JPH06302937A - プリント配線板の導体回路形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】プリント配線板の導体回路形成の際に、めっき
レジストを、配線を切断したり傷つけたりすることなく
完全に取り除き、微細な回路を形成することのできる方
法を提供すること。 【構成】絶縁板１上に設けられた下地金属２の上に、ア
クリル系化合物を主成分とするめっきレジストパターン
３を配線パターンに応じて設け、めっきにより配線パタ
ーンである導体回路４を形成し、めっきレジストパター
ン３を剥離液により剥離し、めっきレジスト中の化学結
合の少なくとも一部を切断するレジスト除去前処理液又
は強酸若しくはアルカリ金属水酸化物の溶液からなるレ
ジスト除去前処理液でめっきレジストパターン３を処理
し、水洗し、ついで、下地金属２のエッチング処理を行
なうプリント配線板の導体回路形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線板に高密
度で微細な回路を形成するに適したプリント配線板の導
体回路形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、プリント配線板の導体回路を形成
する方法としては、銅張積層板を出発材料として用い、
回路部分にエッチングレジストを設けて回路以外の部分
をエッング除去する方法が一般的に行なわれていた。し
かし、エッチング法では、回路の厚さ方向だけでなく、
幅方向にもエッチングが進行するため、回路の断面形状
は矩形ではなく、基板側の幅が広い台形状になってい
た。そのため、配線が高密度になり配線の幅が回路の厚
さに近づいてくると、十分な回路断面積を得ることが困
難であった。また、エッチング量のバラツキにより回路
の寸法精度が決まるため、微細配線を高精度で形成する
ことが難しいという問題があった。そのため、このよう
な高密度配線を形成するには、通常のエッチング法では
なく、パターンめっき法が用いられていた。

【０００３】パターンめっき法は、銅張積層板を出発材
料として用い、銅箔上の回路を形成しない部分にめっき
レジスト（めっきのパターンを形成するために設けるレ
ジスト）を設け、このめっきレジストで覆われていない
部分、つまり回路形成部分にめっきを行なうことにより
導体回路を形成する。その後、めっきレジストを除去
し、さらに、回路以外の部分の下地の銅をエッチングに
より除去して独立した回路を形成する。この方法では、
導体回路はめっきレジストの形通りに形成されるため、
回路幅の形成精度はめっきレジストの形成精度で決ま
る。従って、感光性のめっきレジストを用い、写真法で
レジストパターンを形成することにより、微細配線を高
精度で形成することが可能になる。

【０００４】このようなパターンめっき法では、めっき
レジストを十分基板に密着させ、めっき工程での剥がれ
やふくれを防止すること及びめっき終了後にめっきレジ
ストを完全に剥離除去することが不可欠である。すなわ
ち、めっき工程まではレジストの高い密着性、レジスト
除去工程では良好な剥離性という相反する特性が要求さ
れる。特に、導体回路の形成を化学銅めっきで行なう場
合には、めっき工程でのレジストの剥がれやふくれが起
こりやすいため、めっきレジストの密着性向上が必要で
ある。めっきレジストの密着性を向上させ、めっき工程
での剥がれやふくれを防止する方法としては、特開昭６
４−１３７９４、特開平１−２６１８８８等に述べられ
た方法がある。

【０００５】レジストの剥離除去には、通常、ジクロロ
メタン等の塩素系有機溶剤、アルカリ性のレジスト剥離
液等が、レジストの性状に合わせて使用されている。し
かし、レジストの密着性が高い場合、先に示した剥離処
理では完全にレジストを除去することができず、部分的
に回路以外の部分の下地銅箔上にレジスト残渣が付着し
た状態が生ずる場合があった。このようなレジスト残渣
があると、後のエッチング工程でこの部分の銅が除去さ
れず、短絡や回路間隙不足等の欠陥の原因となった。

