JPH06302796A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH06302796A JPH06302796A JP5110987A JP11098793A JPH06302796A JP H06302796 A JPH06302796 A JP H06302796A JP 5110987 A JP5110987 A JP 5110987A JP 11098793 A JP11098793 A JP 11098793A JP H06302796 A JPH06302796 A JP H06302796A
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- JP
- Japan
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- light
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- tft
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 静電気による素子の破壊を有効に防止するこ
とができる密着型イメージセンサを提供する。 【構成】 マトリックス接続された一つのブロックに
は、複数のホトダイオード１０とＴＦＴ１２のペアが形
成される。一つのブロックに含まれるＴＦＴはゲート電
極１８が共通であり、このゲート電極に沿って光を遮断
するための遮光層１９が形成される。この遮光層は、静
電気などが帯電することを防止するために回路の基準電
位、たとえばグランドに接地する。これにより、遮光層
に帯電した電荷は直ちに基準電位へ逃げるので、ＴＦＴ
が静電気によって破壊される可能性は低減される。
とができる密着型イメージセンサを提供する。 【構成】 マトリックス接続された一つのブロックに
は、複数のホトダイオード１０とＴＦＴ１２のペアが形
成される。一つのブロックに含まれるＴＦＴはゲート電
極１８が共通であり、このゲート電極に沿って光を遮断
するための遮光層１９が形成される。この遮光層は、静
電気などが帯電することを防止するために回路の基準電
位、たとえばグランドに接地する。これにより、遮光層
に帯電した電荷は直ちに基準電位へ逃げるので、ＴＦＴ
が静電気によって破壊される可能性は低減される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、小型ファクシミリやコ
ピー機械等において原稿読み取り装置として使用される
密着型イメージセンサに関するものである。
ピー機械等において原稿読み取り装置として使用される
密着型イメージセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、光電変換素子であるホトダイオ
ードと薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを組み合わせてセ
ンサ素子を構成し、これらを直線的に配置してマトリッ
クス配線によって接続した密着型イメージセンサの回路
である。
ードと薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを組み合わせてセ
ンサ素子を構成し、これらを直線的に配置してマトリッ
クス配線によって接続した密着型イメージセンサの回路
である。
【０００３】図３の密着型イメージセンサでは、全部で
ｍ×ｎ個のホトダイオード１０1-1〜１０n-m とＴＦＴ
１２1-1 〜１２n-m がそれぞれｎ個のブロックに分割さ
れ、各ブロックにそれぞれｍ個ずつ含まれている。そし
て直列に接続された対応する番号のホトダイオードとＴ
ＦＴが一つのセンサ素子を構成し、これらが直線的に配
列されて１ライン分の密着型イメージセンサを構成して
いる（以下「ホトダイオード１０」、「ＴＦＴ１２」と
も記す。）。ＴＦＴ１２のドレインは共通の電源ライン
２２を介して電源２０に接続されており、ソース側は対
応するホトダイオード１０のカソードに接続されてい
る。ＴＦＴ１２のゲートは一つのブロックに含まれるす
べてのＴＦＴについて共通である。なお、ＴＦＴ１２の
上層には、ホトダイオードに入射する光がＴＦＴに照射
されるのを防ぐために遮光層が形成されている。
ｍ×ｎ個のホトダイオード１０1-1〜１０n-m とＴＦＴ
１２1-1 〜１２n-m がそれぞれｎ個のブロックに分割さ
れ、各ブロックにそれぞれｍ個ずつ含まれている。そし
て直列に接続された対応する番号のホトダイオードとＴ
