JPH0783168B2 - プリント板の製造方法 - Google Patents
プリント板の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプリント板の製造方法に係り、特に高密度で微
細なパターンの回路が要求されるプリント板の製造方法
に関する。
細なパターンの回路が要求されるプリント板の製造方法
に関する。
従来より、両面プリント板や多層プリント板などの高密
度プリント板は、銅張積層板を出発材料とし、パネル電
気銅めつきによりスルホールを形成した後、回路部分以
外の銅をエツチング除去することによつて得る方法が主
流であつた。しかし、この従来方法は、厚さのばらつき
の大きい電気銅めつきを用いること、回路精度がエツチ
ングレジストの形成精度と銅のエツチング精度の両方に
依存することなどにより、高密度，微細回路形成には不
向きである。そこで、高密度化，微細化に適した回路形
成法が種々提供されてきた。
度プリント板は、銅張積層板を出発材料とし、パネル電
気銅めつきによりスルホールを形成した後、回路部分以
外の銅をエツチング除去することによつて得る方法が主
流であつた。しかし、この従来方法は、厚さのばらつき
の大きい電気銅めつきを用いること、回路精度がエツチ
ングレジストの形成精度と銅のエツチング精度の両方に
依存することなどにより、高密度，微細回路形成には不
向きである。そこで、高密度化，微細化に適した回路形
成法が種々提供されてきた。
その一つにパターン化学銅めつき法がある。これは、銅
張積層板を使用し、回路形成予定部分以外を感光性めつ
きレジストでマスクし、次いで回路形成予定部分のみに
選択的に化学銅めつきを行つた後、めつきレジストを除
去し、レジストを除去した部分、すなわち回路形成予定
部分以外の銅をエツチング除去して回路を形成する方法
である。
張積層板を使用し、回路形成予定部分以外を感光性めつ
きレジストでマスクし、次いで回路形成予定部分のみに
選択的に化学銅めつきを行つた後、めつきレジストを除
去し、レジストを除去した部分、すなわち回路形成予定
部分以外の銅をエツチング除去して回路を形成する方法
である。
しかし、この方法ではめつきレジストがめつき中に剥離
しやすく、良好な回路形成が出来ないという問題があ
る。この問題はめつき厚さのばらつきがほとんどない化
学銅めつきで顕著であり、電気銅めつきはあまり問題に
ならない場合が多い。すなわち、電気銅めつきはめつき
速度が速く短時間（１時間以内）でめつきが終了するの
に対して化学銅めつきはめつき速度が遅いため長時間の
めつきが必要となる。例えば30μｍの化学銅めつきを行
うには10〜30時間かかつてしまい、電気銅めつきの10倍
以上時間がかかる。このように、長時間めつきを行うた
め、めつきレジストがダメージを受ける。例えば、めつ
きレジストと下地との界面あるいはレジスト膜を通して
化学銅めつき液が浸み込み、下地との界面で（１）式の
反応によつて水酸イオンが生成し、界面を破壊すると 2H2O＋O2＋4e→4OH- …（１） 言われている（IBM J.RES.DEVELOP.Vol.29,No.1（198
5）Cathodic delamination of methyl methacrylate−b
ased dry film polymers on copper）。また、化学銅め
つき液はpH12前後の高アルカリ性であるため、特にめつ
きレジストと下地との界面破壊が生じやすいと考えられ
る。
しやすく、良好な回路形成が出来ないという問題があ
る。この問題はめつき厚さのばらつきがほとんどない化
学銅めつきで顕著であり、電気銅めつきはあまり問題に
ならない場合が多い。すなわち、電気銅めつきはめつき
速度が速く短時間（１時間以内）でめつきが終了するの
に対して化学銅めつきはめつき速度が遅いため長時間の
めつきが必要となる。例えば30μｍの化学銅めつきを行
うには10〜30時間かかつてしまい、電気銅めつきの10倍
以上時間がかかる。このように、長時間めつきを行うた
め、めつきレジストがダメージを受ける。例えば、めつ
きレジストと下地との界面あるいはレジスト膜を通して
化学銅めつき液が浸み込み、下地との界面で（１）式の
反応によつて水酸イオンが生成し、界面を破壊すると 2H2O＋O2＋4e→4OH- …（１） 言われている（IBM J.RES.DEVELOP.Vol.29,No.1（198
5）Cathodic delamination of methyl methacrylate−b
ased dry film polymers on copper）。また、化学銅め
つき液はpH12前後の高アルカリ性であるため、特にめつ
きレジストと下地との界面破壊が生じやすいと考えられ
る。
上述した問題を解決するため、上記IBM J.RES.DEVELOP.
Vol.29,No.1（1985）に記載されているように、銅張積
層板の表面を軽石などで研磨して平滑にした後、ベンゾ
トリアゾールなどで該表面を処理して感光性めつきレジ
ストで回路予定部分以外をマスクする方法が提案されて
いる。また、化学銅めつきの代わりに電気銅めつきを用
いた場合については特公昭50−9177号に記載されている
ようにベンゾトリアゾールなどを感光性めつきレジスト
に添加する方法が提供されている。これらにより、めつ
きレジストが下地から剥離する問題は大幅に改善される
に至つた。
Vol.29,No.1（1985）に記載されているように、銅張積
層板の表面を軽石などで研磨して平滑にした後、ベンゾ
トリアゾールなどで該表面を処理して感光性めつきレジ
ストで回路予定部分以外をマスクする方法が提案されて
いる。また、化学銅めつきの代わりに電気銅めつきを用
いた場合については特公昭50−9177号に記載されている
ようにベンゾトリアゾールなどを感光性めつきレジスト
に添加する方法が提供されている。これらにより、めつ
きレジストが下地から剥離する問題は大幅に改善される
に至つた。
上記のベンゾトリアゾールを適用した場合、効果が十分
でなかつたり、化学銅めつきにおいてはめつき特性に悪
影響を及ぼす場合がある。
でなかつたり、化学銅めつきにおいてはめつき特性に悪
影響を及ぼす場合がある。
具体的にはめつき速度を局部あるいは全体にわたつて低
下させたり、めつき膜の物性を低下させたりする。これ
はベンゾトリアゾールが化学銅めつき液に溶け出したた
めと推定される。このような現象が生じると、十分な信
頼性が得られないばかりか、場合によつては回路形成そ
のものが不可能になつてしまうという欠点が生じてしま
う。上述した問題が生じないようにコントロールするた
め、ベンゾトリアゾールのレジスト中や下地表面での適
切な濃度管理が不可欠と考えられるが、実際には難し
い。
下させたり、めつき膜の物性を低下させたりする。これ
はベンゾトリアゾールが化学銅めつき液に溶け出したた
めと推定される。このような現象が生じると、十分な信
頼性が得られないばかりか、場合によつては回路形成そ
のものが不可能になつてしまうという欠点が生じてしま
う。上述した問題が生じないようにコントロールするた
め、ベンゾトリアゾールのレジスト中や下地表面での適
切な濃度管理が不可欠と考えられるが、実際には難し
い。
本発明の目的は、銅箔貼り絶縁板を用いたパターン化学
銅めつき法において、めつきレジストが下地金属層へ十
分密着していて、化学めつき時に剥離することがなく、