【０００６】そのため、レジストの付着残渣を除去する
方法として、特開昭６０−２０６１９０には、レジスト
剥離処理後に残留するフォトレジストを強酸中に浸漬し
た後、耐酸性のブラシでブラッシングして除去する方法
が示されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のように
レジスト残渣を除去するためにブラッシング等の機械的
手段を用いると、微細化した配線を傷つけたり剥がした
り切断したりしやすいという問題があった。また、剥離
液として用いる塩素系有機溶剤の一部は環境保全の点か
らその使用が好ましくないという問題があった。

【０００８】本発明の第１の目的は、めっきレジストを
除去する際に、配線を切断したり傷つけたりすることな
くレジストを完全に取り除き、微細な回路を形成するこ
とのできるプリント配線板の導体回路形成方法を提供す
ることにある。

【０００９】本発明の第２の目的は、塩素系有機溶剤に
よる剥離処理を行なわずにめっきレジストを除去できる
プリント配線板の導体回路形成方法を提供することにあ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るために、本発明のプリント配線板の導体回路形成方法
は、絶縁板上に設けられた下地金属上に、アクリル系化
合物を主成分とするめっきレジストを配線パターンに応
じて設け、めっきにより配線パターンを形成し、めっき
レジストを剥離液により剥離し、めっきレジスト中の化
学結合の少なくとも一部を切断するレジスト除去前処理
液又は強酸若しくはアルカリ金属水酸化物の溶液からな
るレジスト除去前処理液でめっきレジストを処理し、め
っきレジストを水洗し、さらに下地金属のエッチング処
理を行なうものである。

【００１１】また、上記第２の目的を達成するために、
本発明のプリント配線板の導体回路形成方法は、絶縁板
上に設けられた下地金属上に、アクリル系化合物を主成
分とするめっきレジストを配線パターンに応じて設け、
めっきにより配線パターンを形成し、めっきレジストの
剥離液による処理を行なうことなく、めっきレジスト中
の化学結合の少なくとも一部を切断するレジスト除去前
処理液又は強酸若しくはアルカリ金属水酸化物の溶液か
らなるレジスト除去前処理液でめっきレジストを処理
し、めっきレジストを水洗し、さらに下地金属のエッチ
ング処理を行なうものである。

【００１２】本発明に用いるめっきレジスト組成として
は、レジスト除去前処理液によって分解反応により切断
されやすい化学結合を有する化合物、レジスト除去前処
理液によってレジストとして親水性を付与されやすい化
合物又はこの両方の作用を持つ化合物等を主成分とする
ものを用いることが好ましい。このような化合物として
各種樹脂に関して検討した結果、アクリル系化合物が特
性的に優れており、最適であることが分かった。

【００１３】アクリル系化合物として、メタクリル酸や
メタクリル酸エステル等のメタクリル酸系化合物、アク
リル酸やアクリル酸エステル等のアクリル酸系化合物が
挙げられる。このような化合物としては、メタクリル酸
メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、
メタクリル酸ブチル、メタクリル酸ヘキシル、メタクリ
ル酸ラウリル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、メ
タクリル酸ヒドロキシプロピル、メタクリル酸グリシジ
ル、トリメチロールプロパントリメタクリレート、アク
リル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピ
ル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシ
ル、アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、ブタンジオー
ルジアクリレート、エチレングリコールジアクリレー
ト、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレ
ングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコー
ルジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレ
ート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペン
タエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリト
ールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキ
サアクリレート等がある。

【００１４】これらの化合物は必要に応じてポリマー、
オリゴマー、モノマーとして用いられる。例えば、ドラ
イフィルムのポリマー成分として用いるポリメタクリル
酸メチル、レジストの架橋成分として用いる多官能アク
リレート（末端に複数のアクリロイル基（ＣＨ₂＝ＣＨ
ＣＯ−）を持つアクリル酸エステル）モノマー等であ
る。

【００１５】配線パターンを形成するめっきが化学銅め
っきの場合には、特にめっき工程でのレジストの剥離が
起こりやすいことから、レジストと下地との密着性を強
固にする処理が用いられるため、本発明の効果が大き
い。