ＦＴが一つのセンサ素子を構成し、これらが直線的に配
列されて１ライン分の密着型イメージセンサを構成して
いる（以下「ホトダイオード１０」、「ＴＦＴ１２」と
も記す。）。ＴＦＴ１２のドレインは共通の電源ライン
２２を介して電源２０に接続されており、ソース側は対
応するホトダイオード１０のカソードに接続されてい
る。ＴＦＴ１２のゲートは一つのブロックに含まれるす
べてのＴＦＴについて共通である。なお、ＴＦＴ１２の
上層には、ホトダイオードに入射する光がＴＦＴに照射
されるのを防ぐために遮光層が形成されている。
【０００４】ホトダイオード１０は、原稿から反射され
た光が入射すると、光電変換を行い、これによって生じ
た電荷をｐｎ接合部の接合容量に蓄積する。この蓄積さ
れた電荷は対応するＴＦＴ１２のゲートにパルス電圧を
加えることによってＴＦＴのソース−ドレイン間を流れ
る電流として取り出され、対応するアンプ１６1 〜１６
m によって増幅され、画像信号とされる。このＴＦＴに
要求される性能としては、ゲートにパルスが入ったＯＮ
時にはできるだけ大きな電流がソース−ドレイン間に流
れ、またゲートにパルスが入っていないＯＦＦ時にはで
きるかぎりソース−ドレイン間に電流が流れないことで
ある。しかしながら、ＴＦＴに光が入射されるとゲート
パルスが入っていないＯＦＦ時にも光電流が流れＯＦＦ
電流が増加する。ＴＦＴの遮光層は、このようなＯＦＦ
電流の増加を防ぐものである。
た光が入射すると、光電変換を行い、これによって生じ
た電荷をｐｎ接合部の接合容量に蓄積する。この蓄積さ
れた電荷は対応するＴＦＴ１２のゲートにパルス電圧を
加えることによってＴＦＴのソース−ドレイン間を流れ
る電流として取り出され、対応するアンプ１６1 〜１６
m によって増幅され、画像信号とされる。このＴＦＴに
要求される性能としては、ゲートにパルスが入ったＯＮ
時にはできるだけ大きな電流がソース−ドレイン間に流
れ、またゲートにパルスが入っていないＯＦＦ時にはで
きるかぎりソース−ドレイン間に電流が流れないことで
ある。しかしながら、ＴＦＴに光が入射されるとゲート
パルスが入っていないＯＦＦ時にも光電流が流れＯＦＦ
電流が増加する。ＴＦＴの遮光層は、このようなＯＦＦ
電流の増加を防ぐものである。
【０００５】図３の回路では、ＴＦＴ１２のゲートに加
えられるパルスは専用の集積回路（ＩＣ）１４から供給
されるが、一つのブロックに含まれるＴＦＴのゲート電
極は共通に接続されているので、集積回路１４からのパ
ルスは同一ブロック内のＴＦＴのゲート電極に同時に供
給される。したがって、ホトダイオード１０に蓄積され
た電荷は同一のブロック毎に取り出され、それぞれがア
ンプ１６によって増幅される。集積回路１４はかかるパ
ルス供給動作を第１ブロックから第ｎブロックまで順番
に行い、これにより１ライン分の画像信号が得られる。
えられるパルスは専用の集積回路（ＩＣ）１４から供給
されるが、一つのブロックに含まれるＴＦＴのゲート電
極は共通に接続されているので、集積回路１４からのパ
ルスは同一ブロック内のＴＦＴのゲート電極に同時に供
給される。したがって、ホトダイオード１０に蓄積され
た電荷は同一のブロック毎に取り出され、それぞれがア
ンプ１６によって増幅される。集積回路１４はかかるパ
ルス供給動作を第１ブロックから第ｎブロックまで順番
に行い、これにより１ライン分の画像信号が得られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、密着型イメ
ージセンサは単一の基板に多数の半導体素子が形成され
ており、そのうちの一つでも壊れるとイメージセンサと
して使用できない。半導体素子が壊れる原因として特に
多いのがセンサに帯電した静電気によるものである。例
えば、センサに静電気が帯電していると、人間がちょっ
と触っただけでＴＦＴ等の素子が破壊され、使用不能と
なる。このように、従来の密着型イメージセンサは、静
電気に弱いという問題があった。
ージセンサは単一の基板に多数の半導体素子が形成され
ており、そのうちの一つでも壊れるとイメージセンサと
して使用できない。半導体素子が壊れる原因として特に
多いのがセンサに帯電した静電気によるものである。例
えば、センサに静電気が帯電していると、人間がちょっ
と触っただけでＴＦＴ等の素子が破壊され、使用不能と
なる。このように、従来の密着型イメージセンサは、静
電気に弱いという問題があった。
【０００７】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、静電気による素子の破壊を有効に防止すること
ができる密着型イメージセンサを提供することを目的と