微細回路を形成し得るプリント板の製造方法を提供する
ことにある。
銅めつき法において、めつきレジストが下地金属層へ十
分密着していて、化学めつき時に剥離することがなく、
微細回路を形成し得るプリント板の製造方法を提供する
ことにある。
前記目的は、下記の各工程により達成することができ
る。
る。
（１）（ａ）絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化する工
程、 （ｂ）該銅層表面に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感光性
レジスト層を形成し、該レジスト層に活性光線を形成す
る回路パターンに応じて選択的に露光し、現像すること
により回路のネガパターン部にめつきレジスト層を形成
する工程、 （ｃ）該めつきレジスト層を加熱処理する工程、 （ｄ）化学銅めつきにより回路部をめつきする工程、 （ｅ）前記めつきレジスト層を除去する工程、 （ｆ）回路パターン部以外の前記銅層を除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。
程、 （ｂ）該銅層表面に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感光性
レジスト層を形成し、該レジスト層に活性光線を形成す
る回路パターンに応じて選択的に露光し、現像すること
により回路のネガパターン部にめつきレジスト層を形成
する工程、 （ｃ）該めつきレジスト層を加熱処理する工程、 （ｄ）化学銅めつきにより回路部をめつきする工程、 （ｅ）前記めつきレジスト層を除去する工程、 （ｆ）回路パターン部以外の前記銅層を除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。
（２）（ａ）絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化した
後、該銅層表面を銅よりも卑なる電位の金属の薄膜層を
形成する工程、 （ｂ）該金属薄膜層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感
光性レジスト層を形成し、該レジスト層に活性光線を形
成する回路パターンに応じて選択的に露光し、現像する
ことにより回路のネガパターン部にめつきレジスト層を
形成する工程、 （ｃ）該めつきレジスト層を加熱処理する工程、 （ｄ）化学銅めつきにより回路部をめつきする工程、 （ｅ）前記めつきレジスト層を除去する工程、 （ｆ）回路パターン部以外の前記銅層および前記金属薄
膜層を除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。
後、該銅層表面を銅よりも卑なる電位の金属の薄膜層を
形成する工程、 （ｂ）該金属薄膜層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感
光性レジスト層を形成し、該レジスト層に活性光線を形
成する回路パターンに応じて選択的に露光し、現像する
ことにより回路のネガパターン部にめつきレジスト層を
形成する工程、 （ｃ）該めつきレジスト層を加熱処理する工程、 （ｄ）化学銅めつきにより回路部をめつきする工程、 （ｅ）前記めつきレジスト層を除去する工程、 （ｆ）回路パターン部以外の前記銅層および前記金属薄
膜層を除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。
（３）（ａ）絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化し、該
銅層表面を酸化し、還化する工程、 （ｂ）該銅層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感光性レ
ジスト層を形成し、該レジスト層に活性光線を形成する
回路パターンに応じて選択的に露光し、現像することに
より回路のネガパターン部にめつきレジスト層を形成す
る工程、 （ｃ）該めつきレジスト層を加熱処理する工程、 （ｄ）化学銅めつきにより回路部をめつきする工程、 （ｅ）前記めつきレジスト層を除去する工程、 （ｆ）回路パターン部以外の前記銅層を除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。
銅層表面を酸化し、還化する工程、 （ｂ）該銅層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感光性レ
ジスト層を形成し、該レジスト層に活性光線を形成する
回路パターンに応じて選択的に露光し、現像することに
より回路のネガパターン部にめつきレジスト層を形成す
る工程、 （ｃ）該めつきレジスト層を加熱処理する工程、 （ｄ）化学銅めつきにより回路部をめつきする工程、 （ｅ）前記めつきレジスト層を除去する工程、 （ｆ）回路パターン部以外の前記銅層を除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。
（４）（ａ）絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化し、該
銅層表面を酸化し、還元した後、該表面を銅よりも卑な
る電位の金属の薄膜層を被覆する工程、 （ｂ）該金属薄膜層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感
光性レジスト層を形成し、活性光線を形成する回路パタ
ーンに応じて選択的に露光し、現像することにより回路
のネガパターン部にめつきレジスト層を形成する工程、 （ｃ）該めつきレジスト層を加熱処理する工程、 （ｄ）化学銅めつきにより回路部をめつきする工程、 （ｅ）前記めつきレジスト層を除去する工程、 （ｆ）回路パターン部以外の前記銅層および前記金属薄
膜層を除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。
銅層表面を酸化し、還元した後、該表面を銅よりも卑な
る電位の金属の薄膜層を被覆する工程、 （ｂ）該金属薄膜層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感
光性レジスト層を形成し、活性光線を形成する回路パタ
ーンに応じて選択的に露光し、現像することにより回路
のネガパターン部にめつきレジスト層を形成する工程、 （ｃ）該めつきレジスト層を加熱処理する工程、 （ｄ）化学銅めつきにより回路部をめつきする工程、 （ｅ）前記めつきレジスト層を除去する工程、 （ｆ）回路パターン部以外の前記銅層および前記金属薄
膜層を除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。
（５）昇華性の銅腐食抑制剤がベンゾトリアゾール、ト
リルトリアゾール、ベンゾグアナミン、グアニジン、１
−シアノグアニズン、チアゾール、チオ尿素、２−キノ
リルアミン、1,1′−アゾナフタレン、ジシクロヘキシ
ルアンモニウムナイトライド、ジイソプロピルアンモニ
ウムベンゾエート、シクロヘキシルアミンベンゾエー
ト、ジシクロヘキシルアンモニウムシクロヘキサンカル
ボキシレートから選ばれることを特徴とする前項（１）
〜（４）のいずれかに記載するプリント板の製造方法。
リルトリアゾール、ベンゾグアナミン、グアニジン、１
−シアノグアニズン、チアゾール、チオ尿素、２−キノ
