JPH0630334B2 - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPH0630334B2 JPH0630334B2 JP61024067A JP2406786A JPH0630334B2 JP H0630334 B2 JPH0630334 B2 JP H0630334B2 JP 61024067 A JP61024067 A JP 61024067A JP 2406786 A JP2406786 A JP 2406786A JP H0630334 B2 JPH0630334 B2 JP H0630334B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- substrate
- exposure
- pattern
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の属する分野］ 本発明は、被露光体に原板上のパターン像、例えば液晶
パターンを位置整合良く焼付ける露光方法に関し、特に
大画面を分割して露光する露光方法に関する。
パターンを位置整合良く焼付ける露光方法に関し、特に
大画面を分割して露光する露光方法に関する。
［従来の技術］ 従来、計算機の出力表示等に使用されるディスプレイ装
置としてはＣＲＴ方式によるものが一般的であった。と
ころが、ＣＲＴ方式では 装置の形状が大きく、重量が重くなる。
置としてはＣＲＴ方式によるものが一般的であった。と
ころが、ＣＲＴ方式では 装置の形状が大きく、重量が重くなる。
消費電力が多い。
画面のチラツキにより目が疲れる。
等の欠点があった。そこで、近年ではＣＲＴ方式以外の
表示装置が考えられ、その中でも特に液晶ディスプレイ
が注目されてきた。
表示装置が考えられ、その中でも特に液晶ディスプレイ
が注目されてきた。
この液晶ディスプレイを製造する工程は半導体製造工程
と非常に良く似ており、製造の際は露光装置として半導
体露光装置が使われている。
と非常に良く似ており、製造の際は露光装置として半導
体露光装置が使われている。
液晶ディスプレイを製造する際の露光方法として一般的
なものには、マスクと基板とをコンタクトして露光する
方法、またはマスクと基板との間に数１０μｍのギャッ
プを保ち露光するプロキシミティ露光方法がある。とこ
ろが、これらの方法ではマスクのダメージあるいはゴミ
によるパターンの欠陥が多く発生するため生産性が悪
い。そこで、最近ではレンズ投影系やミラー投影系を用
い、基板の被露光領域をいくつかに分け複数枚の異種類
のマスクを使用して、それぞれの被露光領域に対応する
マスクのパターンを焼付けて液晶大画面を形成する露光
方法が考えられている。これは、基板ステップ毎にマス
クを交換しマスク基板の位置合せをして、レンズ投影系
においては静止露光をし、またミラー投影系においては
走査露光をし、順次このような部分的な露光動作を繰返
すことにより液晶大画面を形成するものである。
なものには、マスクと基板とをコンタクトして露光する
方法、またはマスクと基板との間に数１０μｍのギャッ
プを保ち露光するプロキシミティ露光方法がある。とこ
ろが、これらの方法ではマスクのダメージあるいはゴミ
によるパターンの欠陥が多く発生するため生産性が悪
い。そこで、最近ではレンズ投影系やミラー投影系を用
い、基板の被露光領域をいくつかに分け複数枚の異種類
のマスクを使用して、それぞれの被露光領域に対応する
マスクのパターンを焼付けて液晶大画面を形成する露光
方法が考えられている。これは、基板ステップ毎にマス
クを交換しマスク基板の位置合せをして、レンズ投影系
においては静止露光をし、またミラー投影系においては
走査露光をし、順次このような部分的な露光動作を繰返
すことにより液晶大画面を形成するものである。
このような分割露光によって液晶大画面を形成する上で
考慮すべき重要な点は、複数枚のマスクのパターンを１
枚の基板上に転写した際の各マスクパターンの配置精度
である。この配置精度が悪い場合には、各マスクパター
ン間の境界領域にてパターンの重なりや離れが生じ、液
晶画面の性能が十分に得られない。このため、各マスク
パターンを配置精度良く基板上に転写する必要がある。
