JPH06304064A - セラミックス製加熱容器 - Google Patents

セラミックス製加熱容器

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JPH06304064A
JPH06304064A JP9341093A JP9341093A JPH06304064A JP H06304064 A JPH06304064 A JP H06304064A JP 9341093 A JP9341093 A JP 9341093A JP 9341093 A JP9341093 A JP 9341093A JP H06304064 A JPH06304064 A JP H06304064A
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film
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electromagnetic induction
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Hiromichi Ichinose
弘道 一ノ瀬
Atsunori Shiraishi
敦則 白石
Hiroshi Nakao
浩 中尾
Niwami Sakaguchi
庭見 坂口
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ARITA BUSSAN KK
SAGA PREF GOV
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 セラミックス製の容器(11)の外側もしく
は内側の少なくとも一方に、ニッケル膜(13)を形成
させた加熱容器。ニッケル膜(13)の下地として、ニ
ッケルにアルミニウムもしくはクロムを1〜30重量%
添加した合金あるいは複合材の膜(12)をセラミック
ス製容器に形成する。また、好適には、ニッケル膜(1
3)として、ニッケルに元素周期表の3Aから2B族の
元素と元素周期表3Bと4B族の元素及び元素周期表5
Bと6Bの元素の少なくとも1種類を0.1〜50重量
%添加したものを用いる。 【効果】 膜の剥離の問題や酸化の問題を解決して、さ
らにガスコンロの直火による加熱も可能な誘電加熱用の
セラミックス容器を安価に作製することが可能になっ
た。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電磁調理器用もしくは
電磁誘導加熱装置用のセラミックス製加熱容器に関す
る。
【0002】
【従来の技術】電磁誘導加熱装置は、その加熱原理か
ら、鉄やステンレス等の金属しか加熱できないために、
セラミックスやガラスの容器を加熱する場合は、その容
器の外側もしくは内側に銀あるいはアルミニウムの薄膜
を形成させていた。
【0003】しかしながら、銀薄膜はセラミックスとの
付着力が弱く、剥離してしまうという問題があり、この
ため、この銀薄膜の上にさらに保護膜を形成しなければ
ならず、製造工程の複雑化やコストが向上するという問
題がある。
【0004】一方、アルミニウム粉をセラミックス容器
の表面に溶射し薄膜を形成させるという方法がある(実
開昭61−166497号公報参照)。この方法によっ
て、セラミックス容器表面に、強い付着力のアルミニウ
ム薄膜を安価に形成することができるが、この容器はア
ルミニウムの融点が低いため、ガスコンロの直火による
加熱ができなかった。さらに、空炊きなどの過酷な条件
で電磁誘導加熱装置での使用を続けたい場合、形成させ
たアルミニウムが薄膜(約28μm)であるため、薄膜
が融点近い温度(約600℃)に達してしまい、膜が酸
化して加熱ができなくなるという問題がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決すべき課
題は、セラミックス容器表面へ形成した銀の薄膜の剥離
やコスト等の問題の解消、アルミニウム溶射による薄膜
の酸化等の問題の解消を図ることにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の加熱容器は、セラミックス製の容器の外側
もしくは内側の少なくとも一方に、ニッケル膜を形成さ
せたものである。
【0007】
【作用】ニッケルのキュリー点は360℃であるため、
電磁誘導による加熱ではこの温度で制御され、ニッケル
膜の温度が必要以上に上がるのを抑える効果がある。ま
た、ニッケルに元素周期表の3Aから2B族の元素(金
属,遷移金属全体)、元素周期表3Bと4B族の元素
(半金属)及び元素周期表5Bと6B族の元素(非金
属)の少なくとも一種類を0.1〜50重量%の範囲で
適量を添加することでキュリー点を変化させると、膜の
加熱温度が制御される。これらの元素の添加量が0.1
重量%以下であるとキュリー点温度の変化が小さくてニ
ッケル膜に対する温度抑制効果が余りなくなり、50重
量%以上であるとキュリー点が下がり過ぎてニッケル膜
の特性が得られなくなるため、0.1〜50重量%の範
囲が好適である。
【0008】さらに、ニッケルの融点は1455℃であ
り、アルミニウム(融点660℃)と比べ耐熱性が高
い。また、ニッケルは酸化しにくい金属である。これら
のことから、ニッケルの膜は電磁誘導加熱用の発熱体に
適していることがわかる。
【0009】また、ニッケル膜の下地として、ニッケル
にアルミニウムもしくはクロムを1〜30重量%添加し
た合金もしくは複合材の膜を形成することでセラミック
ス容器と膜の密着性を上げ、剥離を抑えている。添加量
が1重量%以下では密着性がニッケルのときと余り変わ
らなくなり、30重量%以上であると密着性がそれほど
変化しないため、1〜30重量%の範囲が好適である。
【0010】この下地はキュリー点がニッケルより低く
なっているために、加熱面であるニッケル膜の温度制御
に影響を与えない。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例を示して説明する。
【0012】〔実施例1〕図1に示すように、内径が1
8cmのセラミックス容器1の外側底部表面上に厚さ2
00μmのニッケル膜2をガス溶射によって形成させ、
電磁誘導加熱(電磁調理器)用加熱容器を作製した。こ
れを電磁誘導加熱装置(電磁調理器)で使用すると、容
器の加熱面はニッケルのキュリー点である360℃で制
御された。
【0013】〔実施例2〕図2に示すように、内径が1
8cmのセラミックス容器11の外側底部表面にまず下
地としてニッケル95%とアルミニウム5%の合金膜1
2をガス溶射で形成し(厚さ100μm)、その上に厚
さ200μmのニッケル膜13を溶射で形成して電磁誘
導加熱用容器を作製した。この下地12を設けることで
滑らかなセラミックス容器11の表面にも接着力が強い
ニッケル膜13を形成することができ、また「実施例
1」同様、この容器の加熱面はニッケルのキュリー点で
ある360℃で制御された。
【0014】〔実施例3〕図3に示すように、内径が1
8cmのセラミックス容器21の外側底部表面にまず下
地としてニッケル95%とクロム5%の合金膜22をガ
ス溶射で形成し(厚さ100μm)、その上に厚さ20
0μmのニッケル膜23を溶射で形成して電磁誘導加熱
用容器を作製した。この下地22を設けることで滑らか
なセラミックス容器21の表面にも接着力が強いニッケ
ル膜23を形成することができ、また「実施例1」同
様、この容器の加熱面はニッケルのキュリー点である3
60℃で制御された。
【0015】〔実施例4〕同様に、セラミックス容器の
外側表面にニッケル87%と鉄3%の合金膜をガス溶射
で形成し(厚さ200μm)、電磁誘導加熱用容器を作
製した。これを電磁誘導加熱装置(電磁調理器)で加熱
するとこの容器の加熱面は約400℃で制御された。
【0016】〔実施例5〕セラミックス容器の外側表面
にニッケル96%とチタン4%の合金膜をガス溶射で形
成し(厚さ200μm)、電磁誘導加熱用容器を作製し
た。これを電磁誘導加熱装置(電磁調理器)で加熱する
とこの容器の加熱面は約200℃で制御された。
【0017】〔実施例6〕セラミックス容器の外側表面
にニッケル95%と銅5%の合金膜をガス溶射で形成し
(厚さ200μm)、電磁誘導加熱用容器を作製した。
これを電磁誘導加熱装置(電磁調理器)で加熱すると、
この容器の加熱面は約300℃で制御された。
【0018】〔実施例7〕セラミックス容器の外側表面
にニッケル97%とシリコン3%の合金膜をガス溶射で
形成し(厚さ200μm)、電磁誘導加熱用容器を作製
した。これを電磁誘導加熱装置(電磁調理器)で加熱す
るとこの容器の加熱面は約100℃で制御された。
【0019】〔実施例8〕セラミックス容器の外側表面
にニッケル95%とアンチモン5%の合金膜をガス溶射
で形成し(厚さ200μm)、電磁誘導加熱用容器を作
製した。これを電磁誘導加熱装置(電磁調理器)で加熱
するとこの容器の加熱面は約250℃で制御された。
【0020】〔実施例9〕セラミックス容器の外側表面
にニッケル97%とアルミニウム3%の合金膜をガス溶
射で形成し(厚さ200μm)、電磁誘導加熱用容器を
作製した。これを電磁誘導加熱装置(電磁調理器)で加
熱するとこの容器の加熱面は約250℃で制御された。
【0021】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、膜
の剥離の問題や酸化の問題を解決して、さらにガスコン
ロの直火による加熱も可能な誘電加熱用のセラミックス
容器を安価に作製することが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例1の構造を示す平面図及び断
面図である。
【図2】 本発明の実施例2の構造を示す平面図及び断
面図である。
【図3】 本発明の実施例3の構造を示す平面図及び断
面図である。
【符号の説明】
1,11,21 セラミックス製容器、2,13,23
ニッケル膜、12,22 合金膜(下地)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中尾 浩 佐賀県西松浦郡有田町中部田ノ平3100−5 佐賀県窯業技術センター内 (72)発明者 坂口 庭見 佐賀県杵島郡山内町大字鳥海18−811

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 セラミックス製の容器の外側もしくは内
    側の少なくとも一方に、ニッケル膜を形成させた加熱容
    器。
  2. 【請求項2】 ニッケル膜の下地として、ニッケルにア
    ルミニウムもしくはクロムを1〜30重量%添加した合
    金あるいは複合材の膜をセラミックス製容器に形成した
    請求項1記載の加熱容器。
  3. 【請求項3】 ニッケル膜として、ニッケルに元素周期
    表の3Aから2B族の元素と元素周期表3Bと4B族の
    元素及び元素周期表5Bと6Bの元素の少なくとも1種
    類を0.1〜50重量%添加したものを用いた請求項1
    記載の加熱容器。
JP5093410A 1993-04-20 1993-04-20 セラミックス製加熱容器 Expired - Lifetime JP2544076B2 (ja)

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