ
トＰ上にない面積に応じて戻り光の量が変化する。戻り
光が多いとＬＤキャビティ内の光密度が増加し、発光出
力が増加する。そのため、ＬＤの発光量をモニタするＰ
Ｄの出力を見ると、図３（ｂ）〜（ｄ）にトラック方向
と垂直方向にビームスポットの中心が偏位したときのＰ
Ｄの出力を示すように、ビームスポットの位置に応じて
ＰＤの出力が変わる。
【００３６】したがって、戻り光により発振出力が変化
したＬＤ１とＬＤ２の発光量をＰＤ１とＰＤ２とで検出
することにより、図３（ｂ）において、ＰＤ１の出力ａ
0 とＰＤ２の出力ｂ0 の差ｈ0 が一定範囲内にあれば、
ＬＤ１とＬＤ２のスポット位置が正常で、トラッキング
エラーは発生していないことを示している。一方図３
（ｃ）に示すように、ＰＤ１の出力がａ1 でＰＤ２の出
力がｂ1 であればａ1 −ｂ1 の値が負となりその絶対値
が規定値より大きく、スポットの位置を図３（ａ）の上
で右側に補正しなければならないことを示しており、直
結したサーボモータを駆動することによりトラッキング
エラーを補正できる。さらに、図３（ｄ）に示すよう
に、ＰＤ１の出力がａ2 で、ＰＤ２の出力がｂ2 のとき
はａ2 −ｂ2の値が正となりその絶対値が規定値をより
大きくなり、スポット位置を前述のばあいとは反対方向
に補正しなければならないことを示し、サーボモータに
より補正できる。
したＬＤ１とＬＤ２の発光量をＰＤ１とＰＤ２とで検出
することにより、図３（ｂ）において、ＰＤ１の出力ａ
0 とＰＤ２の出力ｂ0 の差ｈ0 が一定範囲内にあれば、
ＬＤ１とＬＤ２のスポット位置が正常で、トラッキング
エラーは発生していないことを示している。一方図３
（ｃ）に示すように、ＰＤ１の出力がａ1 でＰＤ２の出
力がｂ1 であればａ1 −ｂ1 の値が負となりその絶対値
が規定値より大きく、スポットの位置を図３（ａ）の上
で右側に補正しなければならないことを示しており、直
結したサーボモータを駆動することによりトラッキング
エラーを補正できる。さらに、図３（ｄ）に示すよう
に、ＰＤ１の出力がａ2 で、ＰＤ２の出力がｂ2 のとき
はａ2 −ｂ2の値が正となりその絶対値が規定値をより
大きくなり、スポット位置を前述のばあいとは反対方向
に補正しなければならないことを示し、サーボモータに
より補正できる。
【００３７】フォーカスエラー信号はＬＤ１とＬＤ３の
２個のＬＤを用いることにより、それらのＰＤ１とＰＤ
３の出力によりトラッキングエラーの補正を同様に補正
することができる。すなわち焦点が合っていないとキャ
ビティにもどる光量が小さくなり、ＰＤの出力が小さく
なるため、差の値が正か負かで方向を知ることができ、
その差があらかじめ定められた値の範囲に入るように、
サーボモータで補正をすることができる。
２個のＬＤを用いることにより、それらのＰＤ１とＰＤ
３の出力によりトラッキングエラーの補正を同様に補正
することができる。すなわち焦点が合っていないとキャ
ビティにもどる光量が小さくなり、ＰＤの出力が小さく
なるため、差の値が正か負かで方向を知ることができ、
その差があらかじめ定められた値の範囲に入るように、
サーボモータで補正をすることができる。
【００３８】これらのＰＤの出力は、図４に示すよう
に、通常のＬＤの発光出力の上に戻り光による変動がピ
ットの繰り返しに伴う繰り返しの変動として現われる。
そのため位置ずれなどによるＰＤの出力の変化はたとえ
ば200 μＡ程度の直流上に２〜50μＡ程度の変動として
現われる。この繰り返しは連続したピットの繰り返しに
よりほぼ周期的に現われるため、交流部分のみを取り出
して増幅し直流に変換して比較することにより、より正
確に、かつ、簡単に比較することができる。その回路例
を図５に示す。図５でＰＤ１、ＰＤ２、ＰＤ３は前述の
ＬＤの後ろ側に配置された光検出器で、31ａ、31ｂ、31
ｃは直流成分カット用のコンデンサ、32ａ、32ｂ、33ｃ
は増幅器、33ａ、33ｂ、33ｃはオペアンプなどからなる
検波回路、34ａ、34ｂ、34ｃは平滑回路、35ａ、35ｂは
差をとり比較する演算回路で、その出力を制御すること
によりサーボモータで制御するものである。またピット
の状態を検出する本来のＲＦ出力信号はＰＤ１に接続さ
れた増幅器32ａの後ろの出力端子Ｏから取り出される。
なお図示されていないが、本実施例はＬ−ＳＣＯＯＰの
ため、各コンデンサ31ａ、31ｂ、31ｃの前またはうしろ
にＰＤの電流を電圧に変換する、たとえば抵抗などから
なる電流電圧変換回路が設けられている。
に、通常のＬＤの発光出力の上に戻り光による変動がピ
ットの繰り返しに伴う繰り返しの変動として現われる。
そのため位置ずれなどによるＰＤの出力の変化はたとえ
ば200 μＡ程度の直流上に２〜50μＡ程度の変動として
現われる。この繰り返しは連続したピットの繰り返しに
よりほぼ周期的に現われるため、交流部分のみを取り出
して増幅し直流に変換して比較することにより、より正