【００１６】めっきレジストの形態としては、スクリー
ン印刷レジストや感光性レジスト等があるが、高精度パ
ターンを形成する上では感光性レジストを用い、写真法
プロセスをとることが有利である。例えば、ドライフィ
ルムフォトレジストをホットロールでラミネートし、フ
ォトマスクを介してパターンイメージを露光した後に現
像してレジストパターンを形成してもよい。フォトレジ
ストとしては、ドライフィルムタイプの物の他に液状の
フォトレジストをスクリーンコート、ロールコート、カ
ーテンコート等の方法によって塗布して用いてもよい。

【００１７】なお、レジスト残渣除去をより効果的に行
なうために、レジスト除去前処理液中に超音波を加えた
り、レジスト除去前処理液をスプレーで基板に吹き付け
たりすることができる。同様に、レジスト除去前処理液
で処理した後の水洗工程で超音波処理を行なったり、ス
プレー水洗を行なうことができる。また、エッチング工
程で超音波処理を行なったり、エッチング液をスプレー
で基板に吹き付けたりすることができる。

【００１８】レジスト中の化学結合の少なくとも一部を
切断するレジスト除去前処理液としては、硫酸、硝酸、
塩酸、臭化水素酸、よう化水素酸等の強酸又はリチウ
ム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属水酸化物の
アルコール溶液若しくは水溶液等を用いることができ
る。中でも強い脱水作用を持つ硫酸の効果が極めて大き
い。硫酸濃度は、２０重量％程度でも効果があるが、６
０重量％以上の濃硫酸を用いるとさらに効果が大きい。
特に剥離性の悪いものについては、８０重量％以上の濃
硫酸を用い、温度を３０℃以上にして処理すると良い結
果が得られる。濃硫酸の濃度は１００重量％のものを用
いてもよい。処理温度は室温以上６０℃程度までとする
のが好ましく、３０℃以上６０℃程度までとすることは
より好ましい。

【００１９】また、剥離液によるレジスト剥離処理後の
レジスト残渣の場合、その厚さは不均一であるが数μｍ
程度まで減少している。しかし、本発明に用いるめっき
レジストは、レジスト除去前処理液によってレジスト中
の化学結合が分解反応により切断されやすく、変質しや
すい化合物等を主成分とするものである。このため、レ
ジスト除去前処理によるレジストの変質は、レジスト残
渣より厚い状態である未剥離状態のレジストの場合でも
同様に進行する。この結果、本発明によれば、剥離液に
よるレジスト剥離処理を行なわずにレジストを効果的に
除去することもできる。

【００２０】

【作用】本発明によりめっきレジストを効果的に除去で
きるのは、以下に述べるような作用によるものと推定さ
れる。本発明に用いるめっきレジストの主成分であるア
クリル系化合物、例えば、アクリル酸エステルやメタク
リル酸エステルのエステル結合は、炭素−炭素結合と比
べ分解反応により切断されやすい結合である。

【００２１】下地金属上のめっきレジストをレジスト除
去前処理液で処理した段階では、レジストは変質し、一
部が溶解するが、完全に溶解するわけではなく、また基
板にも密着していて剥離することは難しい。しかし、引
き続いて水洗処理を行なうと、レジスト内のレジスト除
去前処理液（例えば濃硫酸）が水に置き換わる。レジス
ト除去前処理によってレジストに親水性が付与されるこ
とから、レジスト除去前処理せずに水洗した場合と比べ
てレジスト内への水の侵入量が多くなる。その結果、レ
ジスト除去前処理及び水洗処理により、レジストの膨張
やクラックの発生が進行しやすくなる。このようなレジ
ストへの親水性の付与、クラックの発生によりレジスト
と下地金属の界面にエッチング液が浸透しやすい状態に
変化するため、レジストが容易に剥離できるようにな
る。

