JPH06302293A - マイクロ波イオン源 - Google Patents
マイクロ波イオン源Info
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- JPH06302293A JPH06302293A JP5087492A JP8749293A JPH06302293A JP H06302293 A JPH06302293 A JP H06302293A JP 5087492 A JP5087492 A JP 5087492A JP 8749293 A JP8749293 A JP 8749293A JP H06302293 A JPH06302293 A JP H06302293A
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- microwave
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 イオンビーム出口のスリット位置およびその
手前の磁場発散を解消することによって、大電流のイオ
ンビームを得ることのできるマイクロ波イオン源を提供
する。 【構成】 磁場中のマイクロ波放電によって放電箱７内
でプラズマを発生し、引出し電極８ａ、８ｂを用いて、
スリット８ａ’を通してイオンビームを引出すマイクロ
波イオン源において、放電箱７の側面に、磁性体ででき
た少なくとも一対以上の磁場補正用ポールピース２１、
２２を放電箱７をはさむように取り付ける。 【効果】 スリット位置およびその手前におけるスリッ
トの幅の狭い方向の磁力成分が打ち消され、引出しイオ
ンビームが平行となるため、大電流のイオンビームを得
ることができる。
手前の磁場発散を解消することによって、大電流のイオ
ンビームを得ることのできるマイクロ波イオン源を提供
する。 【構成】 磁場中のマイクロ波放電によって放電箱７内
でプラズマを発生し、引出し電極８ａ、８ｂを用いて、
スリット８ａ’を通してイオンビームを引出すマイクロ
波イオン源において、放電箱７の側面に、磁性体ででき
た少なくとも一対以上の磁場補正用ポールピース２１、
２２を放電箱７をはさむように取り付ける。 【効果】 スリット位置およびその手前におけるスリッ
トの幅の狭い方向の磁力成分が打ち消され、引出しイオ
ンビームが平行となるため、大電流のイオンビームを得
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン打ち込み装置に
使用されるマイクロ波イオン源に係り、そのスリット近
傍の磁場分布の改善およびイオン引き出し電流の増加に
関する。
使用されるマイクロ波イオン源に係り、そのスリット近
傍の磁場分布の改善およびイオン引き出し電流の増加に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来のマイクロ波イオン源を説
明する図である。図６において、１はマイクロ波を発生
するマグネトロン、２はチョークフランジ、３は導波
管、４は絶縁物でできた導入窓、５は誘電体充填物、６
は磁場発生用コイル、７は放電箱、８ａ’はスリット、
８ａ、８ｂ、９ａ、９ｂは引出電極、１０はイオンビー
ム、１１は導波路、１２は磁場を効率良く集めるための
ポールピース、１３はガス導入口、１４は磁路である。
ここで、各コイルおよび電極へ電流や電圧を供給、制御
する給電制御装置は、省略されている。
明する図である。図６において、１はマイクロ波を発生
するマグネトロン、２はチョークフランジ、３は導波
管、４は絶縁物でできた導入窓、５は誘電体充填物、６
は磁場発生用コイル、７は放電箱、８ａ’はスリット、
８ａ、８ｂ、９ａ、９ｂは引出電極、１０はイオンビー
ム、１１は導波路、１２は磁場を効率良く集めるための
ポールピース、１３はガス導入口、１４は磁路である。
ここで、各コイルおよび電極へ電流や電圧を供給、制御
する給電制御装置は、省略されている。
【０００３】マグネトロン１で発生した高周波（例え
