JPH0630328B2 - セラミツクス基板へのピン電極の固定方法 - Google Patents
セラミツクス基板へのピン電極の固定方法Info
- Publication number
- JPH0630328B2 JPH0630328B2 JP62032499A JP3249987A JPH0630328B2 JP H0630328 B2 JPH0630328 B2 JP H0630328B2 JP 62032499 A JP62032499 A JP 62032499A JP 3249987 A JP3249987 A JP 3249987A JP H0630328 B2 JPH0630328 B2 JP H0630328B2
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- Japan
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- pin electrode
- hole
- ceramic substrate
- fixing
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、セラミックス基板へのピン電極の固定方法に
関する。
関する。
（従来の技術） 従来、セラミックス基板へのピン電極の固定方法として
は、次に説明する２つの方法が知られている。
は、次に説明する２つの方法が知られている。
第１の方法は、未焼結セラミックスシートであるグリー
ンシートに孔開け加工による貫通孔を形成し、焼成した
後、導体ペーストを該貫通孔内に注入充填し、更に充填
された導体ペーストを焼成して第８図に示すようにセラ
ミック基板1 に導通孔（ビアフィル）2 を形成し、ひき
つづき該基板1 下面の導通孔2 付近にピン電極3 を銀ろ
う4 により固定する方法である。
ンシートに孔開け加工による貫通孔を形成し、焼成した
後、導体ペーストを該貫通孔内に注入充填し、更に充填
された導体ペーストを焼成して第８図に示すようにセラ
ミック基板1 に導通孔（ビアフィル）2 を形成し、ひき
つづき該基板1 下面の導通孔2 付近にピン電極3 を銀ろ
う4 により固定する方法である。
第２の方法は、グリーンシートに孔開け加工により貫通
孔を形成し、焼成した後、貫通孔を含むセラミックス基
板を活性化処理し、ひきつづき貫通孔を含む周辺の基板
を除く領域をレジスト印刷等でマスキングし、無電解め
っきを施して導通孔を形成し、更にこの導通孔内にピン
電極を挿入し、はんだを介して固定する方法である。
孔を形成し、焼成した後、貫通孔を含むセラミックス基
板を活性化処理し、ひきつづき貫通孔を含む周辺の基板
を除く領域をレジスト印刷等でマスキングし、無電解め
っきを施して導通孔を形成し、更にこの導通孔内にピン
電極を挿入し、はんだを介して固定する方法である。
しかしながら、上述した方法はいずれもグリーンシート
への貫通孔の形成をドリルやプレスにより行なってい
る。このため、グリーンシートの焼成時の大きな収縮、
変形により貫通孔の位置精度低下や基板の割れを生じる
問題があった。また、第１の方法は銀ろう4 を介してピ
ン電極3 をセラミックス基板1 の導通孔に固定するた
め、ピン電極の機械的強度が著しく低いという問題があ
った。第２の方法では、活性化処理やマスキング等の前
処理が必要であり、導通孔の形成に複雑なプロセスが要
求され、量産化等の障害となる。
への貫通孔の形成をドリルやプレスにより行なってい
る。このため、グリーンシートの焼成時の大きな収縮、
変形により貫通孔の位置精度低下や基板の割れを生じる
問題があった。また、第１の方法は銀ろう4 を介してピ
ン電極3 をセラミックス基板1 の導通孔に固定するた
め、ピン電極の機械的強度が著しく低いという問題があ
った。第２の方法では、活性化処理やマスキング等の前
処理が必要であり、導通孔の形成に複雑なプロセスが要
求され、量産化等の障害となる。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
もので、セラミックス基板にピン電極を安価、容易にか
つ精度よく固定し得るセラミックス基板へのピン電極の
固定方法を提供しようとするものである。
もので、セラミックス基板にピン電極を安価、容易にか
つ精度よく固定し得るセラミックス基板へのピン電極の
