JPH06302260A - 基板型温度ヒュ−ズ - Google Patents
基板型温度ヒュ−ズInfo
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- JPH06302260A JPH06302260A JP11005293A JP11005293A JPH06302260A JP H06302260 A JPH06302260 A JP H06302260A JP 11005293 A JP11005293 A JP 11005293A JP 11005293 A JP11005293 A JP 11005293A JP H06302260 A JPH06302260 A JP H06302260A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】作動温度以下の温度で加熱されてフラックスが
溶融されても、低融点可溶合金片上のフラックス量を充
分に保持させ、良好な作動を保障できる基板型温度ヒュ
−ズを提供する。 【構成】絶縁基板１の片面上に巾方向に間隔を隔てて層
状電極２を設け、これら電極２の先端部間に低融点可溶
合金片３を橋設し、該低融点可溶合金片３にフラックス
４を塗布し、各電極後端側からリ−ド線５を接続し、上
記絶縁基板片面の全面に絶縁層６を被覆した温度ヒュ−
ズにおいて、低融点可溶合金片両端３１のそれぞれを各
電極先端部縁端２２から突出させた。
溶融されても、低融点可溶合金片上のフラックス量を充
分に保持させ、良好な作動を保障できる基板型温度ヒュ
−ズを提供する。 【構成】絶縁基板１の片面上に巾方向に間隔を隔てて層
状電極２を設け、これら電極２の先端部間に低融点可溶
合金片３を橋設し、該低融点可溶合金片３にフラックス
４を塗布し、各電極後端側からリ−ド線５を接続し、上
記絶縁基板片面の全面に絶縁層６を被覆した温度ヒュ−
ズにおいて、低融点可溶合金片両端３１のそれぞれを各
電極先端部縁端２２から突出させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はヒュ−ズエレメントに低
融点可溶合金片を使用した合金タイプの基板型温度ヒュ
−ズに関するものである。
融点可溶合金片を使用した合金タイプの基板型温度ヒュ
−ズに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電気機器を過電流から保護し、電気機器
の熱的損傷、ひいては火災の発生を未然に防止する電気
部品として温度ヒュ−ズが存在する。この温度ヒュ−ズ
として、ヒュ−ズエレメントに低融点可溶合金片を用い
た合金タイプの温度ヒュ−ズが汎用されている。この合
金タイプの温度ヒュ−ズの基本的な構造は、電極間に低
融点可溶合金片を橋設し、その低融点可溶合金片上にフ
ラツクスを塗布し、このフラツクス塗布合金片を絶縁体
で包囲した構成であり、被保護機器における過電流で発
熱し易い箇所に取り付けて使用され、その作動過程は次
の通りである。
の熱的損傷、ひいては火災の発生を未然に防止する電気
部品として温度ヒュ−ズが存在する。この温度ヒュ−ズ
として、ヒュ−ズエレメントに低融点可溶合金片を用い
た合金タイプの温度ヒュ−ズが汎用されている。この合
金タイプの温度ヒュ−ズの基本的な構造は、電極間に低
融点可溶合金片を橋設し、その低融点可溶合金片上にフ
ラツクスを塗布し、このフラツクス塗布合金片を絶縁体
で包囲した構成であり、被保護機器における過電流で発
熱し易い箇所に取り付けて使用され、その作動過程は次
の通りである。
【０００３】すなわち、被保護機器が過電流で発熱する
と、その発生熱により低融点可溶合金片が溶融し、この
溶融金属が表面張力で既に溶融しているフラツクスとの
共存下、表面張力により球状化し、この球状化が進んで
分断され、機器への通電が遮断される。この場合、溶融
金属の球状化には、溶融金属の電極への濡れ性が主に関
与し、濡れ性が良好なほど球状化がよく促進され、迅速
な分断が期待できる。而るに、溶融フラックスにおいて
は、溶融金属の濡れ性を良好にするから、溶融金属の球
状化分断の促進に寄与する。