【００２２】濃硫酸の濃度を濃くしたり、温度を上げた
り、濃硫酸への浸漬時間を延ばすことにより、上述のよ
うなレジストの変化はさらに進行する。特にレジストの
密着性が強い場合には、エッチングだけでは剥離し難い
場合もあるが、スプレーや超音波処理等機械的な処理を
併用することにより、剥離を促進することができる。

【００２３】

【実施例】本発明の実施例を図１に示した導体回路と基
材の断面図を用いて説明する。図１（ａ）は、下地金属
層２を有する絶縁板１の断面である。下地金属層２には
プリント配線板では一般に銅が用いられる。絶縁板１と
しては、ガラスエポキシ積層板、ガラスポリイミド積層
板等が使用できる。これらは、銅張り積層板として市販
されているものを使用することができる。なお、下地金
属層２は、１層に限定されるものではなく、複数層設け
ても良い。

【００２４】図１（ｂ）は、めっきレジストの密着性を
向上させるため、下地金属層２の表面を粗化した状態を
示す。特に、後述する図１（ｄ）の導体回路の形成を化
学銅めっきで行なう場合には、めっき工程でレジストが
剥がれたりふくれたりし易いため、適切な密着促進処理
が不可欠である。ただし、このような表面粗化は、必要
に応じて実施すればよく、本発明に必須の工程ではな
い。

【００２５】次に、下地金属層２上にめっきレジストパ
ターン３を形成する（図１（ｃ））。めっきレジストパ
ターンの形成法としては、スクリーン印刷法や感光性レ
ジストを用いる写真法等があるが、高精度パターンを形
成する上では写真法プロセスが有利である。例えば、ド
ライフィルムフォトレジストをホットロールでラミネー
トし、フォトマスクを介してパターンイメージを露光し
た後に現像してレジストパターンを形成する。フォトレ
ジストとしては、ドライフィルムタイプのもののほかに
液状のフォトレジストをスクリーンコート、ロールコー
ト、カーテンコート等の方法によって塗布して用いても
良い。

【００２６】この後、めっきにより導体回路４を形成す
る（図１（ｄ））。プリント配線板の場合には、導体回
路４は、通常、銅めっきが用いられる。これは電気銅め
っき、化学銅めっき等によって形成される。一般的には
電気銅めっきが広く用いられているが、めっき厚さの均
一性の点では化学銅めっきが優れている。

【００２７】次いで、めっきレジストパターン３をレジ
スト剥離液で剥離する（図１（ｅ））。通常、レジスト
の剥離除去には、溶剤現像タイプのレジストでは、ジク
ロロメタン等の塩素系有機溶剤が、また、アルカリ現像
タイプのレジストでは、アルカリ性のレジスト剥離液等
が使用される。しかし、めっきレジストパターン３の密
着性が高くなると、これらの剥離処理では完全にレジス
トを除去することができず、図１（ｅ）に示したよう
に、回路以外の部分の下地銅箔上にレジスト残渣５がで
きてしまう。このままの状態で下地銅箔のエッチングを
行なうと、比較例として図３（ｆ）に示したように、レ
ジスト残渣５の下にエッチング残り６が生じてしまう。
なお、比較例として示した図３の（ａ）から（ｅ）に至
る処理は、図１の（ａ）から（ｅ）に至る処理と同じ処
理である。

【００２８】これに対し、レジスト剥離処理の後（図１
（ｅ））、レジスト除去前処理液で処理し（図１
（ｆ））、更に水洗後に下地金属のエッチング液で処理
すれば効果的にレジスト残渣を除去することができる
（図１（ｇ））。

【００２９】なお、めっきレジストパターン３は、レジ
スト除去前処理液によってレジスト中の化学結合の少な
くとも一部が切断されやすい化合物を主成分とする。こ
のため、図１の（ａ）から（ｄ）に至る処理と同じ処理
を図２の（ａ）から（ｄ）に示すように行ない、導体回
路４を形成した後（図２（ｄ））、レジスト剥離液によ
る剥離を省いてレジスト除去前処理液でレジストを処理
し（図２（ｅ））、さらに水洗後に下地金属のエッチン
グ液で処理しても、効果的にレジスト残渣を除去するこ
とができる（図２（ｆ））。