確に、かつ、簡単に比較することができる。その回路例
を図５に示す。図５でＰＤ１、ＰＤ２、ＰＤ３は前述の
ＬＤの後ろ側に配置された光検出器で、31ａ、31ｂ、31
ｃは直流成分カット用のコンデンサ、32ａ、32ｂ、33ｃ
は増幅器、33ａ、33ｂ、33ｃはオペアンプなどからなる
検波回路、34ａ、34ｂ、34ｃは平滑回路、35ａ、35ｂは
差をとり比較する演算回路で、その出力を制御すること
によりサーボモータで制御するものである。またピット
の状態を検出する本来のＲＦ出力信号はＰＤ１に接続さ
れた増幅器32ａの後ろの出力端子Ｏから取り出される。
なお図示されていないが、本実施例はＬ−ＳＣＯＯＰの
ため、各コンデンサ31ａ、31ｂ、31ｃの前またはうしろ
にＰＤの電流を電圧に変換する、たとえば抵抗などから
なる電流電圧変換回路が設けられている。
【００３９】前記実施例では、ＬＤおよびそれらの出力
信号の検出用ＰＤがそれぞれ３個のばあいで説明した
が、図６（ａ）に示すように、記録を読みとるＲＦ信号
用のＬＤ１の他にトラッキングエラー信号用として独立
に２個のＬＤ２とＬＤ４を設け２個のＬＤのビームスポ
ットを図６（ｂ）に示すように、ピットＰの両側縁部に
当たるようにして、図６（ｃ）に示すように両出力が等
しくなるように制御することもできる。またフォーカス
エラー用としても同様に独自に２個のＬＤを設け、両者
の出力が等しくなるようにして制御することもできる。
これらの半導体レーザ装置をうるには前述の３個のＬＤ
のばあいと同様にトラッキングエラー信号用のＬＤは半
導体基板に段差を設けることにより、またフォーカスエ
ラー信号用のＬＤは発光面をエッチングすることにより
うることができる。その構造の概略図を図７に示す。図
７でＬＤ１、ＰＤ１は記録信号を読みとるＲＦ信号検出
用、ＬＤ２、ＬＤ４とＰＤ２、ＰＤ４はそれぞれトラッ
キングエラー信号用、ＬＤ３、ＬＤ５とＰＤ３、ＰＤ５
はそれぞれフォーカスエラー信号用である。なお、トラ
ッキングエラー信号用とフォーカスエラー信号用の両方
共を独自に２個設ける必要はなく、いずれかを独立して
２個設けて、他はＲＦ信号検出用のＬＤ１、ＰＤ１と共
用することもできる。このばあいは全部で４個のＬＤ部
となる。
信号の検出用ＰＤがそれぞれ３個のばあいで説明した
が、図６（ａ）に示すように、記録を読みとるＲＦ信号
用のＬＤ１の他にトラッキングエラー信号用として独立
に２個のＬＤ２とＬＤ４を設け２個のＬＤのビームスポ
ットを図６（ｂ）に示すように、ピットＰの両側縁部に
当たるようにして、図６（ｃ）に示すように両出力が等
しくなるように制御することもできる。またフォーカス
エラー用としても同様に独自に２個のＬＤを設け、両者
の出力が等しくなるようにして制御することもできる。
これらの半導体レーザ装置をうるには前述の３個のＬＤ
のばあいと同様にトラッキングエラー信号用のＬＤは半
導体基板に段差を設けることにより、またフォーカスエ
ラー信号用のＬＤは発光面をエッチングすることにより
うることができる。その構造の概略図を図７に示す。図
７でＬＤ１、ＰＤ１は記録信号を読みとるＲＦ信号検出
用、ＬＤ２、ＬＤ４とＰＤ２、ＰＤ４はそれぞれトラッ
キングエラー信号用、ＬＤ３、ＬＤ５とＰＤ３、ＰＤ５
はそれぞれフォーカスエラー信号用である。なお、トラ
ッキングエラー信号用とフォーカスエラー信号用の両方
共を独自に２個設ける必要はなく、いずれかを独立して
２個設けて、他はＲＦ信号検出用のＬＤ１、ＰＤ１と共
用することもできる。このばあいは全部で４個のＬＤ部
となる。
【００４０】前記実施例では発光部としてＬＤを使用し
たが、ＬＤの構造は例示した構造に限られず、ＬＤとし
て使用できるものであればどのような構造でもよい。ま
た光検出部としてＰＤの例で説明したが、ＬＤと同じプ
ロセスで形成されたｐｎ接合を利用したＰＤ以外にイオ
ン打込みで形成されたｐｎ接合または抵抗層などの光を
検出できるものであれば何でもよい。さらに、ＬＤの発
光量を検出しないで、ＬＤの電圧変化を読みとるＥ−Ｓ
ＣＯＯＰのばあいには、光検出部はＡＰＣ動作のために
外部に設置すればよく、トラッキングエラー信号やフォ
ーカスエラー信号用として不要であることはいうまでも
ない。
たが、ＬＤの構造は例示した構造に限られず、ＬＤとし
て使用できるものであればどのような構造でもよい。ま
た光検出部としてＰＤの例で説明したが、ＬＤと同じプ
ロセスで形成されたｐｎ接合を利用したＰＤ以外にイオ
ン打込みで形成されたｐｎ接合または抵抗層などの光を
検出できるものであれば何でもよい。さらに、ＬＤの発
光量を検出しないで、ＬＤの電圧変化を読みとるＥ−Ｓ
ＣＯＯＰのばあいには、光検出部はＡＰＣ動作のために
外部に設置すればよく、トラッキングエラー信号やフォ
ーカスエラー信号用として不要であることはいうまでも
ない。
【００４１】前記実施例ではピット検出用のＲＦ信号検
出用、トラッキングエラー信号用、およびフォーカスエ