と、その発生熱により低融点可溶合金片が溶融し、この
溶融金属が表面張力で既に溶融しているフラツクスとの
共存下、表面張力により球状化し、この球状化が進んで
分断され、機器への通電が遮断される。この場合、溶融
金属の球状化には、溶融金属の電極への濡れ性が主に関
与し、濡れ性が良好なほど球状化がよく促進され、迅速
な分断が期待できる。而るに、溶融フラックスにおいて
は、溶融金属の濡れ性を良好にするから、溶融金属の球
状化分断の促進に寄与する。
【０００４】本出願人においては、合金タイプの温度ヒ
ュ−ズとして、基板型温度ヒュ−ズを開発した。この基
板型温度ヒュ−ズの基本的構造は、図３の（イ）並びに
図３の（ロ）〔図３の（イ）のロ−ロ断面図〕に示すよ
うに、絶縁基板１’の片面上に巾方向に間隔を隔てて層
状電極２’，２’を設け、これら電極の先端部間に低融
点可溶合金片３’を橋設し、該低融点可溶合金片３’上
にフラックス４’を塗布し、各電極２’に後端側からリ
−ド線先端部５２’を接続し、上記絶縁基板片面の全面
に絶縁層６’を被覆した構成であり、絶縁基板面を被保
護機器に接触させて使用される。
ュ−ズとして、基板型温度ヒュ−ズを開発した。この基
板型温度ヒュ−ズの基本的構造は、図３の（イ）並びに
図３の（ロ）〔図３の（イ）のロ−ロ断面図〕に示すよ
うに、絶縁基板１’の片面上に巾方向に間隔を隔てて層
状電極２’，２’を設け、これら電極の先端部間に低融
点可溶合金片３’を橋設し、該低融点可溶合金片３’上
にフラックス４’を塗布し、各電極２’に後端側からリ
−ド線先端部５２’を接続し、上記絶縁基板片面の全面
に絶縁層６’を被覆した構成であり、絶縁基板面を被保
護機器に接触させて使用される。
【０００５】この基板型温度ヒュ−ズにおいては、温度
ヒュ−ズの全表面中、絶縁基板面が占める割合が高く、
他の方式の温度ヒュ−ズに較べ機器との接触面積を広く
し得、しかも、絶縁基板例えば、セラミックス板が良好
な熱良伝導性を有するので、被保護機器からの発生熱を
高感度で受熱できる。
ヒュ−ズの全表面中、絶縁基板面が占める割合が高く、
他の方式の温度ヒュ−ズに較べ機器との接触面積を広く
し得、しかも、絶縁基板例えば、セラミックス板が良好
な熱良伝導性を有するので、被保護機器からの発生熱を
高感度で受熱できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】温度ヒュ−ズにおいて
は、定格電流を流しつづけても作動しない温度としてホ
−ルディング温度が設定されている。（例えば、公称動
作温度１１５℃の温度ヒュ−ズのホ−ルディング温度は
８９℃、公称動作温度１３０℃の温度ヒュ−ズのホ−ル
ディング温度は１０２℃、公称動作温度１３３℃の温度
ヒュ−ズのホ−ルディング温度は１０８℃、公称動作温
度１５０℃の温度ヒュ−ズのホ−ルディング温度は１２
３℃である） 而して、温度ヒュ−ズが作動温度以下であっても、ホ−
ルディング温度近傍にまで加熱されると、フラックスの
溶融が避けられない。
は、定格電流を流しつづけても作動しない温度としてホ
−ルディング温度が設定されている。（例えば、公称動
作温度１１５℃の温度ヒュ−ズのホ−ルディング温度は
８９℃、公称動作温度１３０℃の温度ヒュ−ズのホ−ル
ディング温度は１０２℃、公称動作温度１３３℃の温度
ヒュ−ズのホ−ルディング温度は１０８℃、公称動作温
度１５０℃の温度ヒュ−ズのホ−ルディング温度は１２
３℃である） 而して、温度ヒュ−ズが作動温度以下であっても、ホ−
ルディング温度近傍にまで加熱されると、フラックスの
溶融が避けられない。
【０００７】上記基板型温度ヒュ−ズにおいては、低融
点可溶合金片両端３１’のそれぞれを各電極先端部の巾
中間に位置させてある（フラックスが塗布された部分で
は絶縁被覆層と絶縁基板並びに層状電極との接着が行わ
れず、この非接着部分の面積が多くなるほど、絶縁被覆
層の封止性が低下するので、フラックスの塗布量は低融
点可溶合金片を包囲するに足る最小限度に抑えてあ
る）。
点可溶合金片両端３１’のそれぞれを各電極先端部の巾
中間に位置させてある（フラックスが塗布された部分で
は絶縁被覆層と絶縁基板並びに層状電極との接着が行わ
