JPH0524671B2 - - Google Patents
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- JPH0524671B2 JPH0524671B2 JP58118526A JP11852683A JPH0524671B2 JP H0524671 B2 JPH0524671 B2 JP H0524671B2 JP 58118526 A JP58118526 A JP 58118526A JP 11852683 A JP11852683 A JP 11852683A JP H0524671 B2 JPH0524671 B2 JP H0524671B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- output
- junction layer
- charge detection
- photoelectric conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、光電変換素子と、この光電変換素子
の信号電荷を転送する電荷転送手段と、転送され
た信号電荷を電圧信号としてとり出す出力回路
と、入射光を遮蔽するとともに電気遮蔽する導電
性光遮蔽膜とを具えた固体撮像装置に関する。
の信号電荷を転送する電荷転送手段と、転送され
た信号電荷を電圧信号としてとり出す出力回路
と、入射光を遮蔽するとともに電気遮蔽する導電
性光遮蔽膜とを具えた固体撮像装置に関する。
従来の固体撮像装置を第１図、第２図に示す。
この固体撮像装置は、複数の光電変換素子１と、
この光電変換素子１の信号電荷を転送する電荷転
送装置２と、この電荷転送装置２により転送され
た信号電荷を出力電圧としてとり出す出力回路３
を有しており、光電変換素子１以外の部分は光シ
ールド膜４で遮蔽されている。この光シールド膜
４はアルミニウム等の導電性物質の膜として形成
され、電磁シールドの役割も果たしている。信号
電荷の転送経路をできるだけ短くする必要がある
ため、出力回路３は光電変換素子１の近くに配さ
れている。このため出力回路３も光シールド膜４
でおおわれている。
この固体撮像装置は、複数の光電変換素子１と、
この光電変換素子１の信号電荷を転送する電荷転
送装置２と、この電荷転送装置２により転送され
た信号電荷を出力電圧としてとり出す出力回路３
を有しており、光電変換素子１以外の部分は光シ
ールド膜４で遮蔽されている。この光シールド膜
４はアルミニウム等の導電性物質の膜として形成
され、電磁シールドの役割も果たしている。信号
電荷の転送経路をできるだけ短くする必要がある
ため、出力回路３は光電変換素子１の近くに配さ
れている。このため出力回路３も光シールド膜４
でおおわれている。
この固体撮像装置の出力回路３は第２図ａに示
すような断面構造をしている。電荷転送装置２の
転送電極８は半導体基板５の上に酸化膜２４をは
さんで形成されている。出力ゲート電極７は転送
電極８に隣接して形成され、電荷転送装置２と出
力回路３との間に障壁電位を形成する。リセツト
電極９は、電荷検出接合層６と所定電位の接合層
１０とを電気的に接続し、電荷検出接合層６を所
定電位にリセツトするためのものである。導電線
１１は電荷検出接合層６の電位ソースホロワ回路
の入力ゲート１２に接続するものである。ソース
ホロワ回路は、この入力ゲート１２と、電源電圧
に設定されたドレイン接合層１３と、負荷トラン
ジスタのソース接合層１６と、ゲート１５と、出
力電圧をとり出す出力接合層１４とを有してい
る。導電性の光シールド膜４は絶縁層２４の上を
おおうようにして形成され、基板電圧に設定され
ている。
すような断面構造をしている。電荷転送装置２の
転送電極８は半導体基板５の上に酸化膜２４をは
さんで形成されている。出力ゲート電極７は転送
電極８に隣接して形成され、電荷転送装置２と出
力回路３との間に障壁電位を形成する。リセツト
電極９は、電荷検出接合層６と所定電位の接合層
１０とを電気的に接続し、電荷検出接合層６を所
定電位にリセツトするためのものである。導電線
１１は電荷検出接合層６の電位ソースホロワ回路
の入力ゲート１２に接続するものである。ソース
ホロワ回路は、この入力ゲート１２と、電源電圧
に設定されたドレイン接合層１３と、負荷トラン