【００３０】いずれの場合も、この後、さらに導体回路
４以外の部分の下地金属層２をエッチングして除去する
ことにより、エッチング残り等の欠陥のない微細配線パ
ターンを形成することができる（図１（ｈ）、図２
（ｇ））。なお、下地金属層２のエッチングは上記のよ
うな２段階に限定する必要はなく、レジスト除去前処理
液によるレジスト処理後、１段階で行なってもよい。

【００３１】レジスト除去前処理液としては、硫酸、硝
酸、塩酸、臭化水素酸、よう化水素酸等の強酸、リチウ
ム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属水酸化物の
アルコール溶液、水溶液等を用いることができる。中で
も、強い脱水作用を持つ硫酸の効果が極めて大きい。硫
酸濃度としては、２０重量％程度でも効果があるが、６
０重量％以上の濃硫酸を用いると更に効果が大きい。特
に剥離性に悪いものについては、８０重量％以上の濃硫
酸を用い、温度を３０℃以上にして処理すると良い結果
が得られる。

【００３２】また、下地金属層２をエッチング液で処理
してレジスト残渣５を除去する際、超音波を印加した
り、エッチング液をスプレーしたりすることによりレジ
スト残渣の除去効率をあげることができる。以下に、い
くつかのより具体的な例を挙げて、各工程毎に細かく説
明する。

【００３３】〈実施例１〉 ［工程１］厚さ１２μｍの銅層を有し、基材の厚さ０．
１ｍｍの両面銅張りガラスポリイミド積層板を所要の大
きさに切断し、銅表面をブラッシング研磨した。

【００３４】［工程２］水洗後、銅表面を粗化するた
め、下記表１記載の組成（Ｉ）のソフトエッチング液中
に３０℃で１分間浸漬した。

【００３５】

【表１】

【００３６】［工程３］次に、さらに銅表面を粗化する
ため、下記表２記載の組成（II）の処理液に７０℃で２
分間浸漬し、銅表面に酸化膜層を形成した。

【００３７】

【表２】

【００３８】［工程４］次いで、水洗の後、下記表３記
載の組成（III）の処理液に４５℃で１分間浸漬し、酸
化膜層を還元した。

【００３９】

【表３】

【００４０】［工程５］次に、水洗を行なった後、下記
表４記載の組成（IV）の３０℃のニッケルめっき液で、
電流密度０．０５Ａ／ｄｍ²で６分間めっきし、銅層表
面に薄いニッケルめっき層を形成した。この場合、ニッ
ケルめっき層の厚さは０．０６μｍであった。次に水洗
を行ない、表面が粗化された銅の上にニッケルめっきが
された基板を得た。

【００４１】

【表４】

【００４２】［工程６］続いて、基板表面を十分乾燥し
た後、下記表５記載の組成（Ｖ）の感光性樹脂組成物層
（厚さ３５μｍ）を有するドライフィルムフォトレジス
トをホットロールによりラミネートした。この時、ホッ
トロール温度を１１０℃、ラミネート速度を１ｍ／ｍｉ
ｎ．とした。

【００４３】

【表５】

【００４４】［工程７］約５分間放冷した後、回路を形
成する部分をマスクし、超高圧水銀灯露光装置で１００
ｍＪ／ｃｍ²露光した。次に１，１，１−トリクロロエ
タンを現像液とし、約２５℃で２分間スプレーすること
により現像した。これにより基板表面の回路を形成しな
い部分をめっきレジストでマスクすることができた。