れず、この非接着部分の面積が多くなるほど、絶縁被覆
層の封止性が低下するので、フラックスの塗布量は低融
点可溶合金片を包囲するに足る最小限度に抑えてあ
る）。
【０００８】また、電極２’面とリ−ド線先端部５２’
との境に、深い微細間隙の入隅箇所ｎ’が存在し、この
入隅箇所を絶縁被覆層の材料で完全に埋めることは困難
であり（この絶縁被覆層には、低融点可溶合金片に塗布
したフラックスを溶融させることのないように、常温硬
化性のエポキシ樹脂が使用されるが、低融点可溶合金片
が機械的に弱く、切断され易いので、絶縁被覆に加圧成
形法を使用することは無理であり、滴下塗装等の実質上
無加圧方式を使用せざるを得ないので、入隅箇所に被覆
材料を完全に圧入することは困難である）、その入隅箇
所に毛細管通路が形成され易い。
との境に、深い微細間隙の入隅箇所ｎ’が存在し、この
入隅箇所を絶縁被覆層の材料で完全に埋めることは困難
であり（この絶縁被覆層には、低融点可溶合金片に塗布
したフラックスを溶融させることのないように、常温硬
化性のエポキシ樹脂が使用されるが、低融点可溶合金片
が機械的に弱く、切断され易いので、絶縁被覆に加圧成
形法を使用することは無理であり、滴下塗装等の実質上
無加圧方式を使用せざるを得ないので、入隅箇所に被覆
材料を完全に圧入することは困難である）、その入隅箇
所に毛細管通路が形成され易い。
【０００９】而して、かかる毛細管通路の形成のもとで
は、温度ヒュ−ズが上記ホ−ルディング温度近傍にまで
加熱され、フラックスが溶融されると、該溶融フラック
スが熱膨張圧力のために図４に示すように毛細管通路に
向かって流動し、低融点可溶合金片上のフラックス量の
減少が余儀なくされる。この場合、低融点可溶合金片
３’の両側隣接箇所ａ1，ａ2のうち、リ−ド線５’側と
は反対側の片側隣接箇所ａ2の大部分のフラックスは低
融点可溶合金片各端３１’を廻って毛細管通路に向い流
動する。
は、温度ヒュ−ズが上記ホ−ルディング温度近傍にまで
加熱され、フラックスが溶融されると、該溶融フラック
スが熱膨張圧力のために図４に示すように毛細管通路に
向かって流動し、低融点可溶合金片上のフラックス量の
減少が余儀なくされる。この場合、低融点可溶合金片
３’の両側隣接箇所ａ1，ａ2のうち、リ−ド線５’側と
は反対側の片側隣接箇所ａ2の大部分のフラックスは低
融点可溶合金片各端３１’を廻って毛細管通路に向い流
動する。
【００１０】かかる状態で、温度ヒュ−ズが加熱されて
低融点可溶合金片が溶融されても、溶融合金と共存する
溶融フラックス量が不足し、溶融合金の球状化分断に対
する溶融フラックスの促進作用が達成されず、低融点可
溶合金片の迅速な分断が期待できず、温度ヒュ−ズの作
動性低下が避けられない。
低融点可溶合金片が溶融されても、溶融合金と共存する
溶融フラックス量が不足し、溶融合金の球状化分断に対
する溶融フラックスの促進作用が達成されず、低融点可
溶合金片の迅速な分断が期待できず、温度ヒュ−ズの作
動性低下が避けられない。
【００１１】本発明の目的は、作動温度以下の温度で加
熱されてフラックスが溶融されても、低融点可溶合金片
上のフラックス量を充分に保持させ、良好な作動を保障
できる基板型温度ヒュ−ズを提供することにある。
熱されてフラックスが溶融されても、低融点可溶合金片
上のフラックス量を充分に保持させ、良好な作動を保障
できる基板型温度ヒュ−ズを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の基板型温度ヒュ
−ズは、絶縁基板の片面上に巾方向に間隔を隔てて層状
電極を設け、これら電極の先端部間に低融点可溶合金片
を橋設し、該低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、
各電極後端側からリ−ド線を接続し、上記絶縁基板片面
の全面に絶縁層を被覆した温度ヒュ−ズにおいて、低融
点可溶合金片両端のそれぞれを各電極先端部縁端から突
出させたことを特徴とする構成である。
−ズは、絶縁基板の片面上に巾方向に間隔を隔てて層状
電極を設け、これら電極の先端部間に低融点可溶合金片