ば、２．４５ＧＨｚ）のマイクロ波は、チョークフラン
ジ２および導波管３を通し、さらに、絶縁物でできた導
入窓４を通して導入される。このマイクロ波は、さら
に、誘電体充填物５と導波路１１を通り、放電箱７へ導
かれる。放電箱７では、コイル６で発生した磁場をポー
ルピース１２を用いて効率良く集め、そこへガス導入口
１３より試料ガスを導入してプラズマを発生させる。こ
のプラズマは、スリット８ａ’を通して、引出し電極８
ａ、８ｂ、９ａ、９ｂを用いて引き出され、イオンビー
ム１０が得られる。
ば、２．４５ＧＨｚ）のマイクロ波は、チョークフラン
ジ２および導波管３を通し、さらに、絶縁物でできた導
入窓４を通して導入される。このマイクロ波は、さら
に、誘電体充填物５と導波路１１を通り、放電箱７へ導
かれる。放電箱７では、コイル６で発生した磁場をポー
ルピース１２を用いて効率良く集め、そこへガス導入口
１３より試料ガスを導入してプラズマを発生させる。こ
のプラズマは、スリット８ａ’を通して、引出し電極８
ａ、８ｂ、９ａ、９ｂを用いて引き出され、イオンビー
ム１０が得られる。
【０００４】ここで、引出し電極８ｂは、磁性材料で、
磁路１４とともに磁場が引出し電極９ａ、９ｂに漏洩す
るのを防いでいる。このときの放電箱７の中心軸でのイ
オンビーム１０の引出し方向の磁力成分（Ｂｚ）と、ス
リット８ａ’の幅の狭い方向の磁力成分（Ｂｘ）の、イ
オンビーム１０の引出し方向における変化を図７に示
す。ここで、スリット８ａ’の位置は、２．４ｃｍの位
置にある。
磁路１４とともに磁場が引出し電極９ａ、９ｂに漏洩す
るのを防いでいる。このときの放電箱７の中心軸でのイ
オンビーム１０の引出し方向の磁力成分（Ｂｚ）と、ス
リット８ａ’の幅の狭い方向の磁力成分（Ｂｘ）の、イ
オンビーム１０の引出し方向における変化を図７に示
す。ここで、スリット８ａ’の位置は、２．４ｃｍの位
置にある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図７に示され
るように、従来技術のイオン源においては、イオンを引
出すスリット８ａ’の位置およびその手前では、スリッ
トの幅の狭い方向の磁力成分Ｂｘが０とはならず、有限
であった。つまり、そこでの磁場が発散していたため、
その磁力線に沿って運動するイオンは、スリットを通し
て、イオン源外側へ出ることができずに、スリットへ衝
突し、消滅したり、あるいは、引出されたとしても発散
ビームとなってしまう。その結果、引き出されるイオン
電流を、増加させることは困難であるという問題があっ
た。
るように、従来技術のイオン源においては、イオンを引
出すスリット８ａ’の位置およびその手前では、スリッ
トの幅の狭い方向の磁力成分Ｂｘが０とはならず、有限
であった。つまり、そこでの磁場が発散していたため、
その磁力線に沿って運動するイオンは、スリットを通し
て、イオン源外側へ出ることができずに、スリットへ衝
突し、消滅したり、あるいは、引出されたとしても発散
ビームとなってしまう。その結果、引き出されるイオン
電流を、増加させることは困難であるという問題があっ
た。
【０００６】本発明の目的は、イオンビーム出口のスリ
ット位置およびその手前における磁場発散を、引出電極
への磁場漏洩を起さずに解消することによって、大電流
のイオンビームを得ることのできる、マイクロ波イオン
源を提供することにある。
ット位置およびその手前における磁場発散を、引出電極
への磁場漏洩を起さずに解消することによって、大電流
のイオンビームを得ることのできる、マイクロ波イオン
源を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、マイクロ波
イオン源の放電箱側面に磁性材料によって構成される少
なくとも一対以上の磁場補正用部材を、放電箱が間にく
るように取り付けることによって達成できる。この磁場
補正用部材として、ポールピース、あるいは、永久磁石
を使用することができる。
イオン源の放電箱側面に磁性材料によって構成される少
なくとも一対以上の磁場補正用部材を、放電箱が間にく