【００４５】［工程８］次に、前記組成（Ｉ）のソフト
エッチング液で２分間処理して、回路となる部分のニッ
ケル膜を除去した。

【００４６】［工程９］水洗後、下記表６記載の組成
（VI）の化学銅めっき液に７０℃で１２時間浸漬し、厚
さ約３０μｍの導体回路を形成した。

【００４７】

【表６】

【００４８】［工程１０］めっき後、十分水洗する。続
いて、全体を３％硫酸水溶液に２分間浸漬した後、下記
表７記載の組成（VII）のはんだめっき液で電流密度１
Ａ／ｄｍ²で１５分間はんだめっきを行なった。

【００４９】

【表７】

【００５０】［工程１１］次に、３０℃のジクロロメタ
ンを１０分間基板にスプレーして基板上のレジストを剥
離した。しかし回路以外の部分の下地銅箔上には、ほぼ
全面にわたってめっきレジスト残渣が付着していた。

【００５１】［工程１２］この基板をレジスト除去前処
理液である４０℃の９５重量％硫酸に５分間浸漬し、レ
ジストの脱水分解反応を行なわせた。

【００５２】［工程１３］次に、基板を水洗した。

【００５３】［工程１４］さらに組成（Ｉ）のソフトエ
ッチング液中で超音波を印加しながら１分間エッチング
を行なった。その結果、下地銅箔は約０．８μｍエッチ
ングされた。また、このエッチング処理により下地銅箔
表面からは、レジスト残渣はすべて除去された。

【００５４】［工程１５］次に、基板を水洗した。

【００５５】［工程１６］さらに下記表８記載の組成
（VIII）のエッチング液により、回路以外の部分の下地
銅箔をエッチング除去した。下地銅箔のエッチング速度
は、８μｍ／ｍｉｎ．であった。

【００５６】

【表８】

【００５７】以上説明した工程１から工程１６に至る処
理により導体回路が形成された基板には、回路以外の部
分に銅のエッチング残りはなく、高精度の配線パターン
を欠陥なく作製することができた。

【００５８】〈比較例１〉この比較例１は、工程１２の
後に工程１３、１４、１５を行なう代わりに、従来技術
で示した、耐酸性ブラシで基板表面をこすり、そのあと
に工程１６を行なった場合である。これ以外は、実施例
１と同様である。この結果、配線のない部分、配線間隔
の広い部分についてはレジストが除去されたが、レジス
トの際や、平行する配線の間では、レジストが完全には
除去されず、エッチング後も銅残りが発生した。また、
ブラッシングによる傷が原因と思われるパターン欠け等
の回路欠陥が発生した。

【００５９】〈比較例２〉実施例１のレジスト除去前処
理前の基板をそのまま組成（VIII）のエッチング液で処
理し、つまり、上述の工程１２、１３を行なわないで、
工程１１の後に工程１６の処理を直接行なって、回路以
外の部分の下地銅箔のエッチングを試みた。その結果、
レジスト残渣は大部分がそのまま下地銅箔表面に残り、
さらにその部分が銅エッチング残りとなった。このため
回路間隔が設計値より小さくなったり、回路間が短絡し
たりする回路欠陥が多数発生した。

【００６０】〈実施例２〉実施例１のレジスト除去前処
理後の基板をそのまま水洗し、次いで組成（VIII）のエ
ッチング液で処理し、つまり工程１２の後に、上述の工
程１３、１４を行なわずに工程１５、１６の処理を行な
うことにより、回路以外の部分の下地銅箔の１段階によ
るエッチングを試みた。その結果、基板表面には回路以
外の部分に銅のエッチング残りはなく、高精度の配線パ
ターンを欠陥なく作製することができた。

【００６１】〈比較例３〉実施例１のレジスト除去前処
理（工程１２）した基板をそのまま水洗せずに、組成
（VIII）のエッチング液で処理し、回路以外の部分の下
地銅箔のエッチングを試みた。つまり工程１２の後に、
工程１６を行なった。その結果、レジスト残渣は大部分
がそのまま下地銅箔表面に残り、さらにその部分が銅エ
ッチング残りとなった。このため回路間隔が設計値より
小さくなったり、回路間が短絡したりする回路欠陥が多
数発生した。