リルアミン、1,1′−アゾナフタレン、ジシクロヘキシ
ルアンモニウムナイトライド、ジイソプロピルアンモニ
ウムベンゾエート、シクロヘキシルアミンベンゾエー
ト、ジシクロヘキシルアンモニウムシクロヘキサンカル
ボキシレートから選ばれることを特徴とする前項（１）
〜（４）のいずれかに記載するプリント板の製造方法。
（６）前記工程（ｃ）の加熱処理温度がめつきレジスト
が熱変形しない温度であることを特徴とする前項（１）
〜（５）のいずれかに記載するプリント板の製造方法。
が熱変形しない温度であることを特徴とする前項（１）
〜（５）のいずれかに記載するプリント板の製造方法。
（７）加熱処理条件が100〜180℃,1〜２時間であること
を特徴とする前項（１）〜（５）のいずれかに記載する
プリント板の製造方法。
を特徴とする前項（１）〜（５）のいずれかに記載する
プリント板の製造方法。
（８）前記工程（ｆ）において、銅回路パターン上に銅
エツチングレジスト層を被覆後、回路パターン部以外の
前記銅層，金属薄膜層を除去する工程を含む前項（１）
〜（４）のいずれかに記載するプリント板の製造方法。
エツチングレジスト層を被覆後、回路パターン部以外の
前記銅層，金属薄膜層を除去する工程を含む前項（１）
〜（４）のいずれかに記載するプリント板の製造方法。
即ち、本発明の特徴は、絶縁板上に設けた銅層表面を粗
化することである。該粗化面上に、回路のネガテイブパ
ターン状に形成する感光性めつきレジストとして、昇華
性の銅腐食抑制剤を配合したものを用いることである。
そして、これを加熱処理した後、銅化学めつきを行つて
銅回路を形成することである。
化することである。該粗化面上に、回路のネガテイブパ
ターン状に形成する感光性めつきレジストとして、昇華
性の銅腐食抑制剤を配合したものを用いることである。
そして、これを加熱処理した後、銅化学めつきを行つて
銅回路を形成することである。
従来は銅層表面を極力平滑にすることがポイントとなつ
ており、パーミス研磨を行う方法が知られている。しか
し、上記方法では銅層上にラミネートしためつきレジス
トの十分な密着性を得るには不十分であり、むしろ銅層
表面を粗化した方が良いという結果が得られた。これ
は、銅層とめつきレジストとの接触面積が増加し、且
つ、アンカー効果によつてめつきレジストとの密着性が
向上したものと考えられる。
ており、パーミス研磨を行う方法が知られている。しか
し、上記方法では銅層上にラミネートしためつきレジス
トの十分な密着性を得るには不十分であり、むしろ銅層
表面を粗化した方が良いという結果が得られた。これ
は、銅層とめつきレジストとの接触面積が増加し、且
つ、アンカー効果によつてめつきレジストとの密着性が
向上したものと考えられる。
また、銅層を粗化した後、粗化面に、ニツケルや亜鉛，
すずなどの金属層を薄く形成してやることにより、めつ
き時の密着性は大幅に改善されることを見出した。これ
は、めつき時のめつきレジスト剥離現象によつて調べた
化、めつきレジストと接している銅層表面の酸化物がめ
つき液のしみ込み等により還元されてしまうのを防止す
るためと考えられる。すなわち、ニツケルや亜鉛などの
金属はそれらの酸化物が還元される電位が化学銅めつき
の反応電位よりも卑でいるため、還元されずに、酸化物
として存在し、めつきレジストとの界面が破壊されない
ことによるものと推定される。
すずなどの金属層を薄く形成してやることにより、めつ
き時の密着性は大幅に改善されることを見出した。これ
は、めつき時のめつきレジスト剥離現象によつて調べた
化、めつきレジストと接している銅層表面の酸化物がめ
つき液のしみ込み等により還元されてしまうのを防止す
るためと考えられる。すなわち、ニツケルや亜鉛などの
金属はそれらの酸化物が還元される電位が化学銅めつき
の反応電位よりも卑でいるため、還元されずに、酸化物
として存在し、めつきレジストとの界面が破壊されない
ことによるものと推定される。
本発明の特徴は、昇華性の銅腐食抑制剤を含む感光性レ
ジスト層を形成し、活性光線により露光を行い、さらに
現象を行つて、回路形成予定部分以外（ネガパターン
部）にめつきレジストを設ける工程と、該めつきレジス
トを加熱する工程を含むことである。ベンゾトリアゾー
ルを感光性レジストに加え、化学銅めつきレジストとし
て用いると、電気銅めつきの場合と同様にめつき時のレ
ジスト剥離は大幅に低減することを確認しているが、前
述したように、化学銅めつき膜の物性を低下させたり、
めつき速度を低下させたりする問題があり、その最適添
加量の決定がむずかしく、実質的には実用化が困難であ
つた。特に、同一化学銅めつき液を用いてくり返しめつ
きを行つたり、めつきレジストの面積が大きいと化学銅
めつき液中にベンゾトリアゾールが溶出して蓄積され実
質的な化学銅めつきができなくなつてしまうことであ
る。
ジスト層を形成し、活性光線により露光を行い、さらに
現象を行つて、回路形成予定部分以外（ネガパターン
部）にめつきレジストを設ける工程と、該めつきレジス
トを加熱する工程を含むことである。ベンゾトリアゾー
ルを感光性レジストに加え、化学銅めつきレジストとし
て用いると、電気銅めつきの場合と同様にめつき時のレ
ジスト剥離は大幅に低減することを確認しているが、前
述したように、化学銅めつき膜の物性を低下させたり、
めつき速度を低下させたりする問題があり、その最適添
加量の決定がむずかしく、実質的には実用化が困難であ
つた。特に、同一化学銅めつき液を用いてくり返しめつ
きを行つたり、めつきレジストの面積が大きいと化学銅
めつき液中にベンゾトリアゾールが溶出して蓄積され実
質的な化学銅めつきができなくなつてしまうことであ
る。
本発明らは、種々検討の結果、ベンゾトリアゾール以外
にも銅腐食抑制効果を有する添加剤を感光性めつきレジ
ストに加えると、ベンゾトリアゾールの場合と同様にレ
ジスト剥離を防止するのに効果があることを見出した。
しかしこの銅腐食抑制剤の場合も、化学銅めつき液中に
溶出するとベンゾトリアゾールと同様めつき速度の低下
やめつき膜物性の低下をひきおこすことがわかつた。そ
こで、さらに検討を進めた結果、昇華性の銅腐食抑制剤
を加えてめつきレジストを形成し、次いて後加熱処理を
行うことによつて、化学銅めつき液の汚染を防止できる
と同時に、めつきレジストの剥離も防止できることを見
出した本発明に至つた。
にも銅腐食抑制効果を有する添加剤を感光性めつきレジ
ストに加えると、ベンゾトリアゾールの場合と同様にレ
ジスト剥離を防止するのに効果があることを見出した。
しかしこの銅腐食抑制剤の場合も、化学銅めつき液中に
溶出するとベンゾトリアゾールと同様めつき速度の低下
やめつき膜物性の低下をひきおこすことがわかつた。そ
こで、さらに検討を進めた結果、昇華性の銅腐食抑制剤
を加えてめつきレジストを形成し、次いて後加熱処理を
行うことによつて、化学銅めつき液の汚染を防止できる
と同時に、めつきレジストの剥離も防止できることを見
出した本発明に至つた。
昇華性銅腐食抑制剤が加熱処理によつて昇華し、必要最
適量がめつきレジスト中に残るため前記の効果が得られ
るものと思われる。
適量がめつきレジスト中に残るため前記の効果が得られ
るものと思われる。
該銅腐食抑制剤のレジスト中への残留状態も銅層との界
面で濃度が高く、化学銅めつき液と接する側で濃度が低
くなるような濃度勾配が生ずるのではないかと推定され
る。
面で濃度が高く、化学銅めつき液と接する側で濃度が低