るように取り付けることによって達成できる。この磁場
補正用部材として、ポールピース、あるいは、永久磁石
を使用することができる。
【０００８】
【作用】本発明では、スリット位置およびその手前に磁
場補正用のポールピースを取り付けることによって、磁
力線を吸収及び偏向させることで、磁路とスリットを分
離することによって、スリット位置およびその手前のス
リットの幅の狭い方向の磁力成分を非常に小さくするこ
とができる。同様に、磁場補正用のポールピースの代わ
りに永久磁石を取り付け、それらの磁力線の合成によっ
て、その領域のスリット幅の狭い方向の磁力成分を打ち
消すことができる。
場補正用のポールピースを取り付けることによって、磁
力線を吸収及び偏向させることで、磁路とスリットを分
離することによって、スリット位置およびその手前のス
リットの幅の狭い方向の磁力成分を非常に小さくするこ
とができる。同様に、磁場補正用のポールピースの代わ
りに永久磁石を取り付け、それらの磁力線の合成によっ
て、その領域のスリット幅の狭い方向の磁力成分を打ち
消すことができる。
【０００９】したがって、放電箱内において、スリット
位置およびその手前での磁場は発散せず、その磁場の磁
力線に沿って運動している荷電粒子は、スリットに衝突
することなく、平行ビームとして引き出される。
位置およびその手前での磁場は発散せず、その磁場の磁
力線に沿って運動している荷電粒子は、スリットに衝突
することなく、平行ビームとして引き出される。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例を、図１および図２を参照
して説明する。まず、従来技術と異なる、本発明による
イオン源の放電箱付近の構造を、図１に示す。
して説明する。まず、従来技術と異なる、本発明による
イオン源の放電箱付近の構造を、図１に示す。
【００１１】図１は、磁場補正用部材として、放電箱７
にポールピース２１、２２を取り付けた例を示してい
る。ここで、１１は放電箱７を囲むように取り付けられ
た導波路、８ａ’はスリット、８ａ、８ｂは引出電極、
１２はポールピースである。なお、図１では、マグネト
ロン１、チョークフランジ２、導波管３、導入窓４、誘
電体充填物５、コイル６、引出し電極９ａ、９ｂ、イオ
ンビーム１０、ガス導入口１３、磁路１４の図示は省略
されている。これらの構造は、図６に示されているもの
と同じである。また、図示されていない、各電極の電圧
を制御する電圧制御装置がある。
にポールピース２１、２２を取り付けた例を示してい
る。ここで、１１は放電箱７を囲むように取り付けられ
た導波路、８ａ’はスリット、８ａ、８ｂは引出電極、
１２はポールピースである。なお、図１では、マグネト
ロン１、チョークフランジ２、導波管３、導入窓４、誘
電体充填物５、コイル６、引出し電極９ａ、９ｂ、イオ
ンビーム１０、ガス導入口１３、磁路１４の図示は省略
されている。これらの構造は、図６に示されているもの
と同じである。また、図示されていない、各電極の電圧
を制御する電圧制御装置がある。
【００１２】引出し電極８ｂは、磁性体で作られ、ポー
ルピース１２とともに放電箱７へ効率良く磁場を発生さ
せている。さらに、磁場補正用ポールピース２１、２２
は、それぞれ一対ずつ、放電箱７を間にはさむように、
スリット幅の狭い方向に対向配置され、一方は、スリッ
ト８ａ’の近くへ、もう一方は、ポールピース１２の近
くに置かれている。ここで、ポールピースを２対使用す
るのは、スリット８ａ’近くに、ポールピースを一対だ
け配置することによって生じる磁場分布の勾配を均一化
するという理由からである。また、引出し電極８ａは、
非磁性体としている。
ルピース１２とともに放電箱７へ効率良く磁場を発生さ
せている。さらに、磁場補正用ポールピース２１、２２
は、それぞれ一対ずつ、放電箱７を間にはさむように、
スリット幅の狭い方向に対向配置され、一方は、スリッ
ト８ａ’の近くへ、もう一方は、ポールピース１２の近
くに置かれている。ここで、ポールピースを２対使用す