【００６２】〈実施例３〜６〉これらの例は、レジスト
の種類の違いがめっきレジスト除去に及ぼす影響を確認
するために行なったものである。すなわち、表５で組成
（Ｖ）に示しためっきレジストに関して、主成分がポリ
メタクリル酸メチルの場合と、ポリメタクリル酸メチル
のみをポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸、ポリ
アクリル酸に代えて作製したレジストを用いた。以上の
点及び工程５のニッケルめっきを省いた点以外は実施例
１と同様の処理を行ない、４種類の評価用基板を作製し
た。

【００６３】作製した基板の評価は、工程１４後のレジ
スト残渣を観察し、その数を数えることにより行なっ
た。また、工程１６の後、アンダーエッチングによる銅
のエッチング残り（短絡、回路幅過大等）の件数と、オ
ーバーエッチングによる回路欠け又は細りの件数を同様
に数えた。この結果をまとめたのが表９である。表９か
ら分かるように、メタクリル酸系樹脂やアクリル酸系樹
脂を用いたレジストを用いると、効果的なレジスト除去
が可能であった。

【００６４】

【表９】

【００６５】〈比較例４〜６〉表５で組成（Ｖ）に示し
ためっきレジストの主成分であるポリメタクリル酸メチ
ルのみをポリアクリロニトリル、ポリブタジエン、ポリ
スチレンに代えたレジストを作製した。以上の点以外は
実施例３〜６と同様の処理を行ない、基板を作製した。
工程１４の後、実施例３〜６と同様に基板を評価した結
果、基板のほぼ全面にレジストが付着していた。このた
め、工程１６の後でも各種回路欠陥の数が極めて多かっ
た。この結果も表１に示す。

【００６６】〈実施例７〉この例は、実施例１の工程１
２で示したレジスト除去前処理液である９５重量％硫酸
に代えて、３０重量％の水酸化ナトリウム水溶液を用い
た場合である。６０℃の液に１０分間基板を浸漬した。
以上の点以外は実施例１と同様の処理を行ない基板を作
製した。その結果、基板表面の回路以外の部分に銅のエ
ッチング残りはなく、高精度の配線パターンを欠陥なく
作製することができた。

【００６７】〈実施例８〉この例は、実施例１における
工程１１のレジスト剥離処理を省いた場合のものであ
る。レジストとして下記表１０に示した組成（Ｘ）の感
光性樹脂組成物層（厚さ３５μｍ）を有するドライフィ
ルムフォトレジストを用いた。

【００６８】

【表１０】

【００６９】上記の点以外は実施例１と同様の処理を行
ない評価用基板を作製した。また実施例３〜６と同様
に、レジスト残渣数及び回路欠陥数を評価した。その結
果、基板表面の回路以外の部分に銅のエッチング残りは
なく、高精度の配線パターンを欠陥なく作製することが
できた。

【００７０】〈実施例９〉この例は、実施例８のレジス
ト除去前処理液を、実施例７と同じ３０重量％の水酸化
ナトリウム水溶液に代えた場合である。実施例７と同じ
に６０℃の液に１０分間基板を浸漬し、以後実施例８と
同様の処理を行ない基板を作製した。その結果、基板表
面の回路以外の部分に銅のエッチング残りはなく、高精
度の配線パターンを欠陥なく作製することができた。

【００７１】以上の各実施例において、レジスト除去前
処理液の強酸として硫酸を、アルカリ金属水酸化物溶液
として水酸化ナトリウム水溶液の例を示したが、硝酸、
塩酸、臭化水素酸、よう化水素酸等の強酸又はリチウ
ム、カリウムの溶液等のアルカリ金属水酸化物の溶液を
用いても、ほぼ同様な結果が得られた。