ジスタのソース接合層１６と、ゲート１５と、出
力電圧をとり出す出力接合層１４とを有してい
る。導電性の光シールド膜４は絶縁層２４の上を
おおうようにして形成され、基板電圧に設定され
ている。
この固体撮像装置の電荷検出の動作を説明する
と、リセツト電極９をオンすると第２図ｂに示す
ようにリセツト電極９下の電位は破線２５で示す
ようになり、電荷検出接合層６の電位は接合層１
０の電位２７と同じ電位になる。リセツト電極９
をオフするとリセツト電極９下の電位は破線２６
で示すようになり、電荷検出接合層６はフローテ
イング状態となる。この状態で電荷転送装置２で
転送された電荷２９が出力ゲート電極７の障壁電
位３０を超えて流れ込み電荷検出接合層６の電位
を実線２８のように変化させる。この電位変化を
ソースホロワ回路に入力して出力を得る。
と、リセツト電極９をオンすると第２図ｂに示す
ようにリセツト電極９下の電位は破線２５で示す
ようになり、電荷検出接合層６の電位は接合層１
０の電位２７と同じ電位になる。リセツト電極９
をオフするとリセツト電極９下の電位は破線２６
で示すようになり、電荷検出接合層６はフローテ
イング状態となる。この状態で電荷転送装置２で
転送された電荷２９が出力ゲート電極７の障壁電
位３０を超えて流れ込み電荷検出接合層６の電位
を実線２８のように変化させる。この電位変化を
ソースホロワ回路に入力して出力を得る。
この電荷検出接合層６の電位変化Vsは、電荷
検出接合層６の有する全静電容量CTと転送され
た電荷量Qsで定まり、Vs＝Qs／CTであらわされ
る。したがつて検出感度を高くするためには、全
静電容量CTを充分小さくする必要がある。電荷
検出接合層６の有する全静電容量CTは半導体基
板５との間の静電容量CFRと、出力ゲート電極７
との間の静電容量CFOと、リセツト電極９との間
の静電容量CFRと、光シールド膜４との間の静電
容量CFL1と、導電線１１の対地容量CFL2と、入力
ゲート１２の対地容量CG1との総和で表わされる。
すなわち、 CT＝CFS＋CFO＋CFR＋CFL1＋CFL2＋CG1 …(1) となる。ここでCFL1とCFL2とCG1の値は大きく、
このために電荷検出感度を十分大きくすることは
できなかつた。また出力接合層１４の出力線の対
地容量CLOも大きく、等価的に出力負荷容量が増
加し周波数応答が劣化するという問題があつた。
検出接合層６の有する全静電容量CTと転送され
た電荷量Qsで定まり、Vs＝Qs／CTであらわされ
る。したがつて検出感度を高くするためには、全
静電容量CTを充分小さくする必要がある。電荷
検出接合層６の有する全静電容量CTは半導体基
板５との間の静電容量CFRと、出力ゲート電極７
との間の静電容量CFOと、リセツト電極９との間
の静電容量CFRと、光シールド膜４との間の静電
容量CFL1と、導電線１１の対地容量CFL2と、入力
ゲート１２の対地容量CG1との総和で表わされる。
すなわち、 CT＝CFS＋CFO＋CFR＋CFL1＋CFL2＋CG1 …(1) となる。ここでCFL1とCFL2とCG1の値は大きく、
このために電荷検出感度を十分大きくすることは
できなかつた。また出力接合層１４の出力線の対
地容量CLOも大きく、等価的に出力負荷容量が増
加し周波数応答が劣化するという問題があつた。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、
電荷検出感度が高く、周波数応答のよい固体撮像
装置を提供することを目的とする。
電荷検出感度が高く、周波数応答のよい固体撮像
装置を提供することを目的とする。
この目的を達成するために本発明による固体撮
像装置は、導電性光遮蔽膜の光電変換素子上の領
域に開口部を設けるとともに、出力回路上の少な
くとも一部の領域に開口部を設けることを特徴と
する。
像装置は、導電性光遮蔽膜の光電変換素子上の領
域に開口部を設けるとともに、出力回路上の少な
くとも一部の領域に開口部を設けることを特徴と
する。
〔発明の実施例〕
本発明の第１の実施例による固体撮像装置を第
３図に示す。この固体撮像装置は、複数の光電変
換素子１と、この光電変換素子１の信号電荷を転
送する電荷転送装置２と、この電荷転送装置２に
より転送された信号電荷を出力電圧としてとり出
す出力回路３とを有しており、光電変換素子１上