固定方法を提供しようとするものである。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明は、窒化物系セラミックス、炭化物系セラミック
ス、および酸化物系セラミックスのいずれかよりなるセ
ラミックス基板にレーザ光を照射して貫通孔を形成する
と共に、該照射により該セラミックス基板を還元して該
セラミックス基板を構成していた金属成分を該貫通孔の
内壁に析出させる工程と、この析出した金属成分をめっ
き核として無電解めっきを施して前記貫通孔の内壁に選
択的に無電解めっき膜を付着させることにより導通孔を
形成する工程と、この導通孔内にピン電極をはんだを介
して固定する工程とを具備したことを特徴とするセラミ
ックス基板へのピン電極の固定方法である。
ス、および酸化物系セラミックスのいずれかよりなるセ
ラミックス基板にレーザ光を照射して貫通孔を形成する
と共に、該照射により該セラミックス基板を還元して該
セラミックス基板を構成していた金属成分を該貫通孔の
内壁に析出させる工程と、この析出した金属成分をめっ
き核として無電解めっきを施して前記貫通孔の内壁に選
択的に無電解めっき膜を付着させることにより導通孔を
形成する工程と、この導通孔内にピン電極をはんだを介
して固定する工程とを具備したことを特徴とするセラミ
ックス基板へのピン電極の固定方法である。
上記セラミックスとしては、例えばＡｌＮ、Ｓｉ
３Ｎ４、ＢＮ等を主成分とする窒化物系セラミックス、
ＳｉＣ等を主成分とする炭化物系セラミックス、Ａｌ２
Ｏ３、ＢｅＯ等を主成分とする酸化物系セラミックスを
挙げることができる。特に、レーザ光の照射により容易
に照射部が還元、昇華されてＡｌやＳｉの金属を生成す
るＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４が好適である。
３Ｎ４、ＢＮ等を主成分とする窒化物系セラミックス、
ＳｉＣ等を主成分とする炭化物系セラミックス、Ａｌ２
Ｏ３、ＢｅＯ等を主成分とする酸化物系セラミックスを
挙げることができる。特に、レーザ光の照射により容易
に照射部が還元、昇華されてＡｌやＳｉの金属を生成す
るＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４が好適である。
上記レーザ光としては、例えばｋＷオーダ以上のピーク
出力を持つものを用いることが望ましい。かかるレーザ
光を発振する発振器としては、光音響素子からなるＱス
イッチを組込んだＹＡＧレーザ発振器、アレキサンドラ
イトレーザ発振器、ＴＥＡＣＯ２レーザ発振器等を挙げ
ることができる。なお、レーザ光の照射にあたっては、
真空中又はＡｒ、Ｎｅ、Ｈｅ等の不活性ガスの雰囲気で
行なうことが望ましい。
出力を持つものを用いることが望ましい。かかるレーザ
光を発振する発振器としては、光音響素子からなるＱス
イッチを組込んだＹＡＧレーザ発振器、アレキサンドラ
イトレーザ発振器、ＴＥＡＣＯ２レーザ発振器等を挙げ
ることができる。なお、レーザ光の照射にあたっては、
真空中又はＡｒ、Ｎｅ、Ｈｅ等の不活性ガスの雰囲気で
行なうことが望ましい。
上記無電解めっきに使用するめっき液としては、例えば
無電解銅めっき液、無電解ニッケルめっき液等を挙げる
ことができる。
無電解銅めっき液、無電解ニッケルめっき液等を挙げる
ことができる。
上記導通孔内にピン電極をはんだを介して固定する手段
としては、例えば該導通孔内にピン電極を挿入した後、
超音波はんだ付けを施すことにより行なう方法、該導通
孔の無電解めっき膜にはんだめっきを施し、該導通孔内
にピン電極を挿入した後、該ピン電極にレーザ光を照射
し、レーザ加熱によりはんだめっきを溶融することによ
り行なう方法等を採用し得る。
としては、例えば該導通孔内にピン電極を挿入した後、
超音波はんだ付けを施すことにより行なう方法、該導通
孔の無電解めっき膜にはんだめっきを施し、該導通孔内
にピン電極を挿入した後、該ピン電極にレーザ光を照射
し、レーザ加熱によりはんだめっきを溶融することによ
り行なう方法等を採用し得る。
（作用） 本発明方法によれば、セラミックス基板にレーザ光を照
射することにより、貫通孔が形成されると共に、例えば
セラミックスが窒化物の場合は下記(1)式の反応が生起
され、セラミックスが還元されて貫通孔の内壁にそのセ
ラミックスを構成していた金属成分が析出する。但し、
式中のＭｅは金属を示す。
射することにより、貫通孔が形成されると共に、例えば