くなるような濃度勾配が生ずるのではないかと推定され
る。
上述した本発明の適用により電気銅めつきの場合よりは
るかに過酷なパターン化学銅めつきにおいても、めつき
レジストが剥離する問題がなく、且つ、化学銅めつき液
の汚染も少なくなり、微細なパターンの回路形成が可能
となり、化学銅めつき液の寿命も著しく向上する。
るかに過酷なパターン化学銅めつきにおいても、めつき
レジストが剥離する問題がなく、且つ、化学銅めつき液
の汚染も少なくなり、微細なパターンの回路形成が可能
となり、化学銅めつき液の寿命も著しく向上する。
次に、本発明について、第１図により具体的に説明す
る。
る。
第１図（ａ）は絶縁板１上に貼り付けた銅層２の表面を
粗化した状態を示す。絶縁板１にはガラスエポキシ積層
板やガラスポリイミド積層板，セラミツク板等が適用で
きる。銅層２は通常の銅張積層板を適用することによ
り、形成できる。微細回路形成には銅層は薄い方が有利
である。銅層２の表面粗化はサンドブラストなどの機械
的方法、もしくは塩酸酸性の塩化第２銅水溶液などによ
る化学的方法を適用することができる。また、さらに表
面を粗化したい場合は、亜塩素酸ナトリウム水溶液など
で処理し、次いで、ジメチルアミノボラン水溶液などで
処理する方法が有利である。ここでは一度、銅表面を酸
化して酸化銅（II）を形成してから再度金属銅に還元す
る。このとき、表面は粗化され、微小の凹凸が形成され
る（特開昭61−176192号）。
粗化した状態を示す。絶縁板１にはガラスエポキシ積層
板やガラスポリイミド積層板，セラミツク板等が適用で
きる。銅層２は通常の銅張積層板を適用することによ
り、形成できる。微細回路形成には銅層は薄い方が有利
である。銅層２の表面粗化はサンドブラストなどの機械
的方法、もしくは塩酸酸性の塩化第２銅水溶液などによ
る化学的方法を適用することができる。また、さらに表
面を粗化したい場合は、亜塩素酸ナトリウム水溶液など
で処理し、次いで、ジメチルアミノボラン水溶液などで
処理する方法が有利である。ここでは一度、銅表面を酸
化して酸化銅（II）を形成してから再度金属銅に還元す
る。このとき、表面は粗化され、微小の凹凸が形成され
る（特開昭61−176192号）。
めつき時のめつきレジストの密着性を得るにはこのよう
な銅表面の酸化処理と還元処理を行うことが好ましい。
また、さらにめつきレジストとの良好な密着性を必要と
する場合は、第１図ｂに示したように、粗面化した銅上
に薄い金属膜３を形成するのがよい。金属膜はニツケ
ル，亜鉛，クロム，すず及びそれらの合金が良い。特
に、化学銅めつきの反応電位より卑の酸化膜還元電位を
有する金属が好ましい。第１図は回路形成の一つの面の
みを示しているが、両面、あるいは多層プリント板にも
適用できる。このとき、必要に応じて、スルーホールめ
つきを行うことが可能である。
な銅表面の酸化処理と還元処理を行うことが好ましい。
また、さらにめつきレジストとの良好な密着性を必要と
する場合は、第１図ｂに示したように、粗面化した銅上
に薄い金属膜３を形成するのがよい。金属膜はニツケ
ル，亜鉛，クロム，すず及びそれらの合金が良い。特
に、化学銅めつきの反応電位より卑の酸化膜還元電位を
有する金属が好ましい。第１図は回路形成の一つの面の
みを示しているが、両面、あるいは多層プリント板にも
適用できる。このとき、必要に応じて、スルーホールめ
つきを行うことが可能である。
銅層表面を粗化した後、第１図ｃに示すように回路形成
予定部分以外をめつきレジスト４でマスクする。このめ
つきレジスト４にはネガ型の感光性レジストに昇華性の
銅腐食抑制剤を添加したものが適用できる。本発明で使
用する感光性レジストは末端エチレン基を有する光重合
可能な不飽和化合物などを含む。例えば、トリメチロー
ルプロパン，トリメチロールエタン，プロピレングリコ
ール，テトラエチレングリコール等の多価アルコールの
アクリル酸エステル、またはメタクリル酸エステルがあ
る。
予定部分以外をめつきレジスト４でマスクする。このめ
つきレジスト４にはネガ型の感光性レジストに昇華性の
銅腐食抑制剤を添加したものが適用できる。本発明で使
用する感光性レジストは末端エチレン基を有する光重合
可能な不飽和化合物などを含む。例えば、トリメチロー
ルプロパン，トリメチロールエタン，プロピレングリコ
ール，テトラエチレングリコール等の多価アルコールの
アクリル酸エステル、またはメタクリル酸エステルがあ
る。
昇華性の銅腐食抑制剤としてはベンゾトリアゾール、ト
リルトリアゾール、ベンゾグアナミン、グアニジン、１
−シアノグアニジン、チアゾール、チオ尿素、２−キノ
リルアミン、1,1′−アゾナフタレン、ジシクロヘキシ
ルアンモニウムナイトライド、シクロヘキシルアミノベ
ンゾエート、ジイソプロピルアンモニウムベンゾエー
ト、ジシクロヘキシルアンモニウムシクロヘキサンカル
ボキシレートなどがあげられる。これらの添加量は昇華
性銅腐食抑制剤の種類や、後加熱後の条件によつて異な
るが、ベンゾトリアゾールの場合は感光性めつきレジス
ト100重量部に対して0.01〜１重量部が好適であり、そ
のときの後加熱は100〜160℃、１〜２時間程度が適当で
ある。これら銅腐食抑制剤はできるだけ感光めつきレジ
ストとしての特性を失わない範囲で添加することが望ま
しい。
リルトリアゾール、ベンゾグアナミン、グアニジン、１
−シアノグアニジン、チアゾール、チオ尿素、２−キノ
リルアミン、1,1′−アゾナフタレン、ジシクロヘキシ
ルアンモニウムナイトライド、シクロヘキシルアミノベ
ンゾエート、ジイソプロピルアンモニウムベンゾエー
ト、ジシクロヘキシルアンモニウムシクロヘキサンカル
ボキシレートなどがあげられる。これらの添加量は昇華
性銅腐食抑制剤の種類や、後加熱後の条件によつて異な
るが、ベンゾトリアゾールの場合は感光性めつきレジス
ト100重量部に対して0.01〜１重量部が好適であり、そ
のときの後加熱は100〜160℃、１〜２時間程度が適当で
ある。これら銅腐食抑制剤はできるだけ感光めつきレジ
ストとしての特性を失わない範囲で添加することが望ま
しい。
感光性めつきレジスト層は、一般的な方法で前記粗化表
面にラミネートされる。ラミネート後に、回路形成予定
部分のレジスト層を除去する。これには回路形成予定部
分をマスクして露光し、さらにクロロセンなどの現像液
で現像する方法が一般的である。ただし、露光量を多く
すると、後工程で感光性めつきレジストを剥離除去する
ときに除去しにくくなつたり、本発明の目的が十分得ら
れなくなる問題の生じる場合がある。適切な露光量は光
源やレジストの種類によつても異なるが、超電圧水銀灯
を光源とする場合は300mJ/cm2以下が適切と思われる。
面にラミネートされる。ラミネート後に、回路形成予定
部分のレジスト層を除去する。これには回路形成予定部
分をマスクして露光し、さらにクロロセンなどの現像液
で現像する方法が一般的である。ただし、露光量を多く
すると、後工程で感光性めつきレジストを剥離除去する
ときに除去しにくくなつたり、本発明の目的が十分得ら
れなくなる問題の生じる場合がある。適切な露光量は光
源やレジストの種類によつても異なるが、超電圧水銀灯
を光源とする場合は300mJ/cm2以下が適切と思われる。
次に後加熱処理を行う。この後加熱条件は感光性めつき
レジストに適用する昇華性銅腐食抑制剤の種類や量に依
存する。形成したレジストが変形したり変質しない温度