するものである。
であり、静電気による素子の破壊を有効に防止すること
ができる密着型イメージセンサを提供することを目的と
するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、ホトダイオードと薄膜トランジスタとを
組み合わせたセンサ素子を同一基板上に複数配列し前記
センサ素子を複数のブロックに分割してマトリックス配
線で接続した密着型イメージセンサにおいて、前記各ブ
ロックの薄膜トランジスタの上層に形成された薄膜トラ
ンジスタの遮光層を基準電位に接続したことを特徴とす
るものである。
めの本発明は、ホトダイオードと薄膜トランジスタとを
組み合わせたセンサ素子を同一基板上に複数配列し前記
センサ素子を複数のブロックに分割してマトリックス配
線で接続した密着型イメージセンサにおいて、前記各ブ
ロックの薄膜トランジスタの上層に形成された薄膜トラ
ンジスタの遮光層を基準電位に接続したことを特徴とす
るものである。
【０００９】前記基準電位は、たとえば接地電位であ
る。
る。
【００１０】
【作用】請求項１記載の発明は上記の構成により、薄膜
トランジスタの共通ゲート電極の上層に形成された遮光
層を基準電位に接続したことにより、遮光層はフローテ
ィングの状態ではなくなり、たとえ遮光層が帯電しても
直ちに基準電位の電源に逃げるので、遮光層は常に基準
電位に保たれる。したがって、ＴＦＴが静電破壊される
可能性は大幅に低減される。
トランジスタの共通ゲート電極の上層に形成された遮光
層を基準電位に接続したことにより、遮光層はフローテ
ィングの状態ではなくなり、たとえ遮光層が帯電しても
直ちに基準電位の電源に逃げるので、遮光層は常に基準
電位に保たれる。したがって、ＴＦＴが静電破壊される
可能性は大幅に低減される。
【００１１】請求項２記載の発明は上記の構成により、
基準電位を接地電位としたことにより、容易に基準電位
を得ることができ、また、たとえ遮光層が帯電しても直
ちに接地電位となるので、遮光層は常にゼロバイアスの
状態に保たれる。したがって、ＴＦＴが静電破壊される
可能性は大幅に低減される。
基準電位を接地電位としたことにより、容易に基準電位
を得ることができ、また、たとえ遮光層が帯電しても直
ちに接地電位となるので、遮光層は常にゼロバイアスの
状態に保たれる。したがって、ＴＦＴが静電破壊される
可能性は大幅に低減される。
【００１２】
【実施例】以下に図面を参照して本発明の一実施例につ
いて説明する。図１は本発明の一実施例である密着型イ
メージセンサの回路図、図２は本実施例の一つのホトダ
イオードとＴＦＴの部分を拡大して示した平面図であ
る。なお、図１及び図２に示す本実施例の構成要素のう
ち図３における構成要素と同一の機能を果たすものにつ
いては同一の符号を付することにより、その詳細な説明
を省略する。
いて説明する。図１は本発明の一実施例である密着型イ
メージセンサの回路図、図２は本実施例の一つのホトダ
イオードとＴＦＴの部分を拡大して示した平面図であ
る。なお、図１及び図２に示す本実施例の構成要素のう
ち図３における構成要素と同一の機能を果たすものにつ
いては同一の符号を付することにより、その詳細な説明
を省略する。
【００１３】図１の回路のマトリックス配線は図３の回
路とほぼ同じであり、ｎ×ｍ個のホトダイオードとＴＦ
Ｔがｎ個のブロックに分割され、各ブロックにはそれぞ
れｍ個ずつ含まれている。原稿を読み取る際の集積回路
のパルス供給動作も同じであり、一つのブロックに含ま
れるＴＦＴのゲートに一斉にパルスを供給するという動
作を全てのブロックについて順番に行うことによって１
ライン分の画像情報を読み取る。なお、アンプ１６1 〜
１６m には入力端子は二つあり、一方の端子にはホトダ
イオード１０のアノードが接続されているが、もう一方
の端子は接地されている。このため、ホトダイオードの
アノード側はイマジナリーショートの状態となってお
り、仮想的にゼロボルトに維持される。これによってア
ノード同士が交差する部分におけるクロストークを有効
に防止することができる。
路とほぼ同じであり、ｎ×ｍ個のホトダイオードとＴＦ
Ｔがｎ個のブロックに分割され、各ブロックにはそれぞ
れｍ個ずつ含まれている。原稿を読み取る際の集積回路
のパルス供給動作も同じであり、一つのブロックに含ま
れるＴＦＴのゲートに一斉にパルスを供給するという動
作を全てのブロックについて順番に行うことによって１
ライン分の画像情報を読み取る。なお、アンプ１６1 〜
１６m には入力端子は二つあり、一方の端子にはホトダ
イオード１０のアノードが接続されているが、もう一方