に開口部を有する導電性の光シールド膜４でおお
われている。本実施例では出力回路３上の領域に
も光シールド膜４に開口部３０を設けている点が
特徴である。
３図に示す。この固体撮像装置は、複数の光電変
換素子１と、この光電変換素子１の信号電荷を転
送する電荷転送装置２と、この電荷転送装置２に
より転送された信号電荷を出力電圧としてとり出
す出力回路３とを有しており、光電変換素子１上
に開口部を有する導電性の光シールド膜４でおお
われている。本実施例では出力回路３上の領域に
も光シールド膜４に開口部３０を設けている点が
特徴である。
この出力回路３を第４図、第５図に詳細に示
す。第４図はこの出力回路３の平面構成を示し、
第５図は断面構成を示す。ただし第５図の断面構
成は本実施例を理解しやすくするため変形してあ
り、実際の断面とは少し異なるところがある。本
実施例の出力回路３は、フローテイング接合型の
電荷検出回路と、２段構成のソースホロワ回路と
からなつている。出力ゲート電極７は転送電極８
に隣接して形成され障壁電位を形成する。リセツ
ト電極９は、電荷検出接合層６と所定電位の接合
層１０とを電気的に接続し、電荷検出接合層６を
所定電位にリセツトするためのものである。導電
線１１は電荷検出接合層６の電位をソースホロワ
回路の入力ゲート１２に接続するものである。ソ
ースホロワ回路は、２段構成である。第１段目の
ソースホロワ回路は、ドレイン接合層１０と、入
力ゲート１２と、出力接合層１４と、負荷トラン
ジスタのソース接合層３２とゲート３１とで構成
されており、第２段目のソースホロワ回路は、ド
レイン接合層１０と、入力ゲート３４と、出力接
合層３５と、負荷トランジスタのソース接合層３
２とゲート３１とで構成されている。第１段目の
ソースホロワ回路の出力接合層１４と第２段目の
ソースホロワ回路の入力ゲート３４は導電線３６
で接続されている。導電線４５はソースホロワ回
路のソース接合層３２を基準電位とするので、通
常半導体基板５の電位に接地される。導電線４６
はソースホロワ回路の出力、すなわち出力回路３
の出力をとりだすものである。導電線４７は電源
電圧を供給するものである。
す。第４図はこの出力回路３の平面構成を示し、
第５図は断面構成を示す。ただし第５図の断面構
成は本実施例を理解しやすくするため変形してあ
り、実際の断面とは少し異なるところがある。本
実施例の出力回路３は、フローテイング接合型の
電荷検出回路と、２段構成のソースホロワ回路と
からなつている。出力ゲート電極７は転送電極８
に隣接して形成され障壁電位を形成する。リセツ
ト電極９は、電荷検出接合層６と所定電位の接合
層１０とを電気的に接続し、電荷検出接合層６を
所定電位にリセツトするためのものである。導電
線１１は電荷検出接合層６の電位をソースホロワ
回路の入力ゲート１２に接続するものである。ソ
ースホロワ回路は、２段構成である。第１段目の
ソースホロワ回路は、ドレイン接合層１０と、入
力ゲート１２と、出力接合層１４と、負荷トラン
ジスタのソース接合層３２とゲート３１とで構成
されており、第２段目のソースホロワ回路は、ド
レイン接合層１０と、入力ゲート３４と、出力接
合層３５と、負荷トランジスタのソース接合層３
２とゲート３１とで構成されている。第１段目の
ソースホロワ回路の出力接合層１４と第２段目の
ソースホロワ回路の入力ゲート３４は導電線３６
で接続されている。導電線４５はソースホロワ回
路のソース接合層３２を基準電位とするので、通
常半導体基板５の電位に接地される。導電線４６
はソースホロワ回路の出力、すなわち出力回路３
の出力をとりだすものである。導電線４７は電源
電圧を供給するものである。
導電性の光シールド膜４は、従来のように全面
をおおわずに開口部１００を有している。本実施
例では開口部１００は、出力回路３のうちフロー
テイング接合型の電荷検出回路と第１段目のソー
スホロワ回路の一部の領域の上部に設けられてい
る。具体的には、出力ゲート電極７の一部と、電
荷検出接合層６と、接合層１０と、リセツト電極
９の一部と、導電線１１と、入力ゲート１２の上
部である。
をおおわずに開口部１００を有している。本実施
例では開口部１００は、出力回路３のうちフロー
テイング接合型の電荷検出回路と第１段目のソー
スホロワ回路の一部の領域の上部に設けられてい