考慮すべき重要な点は、複数枚のマスクのパターンを１
枚の基板上に転写した際の各マスクパターンの配置精度
である。この配置精度が悪い場合には、各マスクパター
ン間の境界領域にてパターンの重なりや離れが生じ、液
晶画面の性能が十分に得られない。このため、各マスク
パターンを配置精度良く基板上に転写する必要がある。
通常、液晶画面を形成するには４〜５工程の重ね露光を
必要とする。まず、第１工程においては各マスクを所定
の位置へ位置決めし、基板側をレーザ干渉計等の高精度
測長器により計測してステップ移動を行ない、ステップ
毎に異種類のマスクの像を転写する。第２工程以降は、
この第１工程により焼付けられたパターンに対し、再び
第１工程と同様に基板をステップ移動して第２工程以降
のマスクの像を転写する。
必要とする。まず、第１工程においては各マスクを所定
の位置へ位置決めし、基板側をレーザ干渉計等の高精度
測長器により計測してステップ移動を行ない、ステップ
毎に異種類のマスクの像を転写する。第２工程以降は、
この第１工程により焼付けられたパターンに対し、再び
第１工程と同様に基板をステップ移動して第２工程以降
のマスクの像を転写する。
本発明は、この第１工程により焼付けられたパターンに
対し重ね合せ焼付けを行なう第２工程以降のマスクおよ
び基板のアライメントを好適に行なう露光装置に関す
る。
対し重ね合せ焼付けを行なう第２工程以降のマスクおよ
び基板のアライメントを好適に行なう露光装置に関す
る。
従来、この種の装置のマスクおよび基板のアライメント
方式としてはダイバイダイ方式が一般的であった。ダイ
バイダイ方式とは、所定の位置に位置決めされたマスク
に設けられたアライメントマークと前工程で基板に設け
られたアライメントマークの両マークをレーザ等の光で
照射し、投影光学系および顕微鏡を通して反射してくる
光の光量変化から両マークの位置を検出し、演算回路に
てマスクと基板の位置ずれ量を計算し、その位置ずれ量
に基づいて基板を駆動する位置決め動作をショット毎に
行なうものである。
方式としてはダイバイダイ方式が一般的であった。ダイ
バイダイ方式とは、所定の位置に位置決めされたマスク
に設けられたアライメントマークと前工程で基板に設け
られたアライメントマークの両マークをレーザ等の光で
照射し、投影光学系および顕微鏡を通して反射してくる
光の光量変化から両マークの位置を検出し、演算回路に
てマスクと基板の位置ずれ量を計算し、その位置ずれ量
に基づいて基板を駆動する位置決め動作をショット毎に
行なうものである。
ダイバイダイ方式では基板の被露光面領域をいくつかに
分けてそのショット領域毎にアライメントするため、基
板の温度による伸縮、基板の局所的な変形による位置ず
れ等の基板要因による位置ずれ、および投影光学系倍率
による位置ずれが補正でき、アライメント精度は向上す
る。しかし、各ショット毎にアライメントを行なうた
め、アライメントにかかる所要時間（通常のショットア
ライメントタイム２秒）が加算され、装置のタクトタイ
ムが長くなり生産性が落ちるという不都合があった。
分けてそのショット領域毎にアライメントするため、基
板の温度による伸縮、基板の局所的な変形による位置ず
れ等の基板要因による位置ずれ、および投影光学系倍率
による位置ずれが補正でき、アライメント精度は向上す
る。しかし、各ショット毎にアライメントを行なうた
め、アライメントにかかる所要時間（通常のショットア
ライメントタイム２秒）が加算され、装置のタクトタイ
ムが長くなり生産性が落ちるという不都合があった。
［発明の目的］ 本発明の目的は、上述の従来形の問題点に鑑み、分割露
光方式による露光方法において、第２番目以降のマスク
を露光する際のアライメント時間をなくし、装置のタク
トタイムを短くして生産性を向上させることにある。
光方式による露光方法において、第２番目以降のマスク
を露光する際のアライメント時間をなくし、装置のタク
トタイムを短くして生産性を向上させることにある。
［発明の概要］ 上記の目的を達成するため本発明では、マスクは常に所
定の位置に位置決めし、第１番目に露光するマスクの位
置決めマークと前工程で形成された基板の位置決めマー
クとを用いてマスクと基板との位置ずれを計測し、基板