るのは、スリット８ａ’近くに、ポールピースを一対だ
け配置することによって生じる磁場分布の勾配を均一化
するという理由からである。また、引出し電極８ａは、
非磁性体としている。
【００１３】この放電箱７内における磁場分布のシミュ
レーション結果を、図２に示す。図２における横軸Ｚ
は、イオンビーム１０の引出し方向を正としたときの放
電箱７の中心軸での位置を示し、スリット８ａ’の上端
は、２．４ｃｍの位置である。ここで、Ｂｚは、その中
心軸におけるＺ方向の磁力成分で、Ｂｘは、スリット８
ａ’の幅の狭い方向の磁力成分である。このように、ス
リット位置前後の領域において、Ｘ方向の磁場Ｂｘは非
常に小さくなっており、磁力線はＺ方向と平行になって
いる。
レーション結果を、図２に示す。図２における横軸Ｚ
は、イオンビーム１０の引出し方向を正としたときの放
電箱７の中心軸での位置を示し、スリット８ａ’の上端
は、２．４ｃｍの位置である。ここで、Ｂｚは、その中
心軸におけるＺ方向の磁力成分で、Ｂｘは、スリット８
ａ’の幅の狭い方向の磁力成分である。このように、ス
リット位置前後の領域において、Ｘ方向の磁場Ｂｘは非
常に小さくなっており、磁力線はＺ方向と平行になって
いる。
【００１４】次に、磁場補正用部材として、永久磁石２
３を取り付けた一実施例を、図３および図４に示す。図
３では、図１における磁場補正用ポールピース２１、２
２のかわりに、永久磁石２３を取り付けた放電箱７付近
の構造を示している。
３を取り付けた一実施例を、図３および図４に示す。図
３では、図１における磁場補正用ポールピース２１、２
２のかわりに、永久磁石２３を取り付けた放電箱７付近
の構造を示している。
【００１５】図３において、永久磁石２３は、同じ極面
が向いあうように取り付けられている。ここで、磁力線
の向きが、ポールピース１２から引出し電極８ｂへ向か
う方向の場合、永久磁石２３は、放電箱７の中心軸をは
さむように、その両側面にＮ極、その反対の面にＳ極が
配置されるよう取り付けられている。
が向いあうように取り付けられている。ここで、磁力線
の向きが、ポールピース１２から引出し電極８ｂへ向か
う方向の場合、永久磁石２３は、放電箱７の中心軸をは
さむように、その両側面にＮ極、その反対の面にＳ極が
配置されるよう取り付けられている。
【００１６】このときの磁場分布のシミュレーション結
果を、図４に示す。図４における横軸のＺは、イオンビ
ーム１０の引出し方向を正としたときの放電箱７の中心
軸での位置を示し、スリット８ａ’の下端は２．４ｃｍ
の位置である。ここで、Ｂｚは、その中心軸におけるＺ
方向の磁力成分で、Ｂｘは、スリット８ａ’の幅の狭い
方向の磁力成分である。このように、Ｂｘは、スリット
８ａ’の位置を含む放電箱７内領域で非常に小さく、磁
力線は、Ｚ軸とほぼ平行となっている。
果を、図４に示す。図４における横軸のＺは、イオンビ
ーム１０の引出し方向を正としたときの放電箱７の中心
軸での位置を示し、スリット８ａ’の下端は２．４ｃｍ
の位置である。ここで、Ｂｚは、その中心軸におけるＺ
方向の磁力成分で、Ｂｘは、スリット８ａ’の幅の狭い
方向の磁力成分である。このように、Ｂｘは、スリット
８ａ’の位置を含む放電箱７内領域で非常に小さく、磁
力線は、Ｚ軸とほぼ平行となっている。
【００１７】上記二つの実施例では、磁界補正部材とし
て、ポールピースまたは永久磁石を用いたが、または、
磁界の調整をできる電磁石を用いることもできる。
て、ポールピースまたは永久磁石を用いたが、または、
磁界の調整をできる電磁石を用いることもできる。
【００１８】次に、これら実施例のマイクロ波イオン源
を用いたイオン打ち込み装置を、図５を用いて説明す
る。図５に示すイオン打ち込み装置は、マイクロ波を発
生するためのマグネトロン１と、低電位部から高電位部
へマイクロ波を導入するためのチョークフランジ２と、
イオンを生成するためのマイクロ波イオン源３１と、当
該マイクロ波イオン源３１からイオンビーム１０を引出
すための、中心に矩形の穴を持つ金属製の板材から構成