る。具体的には、出力ゲート電極７の一部と、電
荷検出接合層６と、接合層１０と、リセツト電極
９の一部と、導電線１１と、入力ゲート１２の上
部である。
このようにして本実施例では光シールド膜４の
一部が除去されているため、電荷検出接合層６の
有する全静電容量CTは、半導体基板との間の静
電容量CFSと、出力ゲート電極７との間の静電容
量CFOと、リセツト電極９との間の静電容量CFR
と、入力ゲート１２が有する静電容量CFDとの和
であらわされる。すなわち、 CT＝CFS＋CFO＋CFR＋CFD …(2) となる。すなわち、従来の(1)式と比較すればわか
るように、対光シールド膜との間の静電容量
CFL1，CFL2がなくなり、静電容量CTは小さくな
る。したがつて、電荷検出接合層６の電位変化
Vsと転送された電荷量Qsとの比である電荷検出
感度Vs／Qs＝１／CTは、非常に高くなる。
一部が除去されているため、電荷検出接合層６の
有する全静電容量CTは、半導体基板との間の静
電容量CFSと、出力ゲート電極７との間の静電容
量CFOと、リセツト電極９との間の静電容量CFR
と、入力ゲート１２が有する静電容量CFDとの和
であらわされる。すなわち、 CT＝CFS＋CFO＋CFR＋CFD …(2) となる。すなわち、従来の(1)式と比較すればわか
るように、対光シールド膜との間の静電容量
CFL1，CFL2がなくなり、静電容量CTは小さくな
る。したがつて、電荷検出接合層６の電位変化
Vsと転送された電荷量Qsとの比である電荷検出
感度Vs／Qs＝１／CTは、非常に高くなる。
本実施例の動作を説明すると、リセツト電極９
をオンすると、リセツト電極９下の電位は高くな
つて、電荷検出接合層６の電位は接合層１０の電
位と同じになる。リセツト電極９をオフすると、
リセツト電極９下の電位は低くなり、電荷検出接
合層６はフローテイング状態となる。この状態で
電荷検出装置からの転送電荷が出力ゲート電極７
の障壁電位を超えて流れ込み電荷検出接合層６の
電位を変化させる。この電位変化Vsを２段構成
のソースホロワ回路で検出する。前述したように
本実施例では電荷検出接合層６の全静電容量CT
が小さいので、電位変化Vsは転送電荷Qsに対し
て大きくなり、検出感度が高くなる。
をオンすると、リセツト電極９下の電位は高くな
つて、電荷検出接合層６の電位は接合層１０の電
位と同じになる。リセツト電極９をオフすると、
リセツト電極９下の電位は低くなり、電荷検出接
合層６はフローテイング状態となる。この状態で
電荷検出装置からの転送電荷が出力ゲート電極７
の障壁電位を超えて流れ込み電荷検出接合層６の
電位を変化させる。この電位変化Vsを２段構成
のソースホロワ回路で検出する。前述したように
本実施例では電荷検出接合層６の全静電容量CT
が小さいので、電位変化Vsは転送電荷Qsに対し
て大きくなり、検出感度が高くなる。
なお、光シールド膜４がないため、入射光によ
り、電荷検出接合層６、接合層１０と半導体基板
５とで構成されるPn接合で光電変換され電荷が
発生するが、転送電荷の検出とリセツトとを例え
ば1MHz以上の高速で周期動作させればこの電荷
をほとんど無視することができるので問題はな
い。
り、電荷検出接合層６、接合層１０と半導体基板
５とで構成されるPn接合で光電変換され電荷が
発生するが、転送電荷の検出とリセツトとを例え
ば1MHz以上の高速で周期動作させればこの電荷
をほとんど無視することができるので問題はな
い。
本発明の第２の実施例による固体撮像装置の出
力回路３を第６図第７図に示す。本実施例は第１
の実施例と光シールド膜４の開口部１０１の形状
が異なる。すなわち第１の実施例における開口部
１０１よりも、広い領域の光シールド膜４が除去
されている。具体的には、出力ゲート７の一部
と、電荷検出接合層６と、接合層１０と、リセツ
ト電極９の一部と、導電線１１との上部の領域に
加えて、第１段目のソースホロワ回路の出力接合
層１４と第２段目のソースホロワ回路の入力ゲー
ト３４とを接続する導電線３６と、第２段目のソ
ースホロワ回路の入力ゲート３６と出力接合層３
５との上部の領域の光シールド膜４が除去されて
いる。本実施例では、静電容量CFL1，CFL2に加え
て、出力接合層１４の出力導電線３６の対地容量
CLOもなくなることになる。したがつて電荷検出