の端子は接地されている。このため、ホトダイオードの
アノード側はイマジナリーショートの状態となってお
り、仮想的にゼロボルトに維持される。これによってア
ノード同士が交差する部分におけるクロストークを有効
に防止することができる。
【００１４】図２において、横方向に延びるゲート電極
１８は一つのブロックの中に含まれる全てのＴＦＴに共
通のゲート電極であり、２２はこのゲート電極とは異な
る層に形成された５ボルトの電源ラインである。ゲート
電極の下の層には絶縁膜を介してソースＳ及びドレイン
Ｄが形成されており、このゲートＧ、ソースＳ、ドレイ
ンＤによって一つのＴＦＴ１２が形成される。そしてＴ
ＦＴ１２のソースはその下のホトダイオード１０のカソ
ードに直接接続されている。
１８は一つのブロックの中に含まれる全てのＴＦＴに共
通のゲート電極であり、２２はこのゲート電極とは異な
る層に形成された５ボルトの電源ラインである。ゲート
電極の下の層には絶縁膜を介してソースＳ及びドレイン
Ｄが形成されており、このゲートＧ、ソースＳ、ドレイ
ンＤによって一つのＴＦＴ１２が形成される。そしてＴ
ＦＴ１２のソースはその下のホトダイオード１０のカソ
ードに直接接続されている。
【００１５】図２のゲート電極１８の上側にはＴＦＴ１
２の近傍においてワイヤボンディングを行うための四角
い領域３８が形成されている。一方、電源ライン２２を
挟んでこれと反対の側には、集積回路１４からの配線が
接続されたボンディングパッド４０が形成されている。
図には示されていないが、このような領域３８とパッド
４０が各ＴＦＴ１２について、ゲート電極１８に沿って
横方向に多数設けられている。半導体（デバイス内部）
を製造する工程はこのように領域３８とパッド４０を形
成するまでで終了し、領域３８とパッド４０は非接続の
状態のままとされる。そしてその後は、ボンディングマ
シンなどにより、ゲート電極１２に沿って設けられた多
数の領域３８とパッド４０とをワイヤ４２で次々と接続
する。このように接続することにより、ゲートの領域３
８とパッド４０を結ぶワイヤ４２は空中において電源ラ
イン２２と交差し、電源ライン２２とワイヤ４２との間
には十分な距離が保たれる。
２の近傍においてワイヤボンディングを行うための四角
い領域３８が形成されている。一方、電源ライン２２を
挟んでこれと反対の側には、集積回路１４からの配線が
接続されたボンディングパッド４０が形成されている。
図には示されていないが、このような領域３８とパッド
４０が各ＴＦＴ１２について、ゲート電極１８に沿って
横方向に多数設けられている。半導体（デバイス内部）
を製造する工程はこのように領域３８とパッド４０を形
成するまでで終了し、領域３８とパッド４０は非接続の
状態のままとされる。そしてその後は、ボンディングマ
シンなどにより、ゲート電極１２に沿って設けられた多
数の領域３８とパッド４０とをワイヤ４２で次々と接続
する。このように接続することにより、ゲートの領域３
８とパッド４０を結ぶワイヤ４２は空中において電源ラ
イン２２と交差し、電源ライン２２とワイヤ４２との間
には十分な距離が保たれる。
【００１６】このようにして電源ライン２２とワイヤ４
２とを交差させると、電源ライン２２とワイヤ４２との
間の浮遊容量は非常に小さくなり、ゲート電極１８に対
して画像情報を読み出すためのパルスを供給しても、電
源ライン２２とゲート電極との間で発生するノイズは大
幅に軽減され、原稿を読み取ったときの画像の質は大き
く向上する。
２とを交差させると、電源ライン２２とワイヤ４２との
間の浮遊容量は非常に小さくなり、ゲート電極１８に対
して画像情報を読み出すためのパルスを供給しても、電
源ライン２２とゲート電極との間で発生するノイズは大
幅に軽減され、原稿を読み取ったときの画像の質は大き
く向上する。
【００１７】ところで、本実施例の密着型イメージセン
サが従来のものと異なるのは、ＴＦＴの遮光層１９がイ
メージセンサを構成する回路のゼロバイアスの部分に接
地されているという点である。この遮光層１９は、単に
ホトダイオードに入射する光がＴＦＴに照射されるのを
防止するのが目的であるため、従来はこの遮光層はフロ
ーティング状態のままとされていた。このため、この部
分には電荷がたまっても逃げる経路がなく、したがって
人間が触ったときに静電気によってＴＦＴ１２が破壊さ
れることが少なくなかった。しかし、本実施例ではこの
遮光層１９を接地したことにより、たとえ遮光層１９が
帯電しても、直ちに回路の基準電位に逃げるので、遮光
層１９の部分に溜まることはなく、したがってＴＦＴ１
２が静電破壊される危険性が大幅に少なくなる。このよ