ラー信号用のＬＤとＰＤについての構造の例を示した
が、本発明によればこれらを１チップに形成できるた
め、これらのＬＤの他に、書込み専用のＬＤや消去専用
のＬＤ、さらには書き込んだ状態を確認する確認用のＬ
Ｄをトラック方向に並べて１個のチップ内に形成するこ
とができる。このような構成にすることにより、読み出
すと共に引き続き新しいデータを書き込んだり、消去し
たり、または書き込むと同時にその内容を確認したりす
ることができ効率的な光ピックアップをうることができ
る。
出用、トラッキングエラー信号用、およびフォーカスエ
ラー信号用のＬＤとＰＤについての構造の例を示した
が、本発明によればこれらを１チップに形成できるた
め、これらのＬＤの他に、書込み専用のＬＤや消去専用
のＬＤ、さらには書き込んだ状態を確認する確認用のＬ
Ｄをトラック方向に並べて１個のチップ内に形成するこ
とができる。このような構成にすることにより、読み出
すと共に引き続き新しいデータを書き込んだり、消去し
たり、または書き込むと同時にその内容を確認したりす
ることができ効率的な光ピックアップをうることができ
る。
【００４２】さらにトラック方向と垂直方向にトラック
ピッチの間隔（通常1.6 μｍ程度）ずらせた位置に、第
２のＲＦ信号検出用のＬＤの光スポットを設けてスクー
プを形成することにより同時に２つのトラックの信号を
検出することができる。
ピッチの間隔（通常1.6 μｍ程度）ずらせた位置に、第
２のＲＦ信号検出用のＬＤの光スポットを設けてスクー
プを形成することにより同時に２つのトラックの信号を
検出することができる。
【００４３】それらの付加的ＬＤを設けるばあいも前述
の半導体レーザ装置を製造するプロセスで、同様に１チ
ップに集積化することができる。このばあいトラック方
向と垂直方向にトラックピッチの間隔ですべらせた位置
に第２のＲＦ信号検出用ＬＤを設けるばあいはトラック
方向にずらすと共にトラック方向と垂直にずらす（前述
のトラッキングエラー検出用としてＬＤを設けたものと
同様に形成する）ことによりえられる。
の半導体レーザ装置を製造するプロセスで、同様に１チ
ップに集積化することができる。このばあいトラック方
向と垂直方向にトラックピッチの間隔ですべらせた位置
に第２のＲＦ信号検出用ＬＤを設けるばあいはトラック
方向にずらすと共にトラック方向と垂直にずらす（前述
のトラッキングエラー検出用としてＬＤを設けたものと
同様に形成する）ことによりえられる。
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば、ＯＤのピットからの信
号検出用およびトラッキングエラー信号用とフォーカス
エラー信号用のＬＤを１個のチップ内に集積化し、スク
ープ用半導体レーザ装置がえられるため、小型に形成で
きると共に、対物レンズと一定距離に配置するだけで、
複雑なアライメント操作を必要とせずに正確な位置関係
の高性能な光ピックアップがえられる。しかも、半導体
レーザ装置のコストダウンのみならず、組立コストも大
幅に低減でき、さらに高価な光学部品も不要となり、光
ピックアップの大幅なコストダウンを達成できる。
号検出用およびトラッキングエラー信号用とフォーカス
エラー信号用のＬＤを１個のチップ内に集積化し、スク
ープ用半導体レーザ装置がえられるため、小型に形成で
きると共に、対物レンズと一定距離に配置するだけで、
複雑なアライメント操作を必要とせずに正確な位置関係
の高性能な光ピックアップがえられる。しかも、半導体
レーザ装置のコストダウンのみならず、組立コストも大
幅に低減でき、さらに高価な光学部品も不要となり、光
ピックアップの大幅なコストダウンを達成できる。
【００４５】さらにビームスプリッタを使用しないの
で、光の利用効率が上がり、より高速の書込みができ
る。
で、光の利用効率が上がり、より高速の書込みができ
る。
【００４６】また、本発明によれば各ＬＤをモノリシッ
クに集積化しているため、さらに同一チップ内に書込み
専用、消去専用、確認用または第２の信号検出用などの
ＬＤを作り込みむことができ、「読出し」、「消去」、
「書込み」の一連の動作を一度にしたり、２つのトラッ
クの信号を同時に読み出したりするなどの高機能化を達
成することができる。
クに集積化しているため、さらに同一チップ内に書込み
専用、消去専用、確認用または第２の信号検出用などの
ＬＤを作り込みむことができ、「読出し」、「消去」、
「書込み」の一連の動作を一度にしたり、２つのトラッ
クの信号を同時に読み出したりするなどの高機能化を達
成することができる。
【図１】（ａ）は本発明の半導体レーザ装置の一実施例
の平面図で、（ｂ）はその等価回路図である。
の平面図で、（ｂ）はその等価回路図である。
【図２】（ａ）は本発明の半導体レーザ装置の一実施例
の発光部および光検出部の斜視説明図、（ｂ）は発光部
の断面説明図である。
の発光部および光検出部の斜視説明図、（ｂ）は発光部