される引出し電極９ａ、９ｂと、当該イオンビーム１０
の通路に配置された、電磁石を含む質量分離器３２と、
その下流側に配置された、中心に矩形の穴をもつ金属製
の板材から成る電極を、複数枚並べて構成された後段加
速電極３３と、その下流側に配置され、電磁石でできた
偏向磁石３４と、当該偏向磁石３４の下流側に配置され
た試料をのせる回転円板３５とから構成される。ここ
で、図示されていないが、上記各電極および電磁石に接
続され、それらの電圧電流を制御する給電装置がある。
を用いたイオン打ち込み装置を、図５を用いて説明す
る。図５に示すイオン打ち込み装置は、マイクロ波を発
生するためのマグネトロン１と、低電位部から高電位部
へマイクロ波を導入するためのチョークフランジ２と、
イオンを生成するためのマイクロ波イオン源３１と、当
該マイクロ波イオン源３１からイオンビーム１０を引出
すための、中心に矩形の穴を持つ金属製の板材から構成
される引出し電極９ａ、９ｂと、当該イオンビーム１０
の通路に配置された、電磁石を含む質量分離器３２と、
その下流側に配置された、中心に矩形の穴をもつ金属製
の板材から成る電極を、複数枚並べて構成された後段加
速電極３３と、その下流側に配置され、電磁石でできた
偏向磁石３４と、当該偏向磁石３４の下流側に配置され
た試料をのせる回転円板３５とから構成される。ここ
で、図示されていないが、上記各電極および電磁石に接
続され、それらの電圧電流を制御する給電装置がある。
【００１９】本実施例では、本発明によるマイクロ波イ
オン源３１でイオンが生成され、このイオンが引出し電
極９ａ、９ｂを通過してイオンビーム１０が生成され
る。イオン源３１のスリット近くの磁場成分Ｂｘは非常
に小さいため、引き出されたイオンビーム１０は、Ｘ方
向のイオン密度分布が一様な平行ビームとなる。このイ
オンビーム１０は、質量分離器３２に送りこまれ、ここ
で必要なイオンのみが分離され、その後、後段加速電極
３３で所定のエネルギー、例えば、数１０ｋＶまで加速
される。加速されたイオンビーム１０は、不純物除去の
ために取り付けられた偏向磁石３４によって偏向され
る。最後に、イオンビーム１０は、回転しながらイオン
ビーム１０に対して垂直な方向にスキャンされている回
転円板３５に取り付けられた半導体等の試料に打ち込ま
れる。イオンビーム１０は、イオン密度分布が一様な平
行ビームであるため、均一なビーム照射を行なうことが
できる。
オン源３１でイオンが生成され、このイオンが引出し電
極９ａ、９ｂを通過してイオンビーム１０が生成され
る。イオン源３１のスリット近くの磁場成分Ｂｘは非常
に小さいため、引き出されたイオンビーム１０は、Ｘ方
向のイオン密度分布が一様な平行ビームとなる。このイ
オンビーム１０は、質量分離器３２に送りこまれ、ここ
で必要なイオンのみが分離され、その後、後段加速電極
３３で所定のエネルギー、例えば、数１０ｋＶまで加速
される。加速されたイオンビーム１０は、不純物除去の
ために取り付けられた偏向磁石３４によって偏向され
る。最後に、イオンビーム１０は、回転しながらイオン
ビーム１０に対して垂直な方向にスキャンされている回
転円板３５に取り付けられた半導体等の試料に打ち込ま
れる。イオンビーム１０は、イオン密度分布が一様な平
行ビームであるため、均一なビーム照射を行なうことが
できる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、マイクロ波イオン源に
おいて、ビーム引出方向と垂直方向の磁力成分を打ち消
すことができるため、引き出されるイオンビームが平行
となり、ビーム引出方向と垂直な方向におけるビーム密
度分布が一様になる。したがって、当該イオン源の放電
箱内で生成されたイオンが無駄なく引き出され、イオン
ビームの大電流化が可能となる。
おいて、ビーム引出方向と垂直方向の磁力成分を打ち消
すことができるため、引き出されるイオンビームが平行
となり、ビーム引出方向と垂直な方向におけるビーム密
度分布が一様になる。したがって、当該イオン源の放電
箱内で生成されたイオンが無駄なく引き出され、イオン