感度が高くなるとともに、静電容量１０の存在の
ために劣化していた周波数応答が改善される。
力回路３を第６図第７図に示す。本実施例は第１
の実施例と光シールド膜４の開口部１０１の形状
が異なる。すなわち第１の実施例における開口部
１０１よりも、広い領域の光シールド膜４が除去
されている。具体的には、出力ゲート７の一部
と、電荷検出接合層６と、接合層１０と、リセツ
ト電極９の一部と、導電線１１との上部の領域に
加えて、第１段目のソースホロワ回路の出力接合
層１４と第２段目のソースホロワ回路の入力ゲー
ト３４とを接続する導電線３６と、第２段目のソ
ースホロワ回路の入力ゲート３６と出力接合層３
５との上部の領域の光シールド膜４が除去されて
いる。本実施例では、静電容量CFL1，CFL2に加え
て、出力接合層１４の出力導電線３６の対地容量
CLOもなくなることになる。したがつて電荷検出
感度が高くなるとともに、静電容量１０の存在の
ために劣化していた周波数応答が改善される。
なお、第８図は、第４図から第７図に示す出力
回路の等価回路である。第１の実施例におけるよ
うに開口部を設ければ、参照番号61で示す静電容
量CFL（＝CFL1＋CFL2）がなくなるため検出感度が
向上することがわかる。また第２の実施例におけ
るように開口部を設ければ、さらに参照番号62で
示す静電容量CLOがなくなるので周波数応答が改
善することがわかる。
回路の等価回路である。第１の実施例におけるよ
うに開口部を設ければ、参照番号61で示す静電容
量CFL（＝CFL1＋CFL2）がなくなるため検出感度が
向上することがわかる。また第２の実施例におけ
るように開口部を設ければ、さらに参照番号62で
示す静電容量CLOがなくなるので周波数応答が改
善することがわかる。
以上の実施例は出力回路がフローテイング接合
形の検出回路であつたが、フローテイングゲート
形あるいはその他の容量蓄積形検出回路の場合に
も適用できる。また固体撮像装置の他の回路上の
光遮蔽膜を除けば、その回路の周波数応答を改善
できる。
形の検出回路であつたが、フローテイングゲート
形あるいはその他の容量蓄積形検出回路の場合に
も適用できる。また固体撮像装置の他の回路上の
光遮蔽膜を除けば、その回路の周波数応答を改善
できる。
以上の通り、本発明によれば導電性光遮蔽膜の
光遮蔽機能を損うことなく電荷検出感度の高い出
力回路を有する固体撮像装置を実現できる。また
光遮蔽膜を除去する領域により周波数応答を改善
することができる。
光遮蔽機能を損うことなく電荷検出感度の高い出
力回路を有する固体撮像装置を実現できる。また
光遮蔽膜を除去する領域により周波数応答を改善
することができる。
第１図は従来の固体撮像装置の平面図、第２図
ａは同固体撮像装置の出力回路の断面図、第２図
ｂは同出力回路の動作を示すポテンシヤル図、第
３図は本発明の第１の実施例による固体撮像装置
の平面図、第４図は同固体撮像装置の出力回路の
平面図、第５図は同出力回路の断面図、第６図は
本発明の第２の実施例による固体撮像装置の出力
回路の平面図、第７図は同出力回路の断面図、第
８図は同出力回路の回路図である。 １…光電変換素子、２…電荷転送装置、３…出
力回路、４…光シールド膜、５…半導体基板、６
…電荷検出接合層、７…出力ゲート電極、８…転
送電極、９…リセツト電極、１０…接合層、１１
…導電線、１２…入力ゲート、１３…ドレイン接
合層、１４…出力接合層、１５…ゲート、１６…
ソース接合層、２４…絶縁層、３１…ゲート、３
２…ソース接合層、３４…入力ゲート、３５…出
力接合層、３６…導電線、１００…開口部、１０
１…開口部。
ａは同固体撮像装置の出力回路の断面図、第２図
ｂは同出力回路の動作を示すポテンシヤル図、第
３図は本発明の第１の実施例による固体撮像装置
の平面図、第４図は同固体撮像装置の出力回路の
平面図、第５図は同出力回路の断面図、第６図は
本発明の第２の実施例による固体撮像装置の出力
回路の平面図、第７図は同出力回路の断面図、第
８図は同出力回路の回路図である。 １…光電変換素子、２…電荷転送装置、３…出
力回路、４…光シールド膜、５…半導体基板、６
…電荷検出接合層、７…出力ゲート電極、８…転
送電極、９…リセツト電極、１０…接合層、１１
…導電線、１２…入力ゲート、１３…ドレイン接
合層、１４…出力接合層、１５…ゲート、１６…