【００７２】

【発明の効果】本発明によれば、レジスト除去前処理、
水洗処理を行なうことにより、めっきレジストを効率良
く除去することができ、レジスト残渣付着に起因する下
地金属のエッチング残りを防ぐことができる。また、塩
素系有機溶剤によるめっきレジストの剥離処理を行なわ
ずに、レジスト除去前処理、水洗処理を行なうことによ
り、めっきレジストを効率良く除去することができ、レ
ジスト残渣付着に起因する下地金属のエッチング残りを
防ぐことができる。そのため、いずれも、回路の短絡等
の欠陥の無い微細回路を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の導体回路の形成方法を示す
説明図である。

【図２】本発明の一実施例の導体回路の形成方法を示す
説明図である。

【図３】従来の導体回路の形成方法を示す説明図であ
る。

【符号の説明】

１…絶縁板 ２…下地金属層 ３…めっきレジストパターン ４…導体回路 ５…レジスト残渣 ６…エッチング残り

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 寛二 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 小林 史朗 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 油谷 ふじ子 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁板上に設けられた下地金属上に、アク
   リル系化合物を主成分とするめっきレジストを配線パタ
   ーンに応じて設ける工程、めっきにより配線パターンを
   形成する工程、めっきレジストを剥離液により剥離する
   工程、めっきレジスト中の化学結合の少なくとも一部を
   切断するレジスト除去前処理液でめっきレジストを処理
   する工程、めっきレジストを水洗する工程及び下地金属
   のエッチング処理を行なうエッチング工程を有すること
   を特徴とするプリント配線板の導体回路形成方法。
2. 【請求項２】絶縁板上に設けられた下地金属上に、アク
   リル系化合物を主成分とするめっきレジストを配線パタ
   ーンに応じて設ける工程、めっきにより配線パターンを
   形成する工程、めっきレジストを剥離液により剥離する
   工程、強酸又はアルカリ金属水酸化物の溶液からなるレ
   ジスト除去前処理液でめっきレジストを処理する工程、
   めっきレジストを水洗する工程及び下地金属のエッチン
   グ処理を行なうエッチング工程を有することを特徴とす
   るプリント配線板の導体回路形成方法。
3. 【請求項３】請求項１又は２記載のプリント配線板の導
   体回路形成方法において、上記アクリル系化合物は、メ
   タクリル酸系化合物又はアクリル酸系化合物であること
   を特徴とするプリント配線板の導体回路形成方法。
4. 【請求項４】請求項１から３のいずれか一に記載のプリ
   ント配線板の導体回路形成方法において、上記レジスト
   除去前処理液は、硫酸であることを特徴とするプリント
   配線板の導体回路形成方法。
5. 【請求項５】絶縁板上に設けられた下地金属上に、アク
   リル系化合物を主成分とするめっきレジストを配線パタ
   ーンに応じて設ける工程、めっきにより配線パターンを
   形成する工程、めっきレジスト中の化学結合の少なくと
   も一部を切断するレジスト除去前処理液でめっきレジス
   トを処理する工程、めっきレジストを水洗する工程及び
   下地金属のエッチング処理を行なうエッチング工程を有
   することを特徴とするプリント配線板の導体回路形成方
   法。
6. 【請求項６】絶縁板上に設けられた下地金属上に、アク
   リル系化合物を主成分とするめっきレジストを配線パタ
   ーンに応じて設ける工程、めっきにより配線パターンを
   形成する工程、強酸又はアルカリ金属水酸化物の溶液か
   らなるレジスト除去前処理液でめっきレジストを処理す
   る工程、めっきレジストを水洗する工程及び下地金属の
   エッチング処理を行なうエッチング工程を有することを
   特徴とするプリント配線板の導体回路形成方法。
7. 【請求項７】請求項５又は６記載のプリント配線板の導
   体回路形成方法において、上記アクリル系化合物は、メ
   タクリル酸系化合物又はアクリル酸系化合物であること
   を特徴とするプリント配線板の導体回路形成方法。
8. 【請求項８】請求項５から７のいずれか一に記載のプリ
   ント配線板の導体回路形成方法において、上記レジスト
   除去前処理液は、硫酸であることを特徴とするプリント
   配線板の導体回路形成方法。