ビームの大電流化が可能となる。
【００２１】また、このイオン源を使用すれば、引き出
されるイオンビームは、大電流で、イオン密度が一様な
平行ビームのため、均一で迅速なビーム打ち込みが可能
となり、イオン打ち込み装置のスループットを大幅に向
上することが可能となる。
されるイオンビームは、大電流で、イオン密度が一様な
平行ビームのため、均一で迅速なビーム打ち込みが可能
となり、イオン打ち込み装置のスループットを大幅に向
上することが可能となる。
【００２２】
【図１】本発明の一実施例として、磁場補正用ポールピ
ースを取り付けた放電箱近傍の詳細断面図である。
ースを取り付けた放電箱近傍の詳細断面図である。
【図２】磁場分布シミュレーションによって得られた、
図１の一実施例による放電箱中心軸において、イオンビ
ーム引出し方向を正のＺ方向とした、ＸおよびＺ方向の
磁場成分分布を示したグラフである。
図１の一実施例による放電箱中心軸において、イオンビ
ーム引出し方向を正のＺ方向とした、ＸおよびＺ方向の
磁場成分分布を示したグラフである。
【図３】本発明の一実施例として、磁場補正用に永久磁
石を取り付けた放電箱近傍の詳細断面図である。
石を取り付けた放電箱近傍の詳細断面図である。
【図４】磁場分布シミュレーションによって得られた、
図３の一実施例による放電箱中心軸において、イオンビ
ーム引出し方向を正のＺ方向とした、ＸおよびＺ方向の
磁場成分分布を示したグラフである。
図３の一実施例による放電箱中心軸において、イオンビ
ーム引出し方向を正のＺ方向とした、ＸおよびＺ方向の
磁場成分分布を示したグラフである。
【図５】本発明のイオン源を取り付けたイオン打ち込み
装置の一実施例の説明図である。
装置の一実施例の説明図である。
【図６】従来技術による、マイクロ波イオン源の説明図
である。
である。
【図７】磁場分布シミュレーションによって得られた、
図６の従来技術による放電箱中心軸において、イオンビ
ーム引出し方向を正のＺ方向とした、ＸおよびＺ方向の
磁場成分分布を示したグラフである。
図６の従来技術による放電箱中心軸において、イオンビ
ーム引出し方向を正のＺ方向とした、ＸおよびＺ方向の
磁場成分分布を示したグラフである。
１…マグネトロン、 ２…チョークフ
ランジ、３…導波管、 ４…導
入窓、５…誘電体充填物、 ６…コイ
ル、７…放電箱、 ８ａ、８
ｂ、９ａ、９ｂ…引出し電極、８ａ’…スリット、
１０…イオンビーム、１１…導波路、
１２…ポールピース、１３…ガス
導入口、 １４…磁路、２１、２２…
磁場補正用ポールピース、２３…永久磁石、３１…マイ
クロ波イオン源、 ３２…質量分離器、３３…
後段加速電極、 ３４…偏向マグネッ
ト、３５…回転円板。
ランジ、３…導波管、 ４…導
入窓、５…誘電体充填物、 ６…コイ
ル、７…放電箱、 ８ａ、８
ｂ、９ａ、９ｂ…引出し電極、８ａ’…スリット、
１０…イオンビーム、１１…導波路、
１２…ポールピース、１３…ガス
導入口、 １４…磁路、２１、２２…
磁場補正用ポールピース、２３…永久磁石、３１…マイ
クロ波イオン源、 ３２…質量分離器、３３…
後段加速電極、 ３４…偏向マグネッ
ト、３５…回転円板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/265
Claims (7)
- 【請求項１】磁場中のマイクロ波放電によって放電箱内
でプラズマを発生し、引出し電極を用いて当該プラズマ
をスリットから引出し、イオンビームとするマイクロ波
イオン源において、 磁性材料によって構成され、放電箱が間にくるように対
向配置された、少なくとも一対以上の磁界補正部材を備
え、 その磁界補正部材は、スリット位置およびその手前の領
域におけるイオン引出方向と垂直な方向の発散磁力成分
を、打ち消すように配置されたことを特徴とするマイク
ロ波イオン源。 - 【請求項２】請求項１において、前記磁界補正部材は、
前記磁場の磁路を変えることにより、前記発散磁力成分
を打ち消すためのポールピースであることを特徴とする
マイクロ波イオン源。 - 【請求項３】請求項１において、前記磁界補正部材は、
前記磁場の磁力線とそれ自身の発生する磁力線とを重畳
することにより、前記発散磁力成分を打ち消すための永
久磁石であることを特徴とするマイクロ波イオン源。 - 【請求項４】磁場中のマイクロ波放電によって放電箱内
でプラズマを発生し、引出し電極を用いて当該プラズマ
を矩形のスリットから引出し、イオンビームとするマイ
クロ波イオン源において、 磁性材料によって構成され、放電箱が間にくるように対
向配置された、少なくとも一対以上の磁界補正部材を備
え、 その磁界補正部材は、スリット位置およびその手前の領
域におけるスリット幅の狭い方向の磁力成分Ｂｘを打ち
消すように、配置されたことを特徴とするマイクロ波イ
オン源。 - 【請求項５】請求項４において、前記磁界補正部材は、
前記磁場の磁路を変えることにより、前記Ｂｘを打ち消
すためのポールピースであることを特徴とするマイクロ
波イオン源。 - 【請求項６】請求項４において、前記磁界補正部材は、
前記磁場の磁力線とそれ自身の発生する磁力線とを重畳
することにより、前記Ｂｘを打ち消すための永久磁石で
あることを特徴とするマイクロ波イオン源。 - 【請求項７】イオンを発生し、そのイオンを引出し電極
によって引き出すイオン源と、引き出されたイオンの質
量を分離する質量分離器と、当該質量分離器で分離され
たイオンを更に加速あるいは減速するための電極と、加
速あるいは減速されたイオンビームを偏向するための偏
向磁石と、そのイオンビームが打ち込まれる被打ち込み
物が取り付けられる円板とを有するイオン打ち込み装置
において、 イオン源は、請求項１および６のうちいずれかに記載の
マイクロ波イオン源であることを特徴とするイオン打ち
込み装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5087492A JPH06302293A (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | マイクロ波イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5087492A JPH06302293A (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | マイクロ波イオン源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302293A true JPH06302293A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=13916461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5087492A Pending JPH06302293A (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | マイクロ波イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302293A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008234880A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Hitachi Ltd | イオン源 |
-
1993
- 1993-04-14 JP JP5087492A patent/JPH06302293A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008234880A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Hitachi Ltd | イオン源 |
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