ソース接合層、２４…絶縁層、３１…ゲート、３
２…ソース接合層、３４…入力ゲート、３５…出
力接合層、３６…導電線、１００…開口部、１０
１…開口部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 入射光に応じた信号電荷を発生する複数の光
電変換素子と、 これらの光電変換素子により発生された信号電
荷を転送する電荷転送手段と、 この電荷転送手段により転送された信号電荷を
検出する電荷検出部及びこの電荷検出部の検出信
号を増幅して電圧信号としてとり出す増幅部を有
する出力回路と、 入射光を遮蔽するとともに電気遮蔽する導電性
光遮蔽膜と、 を備え、前記導電性光遮蔽膜は、前記光電変換素
子上の領域に開口部を有するとともに前記出力回
路上の領域のうち少なくとも電荷検出部上の領域
に開口部を有することを特徴とする固体撮像装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118526A JPS6010671A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118526A JPS6010671A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010671A JPS6010671A (ja) | 1985-01-19 |
| JPH0524671B2 true JPH0524671B2 (ja) | 1993-04-08 |
Family
ID=14738784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58118526A Granted JPS6010671A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010671A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63292286A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 文字認識装置 |
| JPS63312671A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Nec Corp | 電荷転送撮像装置 |
| JPH01119884A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 文字認識装置 |
| JP2751376B2 (ja) * | 1989-04-27 | 1998-05-18 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子 |
| JPH05304280A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
| JP5645513B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2014-12-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
| JP6494539B2 (ja) * | 2016-02-02 | 2019-04-03 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5645086A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-24 | Hitachi Ltd | Photosensor |
| JPS5869176A (ja) * | 1981-10-20 | 1983-04-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP58118526A patent/JPS6010671A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6010671A (ja) | 1985-01-19 |
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