側を駆動することによりマスクと基板の位置合せをし、
露光を行なう。次に、第２番目以降のマスクを露光する
場合には、マスクはやはり所定の位置へ位置決めし、基
板側はレーザ干渉計等により計測しながら所定の位置へ
ステップ移動して、露光を行なう。この場合、第２番目
以降のアライメントに要する時間は必要なく、装置のタ
クトタイムは短くなり、生産性が向上する。
定の位置に位置決めし、第１番目に露光するマスクの位
置決めマークと前工程で形成された基板の位置決めマー
クとを用いてマスクと基板との位置ずれを計測し、基板
側を駆動することによりマスクと基板の位置合せをし、
露光を行なう。次に、第２番目以降のマスクを露光する
場合には、マスクはやはり所定の位置へ位置決めし、基
板側はレーザ干渉計等により計測しながら所定の位置へ
ステップ移動して、露光を行なう。この場合、第２番目
以降のアライメントに要する時間は必要なく、装置のタ
クトタイムは短くなり、生産性が向上する。
［実施例の説明］ 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光装置の概略構成
を示す。同図の装置は、ミラー投影系を用いて分割走査
により大画面を露光するステップアンドスキャン型の露
光装置である。
を示す。同図の装置は、ミラー投影系を用いて分割走査
により大画面を露光するステップアンドスキャン型の露
光装置である。
同図において、１は焼付パターンが形成されているフォ
トマスク、２はマスク１を搭載してＸ，Ｙ，θ方向に移
動可能なマスクステージである。３は液晶表示板を製造
するためにその表面に多数の画素とこれらの画素のオン
・オフを制御するためのスイッチングトランジスタが通
常のフォトリソグラフィの手順で形成されるガラス基板
で、対角線の長さが14インチ程度の方形である。４は基
板３を保持してＸ，Ｙ，θ方向に移動可能な基板ステー
ジである。基板ステージ４のステップ移動は不図示のレ
ーザ干渉計を用いた精密測長システムによって制御され
る。５は凹面鏡と凸面鏡の組み合せからなる周知のミラ
ー投影系で、マスクステージ２によって所定位置にアラ
イメントされたマスク１のパターン像を基板３上へ等倍
投影する。６は不図示の光源からの特定の波長の光で露
光位置にあるマスク１を照明する照明光学系で、マスク
上のパターンを介して基板３上の感光層を露光すること
により、マスク上のパターンを基板３に転写可能とする
ためのものである。なお、投影系５の光軸は照明系６の
光軸と一致させてある。
トマスク、２はマスク１を搭載してＸ，Ｙ，θ方向に移
動可能なマスクステージである。３は液晶表示板を製造
するためにその表面に多数の画素とこれらの画素のオン
・オフを制御するためのスイッチングトランジスタが通
常のフォトリソグラフィの手順で形成されるガラス基板
で、対角線の長さが14インチ程度の方形である。４は基
板３を保持してＸ，Ｙ，θ方向に移動可能な基板ステー
ジである。基板ステージ４のステップ移動は不図示のレ
ーザ干渉計を用いた精密測長システムによって制御され
る。５は凹面鏡と凸面鏡の組み合せからなる周知のミラ
ー投影系で、マスクステージ２によって所定位置にアラ
イメントされたマスク１のパターン像を基板３上へ等倍
投影する。６は不図示の光源からの特定の波長の光で露
光位置にあるマスク１を照明する照明光学系で、マスク
上のパターンを介して基板３上の感光層を露光すること
により、マスク上のパターンを基板３に転写可能とする
ためのものである。なお、投影系５の光軸は照明系６の
光軸と一致させてある。
７はＹ方向（紙面に垂直な方向）に設けられた２つのガ
イドレール８に沿って移動可能なＬＡＢ（リニアエアベ
アリング）で、一方はＸ方向（紙面の左右方向），Ｚ方
向（紙面の上下方向）拘束タイプ、他方はＺ方向拘束タ
イプである。９はマスクステージ２と基板ステージ４を
一定の関係で保持するホルダ（キャリッジ）で、ＬＡＢ
７に支持されることによりマスクステージ２上のマスク
１と基板ステージ４上の基板３とを一体的に移送可能と
している。
イドレール８に沿って移動可能なＬＡＢ（リニアエアベ
アリング）で、一方はＸ方向（紙面の左右方向），Ｚ方
向（紙面の上下方向）拘束タイプ、他方はＺ方向拘束タ
イプである。９はマスクステージ２と基板ステージ４を
一定の関係で保持するホルダ（キャリッジ）で、ＬＡＢ
７に支持されることによりマスクステージ２上のマスク
１と基板ステージ４上の基板３とを一体的に移送可能と
している。
11は各マスク１を順次マスクステージ２へ搬送するため
のマスク搬送装置、12は投影系５のピント面と基板３の
表面との間隔を検出するためのギャップセンサで、例え
ばエアマイクロセンサや、基板３からの反射光で間隔を
検出する光電タイプのセンサである。13は投影系５、照
明系６およびガイドレール８を一定の関係で取付けるた
めの基台である。
のマスク搬送装置、12は投影系５のピント面と基板３の
表面との間隔を検出するためのギャップセンサで、例え
ばエアマイクロセンサや、基板３からの反射光で間隔を
検出する光電タイプのセンサである。13は投影系５、照
明系６およびガイドレール８を一定の関係で取付けるた
めの基台である。
同図の装置においては、基板３の表面を例えば４つの被
露光領域に分割し、これらの被露光領域を基板ステージ
４のステップ移動によりマスク１および投影光学系５下
の露光領域に順番に送り込んで４回のマスクパターンの
露光を行ない、基板３の全面に液晶表示板の１レイヤ分
のパターンを焼付ける。
露光領域に分割し、これらの被露光領域を基板ステージ
４のステップ移動によりマスク１および投影光学系５下
の露光領域に順番に送り込んで４回のマスクパターンの
露光を行ない、基板３の全面に液晶表示板の１レイヤ分
のパターンを焼付ける。
第２図は、第１図の装置における第２工程以降の露光動
作を説明するための概略構成図である。なお、第１図と
同一または共通の部分は同一の符号で示す。第２図にお
いて、１a は第１番目の焼付けパターンが形成されてい
るフォトマスク、１b ，１c ，１d は同様に第２，３，
４番目の焼付けパターンが形成されているフォトマスク
である。また、14はレーザ干渉計、15はスコヤ、17は装
置側のマスク基準マーク、19はマスク１の位置決めマー
クとマスク基準マーク17を計測し、またマスク１と基板
３の位置決めマークを計測するための顕微鏡である。な
お、レーザ干渉計14からの光の経路を示すため、ＬＡＢ
７やホルダ９の一部分等は省略している。
作を説明するための概略構成図である。なお、第１図と
同一または共通の部分は同一の符号で示す。第２図にお
いて、１a は第１番目の焼付けパターンが形成されてい
るフォトマスク、１b ，１c ，１d は同様に第２，３，
４番目の焼付けパターンが形成されているフォトマスク
である。また、14はレーザ干渉計、15はスコヤ、17は装
置側のマスク基準マーク、19はマスク１の位置決めマー
クとマスク基準マーク17を計測し、またマスク１と基板
３の位置決めマークを計測するための顕微鏡である。な
お、レーザ干渉計14からの光の経路を示すため、ＬＡＢ
７やホルダ９の一部分等は省略している。
第２図において、第１番目のマスク１a を露光する場
合、まず、マスク１a を装置側のマスク基準マーク17に
対し顕微鏡19を用いて位置決めする。その後、マスク１
a の位置決めマークと前工程で形成された基板３の位置
決めマークとを顕微鏡19を用いて計測しマスク１a と基
板３の位置決めをし、第１番目の露光を行なう。
合、まず、マスク１a を装置側のマスク基準マーク17に
対し顕微鏡19を用いて位置決めする。その後、マスク１
a の位置決めマークと前工程で形成された基板３の位置
決めマークとを顕微鏡19を用いて計測しマスク１a と基
板３の位置決めをし、第１番目の露光を行なう。
次に、第２番目のマスク１b を露光する場合、まず、マ
スク１b を装置側のマスク基準マーク17に対し顕微鏡19
を用いて位置決めする。その後、レーザ干渉計14とステ
ージ上に設けたスコヤ15を用いて基板３の位置を計測し
つつ、基板３が所定の位置に設定されるように正確に基
板３をステップ移動し、露光を行なう。
スク１b を装置側のマスク基準マーク17に対し顕微鏡19
を用いて位置決めする。その後、レーザ干渉計14とステ
ージ上に設けたスコヤ15を用いて基板３の位置を計測し
つつ、基板３が所定の位置に設定されるように正確に基
板３をステップ移動し、露光を行なう。
第３図は、本発明の他の実施例に係る露光装置の概略構
成を示す。同図の装置は、レンズ投影系を用いて分割露
光により大画面を露光するステップアンドリピート型の
露光装置である。
成を示す。同図の装置は、レンズ投影系を用いて分割露
光により大画面を露光するステップアンドリピート型の
露光装置である。
同図において、１は焼付パターンが形成されているフォ
トマスク、２はマスク１を搭載してＸ，Ｙ，θ方向に移
動可能なマスクステージである。３は液晶表示板を製造
するためにその表面に多数の画素とこれらの画素のオン
・オフを制御するためのスイッチングトランジスタが通
常のフォトリソグラフィの手順で形成されるガラス基板
で、対角線の長さが14インチ程度の方形である。４は基
板３を保持してＸ，Ｙ，θ方向に移動可能な基板ステー
ジである。基板ステージ４のステップ移動は不図示のレ
ーザ干渉計を用いた精密測長システムによって制御され
る。31は複数枚のレンズよりなるレンズ投影系で、マス
クステージ２によって所定位置にアライメントされたマ
スク１のパターン像を基板３上へ投影する。なお、投影
倍率は縮小、拡大、等倍のいずれでも差しつかえない。
32は不図示の光源からの特定の波長の光で露光位置にあ
るマスク１を照明する照明光学系で、マスク１上のパタ
ーンを介して基板３上の感光層を露光することにより、
マスク１上のパターンを基板３に転写可能とするための
ものである。なお、投影系31の光軸は照明系32の光軸と
一致させてある。
トマスク、２はマスク１を搭載してＸ，Ｙ，θ方向に移
動可能なマスクステージである。３は液晶表示板を製造
するためにその表面に多数の画素とこれらの画素のオン
・オフを制御するためのスイッチングトランジスタが通
常のフォトリソグラフィの手順で形成されるガラス基板
で、対角線の長さが14インチ程度の方形である。４は基
板３を保持してＸ，Ｙ，θ方向に移動可能な基板ステー
ジである。基板ステージ４のステップ移動は不図示のレ
ーザ干渉計を用いた精密測長システムによって制御され
る。31は複数枚のレンズよりなるレンズ投影系で、マス
クステージ２によって所定位置にアライメントされたマ
スク１のパターン像を基板３上へ投影する。なお、投影
倍率は縮小、拡大、等倍のいずれでも差しつかえない。
32は不図示の光源からの特定の波長の光で露光位置にあ
るマスク１を照明する照明光学系で、マスク１上のパタ
ーンを介して基板３上の感光層を露光することにより、
マスク１上のパターンを基板３に転写可能とするための
ものである。なお、投影系31の光軸は照明系32の光軸と
一致させてある。
11は各マスク１を順次マスクステージ２へ搬送するため
のマスク搬送装置であり、13は投影系31、照明系32およ
び基板ステージ４を一定の関係で取付けるための基台で
ある。
のマスク搬送装置であり、13は投影系31、照明系32およ
び基板ステージ４を一定の関係で取付けるための基台で
ある。
同図の装置においては、基板３の表面を例えば４つの被
露光領域に分割し、これらの被露光領域を基板ステージ
４のステップ移動によりマスク１および投影光学系31下
の露光領域に順番に送り込んで４回のマスクパターンの
露光を行ない、基板３の全面に液晶表示板の１レイヤ分
のパターンを焼付ける。
露光領域に分割し、これらの被露光領域を基板ステージ
４のステップ移動によりマスク１および投影光学系31下
の露光領域に順番に送り込んで４回のマスクパターンの
露光を行ない、基板３の全面に液晶表示板の１レイヤ分
のパターンを焼付ける。
第４図は、第３図の装置における第２工程以降の露光動
作を説明するための概略構成図である。なお、第３図と
同一または共通の部分は同一の符番で示す。第４図にお
いて、１a は第１番目の焼付けパターンが形成されてい
るフォトマスク、１b ，１c ，１d は同様に第２，３，
４番目の焼付けパターンが形成されているフォトマスク
である。また、14はレーザ干渉計、15はスコヤ、17は装
置側のマスク基準マーク、19はマスク１の位置決めマー
クとマスク基準マーク17を計測し、またマスク１と基板
３の位置決めマークを計測するための顕微鏡である。
作を説明するための概略構成図である。なお、第３図と
同一または共通の部分は同一の符番で示す。第４図にお
いて、１a は第１番目の焼付けパターンが形成されてい
るフォトマスク、１b ，１c ，１d は同様に第２，３，
４番目の焼付けパターンが形成されているフォトマスク
である。また、14はレーザ干渉計、15はスコヤ、17は装
置側のマスク基準マーク、19はマスク１の位置決めマー
クとマスク基準マーク17を計測し、またマスク１と基板
３の位置決めマークを計測するための顕微鏡である。
第４図において、第１番目のマスク１a を露光する場
合、まず、マスク１a を装置側のマスク基準マーク17に
対し顕微鏡19を用いて位置決めする。その後、マスク１
a の位置決めマークと前工程で形成された基板３の位置
決めマークとを顕微鏡19を用いて計測してマスク１a と
基板３の位置決めをし、第１番目の露光を行なう。
合、まず、マスク１a を装置側のマスク基準マーク17に
対し顕微鏡19を用いて位置決めする。その後、マスク１
a の位置決めマークと前工程で形成された基板３の位置
決めマークとを顕微鏡19を用いて計測してマスク１a と
基板３の位置決めをし、第１番目の露光を行なう。
次に、第２番目のマスク１b を露光する場合、まず、マ
スク１b を装置側のマスク基準マーク17に対し顕微鏡19
を用いて位置決めする。その後、レーザ干渉計14とステ
ージ上に設けたスコヤ15を用いて基板３の位置を計測し
つつ、基板３が所定の位置に設定されるように正確に基
板３をステップ移動し、露光を行なう。
スク１b を装置側のマスク基準マーク17に対し顕微鏡19
を用いて位置決めする。その後、レーザ干渉計14とステ
ージ上に設けたスコヤ15を用いて基板３の位置を計測し
つつ、基板３が所定の位置に設定されるように正確に基
板３をステップ移動し、露光を行なう。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、分割露光方式によ
る露光方法において、第１番目の露光については原板の
位置決めマークと被露光体の位置決めマークとを用いて
アライメントし、第２番目以降の露光については位置決
めマークによるアライメントは行なわずレーザ干渉計等
の別手段によって被露光体が正確に所定位置にくるよう
にステップ移動しているので、第２番目以降のマスクを
露光する際のアライメント時間をなくし、装置のタクト
タイムを短くして生産性を向上させることができる。
る露光方法において、第１番目の露光については原板の
位置決めマークと被露光体の位置決めマークとを用いて
アライメントし、第２番目以降の露光については位置決
めマークによるアライメントは行なわずレーザ干渉計等
の別手段によって被露光体が正確に所定位置にくるよう
にステップ移動しているので、第２番目以降のマスクを
露光する際のアライメント時間をなくし、装置のタクト
タイムを短くして生産性を向上させることができる。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光装置の概略構成
図、 第２図は、第１図の装置における第２工程以降の露光動
作を説明するための概略構成図、 第３図は、本発明の他の実施例に係る露光装置の概略構
成図、 第４図は、第３図の装置における第２工程以降の露光動
作を説明するための概略構成図である。 １：フォトマスク、２：マスクステージ、 ３：基板、４：基板ステージ、５：ミラー投影系、 ９：ホルダ（キャリッジ）、13：基台、 14：レーザ干渉計、15：スコヤ、 17：マスク基準マーク、19：顕微鏡、 31：レンズ投影系、32：照明系。
図、 第２図は、第１図の装置における第２工程以降の露光動
作を説明するための概略構成図、 第３図は、本発明の他の実施例に係る露光装置の概略構
成図、 第４図は、第３図の装置における第２工程以降の露光動
作を説明するための概略構成図である。 １：フォトマスク、２：マスクステージ、 ３：基板、４：基板ステージ、５：ミラー投影系、 ９：ホルダ（キャリッジ）、13：基台、 14：レーザ干渉計、15：スコヤ、 17：マスク基準マーク、19：顕微鏡、 31：レンズ投影系、32：照明系。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｇ 8418−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】異種類の原板のパターンで被露光体上の相
異なる領域を露光する方法であって、 第１原板の位置合わせマークと被露光体の位置合わせマ
ークの位置関係を検出し、該検出結果に基づいて前記第
１原板に対して前記被露光体の第１領域を位置合わせし
た後、前記第１原板のパターンで前記被露光体の第１領
域を露光する第１露光段階と、 前記第１露光段階における前記第１原板の位置と実質同
じ位置に第２原板を配置し、前記被露光体を所定量移動
させて前記第２原板に対して前記被露光体の第２領域を
位置合わせした後、前記第２原板のパターンで前記被露
光体の第２領域を露光する第２露光段階と を有する露光方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61024067A JPH0630334B2 (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | 露光方法 |
| US07/010,481 US4708466A (en) | 1986-02-07 | 1987-02-03 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61024067A JPH0630334B2 (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | 露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62183517A JPS62183517A (ja) | 1987-08-11 |
| JPH0630334B2 true JPH0630334B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=12128094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61024067A Expired - Lifetime JPH0630334B2 (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630334B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4542314B2 (ja) * | 2003-02-13 | 2010-09-15 | 大日本印刷株式会社 | 露光方法及び露光装置 |
| WO2010016550A1 (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-11 | 株式会社ニコン | 基板処理方法、基板処理装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5954225A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法 |
| JPS6097623A (ja) * | 1983-11-02 | 1985-05-31 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JPS60192945A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-10-01 | Fujitsu Ltd | マスク・プリント方法 |
| JP2593440B2 (ja) * | 1985-12-19 | 1997-03-26 | 株式会社ニコン | 投影型露光装置 |
-
1986
- 1986-02-07 JP JP61024067A patent/JPH0630334B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62183517A (ja) | 1987-08-11 |
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Legal Events
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