セラミックスが窒化物の場合は下記(1)式の反応が生起
され、セラミックスが還元されて貫通孔の内壁にそのセ
ラミックスを構成していた金属成分が析出する。但し、
式中のＭｅは金属を示す。
ＭｅＮ→Ｍｅ＋１／２Ｎ２↑ …(1) 次いで、貫通孔の内壁に金属が析出したセラミックスを
無電解めっき処理を施すことによって、前記析出金属を
めっき核として前記貫通孔内壁に無電解めっき膜が選択
的に付着され、導通孔が形成される。こうしたレーザ光
照射、無電解めっきにより、微細な導通孔を短ピッチで
基板に設けることができると共に、従来法のように繁雑
な活性化処理、マスキング等の工程を解消できる。つづ
いて、セラミックス基板の導通孔内にピン電極を例えば
超音波はんだ付けすることによって、該ピン電極がセラ
ミックス基板に固定される。この場合、ピン電極の固定
と導通孔内壁へのはんだ付けとを同時に行なうことがで
きる。従って、本発明はレーザ光のセラミックス基板へ
の照射、無電解めっき、無電解めっき膜により形成され
た導通孔内にピン電極をはんだを介して固定するという
極めて簡単な工程によって、セラミックス基板にピン電
極を高精度、高能率でかつ強固に固定できる。
無電解めっき処理を施すことによって、前記析出金属を
めっき核として前記貫通孔内壁に無電解めっき膜が選択
的に付着され、導通孔が形成される。こうしたレーザ光
照射、無電解めっきにより、微細な導通孔を短ピッチで
基板に設けることができると共に、従来法のように繁雑
な活性化処理、マスキング等の工程を解消できる。つづ
いて、セラミックス基板の導通孔内にピン電極を例えば
超音波はんだ付けすることによって、該ピン電極がセラ
ミックス基板に固定される。この場合、ピン電極の固定
と導通孔内壁へのはんだ付けとを同時に行なうことがで
きる。従って、本発明はレーザ光のセラミックス基板へ
の照射、無電解めっき、無電解めっき膜により形成され
た導通孔内にピン電極をはんだを介して固定するという
極めて簡単な工程によって、セラミックス基板にピン電
極を高精度、高能率でかつ強固に固定できる。
（発明の実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
実施例１ まず、連続波ＱスイッチＹＡＧレーザ発振器11から出力
されたレーザ光12を反射ミラー13で反射させ、更に集光
レンズ14を内蔵したノズル15と同軸上に経由させてＡｌ
Ｎ基板16に照射すると共に、該ノズル15よりアルゴンガ
スを吹付けてＡｌＮ基板16のレーザ光照射付近をアルゴ
ンガス雰囲気とした（第１図図示）。この時、第２図に
示すようにＡｌＮ基板16の照射部に貫通孔17が形成され
ると共に、下記(2)式の反応が生起されてＡｌＮの還元
がなされ、貫通孔17内壁にＡｌが析出してＡｌ膜18が形
成された。
されたレーザ光12を反射ミラー13で反射させ、更に集光
レンズ14を内蔵したノズル15と同軸上に経由させてＡｌ
Ｎ基板16に照射すると共に、該ノズル15よりアルゴンガ
スを吹付けてＡｌＮ基板16のレーザ光照射付近をアルゴ
ンガス雰囲気とした（第１図図示）。この時、第２図に
示すようにＡｌＮ基板16の照射部に貫通孔17が形成され
ると共に、下記(2)式の反応が生起されてＡｌＮの還元
がなされ、貫通孔17内壁にＡｌが析出してＡｌ膜18が形
成された。
ＡｌＮ→Ａｌ＋１／２Ｎ２↑ …(2) 次いで、前記ＡｌＮ基板16を例えば無電解ニッケルめっ
き液に浸漬して無電解ニッケルめっき処理を施した。こ
の時、第３図に示すようにＡｌ膜18をめっき核として貫
通孔17の内壁にニッケルめっき膜19が選択的に付着さ
れ、導通孔20が形成された。つづいて、ＡｌＮ基板16の
導通孔20内にくき形のピン電極21を挿入した（第４図図
示）。ひきつづき、ピン電極21が挿入されたＡｌＮ基板
16を超音波はんだ槽に浸漬した。この超音波はんだ処理
により、第５図に示すように導通孔20とこの導通孔20内
に挿入されたピン電極21の間にはんだ22が充填され、該
ピン電極21がＡｌＮ基板16の導通孔20に強固に固定され
た。
き液に浸漬して無電解ニッケルめっき処理を施した。こ
の時、第３図に示すようにＡｌ膜18をめっき核として貫
通孔17の内壁にニッケルめっき膜19が選択的に付着さ
れ、導通孔20が形成された。つづいて、ＡｌＮ基板16の
導通孔20内にくき形のピン電極21を挿入した（第４図図
示）。ひきつづき、ピン電極21が挿入されたＡｌＮ基板