で後加熱することが望ましい。例えば後加熱温度は180
℃以下が良い場合が多い。この後加熱処理により、余分
の銅腐食制剤が昇華除去される。このとき、測定は行つ
ていないが、感光性めつきレジスト中には銅腐食抑制剤
の濃度分布（銅層側で濃く、外側で薄い）が形成される
ものと推定される。
レジストに適用する昇華性銅腐食抑制剤の種類や量に依
存する。形成したレジストが変形したり変質しない温度
で後加熱することが望ましい。例えば後加熱温度は180
℃以下が良い場合が多い。この後加熱処理により、余分
の銅腐食制剤が昇華除去される。このとき、測定は行つ
ていないが、感光性めつきレジスト中には銅腐食抑制剤
の濃度分布（銅層側で濃く、外側で薄い）が形成される
ものと推定される。
次に、第１図ｄに示すように、金属層３を設けた場合は
必要に応じて回路形成予定部分の金属層３を除去する。
除去液としては金属層３を溶かすものならたいていのも
のが使用できる。
必要に応じて回路形成予定部分の金属層３を除去する。
除去液としては金属層３を溶かすものならたいていのも
のが使用できる。
その後で、第１図ｅに示すように回路形成予定部分に化
学銅めつき５を行う。この化学銅めつきには通常用いら
れる厚付けめつき用のものが適用される。この化学銅め
つきでスルーホールめつきも同時に行うような場合は特
に高品質の化学銅めつき膜を形成することが望ましい。
例えば、下記組成の化学銅めつき液に70℃で数〜数十時
間めつきすることにより、伸び特性などに優れた高品質
めつき膜を得ることができる。
学銅めつき５を行う。この化学銅めつきには通常用いら
れる厚付けめつき用のものが適用される。この化学銅め
つきでスルーホールめつきも同時に行うような場合は特
に高品質の化学銅めつき膜を形成することが望ましい。
例えば、下記組成の化学銅めつき液に70℃で数〜数十時
間めつきすることにより、伸び特性などに優れた高品質
めつき膜を得ることができる。
さらに、化学銅めつきを行つた後、第１図ｆに示すよう
に、銅のエツチングレジストとして半田めつき６を行
う。但し、この半田めつきは必ずしも必要なものではな
く、また、他のめつき、例えばすずめつき，金めつき、
ニツケルめつきなども用いることができる。この銅のエ
ツチングレジストがないと、後工程の銅エツチングで、
回路形成部分の銅も一部エツチングされるため、銅エツ
チングレジスト６を形成した方が良い。銅エツチングレ
ジストに半田めつきを用いる場合の半田めつき浴として
一般に用いられるホウフツ化浴などが使用できる。
に、銅のエツチングレジストとして半田めつき６を行
う。但し、この半田めつきは必ずしも必要なものではな
く、また、他のめつき、例えばすずめつき，金めつき、
ニツケルめつきなども用いることができる。この銅のエ
ツチングレジストがないと、後工程の銅エツチングで、
回路形成部分の銅も一部エツチングされるため、銅エツ
チングレジスト６を形成した方が良い。銅エツチングレ
ジストに半田めつきを用いる場合の半田めつき浴として
一般に用いられるホウフツ化浴などが使用できる。
半田めつきを行つた後、第１図ｇに示すように、感光性
めつきレジスト層４を除去する。本発明ではこの感光性
めつきレジストの剥離工程が不可欠なため、レジストの
硬化を促進させるのに有効な現像後の後露光は行わない
ことが望ましい。めつきレジスト除去には塩化メチレン
などの通常の剥離液が使用できる。
めつきレジスト層４を除去する。本発明ではこの感光性
めつきレジストの剥離工程が不可欠なため、レジストの
硬化を促進させるのに有効な現像後の後露光は行わない
ことが望ましい。めつきレジスト除去には塩化メチレン
などの通常の剥離液が使用できる。
感光性めつきレジストを除去した後、第１図ｈに示すよ
うに回路形成部分以外の銅層２をエツチング除去する。
金属層３を設けた場合には金属層も同様にエツチング除
去する。最後に、第１図ｉに示すように銅のエツチング
レジストとなる半田めつき６を除去する。但し、除去不
要のときは、第１図ｈのままで終了しても良い。特に金
めつきを銅のエツチングレジストに用いたときはそのま
ま残しておくことが多い。
うに回路形成部分以外の銅層２をエツチング除去する。
金属層３を設けた場合には金属層も同様にエツチング除
去する。最後に、第１図ｉに示すように銅のエツチング
レジストとなる半田めつき６を除去する。但し、除去不
要のときは、第１図ｈのままで終了しても良い。特に金
めつきを銅のエツチングレジストに用いたときはそのま
ま残しておくことが多い。
以上説明した工程を実施することにより、パターン化学
銅めつきにおいて感光性めつきレジストの密着不良がな
く、且つ化学銅めつき液の汚染が少ない微細パターンの
プリント配線板を製造することができる。
銅めつきにおいて感光性めつきレジストの密着不良がな
く、且つ化学銅めつき液の汚染が少ない微細パターンの
プリント配線板を製造することができる。
次に、本発明を実施例により、さらに具体的に説明す
る。
る。
実施例１ 工程a:18μｍの銅層を有する両面銅張ガラスエポキシ積
層板の必要個所に孔をあけた。次いで、銅表面をブラツ
シングして研磨した後、アルカリ脱脂を行い、水洗後、
過硫酸アンモニウム200g,硫酸10mlを水に溶かして１
にした組成のソフトエツチング後（30℃）で１分間処理
した。水洗を行つた後、15％塩酸に１分間浸漬し、解媒
液（日立化成工業,HT101B）に20℃,5分間浸漬し水洗
し、さらに15％塩酸20℃、５分間浸漬して水洗を行い、
活性化した。ひきつづき、下記組成（Ｉ）の化学銅めつ
き液中で70℃,2時間めつきした。
層板の必要個所に孔をあけた。次いで、銅表面をブラツ
シングして研磨した後、アルカリ脱脂を行い、水洗後、
過硫酸アンモニウム200g,硫酸10mlを水に溶かして１
にした組成のソフトエツチング後（30℃）で１分間処理
した。水洗を行つた後、15％塩酸に１分間浸漬し、解媒
液（日立化成工業,HT101B）に20℃,5分間浸漬し水洗
し、さらに15％塩酸20℃、５分間浸漬して水洗を行い、
活性化した。ひきつづき、下記組成（Ｉ）の化学銅めつ
き液中で70℃,2時間めつきした。
組成（Ｉ） 上記化学銅めつきにより、必要個所にあけた孔にスルー
ホールめつきし導電化した。
ホールめつきし導電化した。
工程b:銅層表面を粗化するため、下記組成（II）の粗化
液に空気を吸込みながら撹拌し、45℃で30秒間処理し
た。
液に空気を吸込みながら撹拌し、45℃で30秒間処理し
た。
次に水洗を行い表面が粗化された基板を得た。
工程c:基板表面を十分乾燥した。他方、下記組成（II
I）の感光性樹脂組成物の溶液を25μｍ厚さのポリエチ
レンテレフタレートフイルム上に均一に塗布し、約80℃
の熱風対流式乾燥機で10分間乾燥した。
I）の感光性樹脂組成物の溶液を25μｍ厚さのポリエチ
レンテレフタレートフイルム上に均一に塗布し、約80℃
の熱風対流式乾燥機で10分間乾燥した。
感光性樹脂組成物層の乾燥後の厚さは35μｍとした。感
光性樹脂組成物層の上に約25μｍの厚さのポリエチレン
フイルムをカバーフイルムとして張合わせ、感光性めつ
きレジストとなるエレメントを得た。このエレメントを
前記基板の両側に、カバーフイルムをはずしてからホツ
トロールラミネータによりラミネートした。このとき、
ホツトロール温度を110℃，ラミネート速度を1m/分とし
た。約５分間放冷した後、回路形成予定部分をマスク
し、超高圧水銀灯露光器で100mJ/cm2露光した。次に、
1,1,1−トリクロルエタンを現像液とし、約18℃で２分
間スプレーすることにより現像した。これにより、回路
形成予定部分以外をめつきレジストでマスクした。ここ
では回路形成予定部分に90μｍのパターンを形成した。
光性樹脂組成物層の上に約25μｍの厚さのポリエチレン
フイルムをカバーフイルムとして張合わせ、感光性めつ
きレジストとなるエレメントを得た。このエレメントを
前記基板の両側に、カバーフイルムをはずしてからホツ
トロールラミネータによりラミネートした。このとき、
ホツトロール温度を110℃，ラミネート速度を1m/分とし
た。約５分間放冷した後、回路形成予定部分をマスク
し、超高圧水銀灯露光器で100mJ/cm2露光した。次に、
1,1,1−トリクロルエタンを現像液とし、約18℃で２分
間スプレーすることにより現像した。これにより、回路
形成予定部分以外をめつきレジストでマスクした。ここ
では回路形成予定部分に90μｍのパターンを形成した。
工程d:回路形成予定部分以外をめつきレジストでマスク
した後、140℃で１時間後加熱処理を行つた。
した後、140℃で１時間後加熱処理を行つた。
工程e:基板全体を硫酸の100ml/水溶液に２分間浸漬し
て酸化物等を除去し、次いで水洗を行つた。
て酸化物等を除去し、次いで水洗を行つた。
工程f:工程（ａ）の組成（Ｉ）と同一組成の化学銅めつ
き液に70℃で12時間浸漬しパターン化学銅めつきを行つ
た。めつき後十分水洗した。
き液に70℃で12時間浸漬しパターン化学銅めつきを行つ
た。めつき後十分水洗した。
工程g:全体を硫酸の100ml/水溶液に２分間浸漬した
後、Sn2+15g/,Pb2+10g/,H3BO340g/,HBF4300g/
を含む半田めつき浴に1A/dm2で15分間撹拌しながら、上
記パターン化学銅めつき表面に半田めつきを行ない、十
分に水洗後乾燥した。
後、Sn2+15g/,Pb2+10g/,H3BO340g/,HBF4300g/
を含む半田めつき浴に1A/dm2で15分間撹拌しながら、上
記パターン化学銅めつき表面に半田めつきを行ない、十
分に水洗後乾燥した。
工程h:塩化メチレンに浸漬してめつきレジストを除去し
た。次いで、銅アンモニウム塩性のアルカリエツチング
液により、回路形成部以外の銅層をエツチング除去し
た。さらに水洗を行い、硝酸を含むエツチング液で半田
めつき部分を除去した。最後に十分水洗を行い、乾燥さ
せた。
た。次いで、銅アンモニウム塩性のアルカリエツチング
液により、回路形成部以外の銅層をエツチング除去し
た。さらに水洗を行い、硝酸を含むエツチング液で半田
めつき部分を除去した。最後に十分水洗を行い、乾燥さ
せた。
工程ａ〜ｈを順次行うことによつて両面スルーホールプ
リント配線板を作成した。
リント配線板を作成した。
実施例２ 実施例１の工程ｂのあとに、下記に示す工程ｉを加えた
以外は実施例１と同様の工程で両面スルーホールプリン
ト配線板を作成した。
以外は実施例１と同様の工程で両面スルーホールプリン
ト配線板を作成した。
工程i:さらに表面を粗化するため、下記組成（IV）の処
理液に70℃で２分間浸漬し酸化した。
理液に70℃で２分間浸漬し酸化した。
組成（IV） 水洗を行つた後、下記組成（Ｖ）の処理液に45℃、１分
間浸漬し、酸化物を還元した。これにより表面を十分に
粗化した。次いで十分水洗した。
間浸漬し、酸化物を還元した。これにより表面を十分に
粗化した。次いで十分水洗した。
以下、実施例１と同様にしてプリント板を得た。
実施例３ 実施例１の工程ｂの代わりに下記の工程ｊを行う以外は
実施例１と同様の工程で両面スルーホールプリント配線
板を作成した。
実施例１と同様の工程で両面スルーホールプリント配線
板を作成した。
工程j:銅層表面を粗化するため、過硫酸アンモニウム20
0g,硫酸5mlを加えて１とした組成の液で撹拌しながら
30℃,1分間処理した。水洗を行つた後、前記実施例１の
工程ｉに示した組成（IV）の処理液に70℃、２分間浸漬
し酸化した。水洗を行つた後、工程ｉの組成（Ｖ）の処
理液に45℃、１分間浸漬し、酸化物を還元した。ひき続
き水洗を行つた後、下記組成（VI）のニツケめつき液で
めつきし、銅層表面にうすいニツケルめつき金属層を形
成した。ニツケルめつき は20℃で0.1A/dm2、６分間行つた。次いで十分に水洗し
た。以下実施例１と同様にしてプリント板を得た。
0g,硫酸5mlを加えて１とした組成の液で撹拌しながら
30℃,1分間処理した。水洗を行つた後、前記実施例１の
工程ｉに示した組成（IV）の処理液に70℃、２分間浸漬
し酸化した。水洗を行つた後、工程ｉの組成（Ｖ）の処
理液に45℃、１分間浸漬し、酸化物を還元した。ひき続
き水洗を行つた後、下記組成（VI）のニツケめつき液で
めつきし、銅層表面にうすいニツケルめつき金属層を形
成した。ニツケルめつき は20℃で0.1A/dm2、６分間行つた。次いで十分に水洗し
た。以下実施例１と同様にしてプリント板を得た。
実施例４ 実施例３の工程ｃにおける感光性樹脂の組成（III）に
おいて、ベンゾトリアゾール量を0.02部としたことおよ
び工程ｄの加熱処理を100℃、２時間としたこと以外は
実施例３と同様の工程で両面スルーホールプリント配線
板を作成した。
おいて、ベンゾトリアゾール量を0.02部としたことおよ
び工程ｄの加熱処理を100℃、２時間としたこと以外は
実施例３と同様の工程で両面スルーホールプリント配線
板を作成した。
実施例５ 実施例３で、工程ｃの組成（III）においてベンゾトリ
アゾール量を0.5部としたこと、工程ｄの加熱処理を160
℃、２時間としたこと以外は実施例３と同様の工程で両
面スルーホールプリント配線板を作成した。
アゾール量を0.5部としたこと、工程ｄの加熱処理を160
℃、２時間としたこと以外は実施例３と同様の工程で両
面スルーホールプリント配線板を作成した。
実施例６ 実施例３の工程ｊにおいて、ニツケルめつきの代わりに
電気亜鉛めつき液（シエーリング社製、ジンカルツクス
浴）で0.5A/dm2、５分間亜鉛めつきを行つた以外は実施
例３と同様の工程で両面スルーホールプリント配線板を
作成した。
電気亜鉛めつき液（シエーリング社製、ジンカルツクス
浴）で0.5A/dm2、５分間亜鉛めつきを行つた以外は実施
例３と同様の工程で両面スルーホールプリント配線板を
作成した。
実施例７ 実施例３において、工程ｃの組成（III）を下記組成（V
III）にしたこと、及び工程ｄの加熱処理を150℃１時間
にした他は、実施例３と同様の工程で両面スルーホール
プリント配線板を作成した。
III）にしたこと、及び工程ｄの加熱処理を150℃１時間
にした他は、実施例３と同様の工程で両面スルーホール
プリント配線板を作成した。
組成（VIII） 実施例８ 実施例７において、組成（VIII）のベンゾグアナミンの
代わりに１−シアノグアニジン0.02部加えた以外は実施
例７と同様の工程で両面スルーホールプリント配線板を
作成した。
代わりに１−シアノグアニジン0.02部加えた以外は実施
例７と同様の工程で両面スルーホールプリント配線板を
作成した。
実施例９ 実施例７において、組成（VIII）のベンゾグアナミンの
代わりに２−キノリルアミン１部を加え、工程ｄの加熱
処理を130℃、１時間にした以外は実施例７と同様の工
程で両面スルーホールプリント配線板を作成した。
代わりに２−キノリルアミン１部を加え、工程ｄの加熱
処理を130℃、１時間にした以外は実施例７と同様の工
程で両面スルーホールプリント配線板を作成した。
実施例10 実施例７において、組成（VIII）のベンゾグアナミンの
代わりにシクロヘキシルアミンベンゾエート５部を加
え、工程ｄの加熱処理を130℃、１時間にした以外は実
施例７と同様の工程で両面スルーホールプリント配線板
を作成した。
代わりにシクロヘキシルアミンベンゾエート５部を加
え、工程ｄの加熱処理を130℃、１時間にした以外は実
施例７と同様の工程で両面スルーホールプリント配線板
を作成した。
上記実施例１〜10の結果を下記に示す比較例の結果と合
せて表にした。表から明らかなように実施例はいずれも
良好な結果が得られた。
せて表にした。表から明らかなように実施例はいずれも
良好な結果が得られた。
比較例１ 実施例３で工程ｃの組成（III）においてベンゾトリア
ゾールを除いたこと、及び工程ｄの加熱を行わなかつた
こと以外は実施例３と全く同様の工程で両面スルーホー
ルプリント配線板を作成した。
ゾールを除いたこと、及び工程ｄの加熱を行わなかつた
こと以外は実施例３と全く同様の工程で両面スルーホー
ルプリント配線板を作成した。
比較例２ 実施例３の工程ｄの加熱を行わなかつた以外は実施例３
と全く同様の工程で両面プリント配線板を作成した。
と全く同様の工程で両面プリント配線板を作成した。
比較例３ 実施例３で工程ｃの組成（III）においてベンゾトリア
ゾールを除いた組成を用いたこと以外は実施例３と全く
同様の方法で両面スルーホールプリント配線板を作成し
た。
ゾールを除いた組成を用いたこと以外は実施例３と全く
同様の方法で両面スルーホールプリント配線板を作成し
た。
比較例４ 実施例３で、工程ｊの金属薄膜の形成を省いた以外は実
施例３と同様の工程で両面スルーホールプリント配線板
を作成した。
施例３と同様の工程で両面スルーホールプリント配線板
を作成した。
〔発明の効果〕 本発明によれば、化学銅めつき時に感光性めつきレジス
トの剥離がなく良好な密着性が得られ、且つ、感光性め
つきレジストから化学銅めつき液への銅腐食抑制剤の溶
出が実質的にないのでめつき速度の低下やめつき膜物性
の低下の生じない良好なパターン化学銅めつきを行うこ
とができ、微細回路形成に効果がある。
トの剥離がなく良好な密着性が得られ、且つ、感光性め
つきレジストから化学銅めつき液への銅腐食抑制剤の溶
出が実質的にないのでめつき速度の低下やめつき膜物性
の低下の生じない良好なパターン化学銅めつきを行うこ
とができ、微細回路形成に効果がある。
第１図は本発明の一実施例のプリント配線板製造工程を
示す図である。 １……絶縁板、２……銅層、３……金属層、４……めつ
きレジスト、５……化学銅めつき層、６……半田めつき
レジスト。
示す図である。 １……絶縁板、２……銅層、３……金属層、４……めつ
きレジスト、５……化学銅めつき層、６……半田めつき
レジスト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田所 昭夫 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 赤星 晴夫 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 奈良原 俊和 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 鳥羽 律司 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所神奈川工場内 (72)発明者 石丸 敏明 茨城県日立市東町４丁目13番１号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内 (72)発明者 林 信行 茨城県日立市東町４丁目13番１号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内 (72)発明者 和嶋 元世 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所神奈川工場内
Claims (8)
- 【請求項１】（ａ）絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化
する工程、 （ｂ）該銅層表面に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感光性
レジスト層を形成し、該レジスト層に活性光線を形成す
る回路パターンに応じて選択的に露光し、現像すること
により回路のネガパターン部にめつきレジスト層を形成
する工程、 （ｃ）該めつきレジスト層を加熱処理する工程、 （ｄ）化学銅めつきにより回路部をめつきする工程、 （ｅ）前記めつきレジストを除去する工程、 （ｆ）回路パターン部以外の前記銅層を除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。 - 【請求項２】（ａ）絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化
した後、該銅層表面に銅よりも卑なる電位の金属の薄膜
層を形成する工程、 （ｂ）該金属薄膜層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感
光性レジスト層を形成し、該レジスト層に活性光線を形
成する回路パターンに応じて選択的に露光し、現像する
ことにより回路のネガパターン部にめつきレジスト層を
形成する工程、 （ｃ）該めつきレジスト層を加熱処理する工程、 （ｄ）化学銅めつきにより回路部をめつきする工程、 （ｅ）前記めつきレジスト層を除去する工程、 （ｆ）回路パターン部以外の前記銅層および前記金属薄
膜層を除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。 - 【請求項３】（ａ）絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化
し、該銅層表面を酸化し、還化する工程、 （ｂ）該銅層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感光性レ
ジスト層を形成し、該レジスト層に活性光線を形成する
回路パターンに応じて選択的に露光し、現像することに
より回路のネガパターン部にめつきレジスト層を形成す
る工程、 （ｃ）該めつきレジスト層を加熱処理する工程、 （ｄ）化学銅めつきにより回路部にめつきする工程、 （ｅ）前記めつきレジスト層を除去する工程、 （ｆ）回路パターン部以外の前記銅層を除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。 - 【請求項４】（ａ）絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化
し、該銅層表面を酸化し、還元した後、該表面を銅より
も卑なる電位の金属の薄膜層を被覆する工程、 （ｂ）該金属薄膜層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感
光性レジスト層を形成し、該レジスト層に活性光線を形
成する回路パターンに応じて選択的に露光し、現像する
ことにより回路のネガパターン部にめつきレジスト層を
形成する工程、 （ｃ）該めつきレジスト層を加熱処理する工程、 （ｄ）化学銅めつきにより回路部をめつきする工程、 （ｅ）前記めつきレジスト層を除去する工程、 （ｆ）回路パターン部以外の前記銅層および前記金属薄
膜層を除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。 - 【請求項５】昇華性の銅腐食抑制剤がベンゾトリアゾー
ル、トリルトリアゾール、ベンゾグアナミン、グアニジ
ン、１−シアノグアニズン、チアゾール、チオ尿素、２
−キノリルアミン、1,1′−アゾナフタレン、ジシクロ
ヘキシルアンモニウムナイトライド、ジイソプロピルア
ンモニウムベンゾエート、シクロヘキシルアミンベンゾ
エート、ジシクロヘキシルアンモニウムシクロヘキサン
カルボキシレートから選ばれることを特徴とする請求項
１〜請求項４のいずれか１項に記載するプリント板の製
造方法。 - 【請求項６】前記工程（ｃ）の加熱処理温度が、めつき
レジストが熱変形しない温度であることを特徴とする請
求項１〜請求項５のいずれか１項に記載するプリント板
の製造方法。 - 【請求項７】加熱処理条件が100〜180℃,1〜２時間であ
ることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項
に記載するプリント板の製造方法。 - 【請求項８】前記工程（ｆ）において、銅回路パターン
上に銅エツチングレジスト層を被覆後、回路パターン部
以外の前記銅層，金属薄膜層を除去する工程を含む請求
項１〜請求項４のいずれか１項に記載するプリント板の
製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63089083A JPH0783168B2 (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | プリント板の製造方法 |
| DE68918975T DE68918975T2 (de) | 1988-04-13 | 1989-04-13 | Verfahren für die Herstellung von Leiterplatten. |
| KR1019890004915A KR970004999B1 (ko) | 1988-04-13 | 1989-04-13 | 인쇄 회로판의 제조방법 |
| US07/336,771 US5028513A (en) | 1988-04-13 | 1989-04-13 | Process for producing printed circuit board |
| EP89106641A EP0337465B1 (en) | 1988-04-13 | 1989-04-13 | Process for producing printed circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63089083A JPH0783168B2 (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | プリント板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01261888A JPH01261888A (ja) | 1989-10-18 |
| JPH0783168B2 true JPH0783168B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=13960971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63089083A Expired - Lifetime JPH0783168B2 (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | プリント板の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5028513A (ja) |
| EP (1) | EP0337465B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0783168B2 (ja) |
| KR (1) | KR970004999B1 (ja) |
| DE (1) | DE68918975T2 (ja) |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2920854B2 (ja) * | 1991-08-01 | 1999-07-19 | 富士通株式会社 | ビィアホール構造及びその形成方法 |
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| US3854973A (en) * | 1970-01-26 | 1974-12-17 | Macdermid Inc | Method of making additive printed circuit boards |
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| JPS509177A (ja) * | 1973-05-29 | 1975-01-30 | ||
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-
1988
- 1988-04-13 JP JP63089083A patent/JPH0783168B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-04-13 DE DE68918975T patent/DE68918975T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-04-13 EP EP89106641A patent/EP0337465B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-13 KR KR1019890004915A patent/KR970004999B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1989-04-13 US US07/336,771 patent/US5028513A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01261888A (ja) | 1989-10-18 |
| EP0337465A2 (en) | 1989-10-18 |
| KR970004999B1 (ko) | 1997-04-10 |
| EP0337465B1 (en) | 1994-10-26 |
| DE68918975D1 (de) | 1994-12-01 |
| KR890016886A (ko) | 1989-11-30 |
| US5028513A (en) | 1991-07-02 |
| DE68918975T2 (de) | 1995-03-02 |
| EP0337465A3 (en) | 1991-07-31 |
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