の断面説明図である。
【図３】戻り光によりＬＤ部分で受ける変化の様子を説
明する図である。
明する図である。
【図４】ＰＤで検出される一般的な信号を説明する図で
ある。
ある。
【図５】ＰＤにより検出された信号を処理する回路の一
例を示すブロック図である。
例を示すブロック図である。
【図６】トラッキングエラー信号用に独立して２個のＬ
Ｄを設けたばあいの説明図である。
Ｄを設けたばあいの説明図である。
【図７】５個のＬＤを集積化した半導体チップの構造例
を示す図である。
を示す図である。
【図８】従来のスクープ法によるＬＤの配置例を示す図
である。
である。
【図９】図８のＬＤの配列によりＯＤに形成されるビー
ムスポットの位置関係を示す図である。
ムスポットの位置関係を示す図である。
４ａ、４ｂ、４ｃ 導光路 ＬＤ１ ＲＦ信号検出用発光部 ＬＤ２ トラックエラー信号用発光部 ＬＤ３ フォーカスエラー信号用発光部 ＰＤ１ 光検出部 ＰＤ２ 光検出部 ＰＤ３ 光検出部
Claims (4)
- 【請求項１】 同一方向にレーザ光を出射する発光部が
１個のチップに少なくとも３個形成され、該発光部のう
ち少なくとも２個の発光面はレーザ光の出射方向に段差
を有するように形成され、前記発光部のうち前記２個の
組合せと異なる少なくとも２個は前記段差が形成された
２個の発光部と出射方向とで形成される平面と垂直方向
に偏位すると共に前記レーザ光の出射方向と垂直平面内
に形成されてなる半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記各々の発光部の前記レーザ光の出射
方向と反対側にそれぞれ光検出部が設けられて該発光部
と光検出部間に導光路が形成されると共に、隣りあう少
なくとも導光路間に光遮断部が形成されてなる請求項１
記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 トラッキングエラー信号、フォーカスエ
ラー信号およびＲＦ信号をそれぞれ検出するための少な
くとも３個の発光部が設けられると共に、該発光部の他
に書込み専用および／または消去専用のレーザダイオー
ドが同一チップ内に形成されてなる半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 トラッキングエラー信号、フォーカスエ
ラー信号およびＲＦ信号をそれぞれ検出するための少な
くとも３個の発光部が設けられると共に、該ＲＦ信号検
出用の発光部とトラック幅だけトラック方向と垂直方向
に離れた位置に第２のＲＦ信号検出用の発光部が設けら
れてなる半導体レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5084870A JPH06302002A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 半導体レーザ装置 |
| US08/574,580 US5619521A (en) | 1993-04-12 | 1995-12-14 | Semiconductor laser system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5084870A JPH06302002A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302002A true JPH06302002A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=13842840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5084870A Pending JPH06302002A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5619521A (ja) |
| JP (1) | JPH06302002A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0793222A3 (en) * | 1996-02-28 | 1998-04-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical apparatus |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09213918A (ja) * | 1996-02-01 | 1997-08-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光電子集積回路素子 |