うに、本実施例によれば、密着型イメージセンサの歩留
りが向上し、製品のコストダウンにつながり、そして密
着型イメージセンサの信頼性を高めることができる。
サが従来のものと異なるのは、ＴＦＴの遮光層１９がイ
メージセンサを構成する回路のゼロバイアスの部分に接
地されているという点である。この遮光層１９は、単に
ホトダイオードに入射する光がＴＦＴに照射されるのを
防止するのが目的であるため、従来はこの遮光層はフロ
ーティング状態のままとされていた。このため、この部
分には電荷がたまっても逃げる経路がなく、したがって
人間が触ったときに静電気によってＴＦＴ１２が破壊さ
れることが少なくなかった。しかし、本実施例ではこの
遮光層１９を接地したことにより、たとえ遮光層１９が
帯電しても、直ちに回路の基準電位に逃げるので、遮光
層１９の部分に溜まることはなく、したがってＴＦＴ１
２が静電破壊される危険性が大幅に少なくなる。このよ
うに、本実施例によれば、密着型イメージセンサの歩留
りが向上し、製品のコストダウンにつながり、そして密
着型イメージセンサの信頼性を高めることができる。
【００１８】なお、本発明は上記の実施例に限定される
ものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が
可能である。たとえば、上記の実施例では、基準電位が
ゼロボルトである場合について説明したが、基準電位は
これに限定されるものではない。
ものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が
可能である。たとえば、上記の実施例では、基準電位が
ゼロボルトである場合について説明したが、基準電位は
これに限定されるものではない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
によれば、ＴＦＴのゲート電極の上層に設けられた遮光
層を基準電位に接続したので、遮光層に静電気などが帯
電するのを有効に防止でき、これによりＴＦＴが静電気
によって破壊される可能性が大幅に少なくなり、したが
って製品の歩留りを向上させることができるとともに、
信頼性の高い密着型イメージセンサを提供することがで
きる。
によれば、ＴＦＴのゲート電極の上層に設けられた遮光
層を基準電位に接続したので、遮光層に静電気などが帯
電するのを有効に防止でき、これによりＴＦＴが静電気
によって破壊される可能性が大幅に少なくなり、したが
って製品の歩留りを向上させることができるとともに、
信頼性の高い密着型イメージセンサを提供することがで
きる。
【００２０】請求項２記載の発明によれば、上記の効果
に加えて、基準電位を接地電位としたことにより、容易
に基準電位を得ることができ、また、たとえ遮光層が帯
電しても直ちに接地電位となるので、遮光層を常にゼロ
バイアスに維持することができる密着型イメージセンサ
を提供することができる。
に加えて、基準電位を接地電位としたことにより、容易
に基準電位を得ることができ、また、たとえ遮光層が帯
電しても直ちに接地電位となるので、遮光層を常にゼロ
バイアスに維持することができる密着型イメージセンサ
を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例である密着型イメージセンサ
の回路図である。
の回路図である。
【図２】本発明の一実施例である密着型イメージセンサ
の一つのセンサ素子の部分を拡大して示した平面図であ
る。
の一つのセンサ素子の部分を拡大して示した平面図であ
る。
【図３】従来の密着型イメージセンサの回路図である。
１０1-1 〜１０n-m ホトダイオード １２1-1 〜１２n-m 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） １６1 〜１６m アンプ １８ ゲート電極 １９ 遮光層 ２０ 電源 ２２ 電源ライン ３８ ゲート領域 ４０ パッド ４２ ワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長竹 洋一 東京都千代田区大手町２丁目６番３号 新 日本製鐵株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 ホトダイオードと薄膜トランジスタとを
組み合わせたセンサ素子を同一基板上に複数配列し前記
センサ素子を複数のブロックに分割してマトリックス配
線で接続した密着型イメージセンサにおいて、前記各ブ
ロックの薄膜トランジスタの上層に形成された薄膜トラ
ンジスタの遮光層を基準電位に接続したことを特徴とす