を橋設し、該低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、
各電極後端側からリ−ド線を接続し、上記絶縁基板片面
の全面に絶縁層を被覆した温度ヒュ−ズにおいて、低融
点可溶合金片両端のそれぞれを各電極先端部縁端から突
出させたことを特徴とする構成である。
【００１３】
【作用】低融点可溶合金片の各端を各電極先端部の縁端
から突出させてあるから、低融点可溶合金片の上記片側
隣接箇所のフラックスに対しては、当該フラックスが温
度ヒュ−ズの作動温度以下の温度で溶融され膨張加圧さ
れても、低融点可溶合金片各端を廻ってのリ−ド線側へ
の流動を防止できる。
から突出させてあるから、低融点可溶合金片の上記片側
隣接箇所のフラックスに対しては、当該フラックスが温
度ヒュ−ズの作動温度以下の温度で溶融され膨張加圧さ
れても、低融点可溶合金片各端を廻ってのリ−ド線側へ
の流動を防止できる。
【００１４】而るに、作動温度以下の温度で加熱されて
フラックスが溶融されても、低融点可溶合金片に隣接す
るフラックス量のある程度の確保を保障できる。従っ
て、温度ヒュ−ズの作動時、溶融合金の球状化分断に対
する溶融フラックスの促進作用が達成され、低融点可溶
合金片の良好な分断が期待でき、温度ヒュ−ズ作動性が
充分に保障される。
フラックスが溶融されても、低融点可溶合金片に隣接す
るフラックス量のある程度の確保を保障できる。従っ
て、温度ヒュ−ズの作動時、溶融合金の球状化分断に対
する溶融フラックスの促進作用が達成され、低融点可溶
合金片の良好な分断が期待でき、温度ヒュ−ズ作動性が
充分に保障される。
【００１５】
【実施例】以下、図面により本発明の実施例を説明す
る。図１の（イ）は本発明の実施例を示す平面説明図、
図１の（ロ）は図１の（イ）におけるロ−ロ断面図であ
る。図１の（イ）並びに図１の（ロ）において、１は良
好な熱伝導性を有する絶縁基板であり、通常、セラミッ
クス板が使用される。２，２は絶縁基板１の片面上に巾
方向に間隔を隔てて設けた層状電極であり、銀ペ−スト
等の導電性塗料の焼き付け、銅箔積層絶縁基板の銅箔の
エッチング等により形成してある。各電極２の後端２１
は絶縁基板後端１１に対し所定の距離ａを隔てて位置さ
せてある。
る。図１の（イ）は本発明の実施例を示す平面説明図、
図１の（ロ）は図１の（イ）におけるロ−ロ断面図であ
る。図１の（イ）並びに図１の（ロ）において、１は良
好な熱伝導性を有する絶縁基板であり、通常、セラミッ
クス板が使用される。２，２は絶縁基板１の片面上に巾
方向に間隔を隔てて設けた層状電極であり、銀ペ−スト
等の導電性塗料の焼き付け、銅箔積層絶縁基板の銅箔の
エッチング等により形成してある。各電極２の後端２１
は絶縁基板後端１１に対し所定の距離ａを隔てて位置さ
せてある。
【００１６】３は両電極２，２の先端部間に溶接等によ
り橋設した低融点可溶合金片であり、各端３１を各電極
先端部縁端２２から突出させてある。ｂは突出距離を示
している。４はフラックスであり、低融点可溶合金片３
上に塗布してある（低融点可溶合金３全体に塗布して
も、片端３１においては、下面がフラックスに濡れ難い
セラミックスであるために、該端３１にフラックスが付
着されないこともある）。５はリ−ド線であり、単線導
体５１にプラスチック絶縁層を押出被覆した絶縁被覆線
を使用し、口出導体５２をその先端521を低融点可溶合
金片３に接近させて（間隔ｃが0.2mm〜1.5mm程度とされ
る）電極２に半田付け、溶接等により接続してある。
り橋設した低融点可溶合金片であり、各端３１を各電極
先端部縁端２２から突出させてある。ｂは突出距離を示
している。４はフラックスであり、低融点可溶合金片３
上に塗布してある（低融点可溶合金３全体に塗布して
も、片端３１においては、下面がフラックスに濡れ難い
セラミックスであるために、該端３１にフラックスが付
着されないこともある）。５はリ−ド線であり、単線導
体５１にプラスチック絶縁層を押出被覆した絶縁被覆線
を使用し、口出導体５２をその先端521を低融点可溶合
金片３に接近させて（間隔ｃが0.2mm〜1.5mm程度とされ
る）電極２に半田付け、溶接等により接続してある。
【００１７】６は絶縁基板片面の全面に設けた絶縁被覆
層であり、例えば、実質上の無加圧方式により被覆して
ある。例えば、エポキシ樹脂液の滴下塗装により被覆す
ることができる。
層であり、例えば、実質上の無加圧方式により被覆して
ある。例えば、エポキシ樹脂液の滴下塗装により被覆す
ることができる。
【００１８】上記の基板型温度ヒュ−ズは、既述した通
り被保護機器に取り付けて使用される。この場合、作動
温度以下の温度での加熱により、低融点可溶合金片３は
溶融されずにフラックス４のみが溶融されることがあ
る。而るに、リ−ド線口出導体５２と層状電極２との境
のコ−ナｎには、深い微細な間隙が存在し、上記絶縁被
覆材６の無加圧被覆、例えば、滴下塗装では、このコ−
ナを完全に充填することが困難であるから、このコ−ナ
に毛細管通路が形成され易い。
り被保護機器に取り付けて使用される。この場合、作動
温度以下の温度での加熱により、低融点可溶合金片３は
溶融されずにフラックス４のみが溶融されることがあ
る。而るに、リ−ド線口出導体５２と層状電極２との境
のコ−ナｎには、深い微細な間隙が存在し、上記絶縁被
覆材６の無加圧被覆、例えば、滴下塗装では、このコ−
ナを完全に充填することが困難であるから、このコ−ナ
に毛細管通路が形成され易い。
【００１９】而して、フラックス４のみが溶融される
と、低融点可溶合金片３直上のフラックス並びに低融点
可溶合金片両側隣接箇所ａ1，ａ2のうちリ−ド線側隣接
箇所ａ 1のフラックスにおいては、その膨張圧力のため
に、リ−ド線５に向かって流動するが、リ−ド線側と反
対側の隣接箇所ａ2のフラックスにおいては、低融点可
溶合金片各端３１が突出されているために、低融点可溶
合金片各端３１を廻り難く、リ−ド線５に向かっての流
動が阻止される。従って、作動温度以下の温度での加熱
によりフラックスのみが溶融されても、従来例よりも、
低融点可溶合金片に接するフラックス量をある程度多量
に確実に保持でき、従って、温度ヒュ−ズの作動時、低
融点可溶合金片の溶融合金に溶融フラックスを充分に共
存させ得、溶融合金の球状化分断に対する溶融フラック
スの促進作用をよく達成させ得る。
と、低融点可溶合金片３直上のフラックス並びに低融点
可溶合金片両側隣接箇所ａ1，ａ2のうちリ−ド線側隣接
箇所ａ 1のフラックスにおいては、その膨張圧力のため
に、リ−ド線５に向かって流動するが、リ−ド線側と反
対側の隣接箇所ａ2のフラックスにおいては、低融点可
溶合金片各端３１が突出されているために、低融点可溶
合金片各端３１を廻り難く、リ−ド線５に向かっての流
動が阻止される。従って、作動温度以下の温度での加熱
によりフラックスのみが溶融されても、従来例よりも、
低融点可溶合金片に接するフラックス量をある程度多量
に確実に保持でき、従って、温度ヒュ−ズの作動時、低
融点可溶合金片の溶融合金に溶融フラックスを充分に共
存させ得、溶融合金の球状化分断に対する溶融フラック
スの促進作用をよく達成させ得る。
【００２０】上記において、低融点可溶合金片各端３１
の突出距離ｂは、後述する距離ｅの確保上、絶縁基板１
の巾の増加をもたらすので、0.1mm〜1.0mm程度とされ
る。電極２，２間の距離ｄは、低融点可溶合金片の球状
化分断を保障するのに必要な距離に設定され、250V定格
で0.9mm〜1.5mmに設定される。また、電極先端２３と絶
縁基板先端１３までの間隔ｆ並びに低融点可溶合金片端
３１から絶縁基板横端１２までの間隔ｅは溶融低融点可
溶合金が絶縁基板と絶縁被覆層との接着界面を剥離して
外部に圧出するのを防止するのに必要な間隔に設定さ
れ、250V定格の温度ヒュ−ズの場合、ｅ＝0.4mm〜1.6m
m，ｆ＝1.3mm〜1.6mm設定される。ａは0.2mm〜1.0mmに
設定される。
の突出距離ｂは、後述する距離ｅの確保上、絶縁基板１
の巾の増加をもたらすので、0.1mm〜1.0mm程度とされ
る。電極２，２間の距離ｄは、低融点可溶合金片の球状
化分断を保障するのに必要な距離に設定され、250V定格
で0.9mm〜1.5mmに設定される。また、電極先端２３と絶
縁基板先端１３までの間隔ｆ並びに低融点可溶合金片端
３１から絶縁基板横端１２までの間隔ｅは溶融低融点可
溶合金が絶縁基板と絶縁被覆層との接着界面を剥離して
外部に圧出するのを防止するのに必要な間隔に設定さ
れ、250V定格の温度ヒュ−ズの場合、ｅ＝0.4mm〜1.6m
m，ｆ＝1.3mm〜1.6mm設定される。ａは0.2mm〜1.0mmに
設定される。
【００２１】図２は本発明の別実施例の基板型温度ヒュ
−ズを示し、低融点可溶合金片３を橋設する電極先端部
２ａの巾をリ−ド線口出導体５２を接続する電極部分２
ｂの巾に較べて狭くし、低融点可溶合金片端３１から絶
縁基板横端１２までの間隔を溶融低融点可溶合金が絶縁
基板と絶縁被覆層との接着界面を剥離して外部に圧出す
るのを防止するのに必要な間隔ｅに設定し、電極部分２
ｂと絶縁基板横端１２までの間隔ｇを基板型温度ヒュ−
ズの両横端をア−ス電位に保持したときの対地電圧の絶
縁に必要な間隔に設定してあり、他の寸法ａ，ｂ，ｃ，
ｄ，ｆ等は、図１に示した実施例と同じである。
−ズを示し、低融点可溶合金片３を橋設する電極先端部
２ａの巾をリ−ド線口出導体５２を接続する電極部分２
ｂの巾に較べて狭くし、低融点可溶合金片端３１から絶
縁基板横端１２までの間隔を溶融低融点可溶合金が絶縁
基板と絶縁被覆層との接着界面を剥離して外部に圧出す
るのを防止するのに必要な間隔ｅに設定し、電極部分２
ｂと絶縁基板横端１２までの間隔ｇを基板型温度ヒュ−
ズの両横端をア−ス電位に保持したときの対地電圧の絶
縁に必要な間隔に設定してあり、他の寸法ａ，ｂ，ｃ，
ｄ，ｆ等は、図１に示した実施例と同じである。
【００２２】本発明の基板型温度ヒュ−ズにおいては、
この作動以前にフラックスが溶融されて熱膨張により加
圧されても、低融点可溶合金片に隣接するフラックス量
を充分に確保できる。このことは次の試験結果からも確
認できる。 試験結果 実施例品は、図２において、ａ＝０．５mm，ｄ＝１．１
mm，ｅ＝１．２mm,ｆ＝１．４mm,電極先端部２ａ巾＝
０．８mm，電極部分２ｂ巾＝１．５mmとし、絶縁基板に
厚さ０．６ｍｍのセラミックス板を使用し、層状電極を
銀ペ−ストの焼き付けにより設け、絶縁被覆リ−ド線に
導体直径０．５１mmのものを使用し、口出導体の長さを
２．６mmとし、低融点可溶合金片に厚み０．３mm，巾
０．４mmの断面四角形，融点９８℃のものを使用し、低
融点可溶合金片各端の突出距離ｂを０．５mmとし、口出
導体先端から低融点可溶合金片までの距離ｃ＝０．５mm
とし、厚み１．８mmのエポキシ樹脂の滴下塗装により絶
縁被覆を施した定格電圧250V用の基板型温度ヒュ−ズで
ある。これに対し、比較例品は低融点可溶合金片各端を
電極先端部２ａの巾中央に位置させ、これ以外は実施例
品と同じとした。
この作動以前にフラックスが溶融されて熱膨張により加
圧されても、低融点可溶合金片に隣接するフラックス量
を充分に確保できる。このことは次の試験結果からも確
認できる。 試験結果 実施例品は、図２において、ａ＝０．５mm，ｄ＝１．１
mm，ｅ＝１．２mm,ｆ＝１．４mm,電極先端部２ａ巾＝
０．８mm，電極部分２ｂ巾＝１．５mmとし、絶縁基板に
厚さ０．６ｍｍのセラミックス板を使用し、層状電極を
銀ペ−ストの焼き付けにより設け、絶縁被覆リ−ド線に
導体直径０．５１mmのものを使用し、口出導体の長さを
２．６mmとし、低融点可溶合金片に厚み０．３mm，巾
０．４mmの断面四角形，融点９８℃のものを使用し、低
融点可溶合金片各端の突出距離ｂを０．５mmとし、口出
導体先端から低融点可溶合金片までの距離ｃ＝０．５mm
とし、厚み１．８mmのエポキシ樹脂の滴下塗装により絶
縁被覆を施した定格電圧250V用の基板型温度ヒュ−ズで
ある。これに対し、比較例品は低融点可溶合金片各端を
電極先端部２ａの巾中央に位置させ、これ以外は実施例
品と同じとした。
【００２３】比較例品並びに実施例品をそれぞれ５０個
づつ製作し、温度８０℃で１００時間加熱したのち、冷
却後、解体して、低融点可溶合金片に隣接しているフラ
ックス量を測定したところ、実施例品では、当初量の７
０％以上であったが、比較例品では６０％〜５０％であ
った。
づつ製作し、温度８０℃で１００時間加熱したのち、冷
却後、解体して、低融点可溶合金片に隣接しているフラ
ックス量を測定したところ、実施例品では、当初量の７
０％以上であったが、比較例品では６０％〜５０％であ
った。
【００２４】
【発明の効果】本発明の基板型温度ヒュ−ズは上述した
通りの構成であり、作動以前に加熱によりフラックスが
溶融され、その熱膨張で加圧されても、低融点可溶合金
片に隣接するフラックス量を充分に保持させ得、温度ヒ
ュ−ズの作動性を充分に保障できる。
通りの構成であり、作動以前に加熱によりフラックスが
溶融され、その熱膨張で加圧されても、低融点可溶合金
片に隣接するフラックス量を充分に保持させ得、温度ヒ
ュ−ズの作動性を充分に保障できる。
【図１】図１の（イ）は本発明の実施例を示す説明図、
図１の（ロ）は図１の（イ）のロ−ロ断面図であるであ
る。
図１の（ロ）は図１の（イ）のロ−ロ断面図であるであ
る。
【図２】本発明の別実施例を示す説明図である。
【図３】図３の（イ）は従来例を示す説明図、図３の
（ロ）は図３の（イ）のロ−ロ断面図であるである。
（ロ）は図３の（イ）のロ−ロ断面図であるである。
【図４】図３に示す従来例の作動温度以下での溶融フラ
ックスの流動状態を示す説明図である。
ックスの流動状態を示す説明図である。
１ 絶縁基板 ２ 層状電極 ２２ 電極先端部縁端 ３ 低融点可溶合金片 ３１ 低融点可溶合金片端 ４ フラックス ５ リ−ド線 ５２ リ−ド線の電極接続部分 ６ 絶縁被覆層
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板の片面上に巾方向に間隔を隔てて
層状電極を設け、これら電極の先端部間に低融点可溶合
金片を橋設し、該低融点可溶合金片にフラックスを塗布
し、各電極後端側からリ−ド線を接続し、上記絶縁基板
片面の全面に絶縁層を被覆した温度ヒュ−ズにおいて、
低融点可溶合金片両端のそれぞれを各電極先端部縁端か
ら突出させたことを特徴とする基板型温度ヒュ−ズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11005293A JP3267740B2 (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 基板型温度ヒュ−ズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11005293A JP3267740B2 (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 基板型温度ヒュ−ズ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302260A true JPH06302260A (ja) | 1994-10-28 |
| JP3267740B2 JP3267740B2 (ja) | 2002-03-25 |
Family
ID=14525882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11005293A Expired - Fee Related JP3267740B2 (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 基板型温度ヒュ−ズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3267740B2 (ja) |
-
1993
- 1993-04-12 JP JP11005293A patent/JP3267740B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3267740B2 (ja) | 2002-03-25 |
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Legal Events
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