| US5894467A (en) * | 1997-02-19 | 1999-04-13 | Hewlett-Packard Company | Multiple VSEL assembly for read/write and tracking applications in optical disks |
| US5953812A (en) * | 1997-07-03 | 1999-09-21 | Schlumberger Technologies, Inc. | Misinsert sensing in pick and place tooling |
| US6365061B1 (en) * | 1999-02-17 | 2002-04-02 | Imation Corp. | Multibeam laser servowriting of magnetic data storage media |
| JP3988343B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2007-10-10 | ソニー株式会社 | 光学ピックアップ装置、光ディスク装置及びトラック判別信号検出方法 |
| JP2001229570A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-24 | Pioneer Electronic Corp | 光ピックアップ装置及びレーザダイオードチップ |
| WO2003102938A1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-12-11 | Sony Corporation | Two-wavelength optical element |
| US8476652B2 (en) | 2010-07-30 | 2013-07-02 | Invenlux Corporation | Three-dimensional light-emitting devices and method for fabricating the same |
| WO2013066325A1 (en) * | 2011-11-02 | 2013-05-10 | Intel Corporation | Waveguide avalanche photodetectors |
| DE102017119664A1 (de) | 2017-08-28 | 2019-02-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Kantenemittierender Laserbarren |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113139A (en) * | 1979-02-16 | 1980-09-01 | Pioneer Video Corp | Optical information reading pickup unit |
| JPS60234232A (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスクおよびそのトラツキング方法 |
| JPS632121A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-07 | Fuji Electric Co Ltd | 情報記録媒体用光源 |
| US4847848A (en) * | 1987-02-20 | 1989-07-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| JPS63292688A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Canon Inc | 半導体レ−ザアレイ |
| JPH039588A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マルチビーム半導体レーザ |
| JPH03112184A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
-
1993
- 1993-04-12 JP JP5084870A patent/JPH06302002A/ja active Pending
-
1995
- 1995-12-14 US US08/574,580 patent/US5619521A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0793222A3 (en) * | 1996-02-28 | 1998-04-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5619521A (en) | 1997-04-08 |
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