る密着型イメージセンサ。 - 【請求項２】 前記基準電位は接地電位である請求項１
記載の密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5110987A JPH06302796A (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5110987A JPH06302796A (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302796A true JPH06302796A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=14549539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5110987A Withdrawn JPH06302796A (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302796A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008270615A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置、光測定装置、光検出装置、及び半導体装置の製造方法 |
| US7610004B2 (en) | 2003-06-25 | 2009-10-27 | Ricoh Company, Ltd. | Apparatus for detecting amount of toner deposit and controlling density of image, method of forming misalignment correction pattern, and apparatus for detecting and correcting misalignment of image |
| JP2012109603A (ja) * | 2012-02-08 | 2012-06-07 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体装置、光測定装置、光検出装置、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2023042468A (ja) * | 2021-09-14 | 2023-03-27 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 光電変換パネル、及びｘ線パネル |
-
1993
- 1993-04-14 JP JP5110987A patent/JPH06302796A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7610004B2 (en) | 2003-06-25 | 2009-10-27 | Ricoh Company, Ltd. | Apparatus for detecting amount of toner deposit and controlling density of image, method of forming misalignment correction pattern, and apparatus for detecting and correcting misalignment of image |
| JP2008270615A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置、光測定装置、光検出装置、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2012109603A (ja) * | 2012-02-08 | 2012-06-07 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体装置、光測定装置、光検出装置、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2023042468A (ja) * | 2021-09-14 | 2023-03-27 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 光電変換パネル、及びｘ線パネル |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |