JPS5954225A - 投影露光方法 - Google Patents
投影露光方法Info
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- JPS5954225A JPS5954225A JP57165280A JP16528082A JPS5954225A JP S5954225 A JPS5954225 A JP S5954225A JP 57165280 A JP57165280 A JP 57165280A JP 16528082 A JP16528082 A JP 16528082A JP S5954225 A JPS5954225 A JP S5954225A
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- JP
- Japan
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- stage
- pattern
- chips
- projection exposure
- original
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、投影照光方法、特に、高集積半導体を製造す
るための投影露光方法に関するものである。
るための投影露光方法に関するものである。
高集積半纏体は、′＄、露光露光板数枚の原画の（ルｐ
様を順次転写して製造される。そして、２次元的に移動
可能なＸＹステージ」二に設置された被露光物、例えは
ウエノへ−上に、照明光学系を含む投影光学系によって
、複数枚の原画の模様を順次転写して行われるが、この
際、被露光物にめらかじめ転写され／と検出マークをパ
ターン検出器によって１り冒」４し、このパター ン演
出器で４炙出されたマークをノに仏として、次段の原画
との相対ｒ〃置を求め、そのｉｉ！ｌｊ差量をＭｉＥし
て次段の原ｌｌ７ｊｌの模様の重ね合せを行っている。
様を順次転写して製造される。そして、２次元的に移動
可能なＸＹステージ」二に設置された被露光物、例えは
ウエノへ−上に、照明光学系を含む投影光学系によって
、複数枚の原画の模様を順次転写して行われるが、この
際、被露光物にめらかじめ転写され／と検出マークをパ
ターン検出器によって１り冒」４し、このパター ン演
出器で４炙出されたマークをノに仏として、次段の原画
との相対ｒ〃置を求め、そのｉｉ！ｌｊ差量をＭｉＥし
て次段の原ｌｌ７ｊｌの模様の重ね合せを行っている。
第１１Δはこのような投影露光方法の実施に用いられる
装置を示すもので、１はウェハ２が載置され、ＸＹ方向
にステップアン１．ｌ）ピ〜ト＠ｈ、ルＸＹステージで
、５駆動モータ３及び４によってＸＹ方向に、駆動され
、レーザ測長系５によって位置制御１Ｔ１１されるよう
になっており、０．０５μｍ程度の位置決め精ノ度をも
っている。６は、落光照明系、７はコンデンサレンズ、
８は縮少レンズで、９は原版載置台、１ｏに設置没され
ているパターン原版（レチクル）である。１１及び１２
はパターン検出系で、１１ ａ 、 １２ 、” ＩＺ
’Ｌ咲１Ｊｊｆｄ’ｆｉ’ＡＸ、１１１） 。
装置を示すもので、１はウェハ２が載置され、ＸＹ方向
にステップアン１．ｌ）ピ〜ト＠ｈ、ルＸＹステージで
、５駆動モータ３及び４によってＸＹ方向に、駆動され
、レーザ測長系５によって位置制御１Ｔ１１されるよう
になっており、０．０５μｍ程度の位置決め精ノ度をも
っている。６は、落光照明系、７はコンデンサレンズ、
８は縮少レンズで、９は原版載置台、１ｏに設置没され
ているパターン原版（レチクル）である。１１及び１２
はパターン検出系で、１１ ａ 、 １２ 、” ＩＺ
’Ｌ咲１Ｊｊｆｄ’ｆｉ’ＡＸ、１１１） 。
１２１＋ ＩＪＪｌ−ン検出器、１］、Ｃｊ１２Ｇはハ
ーフミラ−１ｌｉｄ、１２ｄはミラー、１１ｅ。
ーフミラ−１ｌｉｄ、１２ｄはミラー、１１ｅ。
１２ｅはコリメータである。
この載置を用いて投影露光を行うＫは、ＸＹステーノ１
上にウェハ２．が載置さ、ハ、原版載ｉｉ＜ｉ“台１０
に最初０レチクル９が設置ぴれた後、（、・）、）１１
−照ｌＪ］、１５ ｊｒこより発４１三しコ／デ゛ンリ
〜レンス７ヲＥ山ＤＵ−：光された光が、レチクル”
ｔ：ｌｌ１３’） ％縮少レンズ８を経て、ＮＹスデー
ジ１のウェハ２上にレチクル９のパターンが結像される
。
上にウェハ２．が載置さ、ハ、原版載ｉｉ＜ｉ“台１０
に最初０レチクル９が設置ぴれた後、（、・）、）１１
−照ｌＪ］、１５ ｊｒこより発４１三しコ／デ゛ンリ
〜レンス７ヲＥ山ＤＵ−：光された光が、レチクル”
ｔ：ｌｌ１３’） ％縮少レンズ８を経て、ＮＹスデー
ジ１のウェハ２上にレチクル９のパターンが結像される
。
次に、このようにして、ウェハ２」二にレチクル９のパ
ターンが転写され／こ後、この上に異なるレチクル９の
パターンの顯写が行われるが、とのウェハ２」二に転写
さＪｌているレチクル９のパターン上に、次段のレチク
ル９のパターンをイ［請度良く重ね合せて転写可能にす
る／こめに、検出系照明系１１及び１２よりの光をそり
１．それ、ハーフミラ−１１ｃ、１２Ｃ，ミラー１１ｄ
、１２ｄを介してレチクル９に設けられた穴から縮少Ｖ
ンズ８ｂｍしてウェハ２に照射し、ウェハ２上のイβヱ
出パターン１３の像をレチクル２−］二に結１嫁させ、
この像を拡大したものをそれぞれ、ミラーｌｉｄ、１２
ｄ。
ターンが転写され／こ後、この上に異なるレチクル９の
パターンの顯写が行われるが、とのウェハ２」二に転写
さＪｌているレチクル９のパターン上に、次段のレチク
ル９のパターンをイ［請度良く重ね合せて転写可能にす
る／こめに、検出系照明系１１及び１２よりの光をそり
１．それ、ハーフミラ−１１ｃ、１２Ｃ，ミラー１１ｄ
、１２ｄを介してレチクル９に設けられた穴から縮少Ｖ
ンズ８ｂｍしてウェハ２に照射し、ウェハ２上のイβヱ
出パターン１３の像をレチクル２−］二に結１嫁させ、
この像を拡大したものをそれぞれ、ミラーｌｉｄ、１２
ｄ。
ハーフミラーエ１ｃ、１２ｃを介してパターン検出器Ｉ
ＩＩ）、１２＋）に導き、パターン・検出ｔ４．ｙｌ
１１）。
ＩＩ）、１２＋）に導き、パターン・検出ｔ４．ｙｌ
１１）。
１２１〕によって、ウェハ１演出パターンの位置のＸ。
Ｙ座イ票を求め、これをウェハ２上の二つのチップの測
定力・ら、ウニ／・２とレチクル９のＧ２１ｆ４ｊの相
対誤差を知り、この相対誤差をＸＹステーンのｒｌｒｆ
制御にフィードバックさせて転写を行っている。
定力・ら、ウニ／・２とレチクル９のＧ２１ｆ４ｊの相
対誤差を知り、この相対誤差をＸＹステーンのｒｌｒｆ
制御にフィードバックさせて転写を行っている。
一般に、１：１ノロ／工クシヨン方式の投影露光装置で
は、その原理」−１機械精度のエラーを避けられず、例
えば、第２〜第４図に示すような転写歪みを生ずる。何
れの図も、横・＋１＋ 、縦軸にそれぞれＸ、Ｙ軸がと
っである。第２図及び第３図の場合はチップ配列があた
かも弓形のうねりを持つような転写歪が発生した場合、
第４図及び第５図はチップ配列があたかもＸ方向、Ｙ方
向に伸びる妙・ｌたは縮むような転写歪（ピッチエラー
）が発生した場合、第６図はＸＹの直交度エラーが生じ
たような転写歪が発生し７た場合を示すもので、これら
の各種のエラーは、単独で生じることも、混合［−で起
きることもあり、配列誤差としては１μ＋１１以」二に
なることもある。
は、その原理」−１機械精度のエラーを避けられず、例
えば、第２〜第４図に示すような転写歪みを生ずる。何
れの図も、横・＋１＋ 、縦軸にそれぞれＸ、Ｙ軸がと
っである。第２図及び第３図の場合はチップ配列があた
かも弓形のうねりを持つような転写歪が発生した場合、
第４図及び第５図はチップ配列があたかもＸ方向、Ｙ方
向に伸びる妙・ｌたは縮むような転写歪（ピッチエラー
）が発生した場合、第６図はＸＹの直交度エラーが生じ
たような転写歪が発生し７た場合を示すもので、これら
の各種のエラーは、単独で生じることも、混合［−で起
きることもあり、配列誤差としては１μ＋１１以」二に
なることもある。
従って、１：１プロジエク／ヨン装置で形成された前段
のチップの配列上にスデソブアンドリビ−１・方式て次
段のチップ配列を４’ｒｒ度良く沖ね合ぜをすることは
できない。
のチップの配列上にスデソブアンドリビ−１・方式て次
段のチップ配列を４’ｒｒ度良く沖ね合ぜをすることは
できない。
なお、ウェハ上のチノグ防に位置を検出する方法もある
が、この方法は検出する時間が大きくなりスループット
が落ちる点で実用的でない。
が、この方法は検出する時間が大きくなりスループット
が落ちる点で実用的でない。
本発明（／′ｉ、配列誤差をもった前段にｊ大写された
原画の模様に対して、次段に転写される原画の模様を精
度良く重ね合せ露）１０のてきるスループットの旨い投
影露光方法を提供することを１」的とするものである。
原画の模様に対して、次段に転写される原画の模様を精
度良く重ね合せ露）１０のてきるスループットの旨い投
影露光方法を提供することを１」的とするものである。
本発明は２次元的に移動可能なＸ Ｙステージ上に設置
された被露光物に、ｊ（ぺ明光学系を含む投影光学系に
よって、複数枚の原画の模様を順次転写するにあたり、
被露光物にあらかじめ転写された前段の模様の配列状態
を検出マークによって求め、との検出マークの配列状態
を基準として次段の原画との相対位置を求め、その誤差
量を補正して次段の原画の１ゲ層ｊｐ（７Ｊ）重ね合せ
を行なう投影露光方法において、検出マークを用いて求
めた被露光物に形成さ打だ少なくとも５個の前段の模様
がｉｉ！７−’＜写されたアンプの位置からその配列状
態を求め、次段の原画の模様が「）１Ｊ段の模様上に市
しい位置で転写されるようにＸＹスア−７を移動させて
転写を行うことを！Ｌ′１″徴とするものである。
された被露光物に、ｊ（ぺ明光学系を含む投影光学系に
よって、複数枚の原画の模様を順次転写するにあたり、
被露光物にあらかじめ転写された前段の模様の配列状態
を検出マークによって求め、との検出マークの配列状態
を基準として次段の原画との相対位置を求め、その誤差
量を補正して次段の原画の１ゲ層ｊｐ（７Ｊ）重ね合せ
を行なう投影露光方法において、検出マークを用いて求
めた被露光物に形成さ打だ少なくとも５個の前段の模様
がｉｉ！７−’＜写されたアンプの位置からその配列状
態を求め、次段の原画の模様が「）１Ｊ段の模様上に市
しい位置で転写されるようにＸＹスア−７を移動させて
転写を行うことを！Ｌ′１″徴とするものである。
本発明は、前段の被・１１に光物上のチップの配列に生
ずる、チップの配列の９ねり、Ｘ）′方向の配列の伸び
縮みの相産、配列直交度のエラー’を少なくとも５チツ
プの位置を測定することによって定性的、定型的に把握
可能な点に着目してなされたものである。
ずる、チップの配列の９ねり、Ｘ）′方向の配列の伸び
縮みの相産、配列直交度のエラー’を少なくとも５チツ
プの位置を測定することによって定性的、定型的に把握
可能な点に着目してなされたものである。
例えば、チップが５行５列に配列されている場合に測定
に用いられる５チツゾには、第２〜６図に示すように、
中心のチップと、この中心のチップからＸ ’１ｉ１１
１方向、Ｙ’１ｉｌ１１方向にそれぞれ１間のチップを
１６いて選んだ５チツプが用いられる。そして、中心の
チップの朋標（Ｘｏ、ｙｏ ）、Ｘ軸方向の二つのチッ
プの座標がそれぞれ（Ｘａ、ｙａ）（Ｘｂ ＋ ３’
ｂ ） 、Ｙ ！ｔ：ｌｌ］方向の二つのチップの１１
人標がそれぞれ（Ｘｃ ＋ Ｓ′。） （Ｘｔ＋ 、
３’ｄ）とすると、第２［メ］に示すうねりの場合に
は、（Ｎｏ。
に用いられる５チツゾには、第２〜６図に示すように、
中心のチップと、この中心のチップからＸ ’１ｉ１１
１方向、Ｙ’１ｉｌ１１方向にそれぞれ１間のチップを
１６いて選んだ５チツプが用いられる。そして、中心の
チップの朋標（Ｘｏ、ｙｏ ）、Ｘ軸方向の二つのチッ
プの座標がそれぞれ（Ｘａ、ｙａ）（Ｘｂ ＋ ３’
ｂ ） 、Ｙ ！ｔ：ｌｌ］方向の二つのチップの１１
人標がそれぞれ（Ｘｃ ＋ Ｓ′。） （Ｘｔ＋ 、
３’ｄ）とすると、第２［メ］に示すうねりの場合に
は、（Ｎｏ。
ｙｏ ） （Ｘａ ＋ 、Ｙｎ ） （Ｘｂ ＋ Ｙｂ
）の３点の座標を求め、これらの座標により形成され
る円弧−１−にある（ Ｘ１１ ｙｌ ）（Ｘ２１．
Ｙ２）の１立置を・求めるこ々によって、５行５列の配
列が決定される。
）の３点の座標を求め、これらの座標により形成され
る円弧−１−にある（ Ｘ１１ ｙｌ ）（Ｘ２１．
Ｙ２）の１立置を・求めるこ々によって、５行５列の配
列が決定される。
第３図に示すうねりの場合ｄ：第２図と全く同様にして
配列が決定される。また、第４図に示ずＸ方向に沖びの
ある場合には、（ＸＯ＋ ＹＯ） （”ｎ １）’８
）（Ｘｂ ＋ Ｙｌ＋ ）の３点の座標を求め、を満足
するｘ、１ ＋ Ｘ２ を求めることによって５行５列
の配列が決定される。第５図に示すＹ方向に伸びのめる
場合も全く同様にして配列が決定される。でらに、第６
図に示す直交度エラーがある場合には、（Ｘ８ｒ ｙａ
） （ｘｂ ｌ ｙｂ ） （Ｘｃ ＋ｙ・）（Ｘｄ
、３’ｄ）の４点のｊ坐標を求めると、これらの座標よ
り として直交度エラーが求捷り、５行５列の配列が決まる
。
配列が決定される。また、第４図に示ずＸ方向に沖びの
ある場合には、（ＸＯ＋ ＹＯ） （”ｎ １）’８
）（Ｘｂ ＋ Ｙｌ＋ ）の３点の座標を求め、を満足
するｘ、１ ＋ Ｘ２ を求めることによって５行５列
の配列が決定される。第５図に示すＹ方向に伸びのめる
場合も全く同様にして配列が決定される。でらに、第６
図に示す直交度エラーがある場合には、（Ｘ８ｒ ｙａ
） （ｘｂ ｌ ｙｂ ） （Ｘｃ ＋ｙ・）（Ｘｄ
、３’ｄ）の４点のｊ坐標を求めると、これらの座標よ
り として直交度エラーが求捷り、５行５列の配列が決まる
。
従って、このように配列きれたチップ」二に次段の原画
の模様を転写する場合に、被ｆｌＫ先物を載置している
ＸＹステージを移動させることによって次段の原画の模
様を前段の原画の模様上の正しい位置に１畝写すること
かでき、所期の目的を達成することができる。
の模様を転写する場合に、被ｆｌＫ先物を載置している
ＸＹステージを移動させることによって次段の原画の模
様を前段の原画の模様上の正しい位置に１畝写すること
かでき、所期の目的を達成することができる。
第７図はこの」ジ・：影蕗光方法の一実施例を実施する
装置σの要４１ｓの・政略説明図を示すもので、１４及
び１５はウェハで、５個のチップを用いる場合のチップ
の配列と、この方法で検出マークの位置が検出されるチ
ップの位置が示してあシ、５個のチップは、中心に位置
するチップと、このチップを中心として互に直角をなす
方向にあり、かつこのチップから等圧ＦＱＩＦ、に位置
する４個よりなっている。
装置σの要４１ｓの・政略説明図を示すもので、１４及
び１５はウェハで、５個のチップを用いる場合のチップ
の配列と、この方法で検出マークの位置が検出されるチ
ップの位置が示してあシ、５個のチップは、中心に位置
するチップと、このチップを中心として互に直角をなす
方向にあり、かつこのチップから等圧ＦＱＩＦ、に位置
する４個よりなっている。
マークの位置は第１図の投影露光装置の検出系照明系１
１及び１２のツクターン険出器１１１〕及び１２１〕に
よって求められる。なおチップに１・１した符号は第２
図〜第６図と同じにしてあン〕。そし″〔１６は（Ｘｃ
＋ Ｙｃ ）ｌ （Ｘｏ ＋ Ｙｏ ）＋ （Ｘａ
＋）・ｄ）のデータが人力してＸ方向うねり誤ゾ、壬を
〉ｊ〈めるＸ方向うねシ誤差前正計層回Ｉｌ各、１７ｒ
」、１司じくＹ方向ピッチ誤差を求めるＹ方向ピッチ誤
差宇１０正計算回路、１８は（Ｘａ ＋ Ｙ ａ’ ）
＋ （Ｘｏ ＋Ｙｏ ）＋ （Ｘｂ ＋ Ｙｂ
）のデータ〃で入ノｊして）ｒ方向のうねシ誤差を求
めるＹ方向う’Ａｓすｎ呉シ登ネｉｌｉ ＪＪＥ Ｈ−
１−算回路、１９は同じくＸ方向ピッチ誤差をＡ〈める
Ｘ方向ピッチ誤差抽圧計算回路、ｚｏｉｄ（ｘｄ。
１及び１２のツクターン険出器１１１〕及び１２１〕に
よって求められる。なおチップに１・１した符号は第２
図〜第６図と同じにしてあン〕。そし″〔１６は（Ｘｃ
＋ Ｙｃ ）ｌ （Ｘｏ ＋ Ｙｏ ）＋ （Ｘａ
＋）・ｄ）のデータが人力してＸ方向うねり誤ゾ、壬を
〉ｊ〈めるＸ方向うねシ誤差前正計層回Ｉｌ各、１７ｒ
」、１司じくＹ方向ピッチ誤差を求めるＹ方向ピッチ誤
差宇１０正計算回路、１８は（Ｘａ ＋ Ｙ ａ’ ）
＋ （Ｘｏ ＋Ｙｏ ）＋ （Ｘｂ ＋ Ｙｂ
）のデータ〃で入ノｊして）ｒ方向のうねシ誤差を求
めるＹ方向う’Ａｓすｎ呉シ登ネｉｌｉ ＪＪＥ Ｈ−
１−算回路、１９は同じくＸ方向ピッチ誤差をＡ〈める
Ｘ方向ピッチ誤差抽圧計算回路、ｚｏｉｄ（ｘｄ。
’ｉ’ａ ）＋ （Ｘｃ ＋ ｙ・）・ （Ｘ・・ｙ
・）・（ｘ ｂ ｌ Ｙ ｂ ）のデータが人力し直行
度誤差をＡくめる直行度胆差補正計算回路で、これらの
言１゛算回路によって求めた計算結果にＪ′、つて最終
ステージ目標位置を求める。このようにして最終ステー
・／目標位置が求められると、この最終ステージ目標位
置と次段の原画の位置とのずれを１駆動モータ３及び４
を用いてＸＹステージを動かして調整すｉｔば、ウニ・
・２上のチップにＩ（大写されている１↑」段の原画の
模様Ｓ上に次段の原画の模様を重ねることが出来る。
・）・（ｘ ｂ ｌ Ｙ ｂ ）のデータが人力し直行
度誤差をＡくめる直行度胆差補正計算回路で、これらの
言１゛算回路によって求めた計算結果にＪ′、つて最終
ステージ目標位置を求める。このようにして最終ステー
・／目標位置が求められると、この最終ステージ目標位
置と次段の原画の位置とのずれを１駆動モータ３及び４
を用いてＸＹステージを動かして調整すｉｔば、ウニ・
・２上のチップにＩ（大写されている１↑」段の原画の
模様Ｓ上に次段の原画の模様を重ねることが出来る。
この目標決定は、行Ｘ列＝５×５の配列をもつ］：１プ
ロゾエク／ヨンの場合を１クリにして補正式を示したが
、一般に行Ｘ列、＝： １１ Ｘ １１の配列の場合、
あるいは、第８図に示すように、ウェハ２上の行Ｘ列＝
＝ ＩＩ Ｘ ＋１の配列の一部がウェハ２の形状に制
限されて欠除する場合にも同様の考えで行うことができ
る。
ロゾエク／ヨンの場合を１クリにして補正式を示したが
、一般に行Ｘ列、＝： １１ Ｘ １１の配列の場合、
あるいは、第８図に示すように、ウェハ２上の行Ｘ列＝
＝ ＩＩ Ｘ ＋１の配列の一部がウェハ２の形状に制
限されて欠除する場合にも同様の考えで行うことができ
る。
なお、用いる補正式は、１：１プロジエクンヨンの機種
、行Ｘ列の配列状況によｌ）Ｊ宜変化するが、何れの場
合にも同様に適用でき、寸だ、配列の決定に１５チップ
以上であれば適宜選定することができる。さらに、この
方法は、前段がｌ：１プロジエクノヨン露光方法によっ
て転写されたものに限られず、前段が他のどのような種
類の露光方法によって転写形成された場合にも適用可能
である。
、行Ｘ列の配列状況によｌ）Ｊ宜変化するが、何れの場
合にも同様に適用でき、寸だ、配列の決定に１５チップ
以上であれば適宜選定することができる。さらに、この
方法は、前段がｌ：１プロジエクノヨン露光方法によっ
て転写されたものに限られず、前段が他のどのような種
類の露光方法によって転写形成された場合にも適用可能
である。
不発明は、配列誤差をもつン′こ前段の原画の模様に列
し７て、次段の原画の模様を’ＩＩ’ｉ度良くＩＦね合
せ露光のできるスループットのｌＸ９］い投Ｊ ｊ、・
□１〒）Ｙ１方法を提供可能とするもので１、産業」−
の効用の大なるものである。
し７て、次段の原画の模様を’ＩＩ’ｉ度良くＩＦね合
せ露光のできるスループットのｌＸ９］い投Ｊ ｊ、・
□１〒）Ｙ１方法を提供可能とするもので１、産業」−
の効用の大なるものである。
第１１（ｊは投影露光に用いられる投影露光装置の説明
図、第２〜第６図日、本発明の投影Ａ Ｊ百方法の原理
を説明するだめのウエノ・上のチップの配列を示す説明
図、第７図は本発明の投影露光方法を実施する投影露光
装置の要部の概略説明図、第８図はウェハ上のチップの
配列の他の列を示す平面図である。 １・・・ＸＹステージ、２・・・ウエノ・、３，４・・
・駆動モータ、５・・・ンーザ測長系、６・・・露光照
明系、７・・・コンデンサレンズ、８・・・縮少レンズ
、９・・パターン原版（レチクル）、］０・・・原版載
置台、１ｌ−２（ほか１名） 苓１図 瑯２回 ｔ３ 口 υ Ｘ第
６図 子ｑ図
図、第２〜第６図日、本発明の投影Ａ Ｊ百方法の原理
を説明するだめのウエノ・上のチップの配列を示す説明
図、第７図は本発明の投影露光方法を実施する投影露光
装置の要部の概略説明図、第８図はウェハ上のチップの
配列の他の列を示す平面図である。 １・・・ＸＹステージ、２・・・ウエノ・、３，４・・
・駆動モータ、５・・・ンーザ測長系、６・・・露光照
明系、７・・・コンデンサレンズ、８・・・縮少レンズ
、９・・パターン原版（レチクル）、］０・・・原版載
置台、１ｌ−２（ほか１名） 苓１図 瑯２回 ｔ３ 口 υ Ｘ第
６図 子ｑ図
Claims (1)
- １．２次元的に移動可能なＸＹステージ上に設置された
被露光物に、照明光学系を含む投影光学系によって、複
数枚の原画の模様を順次転写するにあたり、前記被露光
物にあらかじめ転写された前段の模様の配列状態を検出
マークによって求め、該検出マークの配列状態を基準と
して次段の原画との相対位置を求め、その誤差量を補正
して次段の原画の模様の重ね合せを行な９投影露光方法
において、前記検出マークを用いて求めた前記被露光物
に形成された少なくとも５個の前段の原画の模様が転写
されたチップの位置からその配列状態を求め、次段の原
画の模様が前記前段の原画の模様上に正しい位置で転写
されるように前記Ｘ）・′スデージを停動させて転写を
行うことを特徴とする投影露光方法。 ２、ｍＪ記５ ｉｌ−・：のチップが、中心に位置する
チップと、該チップを中心として互に直角をなす方向に
あり、かつ該チップから等圧Ｆｊｌ（に位置する４個の
チップである１１イ許請求の・鉋囲第１項記載の投影露
光方法。 ３、前記前段の模様が転写さＪしたチップの配列状態が
、配列されたチップの配列のうねり、ＸＹ方向それぞれ
の伸び縮み、座標系のＩｒｊ交度の誤シを計算して求め
られ゛る時許請求の範囲第１項又Ｃ［第２項記載の投影
露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57165280A JPS5954225A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57165280A JPS5954225A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 投影露光方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4249109A Division JPH0766905B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 投影露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954225A true JPS5954225A (ja) | 1984-03-29 |
| JPH0474854B2 JPH0474854B2 (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=15809326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57165280A Granted JPS5954225A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954225A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6144429A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
| JPS61177724A (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-09 | Hitachi Ltd | 投影露光方法 |
| JPS6284516A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-18 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法 |
| JPS62183517A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Canon Inc | 露光方法 |
| JPS62217686A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Toshiba Mach Co Ltd | レ−ザミラ−の位置変位補正方法 |
| JPS62291133A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-17 | Nikon Corp | 位置合わせ方法 |
| JPS63250120A (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | アライメント補正装置 |
| JPH0620921A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-01-28 | Hitachi Ltd | 投影露光方法 |
| JPH06151277A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-05-31 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH07254558A (ja) * | 1994-12-19 | 1995-10-03 | Nikon Corp | 位置合わせ方法 |
| JPH09190972A (ja) * | 1996-12-09 | 1997-07-22 | Nikon Corp | 回路パターンの形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717132A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-28 | Fujitsu Ltd | Formation of microscopic pattern using lithography and device thereof |
| JPS5780724A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Positioning device |
-
1982
- 1982-09-21 JP JP57165280A patent/JPS5954225A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717132A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-28 | Fujitsu Ltd | Formation of microscopic pattern using lithography and device thereof |
| JPS5780724A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Positioning device |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6144429A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
| JPS61177724A (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-09 | Hitachi Ltd | 投影露光方法 |
| JPS6284516A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-18 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法 |
| JPS62183517A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Canon Inc | 露光方法 |
| JPS62217686A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Toshiba Mach Co Ltd | レ−ザミラ−の位置変位補正方法 |
| JPS62291133A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-17 | Nikon Corp | 位置合わせ方法 |
| JPS63250120A (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | アライメント補正装置 |
| JPH0620921A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-01-28 | Hitachi Ltd | 投影露光方法 |
| JPH06151277A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-05-31 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH07254558A (ja) * | 1994-12-19 | 1995-10-03 | Nikon Corp | 位置合わせ方法 |
| JPH09190972A (ja) * | 1996-12-09 | 1997-07-22 | Nikon Corp | 回路パターンの形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0474854B2 (ja) | 1992-11-27 |
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