16を超音波はんだ槽に浸漬した。この超音波はんだ処理
により、第５図に示すように導通孔20とこの導通孔20内
に挿入されたピン電極21の間にはんだ22が充填され、該
ピン電極21がＡｌＮ基板16の導通孔20に強固に固定され
た。
実施例２ まず、実施例１と同様な方法によりＡｌＮ基板16に貫通
孔17、Ａｌ膜18及びニッケルめっき膜19からなる導通孔
20を形成した。つづいて、はんだめっき処理を施して導
通孔20のニッケルめっき膜19にはんだめっき膜23を形成
した後、このはんだめっき膜23が形成された導通孔20内
にはんだめっき膜24が施されたくぎ形のピン電極21を挿
入した。次いで、ピン電極21のヘッド部に連続波Ｑスイ
ッチＹＡＧレーザ光25を集光レンズ26を通して照射し
た。この時、ピン電極21はレーザ加熱され、ピン電極21
に施されたはんだめっき膜23及び該ピン電極近傍の導通
孔20内壁に形成されたはんだめっき膜23が溶融し、一体
化されて導通孔20とピン電極21の隙間に溶融はんだ27が
形成された。レーザ光の照射後、溶融はんだ27を冷却さ
せることにより、ピン電極21がＡｌＮ基板16の導通孔20
内にはんだ28を介して強固に固定された（第６図図
示）。
孔17、Ａｌ膜18及びニッケルめっき膜19からなる導通孔
20を形成した。つづいて、はんだめっき処理を施して導
通孔20のニッケルめっき膜19にはんだめっき膜23を形成
した後、このはんだめっき膜23が形成された導通孔20内
にはんだめっき膜24が施されたくぎ形のピン電極21を挿
入した。次いで、ピン電極21のヘッド部に連続波Ｑスイ
ッチＹＡＧレーザ光25を集光レンズ26を通して照射し
た。この時、ピン電極21はレーザ加熱され、ピン電極21
に施されたはんだめっき膜23及び該ピン電極近傍の導通
孔20内壁に形成されたはんだめっき膜23が溶融し、一体
化されて導通孔20とピン電極21の隙間に溶融はんだ27が
形成された。レーザ光の照射後、溶融はんだ27を冷却さ
せることにより、ピン電極21がＡｌＮ基板16の導通孔20
内にはんだ28を介して強固に固定された（第６図図
示）。
実施例３ まず、実施例１と同様な方法によりＡｌＮ基板16に貫通
孔17、Ａｌ膜18及びニッケルめっき膜19からなる導通孔
20を形成した。また、こうして形成されたＡｌＮ基板16
の導通孔20より僅かに大きい径で同様に配列された孔29
を有する例えば合成樹脂製の板状治具30を用意した。つ
づいて、直立して対向配置した固定治具31a 、31b 間に
前記ＡｌＮ基板16を固定すると共に、該基板16の下方に
前記板状治具30を該ＡｌＮ基板16の導通孔20に該板状治
具30の孔29が合致するように固定した。ひきつづき、足
の長いくぎ形のピン電極21を前記基板16側からその導通
孔20を通して板状治具30の孔29内に挿入した後、超音波
はんだ付けを行なうことにより第７図に示すようにピン
電極21をＡｌＮ基板16の導通孔20にはんだ32を介して固
定した。この後、固定治具31a 、31b をとりはずし、板
状治具30を取り除いた。かかる本実施例３の方法によれ
ば、足の長さの長いピン電極のＡｌＮ基板16の導通孔20
内に固定する工程で曲がったりすることなく、ＡｌＮ基
板16に対して垂直に固定できる。
孔17、Ａｌ膜18及びニッケルめっき膜19からなる導通孔
20を形成した。また、こうして形成されたＡｌＮ基板16
の導通孔20より僅かに大きい径で同様に配列された孔29
を有する例えば合成樹脂製の板状治具30を用意した。つ
づいて、直立して対向配置した固定治具31a 、31b 間に
前記ＡｌＮ基板16を固定すると共に、該基板16の下方に
前記板状治具30を該ＡｌＮ基板16の導通孔20に該板状治
具30の孔29が合致するように固定した。ひきつづき、足
の長いくぎ形のピン電極21を前記基板16側からその導通
孔20を通して板状治具30の孔29内に挿入した後、超音波
はんだ付けを行なうことにより第７図に示すようにピン
電極21をＡｌＮ基板16の導通孔20にはんだ32を介して固
定した。この後、固定治具31a 、31b をとりはずし、板
状治具30を取り除いた。かかる本実施例３の方法によれ
ば、足の長さの長いピン電極のＡｌＮ基板16の導通孔20
内に固定する工程で曲がったりすることなく、ＡｌＮ基
板16に対して垂直に固定できる。
［発明の効果］ 以上詳述した如く、本発明方法によれば以下に列挙する
種々の効果を達成できるものである。
種々の効果を達成できるものである。
．導通孔の形成は、焼成後のセラミックス基板に対し
てレーザ光の照射、無電解めっきにより行なうため、微
細で短ピッチの導通孔を位置精度よく形成でき、しかも
従来法のような焼結時の基板の割れ等の問題を解決でき
る。
てレーザ光の照射、無電解めっきにより行なうため、微
細で短ピッチの導通孔を位置精度よく形成でき、しかも
従来法のような焼結時の基板の割れ等の問題を解決でき
る。
．レーザ光の照射により貫通孔の形成と同時に、該貫
通孔内壁に無電解めっき時のめっき核として作用する金
属膜を形成できるので、めっきの選択性をもたせるため
のマスキングやめっき核形成のための活性化処理等の工
程が不要となり、導通孔の形成効率を著しく向上でき
る。
通孔内壁に無電解めっき時のめっき核として作用する金
属膜を形成できるので、めっきの選択性をもたせるため
のマスキングやめっき核形成のための活性化処理等の工
程が不要となり、導通孔の形成効率を著しく向上でき
る。
．セラミックス基板の導通孔内にピン電極を挿入した
後、超音波はんだ付け等を行なうことにより、複数本の
ピン電極をセラミックス基板の導通孔に同時にかつ強固
に固定することができる。
後、超音波はんだ付け等を行なうことにより、複数本の
ピン電極をセラミックス基板の導通孔に同時にかつ強固
に固定することができる。
．上述した〜の一連の工程によって、セラミック
ス基板にピン電極を容易、安価、かつ高精度で信頼性よ
く固定できる。
ス基板にピン電極を容易、安価、かつ高精度で信頼性よ
く固定できる。
第１図〜第５図は、本発明の実施例１におけるＡｌＮ基
板へのピン電極固定工程を示す図で、第１図はＡｌＮ基
板へのレーザ光照射を示す概略図、第２図はレーザ光照
射後のＡｌＮ基板の状態を示す斜視図、第３図は無電解
銅めっき後のＡｌＮ基板の状態を示す斜視図、第４図は
ＡｌＮ基板の導通孔にピン電極を挿入した状態を示す斜
視図、第５図はＡｌＮ基板の導通孔にはんだを介してピ
ン電極を固定した状態を示す断面図である。第６図は、
本発明の実施例２におけるＡｌＮ基板へのピン電極の固
定状態を示す断面図、第７図は本発明の実施例３におけ
るＡｌＮ基板へのピン電極固定状態を示す断面図、第８
図は従来法によるセラミックス基板へのピン電極固定状
態を示す断面図である。 11……レーザ発振器、12、25……レーザ光、16……Ａｌ
Ｎ基板、17……貫通孔、18……析出Ａｌ膜、19……ニッ
ケルめっき膜、20……導通孔、21……ピン電極、22、2
8、32……はんだ、23、24……はんだめっき膜、30……
板状治具。
板へのピン電極固定工程を示す図で、第１図はＡｌＮ基
板へのレーザ光照射を示す概略図、第２図はレーザ光照
射後のＡｌＮ基板の状態を示す斜視図、第３図は無電解
銅めっき後のＡｌＮ基板の状態を示す斜視図、第４図は
ＡｌＮ基板の導通孔にピン電極を挿入した状態を示す斜
視図、第５図はＡｌＮ基板の導通孔にはんだを介してピ
ン電極を固定した状態を示す断面図である。第６図は、
本発明の実施例２におけるＡｌＮ基板へのピン電極の固
定状態を示す断面図、第７図は本発明の実施例３におけ
るＡｌＮ基板へのピン電極固定状態を示す断面図、第８
図は従来法によるセラミックス基板へのピン電極固定状
態を示す断面図である。 11……レーザ発振器、12、25……レーザ光、16……Ａｌ
Ｎ基板、17……貫通孔、18……析出Ａｌ膜、19……ニッ
ケルめっき膜、20……導通孔、21……ピン電極、22、2
8、32……はんだ、23、24……はんだめっき膜、30……
板状治具。
Claims (4)
- 【請求項１】窒化物系セラミックス、炭化物系セラミッ
クス、および酸化物系セラミックスのいずれかよりなる
セラミックス基板にレーザ光を照射して貫通孔を形成す
ると共に、該照射により該セラミックス基板を還元して
該セラミックス基板を構成していた金属成分を該貫通孔
の内壁に析出させる工程と、この析出した金属成分をめ
っき核として無電解めっきを施して前記貫通孔の内壁に
選択的に無電解めっき膜を付着させることにより導通孔
を形成する工程と、この導通孔内にピン電極をはんだを
介して固定する工程とを具備したことを特徴とするセラ
ミックス基板へのピン電極の固定方法。 - 【請求項２】導通孔内にピン電極をはんだを介して固定
する工程を、該導通孔内にピン電極を挿入した後、超音
波はんだ付けを施すことにより行なうことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のセラミックス基板へのピン
電極の固定方法。 - 【請求項３】導通孔内にピン電極をはんだを介して固定
する工程を、該導通孔の無電解めっき膜にはんだめっき
を施し、該はんだめっき膜が形成された導通孔内にピン
電極を挿入した後、該ピン電極にレーザ光を照射し、レ
ーザ加熱によりはんだめっきを溶融させ、凝固させるこ
とより行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のセラミックス基板へのピン電極の固定方法。 - 【請求項４】セラミックス基板に導通孔を形成した後、
該導通孔と同径又は僅かに大きい径で同配列の孔を有す
る板状治具を前記基板の下方にその孔が前記導通孔と合
致するように配置し、更にピン電極を前記基板の導通孔
を通して前記板状治具の孔内に挿入し、ひきつづき超音
波はんだ付けを施してピン電極をセラミックス基板の導
通孔内に固定し、しかる後板状治具を取除くことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のセラミックス基板へ
のピン電極の固定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032499A JPH0630328B2 (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | セラミツクス基板へのピン電極の固定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032499A JPH0630328B2 (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | セラミツクス基板へのピン電極の固定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63200519A JPS63200519A (ja) | 1988-08-18 |
| JPH0630328B2 true JPH0630328B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=12360685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62032499A Expired - Lifetime JPH0630328B2 (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | セラミツクス基板へのピン電極の固定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630328B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5659705B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2015-01-28 | トヨタ自動車株式会社 | エンジンの冷却構造およびエンジンの冷却構造の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58186993A (ja) * | 1982-04-23 | 1983-11-01 | 三菱電機株式会社 | 印刷配線板の製造方法 |
| JPS617692A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | イビデン株式会社 | 導体ピンの固着方法および導体ピン固着のプリント配線板 |
| JPS6151905A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-14 | 株式会社東芝 | 膜コンデンサの製造方法 |
-
1987
- 1987-02-17 JP JP62032499A patent/JPH0630328B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63200519A (ja) | 1988-08-18 |
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